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Bibliografías temáticas / Ba0.45Sr0.55TiO3

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Literatura académica sobre el tema "Ba0.45Sr0.55TiO3"

Autor: Grafiati

Publicado: 7 de diciembre de 2024

Última modificación: 31 de julio de 2025

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Artículos de revistas sobre el tema "Ba0.45Sr0.55TiO3"

1

Alema, Fikadu, Michael Reich, Aaron Reinholz, and Konstantin Pokhodnya. "Effect of concurrent Mg/Nb-doping on dielectric properties of Ba0.45Sr0.55TiO3 thin films." Journal of Applied Physics 114, no. 8 (2013): 084102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4819173.

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2

Alema, Fikadu, and Konstantin Pokhodnya. "Dielectric properties of BaMg1∕3Nb2∕3O3 doped Ba0.45Sr0.55Tio3 thin films for tunable microwave applications." Journal of Advanced Dielectrics 05, no. 04 (2015): 1550030. http://dx.doi.org/10.1142/s2010135x15500307.

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Resumen

Ba(Mg[Formula: see text]Nb[Formula: see text]O3 (BMN) doped and undoped Ba[Formula: see text]Sr[Formula: see text]TiO3 (BST) thin films were deposited via radio frequency magnetron sputtering on Pt/TiO2/SiO2/Al2O3 substrates. The surface morphology and chemical state analyses of the films have shown that the BMN doped BST film has a smoother surface with reduced oxygen vacancy, resulting in an improved insulating properties of the BST film. Dielectric tunability, loss, and leakage current (LC) of the undoped and BMN doped BST thin films were studied. The BMN dopant has remarkably reduced the d

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3

Alema, Fikadu, Aaron Reinholz, and Konstantin Pokhodnya. "Stoichiometry and phase purity control of radio frequency magnetron sputter deposited Ba0.45Sr0.55TiO3 thin films for tunable devices." Journal of Applied Physics 114, no. 17 (2013): 174104. http://dx.doi.org/10.1063/1.4829000.

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4

Gersten, Bonnie, and Jennifer Synowczynski. "Simulations of Realizable Photonic Bandgap Structures with High Refractive Contrast." MRS Proceedings 692 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-692-k5.6.1.

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Resumen

AbstractThe transfer matrix method (TMM) software (Translight, A. Reynolds [1]) was used to evaluate the photonic band gap (PBG) properties of the periodic arrangement of high permittivity ferroelectric composite (40 wt% Ba0.45Sr0.55TiO3/60 wt% MgO composite, εR = 80, tanδ?= 0.0041 at 10 GHz) in air (or Styrofoam, εR ∼ 1) matrix compared to a lower permittivity material (Al2O3, εR = 11.54, tanδ?= 0.00003 at 10 GHz) in air. The periodic structures investigated included a one-dimensional (1D) stack and a three-dimensional (3D) face centered cubic (FCC) opal structure. The transmission spectrum w

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5

Gersten, Bonnie, and Jennifer Synowczynski. "Simulations of Realizable Photonic Bandgap Structures with High Refractive Contrast." MRS Proceedings 694 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-694-k5.6.

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Resumen

AbstractThe transfer matrix method (TMM) software (Translight, A. Reynolds [1]) was used to evaluate the photonic band gap (PBG) properties of the periodic arrangement of high permittivity ferroelectric composite (40 wt% Ba0.45Sr0.55TiO3 /60 wt% MgO composite, εR= 80, tanδ = 0.0041 at 10 GHz) in air (or Styrofoam, εR~ 1) matrix compared to a lower permittivity material (Al2O3, εR= 11.54, tanδ = 0.00003 at 10 GHz) in air. The periodic structures investigated included a one-dimensional (1D) stack and a three-dimensional (3D) face centered cubic (FCC) opal structure. The transmission spectrum was

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Tesis sobre el tema "Ba0.45Sr0.55TiO3"

1

Agudelo, Estrada Santiago Alberto. "Interface chemistry and electronic structure in voltage-adjustable paraelectric capacitances for 5G applications." Electronic Thesis or Diss., université Paris-Saclay, 2024. http://www.theses.fr/2024UPASP131.

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Resumen

Le déploiement de la technologie 5G a soulevé des préoccupations significatives concernant la consommation d'énergie. Celle-ci peut être minimisée en ajustant l'impédance de l'antenne à 50 ohms. Pour répondre aux exigences de la 5G et du NFC, un circuit d'adaptation d'impédance contrôlable en tension avec une capacité hautement modulable (varactor) est nécessaire. Plus précisément, un rapport de réglage d'au moins 5 et de faibles pertes diélectriques dans la bande 5G (2-5 GHz) sont essentiels pour préserver l'efficacité énergétique (courant de fuite ~1 nA). Les condensateurs paraélectriques (P

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