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Libros sobre el tema "Phase change memory GST"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de mayo de 2024
Última modificación: 31 de julio de 2025

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1

Redaelli, Andrea, ed. Phase Change Memory. Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-69053-7.

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2

1976-, Chen Yiran, ed. Nonvolatile memory design: Magnetic, resistive, and phase change. Taylor & Francis, 2012.

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3

Lan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-2217-8.

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4

Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/s0065-2458(20)x0004-0.

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5

Asadinia, Marjan, and Hamid Sarbazi-Azad. Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier Science & Technology, 2020.

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6

Asadinia, Marjan, and Hamid Sarbazi-Azad. Durable Phase-Change Memory Architectures. Elsevier Science & Technology Books, 2020.

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7

Muralimanohar, Naveen, Moinuddin K. Qureshi, Sudhanva Gurumurthi, and Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Springer International Publishing AG, 2011.

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8

Qureshi, Moinuddin K., Sudhanva Gurumurthi, and Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Morgan & Claypool Publishers, 2011.

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9

Qureshi, Moinuddin K., Sudhanva Gurumurthi, and Bipin Rajendran. Phase Change Memory: From Devices to Systems. Morgan & Claypool Publishers, 2011.

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10

Redaelli, Andrea. Phase Change Memory: Device Physics, Reliability and Applications. Springer, 2018.

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11

Redaelli, Andrea. Phase Change Memory: Device Physics, Reliability and Applications. Springer, 2017.

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12

Chen, Yiran, and Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

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13

Li, Hai. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2011.

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14

Chen, Yiran, and Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

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15

Chen, Yiran, and Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

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16

Chen, Yiran, and Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

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17

Chen, Yiran, and Hai Li. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Change. Taylor & Francis Group, 2017.

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18

Lan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Springer, 2020.

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19

Bernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du, and Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2015.

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20

Bernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du, and Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2015.

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21

Lan, Rui. Thermophysical Properties and Measuring Technique of Ge-Sb-Te Alloys for Phase Change Memory. Springer Singapore Pte. Limited, 2021.

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22

Bernasconi, Marco, Carlo Massobrio, Jincheng Du, and Philip S. Salmon. Molecular Dynamics Simulations of Disordered Materials: From Network Glasses to Phase-Change Memory Alloys. Springer, 2016.

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23

Tiwari, Sandip. Phase transitions and their devices. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198759874.003.0004.

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Resumen
Phase transitions as a collective response of an ensemble, with appearance of unique stable properties spontaneously, is critical to a variety of devices: electronic, magnetic, optical, and their coupled forms. This chapter starts with a discussion of broken symmetry and its manifestation in the property changes in thermodynamic phase transition and the Landau mean-field articulation. It then follows it with an exploration of different phenomena and their use in devices. The first is ferroelectricity—spontaneous electric polarization—and its use in ferroelectric memories. Electron correlation
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