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Tesis sobre el tema "Intégration des mots"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de mayo de 2024
Última modificación: 31 de julio de 2025

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Ji, Hyungsuk. "Étude d'un modèle computationnel pour la représentation du sens des mots par intégration des relations de contexte." Phd thesis, Grenoble INPG, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008384.

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Resumen
Dans cette thèse nous présentons une approche théorique du concept et un modèle linguistico-informatique. Cette théorie, non définitionnelle, est fondée sur une représentation gaussienne du concept. Nous introduisons le terme contexonyme, une formalisation de la relation de contexte entre les mots. Cette notion lie la théorie du concept au modèle informatique. Basé sur ces deux notions, notre modèle informatique apprend des contexonymes de manière automatique à partir de corpus de taille importante non annotés. Pour chaque mot donné, le modèle propose la liste de ses contexonymes et les organi
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Mamy, Nina. "La condition des femmes originaires d'Afrique de l'Ouest en France entre enfermement et émancipation : éléments de réflexions sociopolitique et juridique." Thesis, Dijon, 2016. http://www.theses.fr/2016DIJOD004.

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Resumen
L’immigration des femmes originaires d’Afrique subsaharienne en direction de la France est fonction de la situation sociale, politique et économique du Continent africain. Depuis les années 80, elles sont de plus en plus nombreuses à émigrer alors même que la France remet progressivement en cause les conventions bilatérales qui dérogeaient à l’ordonnance n°45- 2685 du 2 novembre 1945 régissant en principe, l’entrée et le séjour des étrangers. Cela même en dehors du cadre du regroupement familial comme ce fut fréquemment le cas antérieurement. Les nombreuses modifications du régime général posé
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Cappuzzo, Riccardo. "Deep learning models for tabular data curation." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2022. http://www.theses.fr/2022SORUS047.

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Resumen
La conservation des données est un sujet omniprésent et de grande envergure, qui touche tous les domaines, du monde universitaire à l'industrie. Les solutions actuelles reposent sur le travail manuel des utilisateurs du domaine, mais elles ne sont pas adaptées. Nous étudions comment appliquer l'apprentissage profond à la conservation des données tabulaires. Nous concentrons notre travail sur le développement de systèmes de curation de données non supervisés et sur la conception de systèmes de curation qui modélisent intrinsèquement les valeurs catégorielles dans leur forme brute. Nous implémen
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Meyer, Jeanne. "Discours, discrimination sociolangagière et insertion professionnelle : les rapports complexes entre les mises en mots des accents et des attitudes linguistiques et / ou langagières." Phd thesis, Université Rennes 2, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00681613.

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Resumen
La discrimination lors de l'insertion professionnelle contribue à marquer des frontières entre les individus nourrissant par là-même les ruptures inter-communautaires en société. Ici, elle est envisagée dans une perspective sociolangagière permettant d'appréhender les liens entre discours et conflits sociaux. Par le réinvestissement de plusieurs méthodologies (observation participante, observation directe, locuteur masqué, questionnaire d'évaluation et entretien semi-directif), la recherche est posée comme permettant de travailler conjointement à : - une réflexion théorique sur l'intégration d
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Dumont, Benjamin. "Etude et intégration de jonctions ultra-fines pour les technologies CMOS 45 nm et en deçà." Lyon, INSA, 2007. http://www.theses.fr/2007ISAL0035.

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Resumen
La réduction des profondeurs de jonctions dans les transistors CMOS se heurte à des limites technologiques. Les méthodes actuelles de fabrication de jonction ne permettent plus de réduire les énergies d'implantation pour réduire la profondeur de jonction et/ou de diminuer la température d'activation pour réduire la diffusion sans dégrader le rapport résistance de couche par rapport à la profondeur de jonction. Les impacts sur les transistors CMOS sont respectivement une dégradation des effets canal court et une augmentation de la résistance d'accès du dispositif et donc une dégradation des per
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Charron, Patrice. "Intégration du sol sabin : la mesure agraire de Manius Curius Dentatus." Master's thesis, Université Laval, 1992. http://hdl.handle.net/20.500.11794/28956.

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Al, Khoury Michel. "Intégration de filtres Radio Fréquences en technologie intégrée Silicium." Limoges, 2011. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/8d644bc8-5cd6-464f-a4e4-4ac00c82ac27/blobholder:0/2011LIMO4038.pdf.

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Resumen
Les systèmes de télécommunications sans fil ont évolué de façon rapide depuis une vingtaine d’année. La conception de ces systèmes est soumise à de nombreuses contraintes : le coût de production, les techniques d’intégration des composants, l’encombrement, etc. La technologie monolithique et plus précisément les procédés de fabrication de circuits silicium (CMOS et BiCMOS) offrent depuis plusieurs années une possibilité de pallier à ce type de difficultés. Ils permettent aujourd’hui l’intégration de plusieurs fonctions RF et mixte sur une seule puce. Malheureusement, la conception de certaines
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Bidal, Gregory. "Intégration et caractérisation de nouveaux modules technologiques pour les applications CMOS à basse consommation." Grenoble INPG, 2009. http://www.theses.fr/2009INPG0082.

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Resumen
Afin de répondre aux besoins des nouvelles applications dites « mobiles / multimédia», de nouvelles solutions technologiques CMOS émergent pour améliorer le compromis consommation/performance des transistors. D’une part, les dimensions des dispositifs atteignant les échelles nanométriques, des phénomènes parasites, auparavant négligeables, gagnent en importance. D’autre part, la généralisation de l’intégration de plusieurs fonctions sur une même puce (digitale, analogue, mémoire) implique d’anticiper l’optimisation technologique des composants au-delà de la simple miniaturisation. Cette thèse
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Gensolen, Fabrice. "Architecture et conception de rétines silicium CMOS : intégration de la mesure du mouvement global dans un imageur." Montpellier 2, 2006. http://www.theses.fr/2006MON20182.

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M'Lembakani, T'Hengua Félicien. "ÉVALUATION ET AMÉLIORATION DES CAPACITÉS MOTRICES D'ENFANTS INFIRMES MOTEURS CÉRÉBRAUX CONGOLAIS ÂGES DE 6 Â 15 ANS." Doctoral thesis, Universite Libre de Bruxelles, 2018. http://hdl.handle.net/2013/ULB-DIPOT:oai:dipot.ulb.ac.be:2013/264367.

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Resumen
Evaluation et amélioration des capacités motrices d’enfants infirmes moteurs cérébraux congolais âgés de 6 à 15 ansTHESE de Félicien M’LEMBAKANI T’HENGUA (Lic. Agr. Ed. Phys.)Laboratoire de Neurophysiologie et de Biomécanique du Mouvement. Faculté des Sciences de la MotricitéUNIVERSITE LIBRE DE BRUXELLES (U. L. B.)RESUMEAu cours de ce travail nous avons mesuré les capacités psychomotrices potentielles chez des enfants IMC congolais à Kinshasa dans deux Centre de Rééducation (CRHP et CREBD) et dans le Complexe Scolaire du Mont Amba (UNIKIN) en vue de proposer des programmes adaptés de prise en
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Haffner, Thibault. "Elaboration et intégration de nanofils GeSn pour la réalisation de dispositifs nanoélectroniques basse consommation." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03066536.

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Resumen
Depuis les années 60, le développement technologique est principalement porté par la miniaturisation des composants et suit la fameuse conjoncture de Moore. En effet, la miniaturisation apportait, au début, de nombreux avantages. Temps de commutation plus faible, systèmes plus compacts, tension d'alimentation plus faible, et donc, transistors consommant moins, etc. Seulement, cette approche a commencé à s'essouffler ces dernières années. En effet , les limites de la miniaturisation ont commencés à apparaitre et la puissance consommée globale des circuits a commencé à augmenter ce qui limite la
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Gatet, Laurent. "Intégration de Réseaux de Neurones pour la Télémétrie Laser." Phd thesis, Toulouse, INPT, 2007. http://oatao.univ-toulouse.fr/7595/1/gatet.pdf.

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Resumen
Grandes lignes : Un réseau de neurones est une architecture paramétrable composée de plusieurs modules appelés neurones. Ils peuvent être utilisés pour compenser des variations non souhaitées de certains phénomènes physiques ou pour effectuer des tâches de discrimination. Un réseau de neurones a été intégré en technologie CMOS basse tension pour être implanté au sein d'un télémètre laser par déphasage. Deux études ont été menées en parallèle. La première consiste à lever l'indétermination sur la mesure de distance déduite de la mesure de déphasage. La seconde étude permet la classification de
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Kalieu, Christian. "Surgissement, prolifération et intégration des motos-taxis dans les villes camerounaises : les exemples de Douala et Bafoussam." Thesis, Brest, 2016. http://www.theses.fr/2016BRES0078/document.

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Resumen
Au cours des dernières décennies, la mobilité dans les villes camerounaises a été marquée par la croissance considérable du trafic des motos-taxis, qui constituent désormais le mode de déplacement dominant. La sédimentation actuelle des deux-roues dans la circulation génère des nuisances, des problèmes et des coûts pour la collectivité et les usagers. La conséquence la plus directe provoquée par cette mutation de la mobilité est l’augmentation croissante des accidents. Les motos sont désormais au coeur de violents conflits d’usage sur la voie publique. L’objectif de notre recherche est double,
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Salimy, Siamak. "Développement, intégration et modélisation de composants passifs intégrés en couches minces dans une filière CMOS." Nantes, 2010. http://archive.bu.univ-nantes.fr/pollux/show.action?id=20bf03cd-b6fe-4f96-bb0f-365e5de32250.

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Resumen
Nous proposons dans cette thèse de développer une technologie de composants passifs dans les niveaux de métallisation d'une filière industrielle en effectuant un report des contraintes en performances sur les propriétés des matériaux utilisés en couches minces. Nous présentons la démarche adoptée à travers trois étapes clés du développement des composants passifs intégrés dans une technologie CMOS 0. 5µm. Les résultats de chacun de ces niveaux sont présentés et illustrés ici à travers un type de composant passif donné. Le premier niveau se place au plus proche du matériau, et est appliqué au c
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Billaud, Mathilde. "Intégration de semi-conducteurs III-V sur substrat Silicium pour les transistors n-MOSFET à haute mobilité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT010/document.

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Resumen
La substitution du canal de silicium par un semi-conducteur III-V est une des voies envisagées pour accroitre la mobilité des électrons dans les transistors n-MOSFET et ainsi réduire la consommation des circuits. Afin de réduire les coûts et de profiter des plateformes industrielles de la microélectronique, les transistors III-V doivent être réalisés sur des substrats de silicium. Cependant, la différence de paramètre de maille entre le Si et les couches III-V induit de nombreux défauts cristallins dans le canal du transistor, diminuant la mobilité des porteurs. L’objectif de cette thèse est l
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Arnal, Vincent. "Intégration et caractérisation des performances de l'isolation par cavités des interconnexions en cuivre pour les technologies CMOS sub 90 nm." Chambéry, 2002. http://www.theses.fr/2002CHAMS010.

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Resumen
La transmission du signal dans les interconnexions devient un élément critique des circuits intégrés en raison de l'augmentation de la densité des composants et de leur fréquence de fonctionnement. En effet, le délai de propagation des signaux et le couplage diaphonique entre lignes voisines dictent les performances et sont susceptibles de générer des erreurs de fonctionnement. Pour répondre à ces limitations, les interconnexions en cuivre doivent être isolées par des diélectriques à constante diélectrique faible, dits "low k", qui remplacent l'oxyde de silicium, dont la permittivité relative
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Grelu, Carloman. "Intégration de transistors haute tension en technologie CMOS 0,13 µm pour la gestion d'énergie des systèmes portables." Lyon, INSA, 2005. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2005ISAL0065/these.pdf.

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Resumen
Les systèmes portables requièrent le développement de composants switch haute tension (20 V) plus performants et moins coûteux. Dans ce contexte, de nouvelles architectures de composants Drift-MOSFET ont été intégrées dans une technologie CMOS 0. 13 m. Ces composants, destinés à remplacer les Diffused-MOSFET couramment utilisés pour les applications switch, sont en effet moins coûteux à la fabrication. A partir d'une étude théorique sur l'origine des pertes de puissance, différentes architectures de Drift-MOSFET, visant à minimiser les pertes par commutation et par effet Joule, ont été implém
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Bourennane, Abdelhakim. "Etude et conception de structures bidirectionnelles en courant et en tension commandées par MOS." Toulouse 3, 2004. http://www.theses.fr/2004TOU30098.

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Resumen
Ces travaux s'inscrivent dans le contexte de l'intégration fonctionnelle. Nous nous intéressons plus particulièrement aux interrupteurs bidirectionnels commandés par MOS. Ces interrupteurs devraient pouvoir remplacer le triac dans les applications domestiques. En effet, le triac est un composant commandé en courant nécessitant une énergie de commande relativement élevée par rapport aux dispositifs commandés en tension. Ainsi, dans un premier temps nous avons analysé la plupart des structures proposées dans la littérature afin de déterminer leurs avantages et leurs limitations, et dans un secon
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Lenoble, Damien. "Étude, réalisation et intégration de jonctions P+/N ultra-fines pour les technologies CMOS inférieures à 0,18 micromètre." Toulouse, INSA, 2000. http://www.theses.fr/2000ISAT0041.

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La réalisation de jonctions ultra-fines est nécessaire à la formation des extensions du drain et de la source des transistors CMOS fortement sub-microniques. La formation de jonctions de type p+/n inférieures à 40 nm en profondeur nécessite l'utilisation d'implantation d'ions B+ à très faible énergie. Après avoir démontré les limites d'un tel procédé et notamment la saturation de la profondeur de jonction après implantation, nous avons étudié les techniques alternatives de dopage et en particulier le dopage assisté par faisceau laser. En raison de la finalité industrielle de nos travaux, le pr
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Toni, Kotchikpa Arnaud. "Conception et intégration d'un convertisseur buck en technologie 28 nm CMOS orientée plateformes mobiles." Thesis, Lyon, 2019. http://www.theses.fr/2019LYSEI049.

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Resumen
Ce travail de thèse présente la conception d’un convertisseur Buck 3 états pour améliorer le comportement dynamique des tensions d’alimentations des microprocesseurs. La topologie du convertisseur est dans un premier temps, implémentée en technologie IBM CMOS 180 nm pour la validation de la structure 3 états. Le prototype réalisé utilise une tension d’entrée de 3.6V et génère une tension de sortie de 0.8V à 2V. Sa réponse aux transitoires de charge ne montre que 1 à 2% de surtension prouvant ainsi l’avantage du régulateur en dynamique. Le convertisseur 3 états est dans un deuxième temps intégr
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Pillet, Nicolas. "Conception et intégration de convertisseurs analogique/numérique, compacts, à bas bruit, adaptés aux capteurs CMOS destinés à la détection de particules chargées." Strasbourg, 2010. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2010/PILLET_Nicolas_2010.pdf.

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Les capteurs CMOS ont connu un développement croissant ces dernières années dans le monde de l’instrumentation car ils permettent d’intégrer sur le même substrat un élément sensible ainsi que des éléments de traitement du signal pour un cout de fabrication faible. L’équipe CMOS-ILC de l’IPHC développe des matrices de pixels en technologie CMOS pour des détecteurs dans le domaine de la physique des particules depuis une dizaine d’année. Lors de l’utilisation de ces capteurs pour des trajectomètres, il peut être intéressant d’augmenter la résolution spatiale des détecteurs. Ceci peut être obtenu
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Javerliac, Virgile. "Développement d'un modèle compact de la jonction tunnel magnétique de première génération et son intégration dans la réalisation d'architectures logiques reprogrammables hybrides magnétique-CMOS." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0146.

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Alors qùe dans les circuits logiques CMOS standards, la fonctionnalité est fixée, les circuits logiques matériellement programmables sont à même de s'adapter au type d'information à traiter. Ce travail de thèse porte sur l'étude et la réalisation de circuits hautement reconfigurables combinanttechnologies CMOS et technologies nano magnétiques de type MRAM, ces dernières ayant démontré leur potentiel en terme de vitesse, de robustesse et de non-volatilité, nous transposons ce concept aux circuits de type FPGA. La simulation de ces architectures hybrides magnétique CMOS nécessite au préalable le
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Fourment, Sabine. "Intégration multifonctionnelle dans un microsystème optique : application à un capteur de déplacement." Toulouse 3, 2003. http://www.theses.fr/2003TOU30064.

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L'intégration fonctionnelle dans les microsystèmes opto-électro-mécaniques (MOEMS) ouvre la voie à la miniaturisation, à l'accroissement de la fonctionnalité des systèmes optiques actuels, et à l'émergence de nouveaux systèmes. Elle repose sur la conception et le développement de procédés technologiques collectifs et à faible coût, en s'appuyant sur les acquis de la microélectronique sur silicium. Dans cette perspective, les travaux présentés dans cette thèse ont pour but la miniaturisation d'un capteur de déplacement de résolution nanométrique et de grande course, basé sur les phénomènes diff
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Schanen, Jean-Luc. "Intégration de la compatibilité électromagnetique dans la conception de convertisseurs statiques en électronique de puissance." Grenoble INPG, 1994. https://hal.archives-ouvertes.fr/tel-01907791.

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De nos jours, la nécessité se fait de plus en plus sentir de prendre en compte les formes d'ondes réelles au sein d'un convertisseur statique. Surtensions, surcourants, à l'origine de fatigue voire de destruction des semi-conducteurs, mais aussi courants perturbateurs issus du convertisseur en peuvent plus être négligés dans la phase de conception. L'emploi de prototypes s'avère alors indispensable, ce qui entraîne une augmentation des coûts et temps de développement. Des logiciels existent permettant la modélisation des composants semi-conducteurs (PACTE développé par le CEGELY), mais ils néc
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Ribot, Pascal. "Développement et réalisation de structures Silicium et Silicium-Germanium par RTCVD et leur intégration dans les technologies BiCMOS et CMOS avancées." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2001. http://www.theses.fr/2001GRE10051.

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Mbow, Ndeye Awa. "Conception et intégration en technologie CMOS d'un circuit de lecture et d'identification de coïncidences à résolution temporelle de l'ordre de la nanoseconde destiné à l'imagerie biomédicale." Strasbourg, 2009. https://publication-theses.unistra.fr/restreint/theses_doctorat/2009/MBOW_Ndeye_Awa_2009.pdf.

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Resumen
Les séquençages du génome humain et du génome de la souris ont montré que parmi les 30000 gènes que possèdent l'homme et la souris, seuls 300 diffèrent. Cette remarquable similitude rend possible l'étude du développement de certaines maladies sur des souris telles que les maladies cardio-vasculaires, le cancer, les maladies neurodégénératives à savoir les maladies d'Alzheimer ou de Parkinson entre autres. Ainsi des modèles murins représentant les pathologies humaines se sont multipliés. L'imagerie moléculaire permettant de coupler à la fois les informations fonctionnelles et anatomiques est de
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Merhej, Mouawad. "Intégration 3D des transistors à nanofils de silicium-germanium sur puces CMOS." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT050.

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Resumen
Les travaux de cette thèse portent sur l’idée de démontrer que la croissance des nanofils entre deux électrodes prédéfinies et plus particulièrement la croissance horizontale à l’intérieur des tranchées d’oxyde peut être utilisée dans l’optique d’une intégration 3D. Cela permettrait donc à terme de pouvoir directement fabriquer les couches actives semi-conductrices d’un transistor MOS dans les niveaux supérieurs d’une puce CMOS tout en respectant le budget thermique, et sans avoir recours à des étapes de collage de puces. Au cours de ce projet de recherche, nous nous sommes intéressés en premi
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Philippe, Justine. "Intégration hétérogène de systèmes communicants CMOS-SOI en gamme millimétrique sur substrat flexible." Thesis, Lille 1, 2017. http://www.theses.fr/2017LIL10178/document.

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Le développement de nombreuses applications nomades, souples, déformables et sur de larges surfaces nécessite la réalisation de circuits mécaniquement flexibles, intégrant des capacités d'intéraction avec l'environnement, de communication et de traitement du signal. Une part importante de ces applications proviennent actuellement de l'industrie de l'électronique organique, mais l'apparition de nouvelles méthodes de fabrication a permis la réalisation de dispositifs à la fois souples mécaniquement et électriquement performants. En outre, les techniques de report sur substrat souple présentent d
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Bosch, Daphnée. "Simulation, fabrication et caractérisation électrique de transistors MOS avancés pour une intégration 3D monolithique." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALT077.

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De nos jours, l’industrie microélectronique doit maitriser un véritable « déluge de données » et une demande toujours en croissance de fonctionnalités ajoutées pour les nouveaux secteurs de marchés tels que la 5G, l’internet des objets, l’intelligence artificielle… Par ailleurs, l’énergie et sa gestion est un enjeu majeur au sein des architectures Von-Neumann traditionnelles. Dans ce cadre, ce travail de thèse explore l’intégration 3D monolithique ainsi que des dispositifs pour le calcul dans la mémoire. Premièrement, l’intégration 3D monolithique n’est pas perçue uniquement comme une alternat
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Boisvert, Alexandre. "Conception d'un circuit d'étouffement pour photodiodes à avalanche en mode Geiger pour intégration hétérogène 3D." Mémoire, Université de Sherbrooke, 2014. http://hdl.handle.net/11143/6153.

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Le Groupe de Recherche en Appareillage Médical de Sherbrooke (GRAMS) travaille actuellement sur un programme de recherche portant sur des photodiodes à avalanche monophotoniques (PAMP) opérées en mode Geiger en vue d'une application à la tomographie d’émission par positrons (TEP). Pour opérer dans ce mode, la PAMP, ou SPAD selon l’acronyme anglais (Single Photon Avalanche Diode), requiert un circuit d'étouffement (CE) pour, d’une part, arrêter l’avalanche pouvant causer sa destruction et, d’autre part, la réinitialiser en mode d’attente d’un nouveau photon. Le rôle de ce CE comprend également
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Boyer, Flore. "Intégration de contacts compatibles CMOS sur matériaux III-V pour des applications photoniques sur silicium en 300 mm." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALT068.

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Resumen
Dans le contexte actuel de la Big Data, la nécessité d'une transmission de données à plus haute densité est de plus en plus critique, puisque la demande en termes d'échange de données n’a cessé d’augmenter depuis les 20 dernières années. De ce fait, des moyens de communication innovants ont inévitablement vu le jour, tels que les dispositifs et interconnexions optiques. Il s’agit de dispositifs tels que des émetteurs (laser) et des récepteurs (photodétecteur), fabriqués à partir de matériaux III-V et intégrés à des circuits Silicium CMOS en 300 mm : c’est ce quoi consiste la Silicon Photonics.
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Aimadeddine, Mohamed. "Intégration et caractérisation de diélectriques poreux à très basse permittivité pour les interconnexions de circuits cmos sub-45nm." Grenoble INPG, 2008. http://www.theses.fr/2008INPG0025.

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Resumen
Afin de satisfaire aux besoins des performances des circuits CMOS sub-45nm, les diélectriques SiOCH poreux à très basse permittivité (k~2. 5) sont intégrés comme isolants entre les lignes d'interconnexions des transistors. Cependant, les procédés élémentaires d'intégration damascène entraînent des modifications physico-chimiques de ces matériaux, altérant leur performance et leur fiabilité après intégration. Pour pallier ces problématiques d'intégration, des traitements de fiabilisation des interfaces poreuses basés sur des traitements plasma ou le dépôt d'une couche diélectrique interfaciale
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Duchaine, Julian. "Caractérisation de l'implantation par immersion plasma avec pulsion(r) et intégration dans la fabrication de transistors FD-SOI et Trigate." Toulouse 3, 2012. http://www.theses.fr/2012TOU30197.

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Resumen
L'industrie de la micro-électronique remet à jour régulièrement sa " roadmap " internationale pour ses développements technologiques. L'introduction des nouvelles filières technologiques s'accélère, motivée par les besoins en électronique portable, en ordinateurs personnels de plus en plus puissants, en télécommunications et multimédia, ainsi que par le développement maintenant très important de l'électronique dans le monde de l'automobile. Cette course à l'intégration nécessite des implantations à des énergies de plus en plus faibles et des doses de plus en plus fortes (en fonction des compos
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Carmignani, Corentin. "Conception, réalisation et caractérisation des propriétés électriques d'un capteur silicium micro-nano permettant une Co intégration CMOS / nano objets." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT043/document.

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Resumen
Depuis le début du troisième millénaire, des domaines comme l’automobile, le médical, l’industrie agroalimentaire ou l’électronique grand public (smartphone, ordinateur, Hi-fi etc.) sont devenus de plus en plus demandeurs de puces électroniques. Les besoins ont évolué de sorte que la diversification des fonctions des puces électroniques est devenue le nouveau paradigme de la microélectronique. Dans le même temps, des objets biologiques ayant des propriétés très diverses et très spécifiques sont découverts et étudiés. Certains sont conceptuellement considérés comme des solutions ultimes pour ré
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Burgardt, Infanti Rúbia. "L’engagement social chez le bébé de 4-5 mois en situation de dialogue avec des partenaires familiers et étrangers : vers une approche intégrative." Thesis, Paris 10, 2017. http://www.theses.fr/2017PA100090/document.

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L’objectif de cette thèse est de savoir si au delà d’une préférence linguistique et sociale pour leur langue natale et leurs usagers, les bébés de moins de 6 mois s’impliquent dans les rythmes et opportunités dialogiques des langues. Nous avons choisi d’étudier les comportements communicatifs du bébé âgé de 4-5 mois car cet âge représente une période charnière pour l’intégration de la compétence communicative. D’une part, le « turn-taking » est encore une forme prédominante d’interaction et d’autre part, les bébés de cet âge s’orientent encore principalement vers les partenaires sociaux plutôt
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Guigue, Sébastien. "Développement, intégration et prototypage d'un noeud-capteur autonome à récupération d’énergie pour réseaux de capteurs sans fil." Electronic Thesis or Diss., Bordeaux, 2024. http://www.theses.fr/2024BORD0082.

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Resumen
Il y a eu une recrudescence du nombre de dispositifs connectés dans le contexte de l’Internet des objets. La multiplication des réseaux de capteurs sans fil a conduit à une augmentation du nombre de batteries et de déchets générés. Dans un contexte d’électronique verte, le développement de circuits autonomes alimentés par la récupération d’énergie doit être géré. Le premier chapitre donnera un aperçu des réseaux de capteurs sans fil, y compris une brève histoire de ces systèmes, les différents domaines d’application, les défis et quelques solutions possibles pour surmonter ces problèmes. Le se
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Cheng, Jun. "Intégration monolithique de matériaux III-V et de Ge sur Si en utilisant des buffers oxydes cristallins." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00565337.

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Resumen
L'intégration monolithique de matériaux III-V ou Ge sur Si est un enjeu majeur de l'hétéroépitaxie qui a donné lieu à de nombreuses recherches depuis plus de vingt ans. Car premièrement, il permet de combiner des fonctionnalités optoélectroniques au standard industriel CMOS, cela peut remplacer des interconnexions métalliques par des interconnexions optiques dans lescircuits intégrés. De plus, le procédé d'intégration de semiconducteurs III-V ou de Ge sur Si permettrait de réduire sensiblement le coût de fabrication des cellules solaire pour le marché de niche du spatial.L'hétéroépitaxie direc
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Meneghin, Grégory. "Intégration en technologie BiCMOS et caractérisation d'un convertisseur de fréquence de réception pour un radar automobile en bande W assurant des communications inter-véhicules." Toulouse 3, 2013. http://thesesups.ups-tlse.fr/2708/.

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Les progrès réalisés par les filières silicium durant la dernière décennie ont rendu leur utilisation possible pour les bandes de fréquences millimétriques dépassant les 100 GHz, autrefois réservées aux technologies III-V. En outre, les fortes densités d'intégration qui caractérisent les filières silicium permettent d'envisager des systèmes complexes sur une seule puce, ce qui n'était pas possible auparavant avec les technologies III-V. Dans cette thèse, la faisabilité d'une conversion en fréquence directe à partir d'un signal impulsionnel en bande W est évaluée au travers de l'exemple d'un ra
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Nguyen, Roselyne. "Un système multi-agent pour la machine à dicter vocale MAUD : conception et intégration d'une source de connaissances phonologiques." Nancy 1, 1996. http://www.theses.fr/1996NAN10321.

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MAUD est un prototype de machine à dicter vocale élaboré au CRIN par l'équipe RFIA. Ce système est destiné à la reconnaissance automatique de la parole continue, multilocuteur, pour un très grand vocabulaire. Pour être un système opérationnel, MAUD doit tenter de faire collaborer toutes les connaissances linguistiques susceptibles d'améliorer la reconnaissance. Notre travail s'inscrit dans cette optique avec un double objectif : - faire évoluer l'architecture de MAUD afin de faciliter la modification des connaissances existantes – ou l'intégration de nouvelles connaissances, - profiter de cett
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Heini, Sébastien. "Conception et intégration d’un capteur à pixels actifs monolithiques et de son circuit de lecture en technologie CMOS submicronique pour les détecteurs de position du futur." Strasbourg, 2009. http://www.theses.fr/2009STRA6045.

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Le travail de thèse présenté dans ce mémoire a été réalisé dans le cadre du développement des capteurs CMOS devant équiper le futur détecteur de vertex de l’expérience CBM à FAIR (GSI, Darmstadt). Premièrement, nous présentons de nouveaux circuits de détection de particules ionisantes en mode courant : les PhotoFETs. Ils ont été développés pour améliorer les performances des capteurs CMOS, notamment en termes de sensibilité et de vitesse de lecture. Deuxièmement, nous présentons une nouvelle architecture de Convertisseur Analogique-Numérique de 4 bits à double rampe. Leur intégration dans les
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Tant, Gauthier. "Etude et intégration en SOI d’amplificateurs de puissance reconfigurables pour applications multi-modes multi-bandes." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT101/document.

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Cette thèse porte sur l'étude et l'intégration en technologie SOI CMOS d'un circuit amplificateur de puissance multimode multibande (MMPA) reconfigurable capable d'adresser les modes 2G/3G/4G sur plusieurs bandes de fréquences. Les modules MMPA actuels (modules hybrides) reposent sur l'utilisation de plusieurs technologies, en particulier la technologie GaAs en ce qui concerne les chaines d'amplification, et représentent une part importante du coût et de l'encombrement d'une tête d'émission radiofréquences. La solution originale proposée dans cette thèse représente une avancée significative en
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To, Duc Ngoc. "Circuit de pilotage intégré pour transistor de puissance." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GRENT017/document.

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Ces travaux de thèse s’inscrivent dans le cadre d’une collaboration entre les laboratoires G2ELAB et IMEP-LAHC en lien avec le projet BQR WiSiTUDe (Grenoble-INP). Le but de cette thèse concerne la conception, modélisation et caractérisation du gate driver intégré pour transistors de puissance à base d’un transformateur sans noyau pour le transfert isolé d'ordres de commutation. La thèse est composée de deux grandes parties : - Une partie de la conception, la modélisation et la caractérisation du transformateur intégré dans deux technologies CMOS 0.35 µm bulk et CMOS 0.18 µm SOI. - Une partie d
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Le, Thanh Long. "Isolation galvanique intégrée pour nouveaux transitors de puissance." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT105/document.

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Ces travaux de thèse proposent une approche de réalisation d'intégration d'isolation galvanique optique plus performante entre la partie de commande éloignée et la partie de puissance d'un convertisseur d'énergie. Ce mémoire de thèse est composé de trois chapitres. Après une étude bibliographique et un positionnement de l'approche dans le premier chapitre, la conception de la puce de commande, les différentes fonctions développées seront vus en détail, et les résultats pratiques et les performances des réalisations effectuées seront présentés, avec plusieurs études de photodétecteurs et circui
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Cerba, Tiphaine. "Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT082/document.

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La miniaturisation des transistors a progressé par noeud technologique avec l’introduction successive de nouveaux matériaux (high k) et de nouvelles architectures (FinFET, NWFET). Pour les noeuds technologiques avancés, une nouvelle rupture en matériau est envisagée pour remplacer le Silicium du canal de conduction par des matériaux à forte mobilité (2D, III-V). Les matériaux III-V sont de bons candidats pour répondre à cette problématique grâce à leur forte mobilité de type n (InGaAs, InAs, InSb) ou de type p (GaSb). Au cours de cette thèse, un intérêt particulier a été porté au couple de mat
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Emboras, Alexandros. "Intégration en technologie CMOS d'un modulateur plasmonique à effet de champ CMOS Integration of a field effect plasmonic modulator." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00848107.

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Dans la réalisation de circuits intégrés hybrides électroniques - photoniques pour les réseaux télécom, les modulateurs intégrés plasmoniques pourront jouer un role essentiel de codage de l'information en signaux optiques. Cette thése montre la réalisation d'une approche modulateur plasmonique a effet de champ, intégrée en silicium en utilisant les technologies CMOS standards. Ce modulateur MOS plasmonique présente diverses propriétés intéressantes, a savoir un confinement optique fort, permettant une augmentation de l'interaction lumiére matiére. Ces modulateurs plasmoniques permettent aussi
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Rousseau, Maxime. "Impact des technologies d'intégration 3D sur les performances des composants CMOS." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00441653.

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Les innovations actuelles en électronique allient à la fois des critères de coût, de performance et de taille. Or à l'ère du tout numérique, les technologies CMOS sont confrontées à la stagnation de leurs performances électriques. Parallèlement, les systèmes hétérogènes multifonctions s'orientent vers une complexification extrême de leurs architectures, augmentant leur coût de conception. Les problématiques de performance électrique et d'hétérogénéité convergent vers un objectif commun. Une solution industriellement viable pour atteindre cet objectif d'architecture ultime est l'intégration tri
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Pinel, Stéphane. "Conception et réalisation d'assemblages 3D ultra-compacts par empilement de structures amincies." Toulouse 3, 2000. http://www.theses.fr/2000TOU30138.

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La fabrication de systemes miniaturises de plus en plus complexes et les exigences croissantes en termes de minimisation du volume, du poids, de la longueur des interconnexions, ont suscite le developpement de nouvelles techniques d'interconnexions et d'encapsulation telles que les assemblages tri-dimensionnels (mcm-3d). Leurs limitations peuvent etre repoussees grace a l'utilisation de substrats multi-puces silicium (mcm-si) permettant une plus grande densite d'interconnexions et grace a l'empilement de puces ultra-minces (10 a 20 m d'epaisseur). Le travail de cette these a ete de concevoir e
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Amouroux, Julien. "Procédé de croissance et caractérisation avancée de nanocristaux de silicium pour une intégration dans les mémoires non-volatiles." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4766/document.

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De par leurs performances et leur fiabilité, la technologie Flash constitue, à l'heure actuelle, la référence en matière de mémoire non volatile. Cependant, ces mémoires étant en passe d'atteindre leurs limites de miniaturisation, plusieurs dispositifs alternatifs sont actuellement envisagés par les industriels du secteur, de manière à anticiper les demandes du marché ces prochaines années.Depuis 2003, des études ont été menées sur le remplacement de la grille flottante en silicium polycristallin des mémoires Flash par des nanocristaux. La modication du flot de procédés d'une mémoire à nanocri
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Prieto, herrera Rafael. "Développement d'une solution de répartition de la chaleur émise par les points chauds en co-intégration avec les technologies CMOS." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT113/document.

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On assiste aujourd’hui au développement massif des technologies nomades. L’utilisation de boîtiers compacts est ainsi en plein croissance, non seulement à cause des téléphones portables et tablettes, mais aussi à cause de l’introduction massive de l’électronique dans les appareils portables de la vie quotidienne. La microélectronique embarquée dans ces appareils représente le principal outil d’information et de communication des personnes avec le monde extérieur. Le rythme de développement de ces technologies dans les dernières années est tel que les possibilités d’utilisation des appareils po
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Zoghlami, Naouel. "Processus ascendants et descendants en compréhension de l'oral en langue étrangère - Problèmes et retombées didactiques pour la compréhension de l'anglais." Electronic Thesis or Diss., Paris 8, 2015. http://www.theses.fr/2015PA080041.

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Cette thèse s’intéresse à la relation complexe entre processus ascendants (bottom-up) et processus descendants (top-down) dans la compréhension de l’oral L2 ; c’est-à-dire entre l’utilisation du signal sonore et de l’input linguistique d’une part, et l’intégration de connaissances diverses (linguistiques, discursives, pragmatiques, générales) d’autre part. Malgré de nombreux travaux en psycholinguistique, en acquisition des langues étrangères (L2) et en didactique (par exemple, Cutler & Clifton, 1999 ; Field, 2008; Rost, 2002 ; Brown, 1990), notre connaissance des processus cognitifs compl
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