Relevant bibliographies by topics / Кремния / Journal articles
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Кремния.

Journal articles on the topic 'Кремния'

Author: Grafiati
Published: 5 June 2025
Last updated: 16 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 journal articles for your research on the topic 'Кремния.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Никитин, С. Е., А. В. Нащекин, Е. Е. Терукова, И. Н. Трапезникова, А. В. Бобыль та В. Н. Вербицкий. "Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-5-=/SUB=-". Физика и техника полупроводников 51, № 1 (2017): 105. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.44004.8292.

Full text
Abstract:
Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V2O5. Интенсивное окисление кремния на границе Si-V2O5 начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V2O5-Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO2 в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния (D≥2·10-15 см2·с-1). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V2O5 через слой SiO2 к кремнию и возникновении преципитатов SiOx в кремнии. После удаления слоев V2O5 и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300-550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8292
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Болотов, В. В., Е. В. Князев, И. П. Пономарева та ін. "Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах "пористый кремний-на-изоляторе"". Физика и техника полупроводников 51, № 1 (2017): 51. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43995.8246.

Full text
Abstract:
Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре "макропористый кремний-мезопористый кремний". Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов "шипов", возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются захороненные слои двуокиси кремния с напряженностью электрического поля пробоя Ebr~ 104-105 В/cм. Показана перспективность применения многослойных структур "пористый кремний-на-изоляторе" в интегрированных химических микро- и наносенсорах. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8246
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Bytkin, Sergey, та Tatyana Kritskaya. "Моделирование s-образного процесса накопления А- и Е-центров в изовалентно легированном германием кремнии в среде Statistica И Mathcad". Modern Problems of Metalurgy 1, № 21 (2019): 29–35. http://dx.doi.org/10.34185/1991-7848.2018.01.06.

Full text
Abstract:
Кремний, легированный изовалентной примесью германия (Si<Ge> или SiGe в англоязычной научно-технической литературе), обладает рядом физико-технологических преимуществ с точки зрения обеспечения радиационной стойкости npn- и npnp-структур. Применение именно такого кремния весьма перспективно для силовой электроники, поскольку он способен вытеснить используемый в настоящее время кремний традиционного качества, легированный фосфоом (Si<Р>) за счёт своей большей термостабильности и радиационной стойкости, что положительно влияет на качество изготавливаемых на его основе приборов. Целью работы является моделирование в среде STATISTICA и MathCAD нелинейного накопления основных радиационных дефектов в кремнии и оценка возможности использования Gе как примеси, существенно замедляющей радиационную деградацию Si. Установлен процесс нелинейного накопления основных радиационных дефектов (А- и Е- центров) в кремнии, подвергаемом облучению α-частицами. Проведено моделирование этого процесса в среде STATISTICA и MathCAD. Показано, что легирование кремния германием до определённых концентраций позволяет существенно замедлить радиационную деградацию кремния и использовать такой материал для изготовления радиационностойких полупроводниковых приборов, в частности, многослойных структур высоковольтных силовых приборов общепромышленного и транспортного электропривода.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Гращенко, А. С., Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина та С. А. Кукушкин. "Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния". Физика и техника полупроводников 51, № 5 (2017): 651. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.05.44423.8458.

Full text
Abstract:
Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремний-карбид кремния (карбид кремния-кремний) составила 5.4%. С использованием теории образования дилатационных диполей при синтезе методом замещения атомов объяснен механизм формирования электрического барьера на границе раздела кремний-карбид кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44423.8458
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Бахадырханов, М. К., Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, Ш. Н. Ибодуллаев та С. А. Тачилин. "Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков". Письма в журнал технической физики 47, № 19 (2021): 7. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.19.51504.18799.

Full text
Abstract:
Установлено, что особенностью отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, является его высокая чувствительность к различным внешним воздействиям. Определены закономерности изменения отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, в зависимости от температуры, освещенности, величины электрического и магнитного полей. Показана возможность создания нового класса многофункциональных датчиков физических величин на основе единого кристалла кремния, содержащего нанокластеры атомов марганца. Ключевые слова: многофункциональный датчик, отрицательное магнитосопротивление, кремний, нанокластер, марганец.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Строгова, А. С., та А. А. Ковалевский. "Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1 – xGex". Российские нанотехнологии 14, № 11-12 (2020): 35–43. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-11-12-35-43.

Full text
Abstract:
Представлены экспериментальные результаты влияния исходного буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на возможность и особенности формирования нанокластеров Si1 – xGex (Si, Ge и SiGe). Предложен механизм формирования кремниевых, германиевых и кремний-германиевых нанокластеров (НК) на буферных слоях аморфного кремния, нитрида кремния и оксидов кремния, диспрозия и иттрия. Показано влияние исходного буферного слоя на поверхности подложек в условиях технологического процесса осаждения пленок наноструктурированного кремния, легированного германием (НСК(Ge)), на конфигурацию, размеры и поверхностную концентрацию НК.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Егорова, Н. А., Р. И. Михайлова, И. Н. Рыжова, Г. Д. Морозова, and М. Г. Кочеткова. "SILICON CONTENT IN BIOLOGICAL SUBSTRATES ON ANIMALS (LITERATURE REVIEW)." Trace Elements in Medicine (Moscow) 23, no. 2 (2022): 24–30. http://dx.doi.org/10.19112/2413-6174-2022-23-2-24-30.

Full text
Abstract:
Представлен один из аспектов проблемы биологической роли кремния – его содержание в организме человека и животных. До 1970-х гг. кремний рассматривали как инертный универсальный транзитный загрязнитель без каких-либо определенных биологических свойств, «случайное напоминание о нашем геохимическом происхождении или показатель воздействия на окружающую среду». Позднее стали обращать внимание на тот факт, что кремний − третий (после физиологически значимых железа и цинка) по распространенности в организме человека микроэлемент, что способствовало проведению дальнейших исследований его содержания в отдельных органах и тканях. В обзоре собраны данные об общем количестве кремния в организме человека и животных, сведения о его процентном содержании в некоторых внутренних органах человека, концентрациях в коже, ногтях, волосах, зубной эмали, межпозвоночных дисках, тканях молочных желез, в сыворотке, плазме и цельной крови, образцах желчи, панкреатического сока, спинномозговой, плевральной, перитонеальной, синовиальной и амниотической жидкостей и в моче. Представлены результаты изучения наличия кремния в таких биологических субстратах животных, как сыворотка крови, ткани разных отделов толстого кишечника, мышечные ткани, кости, кожа, внутренние органы – печень, почки, сердце, легкие, трахея, пищевод, мозг, субклеточные фракции печени, включая ядра, митохондрии и микросомы. Обращено внимание на возможность влияния возраста и пола на уровни кремния в органах и биологических жидкостях человека и животных. Отмечено, что в большинстве исследований содержания кремния в биологических субстратах использованы атомно-абсорбционные и атомно-эмиссионные методы анализа. Данные о присутствии кремния в разных частях организма человека не всегда полностью совпадают и не всегда непосредственно сопоставимы, однако хорошо иллюстрируют динамизм взаимодействия кремния с биологическими субстратами, способствуя ответу на вопрос – является ли кремний микроэлементом и истинно эссенциальным элементом для человека.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Кукушкин, С. А., А. В. Осипов та А. В. Редьков. "Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов". Физика и техника полупроводников 51, № 3 (2017): 414. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44218.8368.

Full text
Abstract:
Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расширения пленки и подложки. Показано, что после отделения плeнки от подложки кремния механические напряжения в плeнке практически полностью релаксировали. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44218.8368
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Скорняков, С. П. "БАРЬЕРНЫЕ СВОЙСТВА ОСТАТОЧНОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ НИЗКОВОЛЬТНЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ ДИФФУЗИЕЙ МЫШЬЯКА В СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"". Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, № 1 (2021): 41–43. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993221010073.

Full text
Abstract:
Исследовано негативное влияние толщины остаточного/естественного оксида кремния (SiO) в «окнах» защитного оксида кремния на результаты формирования низковольтных планарных p-n-структур высококонцентрационной диффузией As в в сильнолегированный кремний в условиях эвакуированной кварцевой ампулы: на величину и воспроизводимость величины напряжения пробоя (U) НВ p-n-переходов от процесса к процессу. Показано, что SiO толщиной свыше ~50 – практически непреодолимый барьер для достижения атомами мышьяка поверхности кремния, диффузии As в кремний. Для получения удовлетворительных результатов по величине и воспроизводимости величины электрических параметров низковольтных планарных p-n-структур, получаемых диффузией As из неограниченного источника в условиях эвакуированной ампулы, толщина SiO не должна превышать ~25 . Предложены технологические решения по ограничению толщины SiO.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Зикриллаев, Н. Ф., С. В. Ковешников, Х. С. Турекеев, Н. Норкулов та С. А. Тачилин. "Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний". Физика твердого тела 64, № 11 (2022): 1648. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2022.11.53316.367.

Full text
Abstract:
Исследовалась диффузия из слоя фосфида галлия GaP, напыленного на поверхность кремния. После диффузии образцы кремния исследовались методом Ван-дер-Пау и с помощью сканирующего электронного микроскопа, с целью определения концентрационного распределения примесных атомов фосфора и галлия. Ключевые слова: диффузия, фосфид галлия, кремний, растворимость, концентрация, бинарные комплексы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Полковникова, Юлия Александровна, Александр Сергеевич Леньшин та А. И. Сливкин. "Квантово-химическое моделирование десорбции винпоцетина с поверхности частиц кремния и диоксида кремния". Химико-фармацевтический журнал 53, № 2 (2019): 57–61. http://dx.doi.org/10.30906/0023-1134-2019-53-2-57-61.

Full text
Abstract:
Проведен сравнительный анализ энергии активации десорбции винпоцетина с поверхности кремния и диоксида кремния. Установлено, что молекулярный механизм десорбции винпоцетина отличается в зависимости от адсорбента и состояния ионизации, которое в свою очередь зависит от величины pH. При десорбции с гидрофобной поверхности кремния без заместителей определяющую роль в процессе десорбции играют неполярные взаимодействия между адсорбентом и винпоцетином. На основе квантово-химической оценки энергии активации можно сделать вывод о более прочном связывании винпоцетина с оксидом кремния в водной среде при pH 6,8 и 7 по сравнению с кремнием. При pH 2 энергии активации десорбции винпоцетина с поверхности кремния и оксида кремния статистически неразличимы и имеют статистически меньшие значения по сравнению с энергиями активации при pH 6,8 и 7.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Шпейзман, В. В., В. И. Николаев, А. О. Поздняков та ін. "Влияние текстурирования поверхности пластин кремния для солнечных фотопреобразователей на их прочностные свойства". Журнал технической физики 90, № 7 (2020): 1168. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.07.49452.380-19.

Full text
Abstract:
Важной технологической операцией для повышения эффективности солнечных преобразователей на основе кремния является создание на поверхности кремния текстур с размерами шероховатостей, близкими к длинам волн видимого света. Рассмотрено влияние различных вариантов структурирования поверхности кремниевых пластин на их прочностные свойства. Рассмотрены четыре вида поверхностных текстур кремния: после избирательного травления в щелочном растворе, пирамидально текстурированные поверхности, текстурированные с помощью окисления под тонким слоем V2O5 и после высокотемпературного отжига и обработки в HF. Получены электронно-микроскопические изображения всех четырех текстур, и измерена прочность методом "кольцо-в-кольцо" по-разному текстурированных пластин кремния. Методом конечных элементов рассчитаны зависимости максимальных напряжений и прогиб под малым кольцом от нагрузки. Совпадение последней с экспериментом служило критерием правильности определения прочности пластин. Рассчитаны средние значения и среднеквадратичные отклонения прочности для каждой из четырех групп пластин кремния. Ключевые слова: кремний для солнечных преобразователей, структура поверхности, расчет напряжений, прочность.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

Кукушкин, С. А., та А. В. Осипов. "Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния". Физика твердого тела 59, № 6 (2017): 1214. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.06.44495.432.

Full text
Abstract:
С помощью метода функционала плотности рассчитано взаимодействие между кремниевой вакансией и атомом углерода в кремнии, образовавшимися при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния. Показано, что кремниевая вакансия и атом углерода притягиваются друг к другу, причем притяжение в направлении < 111> наиболее сильное. Установлено качественное соответствие между квантово-механической теорией и теорией на основе метода функции Грина для точечных дефектов. Делается вывод о том, что кремниевая вакансия и атом углерода образуют в кремнии связанное состояние. Эффективный коэффициент жесткости данной связи в направлении < 111> оценивается как 5 eV/Angstrem2. Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 15-0306155, 16-29-03149-офи). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44495.432
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Миннуллин, Р. Т., та М. Ю. Барабанненков. "СВЯЗЬ СПЕКТРА ОТРАЖЕНИЯ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ С ПРОФИЛЕМ ВОЗБУЖДАЕМОЙ МОДЫ В ВОЛНОВОДЕ СТРУКТУРЫ "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ"". Nanoindustry Russia 14, № 7s (2021): 851–53. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.851.853.

Full text
Abstract:
В работе рассматривается дифракционная решетка из материала с изменяемым фазовым состоянием (Ge2Sb2Te5, GST) на волноводе структуры «кремний на изоляторе» (КНИ) с дополнительным травлением кремния. Приводятся зависимости спектров отражения структуры от глубины дополнительного травления кремния, а также поперечные профили распределения поля возбуждаемой в волноводе моды. Показана связь коэффициентов отражения первого углового порядка спектра с высотой профиля моды.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Тысченко, И. Е., Р. А. Хмельницкий, В. В. Сарайкин, В. А. Володин та В. П. Попов. "Диффузия германия из захороненного слоя SiO-=SUB=-2-=/SUB=- и формирование фазы SiGe". Физика и техника полупроводников 56, № 2 (2022): 192. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.02.51961.9740.

Full text
Abstract:
Изучена диффузия Ge из захороненного слоя SiO2 структуры кремний-на-изоляторе в зависимости от температуры отжига. Показано, что при температуре отжига ниже 900oC практически весь Ge сосредоточен в области имплантации в слое SiO2. После отжига при температуре 1100oC миграция ионно-имплантированного Ge сопровождается несколькими процессами: диффузией в SiO2, накоплением на границах раздела Si/SiO2, диффузией в кремний и испарением из кремния. При 1100oC диффузия Ge из SiO2 к границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе происходит с коэффициентом диффузии ~ 2·10-15 см2/с, что на 2 порядка величины выше его равновесного значения. После отжига при 1100oC, в зависимости от толщины слоя кремния, обнаружено формирование фазы Ge или SiGe. Ключевые слова: SiGe, ионная имплантация, диффузия, кремний-на-изляторе.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Володин, В. А., В. А. Гриценко та A. Chin. "Локальные колебания связей кремний-кремний в нитриде кремния". Письма в журнал технической физики 44, № 10 (2018): 37. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2018.10.46097.17223.

Full text
Abstract:
AbstractRaman spectra of films of nearly stoichiometric amorphous silicon nitride (a-Si_3N_4) reveal a contribution due to local oscillations of silicon–silicon (Si–Si) bonds. This observation directly confirms that the almost stoichiometric a-Si_3N_4 contains Si–Si bonds, which, according to theoretical predictions, act as electron and hole traps that are responsible for the memory effect in Si_3N_4.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

Назиров, Д. Э., М. Ф. Жураева та Ш. Ю. Фармонова. "Исследование диффузии и электрофизических свойств эрбия, тулия, самария и иттербия в кремнии". «Узбекский физический журнал» 22, № 4 (2020): 237–42. http://dx.doi.org/10.52304/.v22i4.164.

Full text
Abstract:
Исследования диффузии, растворимости и электрофизических свойств редкоземельных элементов эрбия, тулия, самария и иттербия в кремнии проведены в различных средах отжига для широкого интервала температур (1100-1250°С) комплексными методами меченых атомов, авторадиографии, измерения электропроводности и эффекта Холла, изотермической релаксации емкости и тока,. Установлены диффузионные параметры, растворимость и выявлена мелкая акцепторная природа на поверхности и в объеме кремния и-типа исследованных примесей редкоземельных элементов в кремнии. Вид распределения Er, Tm, Sm и Yb в кремнии представляет собой резко спадающую кривую, удовлетворительно аппроксимируемую er/c-функцией, соответствующей решению уравнения Фика для диффузии из постоянного источника в полуограниченное тело. Предполагается, что примеси РЗЭ Er, Tm, Sm и Yb (элементы третьей группы периодической системы), исследованные нами, являются примесями замещения и диффундируют по узлам кристаллической решетки (вакансионный механизм диффузии) кремния.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Коряжкина, М. Н., С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин та И. Н. Антонов. "Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник". Физика и техника полупроводников 50, № 12 (2016): 1639. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43891.37.

Full text
Abstract:
Показано, что формирование наночастиц Au на границе раздела диэлектрик/кремний в структурах с высокой плотностью поверхностных состояний приводит к смещению энергии закрепления уровня Ферми на этой границе раздела к потолку валентной зоны кремния и увеличению плотности поверхностных состояний при энергиях, близких к уровню Ферми. На кривых фоточувствительности конденсаторной фотоэдс при этом появляется полоса с максимумом при 0.85 эВ, которая объясняется фотоэмиссией электронов и состояний, примыкающих к потолку валентной зоны кремния и образованных наночастиц Au.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Шабанова, И. Н., H. C. Теребова, Г. В. Сапожников та В. И. Кодолов. "Рентгеноэлектронное исследование механизма функционализации sp-элементами поверхности металл/углеродных наноструктур". Физика твердого тела 59, № 1 (2017): 167. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.01.43969.225.

Full text
Abstract:
Mетодом рентгеноэлектронной спектроскопии изучались химическая связь атомов на поверхности металл/углеродных наноструктур, функционализированных атомами sp-элементов, таких как кремний, фосфор, сера, азот, фтор, иод, и влияние функционализации на изменение атомного магнитного момента d-металла (Fe, Ni, Cu). Показано образование прочной ковалентной связи атомов d-металла с атомами кремния, фосфора, серы и атомов углерода с атомами фтора, азота, иода на поверхности наноструктур. Обнаружено повышение атомного магнитного момента на d-металле при функционализации металл/углеродных наноструктур кремнием, серой, фосфором. Работа выполнена при поддержке программы фундаментальных исследований УрО РАН на 2015-2017 гг. (проект N 15-9-2-50). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43969.225
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Антипов, В. В., С. А. Кукушкин та А. В. Осипов. "Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния". Физика твердого тела 59, № 2 (2017): 385. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.02.44067.288.

Full text
Abstract:
Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 mum на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500oC при температуре испарителя 580oC, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102). Исследования проводились при использовании оборудования Уникальной научной установки (УНО) "Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУН ИПМаш РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.02.44067.288
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

Вабищевич, С. А., Н. В. Вабищевич, С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович та С. Б. Ластовский. "Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинонноволачных фоторезистов, облученных электронами". Химия высоких энергий 58, № 1 (2024): 60–68. http://dx.doi.org/10.31857/s0023119324010068.

Full text
Abstract:
В работе методом индентирования исследовано влияние облучения электронами с энергией 5 МэВ на адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинонноволачных фоторезистов ФП9120, SPR-700 и S1813 G2 SP15, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Установлено, что облучение приводит к увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивных пленок, наиболее выраженному в пленках SPR-700 и обусловленному сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы. Показано, что значения удельной энергии отслаивания G фоторезистивных пленок на кремнии при облучении возрастают в результате рекомбинации радикалов на границе раздела фаз фоторезист/кремний с образованием новых ковалентных связей Si-C и Si-O-C. Наблюдаемые экспериментальные результаты объяснены с учетом радиационно-химических и релаксационных процессов, протекающих в объеме полимерной пленки и на межфазной границе.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Гребенюк, Г. С., И. А. Елисеев, С. П. Лебедев та ін. "Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния". Физика твердого тела 62, № 10 (2020): 1726. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2020.10.49929.091.

Full text
Abstract:
Исследован процесс формирования тонких пленок силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния, путем последовательного интеркалирования графена атомами железа и кремния. Эксперименты проводились in situ в условиях сверхвысокого вакуума. Элементный состав и химическое состояние поверхности образцов, а также их атомная структура контролировались с помощью фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и дифракции медленных электронов. Толщина нанесенных слоев железа и кремния варьировалась в диапазоне 0.1-2 nm, а температура отжига образцов изменялась от комнатной до 600oС. Показано, что интеркалирование системы графен/Fe/SiC кремнием приводит к образованию слоя твердого раствора Fe-Si, покрытого поверхностным силицидом Fe3Si. Полученные пленки надежно защищены графеном от воздействия окружающей среды, что открывает возможности для их практического применения. Ключевые слова: графен на карбиде кремния, железо, интеркалирование, силициды, фотоэлектронная спектроскопия.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Брюхно, Н., В. Громов, М. Котова, Ю. Севастьянов, В. Стрекалова та В. Пугачев. "Дискретные конденсаторы на основе кремния". ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS 191, № 10 (2019): 56–60. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2019.191.10.56.60.

Full text
Abstract:
Приведен анализ конструкций дискретных конденсаторов на основе кремния ведущих производителей. Рассмотрены планарные и 3D-конденсаторы и связь их параметров с конструктивно-технологическим исполнением. Приведены результаты АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» по разработке и освоению планарных СВЧ- и 3D-конденсаторов.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

Долгополов, В. М., В. В. Одиноков, П. А. Иракин та В. М. Варакин. "Новое оборудование для травления кремниевых структур на пластинах диаметром до 200 мм". NANOINDUSTRY Russia 12, № 5 (2019): 268–74. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2019.12.5.268.274.

Full text
Abstract:
При изготовлении трехмерных структур с применением технологии формирования глубоких отверстий в кремнии, а также при изготовлении микроэлектромеханических систем широкое распространение получил процесс глубокого анизотропного травления кремния с применением попеременных процессов травления и пассивации. Суть процесса заключается в чередовании стадий реактивно-ионного травления поверхности кремния (как правило, в SF6) и пассивации поверхности (как правило, с применением C4F8). При этом на стадии травления пассивирующий слой удаляется со дна канавок быстрее, чем со стенок, что в итоге позволяет получить анизотропность процесса травления. К преимуществам процесса можно отнести: проведение процесса при комнатных температурах, высокую селективность к фоторезисту (около 80:1 и более), получение структур с аспектным отношением до 30:1, скорость травления до 20 мкм/мин, а также контролируемый профиль травления. Основным недостатком процесса является шероховатость стенок в связи с цикличностью процесса. Цель данной работы – создание реактора для глубокого плазмохимического травления кремния на пластинах диаметром до 200 мм, аналогичного по своим характеристикам импортному, и разработка технологии глубокого травления кремния для ее применения в изготовлении трехмерных TSV-структур.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Skakov, М. К., А. М. Zhilkashinova, А. Zh Miniyazov, et al. "STUDY OF POROUS SILICON AS A FUEL CELL MEMBRANE." NNC RK Bulletin, no. 4 (December 30, 2024): 69–78. https://doi.org/10.52676/1729-7885-2024-4-69-78.

Full text
Abstract:
В статье отражены результаты исследования пористого кремния, в качестве мембраны для топливных элементов, где сам пористый кремний является матрицей, а гелевый протонпроводящий электролит является наполнителем. Проведены работы по химическому вытравливанию пор на исходных пластинах кремния. Сформированные структуры демонстрируют относительно равномерное распределение пор со смесью больших и малых пустот. Проведены исследования пористого Si методом адсорбционной порометрией. Общий объем пор и распределение по размерам определяли методом Барретта-Джойнера-Халенды (BJH) по кривые изотермы десорбции. Анализ распределения пор по объему показал, что данные сегментируются на микропоры (0,35–2 нм), мезопоры (2– 10 нм) и большие поры (10–50 нм, 50–200 нм). Рентгенофазовый анализ показал, что существует значительная разница в межплоскостных расстояниях линий дифрактограммы. Также приведена зависимость протонной проводимости от образца пористого кремния от влагопоглощения.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Утамурадова, Ш., Ж. Хамдамов та М. Бекмуратов. "Структурных свойств кремния, легированного Yb". InterConf, № 41(185) (19 січня 2024): 472–76. http://dx.doi.org/10.51582/interconf.19-20.01.2024.056.

Full text
Abstract:
В данной работе приведены результаты приповерхностные состояния атомов иттербия в кремнии методом спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС). С использованием спектрометра SENTERRA II Bruker исследованы образцы кремния, легированного примесями иттербия. Проведена регистрация и идентификация как кристаллической, так и аморфной фазовых составляющих в образцах.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Зикриллаев, Н. Ф., С. В. Ковешников, С. Б. Исамов, Б. А. Абдурахманов та Г. А. Кушиев. "Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge-=SUB=-x-=/SUB=-Si-=SUB=-1-x-=/SUB=-, полученных диффузионной технологией". Физика и техника полупроводников 56, № 5 (2022): 493. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.05.52352.9788.

Full text
Abstract:
Путем диффузионного легирования кремния германием была получена варизонная структура типа GexSi1-x. Элементный анализ поверхности образцов показал, что концентрация кремния (в атомных процентах) составляла 64.5%, германия --- 26.9%, кислорода --- 5.9%, других элементов --- 2.7%. На спектральной зависимости фотопроводимости заметный рост фототока начинается при hν=0.75-0.8 эВ, что примерно соответствует ширине запрещенной зоны материала Ge0.27Si0.73. Разработка диффузионной технологии получения варизонных структур GеxSi1-x позволит разработать фотоприемники с расширенной областью спектральной чувствительности. Ключевые слова: варизонная структура, диффузия, фотопроводимость, кремний, германий.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

Комаров, Ф. Ф., И. Н. Пархоменко, О. В. Мильчанин та ін. "Влияние режимов импульсного лазерного отжига на оптические свойства кремния, гипердопированного селеном". Оптика и спектроскопия 129, № 8 (2021): 1037. http://dx.doi.org/10.21883/os.2021.08.51199.2158-21.

Full text
Abstract:
Слои кремния, легированные селеном до концентраций 4-6· 1020 cm-3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W=0.55, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0 и 2.5 J/cm2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до 60-70% внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гипердопированные селеном, проявляют существенное поглощение (36-40%) в области длин волн 1100-2400 nm. Проведено сравнение спектров поглощения слоев кремния в зависимости от режимов лазерного отжига. Показано, что отжиг при W=2.0 J/cm2 является оптимальным с позиции максимального структурного совершенства гипердопированных слоев кремния. Данный фактор очень важен для применений сформированных структур в фотодетекторах и элементах солнечной энергетики. В то же время поглощение в видимом и ближнем ИК диапазонах длин волн достигает максимального значения после отжига при W=1.0 J/cm2 и практически не меняется при дальнейшем увеличении плотности энергии в импульсе. Ключевые слова: кремний, гипердопирование, имплантация селена, лазерный отжиг, примесная подзона, поглощение и отражение света.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

Бахадирханов, М. К., Ш. Н. Ибодуллаев, Н. Ф. Зикриллаев та С. В. Ковешников. "Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца". Письма в журнал технической физики 47, № 13 (2021): 12. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.13.51114.18582.

Full text
Abstract:
Показана возможность использования кремния с нанокластерами атомов марганца для создания фоторезисторов в области спектра λ=1.2-3 μm. Установлено, что такие фотоприемники обладают пороговой чувствительностью порядка 10-11 W на длине волны 1.55 μm. Квантовая эффективность на длине волны 2 μm превышает 10% и составляет 0.1% на длине волны 2.5 μm, что позволяет использовать примесную фоточувствительность кремния с нанокластерами атомов марганца для создания высокоразрешающих матричных фотоприемников, работающих в спектральном диапазоне до 2.5 μm. Ключевые слова: кремний, кластер марганца, фоточувствительность.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Яфаров, Р. К., та В. Я. Шаныгин. "Поверхностное наноструктурирование в системе углерод--кремний (100) при микроволновой плазменной обработке". Физика и техника полупроводников 51, № 4 (2017): 558. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.04.44352.8207.

Full text
Abstract:
Рассмотрены физико-химические процессы и механизмы влияния плазменной подготовки поверхности на закономерности конденсации и поверхностные фазовые превращения при формировании масковых кремний-углеродных доменов на кристаллах кремния (100) p-типа при осаждении субмонослойных углеродных покрытий в СВЧ-плазме паров этанола низкого давления. Показано, что при кратковременных длительностях осаждения углерода на кремниевые пластины с естественным оксидным покрытием при температуре 100oC наблюдается формирование доменов с латеральными размерами от 10-15 до 200 нм, а высоты выступов, полученных плазмохимическим травлением кремния через доменные масковые покрытия, изменяются в интервале от 40 до 80 нм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44352.8207
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

Мaтяш, И. Е., И. А. Минайлова, Б. К. Сердега та Л. И. Хируненко. "Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении". Физика и техника полупроводников 51, № 9 (2017): 1155. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44876.8527.

Full text
Abstract:
Исследованы распределения внутренних механических напряжений нелегированного и легированного оловом кремния и влияния на них облучения электронами с энергией 5 МэВ и температурной обработки при 450oC. Измерения напряжений проводились методом, основанным на регистрации двулучепреломления с помощью модуляционной поляриметрии. Показано, что легированный оловом кремний имеет полосы точечных дефектов с неоднородным распределением остаточных напряжений до 20 кг/см2. Температурная обработка при 450oC приводит к повышению остаточных напряжений в образце до 50 кг/см2. Выявлено, что радиационные дефекты, которые образовались при облучении кремния, легированного оловом, приводят к уменьшению остаточных напряжений до 2-3 кг/см2. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44876.8527
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Артемьев, Д. Н., Н. В. Латухина, А. А. Мельников та М. В. Степихова. "Структура, состав и люминесцентные свой­ства окисленного пористого кремния, легированного эрбием". PHOTONICS Russia 18, № 7 (2024): 540–48. https://doi.org/10.22184/1993-7296.fros.2024.18.7.540.548.

Full text
Abstract:
Работа посвящена исследованию люминесцентных свойств пористого кремния, легированного эрбием. Разработка полупроводниковых материалов, активированных лантаноидами, является актуальной задачей современной физики и технологии оптоэлектронных приборов. Объект исследований – окисленный пористый кремний, легированный ионами эрбия. Проведен структурно-морфологический анализ и исследованы люминесцентные свойства образцов люминесцентных структур на основе пористого кремния, легированного эрбием. В исследованиях применялись методы растровой электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света и микро-фотолюминесцентной спектроскопии. Проведенный анализ выборки образцов показал корреляцию между технологическими параметрами изготовленных люминесцентных структур и эффективностью их фотолюминесценции. Результаты проведенных исследований могут быть положены в основу методики изготовления кремниевых люминесцентных структур для оптоэлектроники.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Дробяз, Екатерина Александровна, Евдокия Геннадьевна Бушуева, Иван Константинович Чакин, Владимир Григорьевич Буров та Владимир Андреевич Батаев. "Структура и свойства поверхностных слоев хромоникелевой стали, легированной частицами карбида кремния". Металловедение и термическая обработка металлов, № 11 (7 січня 2025): 28–35. https://doi.org/10.30906/mitom.2024.11.28-35.

Full text
Abstract:
Исследованы структура и свойства хромоникелевой аустенитной стали с поверхностным слоем, модифицированным кремнием при наплавке порошкового карбида кремния пучком релятивистских электронов, выведенным в воздушную атмосферу. Показано, что в процессе электронно-лучевого нагрева в поверхностных слоях, толщина которых достигает 2800 мкм, формируется структура, состоящая из аустенитной матрицы, легированной кремнием, сложных карбидов хрома (Cr, Fe)7C3 преимущественно дендритного строения, а также карбидов кремния Si5C3. Твердорастворное упрочнение и наличие карбидов способствуют увеличению микротвердости модифицированного слоя стали до 10 ГПа, что в 4 раза превышает твердость основного металла. Показано, что жаростойкость аустенитной стали с модифицированными слоями при 850 °C в 2 раза выше, чем у основного металла.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Грибов, Б. Г., К. В. Зиновьев, О. Н. Калашник та ін. "Многослойные кремниевые наноструктуры как микромощные источники энергии". NANOINDUSTRY Russia 12, № 1 (2019): 16–22. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2019.12.1.16.22.

Full text
Abstract:
Изучены многослойные структуры металл/кремний/металл на основе наночастиц кремния. Изучена способность генерировать электроэнергию за счет взаимодействия нанокремния и воды, находящейся в атмосфере. Показана перспектива использования таких наноструктур как элементарной ячейки микромощных батарей.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Гольдман, Е. И., Г. В. Чучева та И. А. Шушарин. "Форма изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонкими слоями окисла кремния". Физика и техника полупроводников 56, № 3 (2022): 328. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.03.52119.9756.

Full text
Abstract:
Проведена модернизация развитого ранее метода восстановления рельефа изолирующего потенциала, создаваемого сверхтонким слоем окисла кремния, из полевых зависимостей туннельного тока. Рассчитаны параметры трапецеидального модельного потенциала, обеспечивающие максимально близкую к экспериментальной зависимость производной логарифма тока по напряжению. Изменен подход к запуску процедуры последовательных итераций потенциала --- вместо обнуления в нулевом приближении значений координаты первой точки поворота использованы функции, вычисляемые из модельной формы. Модернизированный алгоритм применен к экспериментальным полевым зависимостям тока в структурах n+-Si-SiO2-n-Si с толщиной окисла 3.7 нм, обладающих ярко выраженной асимметрией туннельных вольт-амперных характеристик по отношению к полярности внешнего напряжения. Восстановленный из экспериментальных данных эффективный потенциальный барьер всегда существенно тоньше изолирующего слоя, его максимум смещен к контакту с поликристаллическим материалом, а эффективная масса туннелирующего электрона в разы больше типичного для толстого окисла кремния значения. Ключевые слова: вырожденный поликремний--окисел кремния--кремний, сверхтонкий окисел, туннельные вольт-амперные характеристики, изолирующий потенциальный рельеф.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Гаспарян, Ф. В., та Г. Е. Айвазян. "Отражение и пропускание излучения структуры кристаллический кремний–черный кремний–перовскит". Proceedings of NAS RA. Physics 57, № 2 (2022): 234–41. http://dx.doi.org/10.54503/0002-3035-2022-57.2-234.

Full text
Abstract:
Используя метод матриц переноса исследованы коэффициент отражения и пропускания структур кристаллический кремний-черный кремний-перовскит при условии отсутствия оптических потерь. Получены аналитические выражения для коэффициентов отражения и пропускания. Получены низкие значения коэффициента пропускания и высокие значения коэффициента отражения в видимой области спектра. Обосновано перспективность применения слоев черного кремния для уменьшения пропускания излучения в двуконтакных тандемных перовскит-кремниевых солнечных элементах.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Тысченко, И. Е., та Ж. Чжан. "Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO-=SUB=-2-=/SUB=-". Физика и техника полупроводников 55, № 1 (2021): 59. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.01.50388.9464.

Full text
Abstract:
Интерес к созданию и изучению нанокристаллов InSb на основе кремния обусловлен необходимостью создания гибридных интегральных схем, объединяющих в себе элементы с различными функциональными свойствами. Локализация оптических фононов в кристаллах с пониженной размерностью может оказывать влияние как на оптические, так и на электрические свойства этих кристаллов. В данной работе проведен сравнительный анализ свойств оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в решетке Si, а также в нанокристаллах InSb в пленках SiO2, созданных методами ионно-лучевого синтеза и радиочастотного магнетронного распыления. Свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb объяснены с точки зрения влияния структурных свойств окружающей матрицы. Ключевые слова: InSb, кремний, оксид кремния, нанокристаллы, синтез.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Жукова, С. А., Е. А. Новичков, Д. Ю. Обижаев та ін. "ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНЕРЦИАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ НА ОСНОВЕ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НАД ПОЛОСТЬЮ", ГЕРМЕТИЗИРУЕМЫХ НА УРОВНЕ ПЛАСТИН". Nanoindustry Russia 14, № 7s (2021): 492–94. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.492.494.

Full text
Abstract:
Рассмотрены особенности микроабразивной обработки глухих отверстий глубиной до 700 мкм в пластинах из стекла и кремния через медную маску при формировании электрических вакуумплотных контактов к чувствительным элементам МЭМС на основе структуры «кремний над полостью», герметизированных на уровне пластины.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

Иго, А. В. "Комбинационное рассеяние света в кремнии с нарушенной кристаллической структурой за счет имплантации ионов углерода". Журнал технической физики 128, № 8 (2020): 1115. http://dx.doi.org/10.21883/os.2020.08.49707.70-20.

Full text
Abstract:
Зарегистрированы спектры комбинационного рассеяния света в кремнии с нарушенной кристаллической решеткой за счет имплантации ионов углерода энергией 40 keV и дозой 5· 1016 сm-2. Измерены параметры спектральной линии комбинационного рассеяния света имплантированных образцов после проведения термического отжига в диапазоне температур 600-1150oС. В результате измерений определена доля кристаллической фазы в зависимости от температуры отжига. Выявлены два термодинамических процесса, описывающие кинетику восстановления кристаллической решетки при отжиге. Показано, что слой кремния с нарушенной кристаллической решеткой при термическом отжиге восстанавливает свою кристалличность не одновременно во всем объеме, а в виде кластеров, которые с увеличением температуры отжига укрупняются. Проведены оценки размеров кристаллических кластеров для различных температур отжига. Проведенные расчеты учитывают сложную зависимость коэффициента поглощения света частично нарушенной кристаллической решетки от доли кристаллической фазы, возникающей в ней в процессе термического отжига. Ключевые слова: Комбинационное рассеяние света, кремний, нанокристаллы, ионная имплантация, отжиг, аморфная фаза.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Далиев, Х. С., Ш. Б. Утамурадова, Ш. Х. Далиев, М. Ш. Дехканов та Ш. Б. Норкулов. "О ВЛИЯНИИ ДИСПРОЗИЯ НА ПРОЦЕССЫ РАДИАЦИОННОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ". «Узбекский физический журнал» 20, № 2 (2018): 131–33. http://dx.doi.org/10.52304/.v20i2.39.

Full text
Abstract:
В работе методом DLTS исследовано влияние атомов диспрозия на эффективность образования радиационных дефектов в n-Si, облученном γ-квантами 60Со. Показано, что в присутствии кислорода в кремнии доминирует образование А-центров, а в «бескислородном» кремнии преобладают Е-центры. Установлено, что наличие Dy в объёме кремния приводит к замедлению процесса радиационного дефектообразования: Концентрация А-центров и Е-центров в образцах n-Si в 2-4 раза меньше по сравнению с контрольными образцами.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Жумахан Оразбаевна, Акимова. "О ПОВЕДЕНИИ АТОМОВ КИСЛОРОДА В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЯМИ РЗЭ". Advances in Science and Humanities 1, № 01 (2025): 28–29. https://doi.org/10.70728/human.v01.i01.008.

Full text
Abstract:
Статья исследует образование термодоноров в кремнии при термообработке 300-500°С и поведение кислорода в кристаллической решетке. Рассмотрены механизмы формирования и разрушения термодоноров, взаимодействие кислорода с вакансиями, а также влияние редкоземельных элементов (гадолиния) и углерода на свойства монокристаллов кремния. Описаны методы контроля состояния кислорода с помощью инфракрасной спектроскопии.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Ташметов, М. Ю., М. Каланов, Ш. Махкамов та ін. "МЕДЬ-КИСЛОРОДНЫЕ НАНОКРИСТАЛЛИТЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ МЕДЬЮ". «Узбекский физический журнал» 20, № 2 (2018): 90–97. http://dx.doi.org/10.52304/.v20i2.33.

Full text
Abstract:
Методом рентгеновской дифракции показано образование медь-кислородных нанокристаллитов, а также нахождение в легированных монокристаллах кремния атомов меди в трех видах: в междоузельном положении в решетке матрицы и в составе нанокристаллитов Cu2O и CuO. Предполагается, что каждое наносостояние меди с кислородом формирует соответствующие дискретные глубокие уровни в легированном кремнии, количество которых определяется режимом диффузии и скоростью охлаждения образцов.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Зюбин, А. С., Т. С. Зюбина, Ю. А. Добровольский та В. М. Волохов. "Квантово-химическое моделирование поглощения лития композитом кремний-карбид кремния". Журнал неорганической химии 61, № 11 (2016): 1476–82. http://dx.doi.org/10.7868/s0044457x16110234.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Ю.Д., Смирнова, Рабинович Г.Ю. та Булычева В.О. "ВЛИЯНИЕ АМОРФНОГО ДИОКСИДА КРЕМНИЯ НА РОСТОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЯРОВОЙ ПШЕНИЦЫ". Bulletin of KSAU, № 6 (18 червня 2020): 71–76. http://dx.doi.org/10.36718/1819-4036-2020-6-71-76.

Full text
Abstract:
Возросший интерес к препаратам кремния по всему миру является оправданным. Отмечается его положительное влияние на произрастание сельскохозяйственных культур в условиях абиотического стресса. Цель исследования – изучение влияния аморфного диоксида кремния Ковелос-Сорб на биометрические параметры растений яровой пшеницы при моделировании абиотических стрессов. Ковелос-Сорб производства ООО «Экокремний» представляет собой порошок с нанопористыми частицами размером от 5 до 100 мкм, с содержанием SiO2 97 %. Ковелос-Сорб применяли для замачивания семян культуры, испытывали 0,05 %; 0,25; 0,5 % водные концентрации препарата. Семена проращивали в лабораторных условиях в пластиковых контейнерах с подготовленной дерново-подзолистой почвой по 21 шт. в каждом контейнере. Моделировались следующие абиотические стрессовые факторы: недостаточная влажность (засуха), избыточная влажность, понижение температуры после посева. Наибольшее влияние препарата на биометрические показатели яровой пшеницы отмечено при использовании 0,5 % концентрации Ковелос-Сорб при проращивании яровой пшеницы в условиях засухи и понижения температуры после посева. При моделировании засухи увеличение длины проростка составило 7,8 %, сырой массы – 14,4, сухой массы проростка – 15,0, в условиях понижения температуры – 25, 7 и 15 % соответственно по сравнению с семенами, не обработанными кремнием. В условиях без стресса и при повышенной влажности применение аморфного кремния не способствовало значимым приростам биометрических показателей. Более крепкие проростки яровой пшеницы, сформированные под влиянием аморфного кремния, повышали устойчивость растений к моделируемым абиотическим стрессам. Рекомендуется применение Ковелос-Сорб в качестве антистрессового препарата.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

Borshch, N. А., N. S. Pereslavtseva та S. I. Kurganskii. "КРЕМНИЙ-НИОБИЕВЫЕ БЛОКИ ДЛЯ КОНСТРУИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ". Конденсированные среды и межфазные границы 20, № 2 (2018): 204–10. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/511.

Full text
Abstract:
Представлены результаты компьютерного моделирования пространственной структуры анионных кремний-ниобиевых кластеров из 10, 12, 14 и 16 атомов кремния. Для каждого кластера представлен ряд стабильных изомеров с качественно различной структурой, которые могут служить элементарными блоками для построения более крупных наноструктурированных объектов – нанопроволок, нанопроводов, нанокристаллов.
 Для представленных расчетов были использованы вычислительные ресурсы Суперкомпьютерного центра Воронежского государственного университета.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Kopytina, Natalia A., Kirill A. Kopytin та Mihail Yu Parijchuk. "Получение и исследование адсорбентов на основе ультрадисперсного диоксида кремния и β-циклодекстрина". Сорбционные и хроматографические процессы 19, № 6 (2019): 636–44. http://dx.doi.org/10.17308/sorpchrom.2019.19/2224.

Full text
Abstract:
Получены поверхностно-слойные адсорбенты путем нанесения наночастиц диоксида кремнияи наночастиц диоксида кремния, модифицированных незамещенным β-циклодекстрином, на инертный кремнеземный носитель. Определены геометрические параметры полученных адсорбентов. Методом газо-адсорбционной хроматографии изучены адсорбционные свойства полученных образцов поотношению к парам органических соединений различной природы, в том числе энантиомерам, и рассчитаны термодинамические характеристики адсорбции для исследованных соединений. Предложенвариант строения наночастиц, модифицированных циклодекстрином
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Пронин, И. И., С. М. Дунаевский, Е. Ю. Лобанова та Е. К. Михайленко. "Модификация электронной структуры графена интеркаляцией атомов железа и кремния". Физика твердого тела 59, № 10 (2017): 2037. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.10.44977.130.

Full text
Abstract:
Методом функционала плотности проведены ab initio расчеты электронного строения низкоразмерных систем графен-железо-никель и графен-кремний-железо. Для системы графен/Fe/Ni(111) определены зонные структуры для разных проекций спина и полные плотности состояний валентных электронов. Энергетическое положение конуса Дирака, обусловленного pz состояниями графена, слабо зависит от количества слоeв железа, интеркалированного в межслоевой зазор между никелем и графеном. Для системы графен/Si/Fe(111) определены наиболее выгодные положения атомов кремния на железе. Внедрение кремния под графен приводит к резкому уменьшению взаимодействия атомов углерода с подложкой и в значительной степени восстанавливает электронные свойства свободного графена. Pабота выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (проект N 16-02-00387) и Минобрнауки РФ (задание 3.3161.2017 проектной части госзадания). Pасчеты проведены с использованием вычислительных ресурсов суперкомпьютерного центра СПбПУ. DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44977.130
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Зайнабидинов, C. З., та А. О. Курбанов. "ВЛИЯНИЕ γ-РАДИАЦИИ НА РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ". «Узбекский физический журнал» 20, № 2 (2018): 105–11. http://dx.doi.org/10.52304/.v20i2.35.

Full text
Abstract:
Установлено, что до дозы ∼1×108 Р рекомбинационные свойства в р-Si<B,Ni> являются более стабильными, чем в контрольном кремнии, что возможно связано с различной степенью микронеоднородности проводимости в легированном кремнии. Показано, что с ростом концентрации атомов никеля радиационная стабильность τ кремния улучшается. Это объясняется увеличением количества примесных пар типа никель-кислород. Предложена возможная схема квазихимических реакций примесных атомов и дефектов кристаллической решетки в легированном кремнии. Показано, что на начальном этапе γ-облучения (до дозы 5×108 Р) в перекомпенсированном р-Si<Р,Ni> наблюдается увеличение, а в дальнейшем с ростом дозы снижение фоточувствительности. Увеличение удельной интегральной чувствительности связано с возрастанием, а снижение, наоборот, с уменьшением барьера между высокоомными и низкоомными областями, что приводит к увеличению роли рекомбинационных центров.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

Абдурахманов, Б. М., М. Ш. Курбанов, У. М. Нуралиев, В. М. Ротштейн та У. Н. Рузиев. "Карботермический синтез нанопорошков карбида кремния с использованием микрокремнезема". «Узбекский физический журнал» 23, № 1 (2021): 57–64. http://dx.doi.org/10.52304/.v23i1.225.

Full text
Abstract:
Карботермическим восстановлением микрокремнезема, представляющего собой высокодисперсные техногенные отходы производства технического кремния и ферросилиция, содержащего 95-97 масс.% аморфной двуокиси кремния, синтезированы микро и нанопорошки карбида кремния. Показано, что этим путем могут быть синтезированы 4H, 6H и 3С политипы карбида кремния. Установлено, что размер синтезированных частиц карбида кремния зависит от размеров частиц используемого углеродистого восстановителя.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Буравлев, А. Д., А. Н. Казакин, Ю. А. Нащекина та ін. "Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок "сверху-вниз"". Физика и техника полупроводников 57, № 5 (2023): 343. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.05.56201.28k.

Full text
Abstract:
При проведении экспериментов по синтезу слоев карбида кремния на монокристаллических подложках кремния с помощью метода согласованного замещения атомов обнаружено, что образование тонких пленок карбида кремния может сопровождаться формированием массивов нанотрубок карбида кремния произрастающих в глубь кремниевых подложек. Таким образом, впервые обнаружен новый механизм образования карбид-кремниевых нанотрубок ---"сверху-вниз". Ключевые слова: карбид кремния, нанотрубки, пар-жидкость-кристалл, формирование наноструктур.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the bibliographies on the topic 'Кремния' for other source types:
Dissertations / Theses Books
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography