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Tesis sobre el tema "Transistor en tranchée"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de mayo de 2024
Última modificación: 31 de julio de 2025

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1

Gay, Roméric. "Développement de composants analogiques embarqués dans des microcontrôleurs destinés à l'Internet des Objets (loT)." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0218.

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Resumen
L’objectif de ces travaux de thèse a été d'améliorer les performances, le coût et la surface de silicium occupés par un microcontrôleur fabriqué sur la base d’une technologie mémoire embarquée CMOS (eNVM) 40 nm. Ces améliorations ont été réalisées grâce au développement de nouvelles architectures de transistors adaptées au besoin du marché de l’IoT. Dans une première partie, le contexte dans lequel s’inscrit cette thèse est exposé par la présentation des limites technologiques et économiques de technologie CMOS. Dans une deuxième partie, le procédé de fabrication eNVM ainsi que l’architecture
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Ramadout, Benoit. "Capteurs d’images CMOS à haute résolution à Tranchées Profondes Capacitives." Thesis, Lyon 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LYO10068.

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Resumen
Les capteurs d'images CMOS ont connu au cours des six dernières années une réduction de la taille des pixels d'un facteur quatre. Néanmoins, cette miniaturisation se heurte à la diminution rapide du signal maximal de chaque pixel et à l'échange parasite entre pixels (diaphotie). C'est dans ce contexte qu'a été développé le Pixel à Tranchées Profondes Capacitives et Grille de Transfert verticale (pixel CDTI+VTG). Basé sur la structure d'un pixel « 4T », il intègre une isolation électrique par tranchées, une photodiode profonde plus volumineuse et une grille verticale permettant le stockage prof
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3

Morancho, Frédéric. "Le transistor MOS de puissance à tranchées : modélisation et limites de performances." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1996. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00165581.

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Resumen
Ce mémoire traite de la modélisation et de l'évaluation des performances d'un nouveau composant de puissance, le transistor MOS à tranchées. Plus précisément, on présente tout d'abord l'évolution des structures MOS de puissance basse tension depuis les années 70 jusqu'au transistor MOS à tranchées dont les principales propriétés sont énumérées. On réalise ensuite une étude des mécanismes - analyse statique à l'état passant et à l'état bloqué, analyse dynamique - intervenant dans les diverses zones du composant. Sur la base de cette étude, on établit un modèle de ce transistor pour le logiciel
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4

Tavernier, Aurélien. "Développement d'un procédé innovant pour le remplissage des tranchées d'isolation entre transistors des technologies CMOS avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00987019.

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Resumen
Réalisées au début du processus de fabrication des circuits intégrés, les tranchées d'isolation permettent d'éviter les fuites de courant latérales qui pourraient avoir lieu entre les transistors. Les tranchées sont remplies par un film d'oxyde de silicium réalisé par des procédés de dépôt chimiques en phase vapeur (aussi appelés CVD). Le remplissage des tranchées est couramment réalisé par un procédé CVD à pression sub-atmosphérique (SACVD TEOS/O3). Cependant, la capacité de remplissage de ce procédé pour les nœuds technologiques CMOS 28 nm et inférieurs est dégradée à cause de profils trop v
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Marron, Dominique. "Etude des transistors à grille flottante et application à la conception d'une mémoire reconfigurable intégrée sur tranche." Grenoble 1, 1989. http://www.theses.fr/1989GRE10080.

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Resumen
Afin d'accroitre la complexite des composants electroniques, leur architecture utilise des elements redondants. On pallie ainsi les problemes de rendements. Cette these traite d'un element de reconfiguration, le transistor a grille flottante, et de sa programmation par un faisceau d'electrons. Les conditions de programmation, la tenue dans le temps de la charge deposee ainsi que les problemes pratiques rencontres sont etudies. Ce transistor est ensuite utilise dans la conception d'une memoire sram de 4. 5 mbit reconfigurable integree sur une tranche d=100. Les contraintes pratiques et l'archit
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6

Theolier, Loïc. "Conception de transistor MOS haute tension (1200 volts) pour l'électronique de puissance." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00377784.

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Resumen
Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyés pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapés par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS de puissance permettrait de pallier ces inconvénients. Néanmoins, à ces niveaux de tension, les transistors MOS sont pénalisés par leur compromis "tenue en tension/résistance passante spécifique". Dans le cadre de ces travaux de thèse, nous avons étudié différents principes pour concevoir une nouvelle structure MOS performante. Nous avons arrêté n
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Carbonero, Jean-Louis. "Développement des méthodes de mesures en hyperfréquences sur tranches de silicium et application à la caractérisation des technologies CMOS et BICMOS sub-microniques." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0051.

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La reduction spectaculaire des dimensions des transistors bipolaires et mosfet en technologies cmos et bicmos s'est accompagnee d'une croissance des densites d'integration et surtout d'une augmentation tout aussi spectaculaire des performances de ces transistors. Des frequences de transition de 20 ghz sont aujourd'hui atteintes pour des technologies silicium sub-microniques en phase industrielle. Ces technologies sont appelees a jouer un role important pour la realisation de circuits integres radiofrequences et hyperfrequences. En raison des performances dynamiques toujours plus grandes de ces
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Letourneau, Pascal. "Etude et réalisation du transistor à base perméable en technologie microélectronique silicium et évaluation en hyperfréquence." Grenoble 1, 1990. http://www.theses.fr/1990GRE10039.

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Resumen
Le transistor a base permeable (tbp) est un dispositif electronique dont la principale caracteristique est une base metallique enterree dans un substrat semi-conducteur. Cette these presente la premiere realisation de tbp silicium entierement compatible avec des procedes de fabrication de dispositif mos (metla-oxyde-semiconducteur). Cette compatibilite est obtenue au moyen d'une technologie tranchees. Un siliciure autoaligne est utilise, formant avec le semi-conducteur un contact de type schottky (la base), et un contact ohmique (l'emetteur). La premiere generation de dispositifs de largeur de
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9

Melul, Franck. "Développement d'une nouvelle génération de point mémoire de type EEPROM pour les applications à forte densité d'intégration." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0266.

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Resumen
L’objectif de ces travaux de thèse a été de développer une nouvelle génération de point mémoire de type EEPROM pour les applications à haute fiabilité et à haute densité d’intégration. Dans un premier temps, une cellule mémoire très innovante développée par STMicroelectronics – eSTM (mémoire à stockage de charges de type Splitgate avec transistor de sélection vertical enterré) – a été étudiée comme cellule de référence. Dans une deuxième partie, dans un souci d’améliorer la fiabilité de la cellule eSTM et de permettre une miniaturisation plus agressive de la cellule EEPROM, une nouvelle archit
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Théolier, Loïc. "Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance." Toulouse 3, 2008. http://thesesups.ups-tlse.fr/539/.

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Resumen
Les composants actifs des convertisseurs de puissance employés pour la traction ferroviaire 1200 Volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapés par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS de puissance permettrait de pallier ces inconvénients. Néanmoins, à ces niveaux de tension, les transistors MOS sont pénalisés par leur compromis " tenue en tension / résistance passante spécifique ". Dans le cadre de ces travaux de thèse, nous avons étudié différents principes pour concevoir une nouvelle structure MOS performante. Nous avons arr
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Durand, Cédric. "Développement de résonateurs électromécaniques en technologie Silicon On Nothing, à détection capacitive et amplifiée par transistor MOS, en vue d’une co-intégration permettant d’adresser une application de référence de temps." Electronic Thesis or Diss., Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10008.

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Les résonateurs électromécaniques (MEMS), de part leurs bonnes performances, leur petite taille, ou encore leurs possibilités d'intégration au plus proche des transistors, présentent un fort potentiel pour le remplacement des quartz dans les applications de référence de temps. Dans ce contexte, nous proposons de développer des résonateurs électromécaniques en vue d'une intégration « front-end », pour la réalisation d'oscillateurs intégrés. Ainsi, nous avons fabriqué des démonstrateurs à partir des briques de base de la technologie CMOS Silicon On Nothing, en phase de R&D à STMicroe!ectronl
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Pinel, Stéphane. "Conception et réalisation d'assemblages 3D ultra-compacts par empilement de structures amincies." Toulouse 3, 2000. http://www.theses.fr/2000TOU30138.

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La fabrication de systemes miniaturises de plus en plus complexes et les exigences croissantes en termes de minimisation du volume, du poids, de la longueur des interconnexions, ont suscite le developpement de nouvelles techniques d'interconnexions et d'encapsulation telles que les assemblages tri-dimensionnels (mcm-3d). Leurs limitations peuvent etre repoussees grace a l'utilisation de substrats multi-puces silicium (mcm-si) permettant une plus grande densite d'interconnexions et grace a l'empilement de puces ultra-minces (10 a 20 m d'epaisseur). Le travail de cette these a ete de concevoir e
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Maglie, Rodolphe de. "Modélisation de différentes technologies de transistors bipolaires à grille isolée pour la simulation d'applications en électronique de puissance." Toulouse 3, 2007. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00153597.

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Resumen
L'analyse et la conception des systèmes en électronique de puissance nécessitent la prise en compte de phénomènes complexes propres à chaque composant du système mais aussi en accord avec son environnement. La description précise du comportement d'un système passe par la simulation utilisant des modèles suffisamment précis de tous ces composants. Dans notre étude, les modèles basés sur la physique des semiconducteurs permettent de décrire le comportement de la charge stockée dans la base large et peu dopée des composants bipolaires. Cette description fine est indispensable à la bonne précision
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Durand, Cédric. "Développement de résonateurs électromécaniques en technologie Silicon On Nothing, à détection capacitive et amplifiée par transistor MOS, en vue d’une co-intégration permettant d’adresser une application de référence de temps." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10008/document.

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Resumen
Les résonateurs électromécaniques (MEMS), de part leurs bonnes performances, leur petite taille, ou encore leurs possibilités d'intégration au plus proche des transistors, présentent un fort potentiel pour le remplacement des quartz dans les applications de référence de temps. Dans ce contexte, nous proposons de développer des résonateurs électromécaniques en vue d'une intégration « front-end », pour la réalisation d'oscillateurs intégrés. Ainsi, nous avons fabriqué des démonstrateurs à partir des briques de base de la technologie CMOS Silicon On Nothing, en phase de R&D à STMicroe!ectronl
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De, Maglie Rodolphe. "Modélisation de différentes technologies de transistors bipolaires à grille isolée pour la simulation d'applications en électronique de puissance." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00153597.

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Resumen
L'analyse et la conception des systèmes en électronique de puissance nécessitent la prise en compte de phénomènes complexes propres à chaque composant du système mais aussi en accord avec son environnement. La description précise du comportement d'un système passe par la simulation utilisant des modèles suffisamment précis de tous ces composants. Dans notre étude, les modèles basés sur la physique des semiconducteurs permettent de décrire le comportement de la charge stockée dans la base large et peu dopée des composants bipolaires. Cette description fine est indispensable à la bonne précision
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