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Tesi sul tema "Metallizing"

Autore: Grafiati

Pubblicato: 4 giugno 2021

Ultima modifica: 30 luglio 2024

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1

Chapples, J. "Electrochemical and chemical methods of metallizing plastic films." Thesis, Cranfield University, 1991. http://hdl.handle.net/1826/3240.

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Abstract (sommario):

This thesis describes two novel techniques for the metallization of non-electroactive polymer films and thicker sectioned polyethylene and nylon substrates. In the first approach, non-electroactive polymer substrates were impregnated with surface layers of polypyrrole and polyaniline, using electrochemical and chemical methods of polymerization. The relative merits of both these approaches are discussed and compared with other methods in the literature. The resultant composite materials exhibited sufficient conductivity to permit the direct electrodeposition of metal surface coats. Polypyrrole

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2

Leong, Chuen Shiong. "Repair/strengthening of steel angles using thermal spray metallizing." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2000. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape3/PQDD_0013/MQ53172.pdf.

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3

Gall, Martin. "Investigation of electromigration reliability in Al(Cu) interconnects /." Digital version accessible at:, 1999. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.

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4

Contarino, Mark Ryan Chaiken Irwin M. Pourrezaei Kambiz. "Self-assembling, coiled coil interfaces for nanoscale amperometric biosensors /." Philadelphia, Pa. : Drexel University, 2008. http://hdl.handle.net/1860/2819.

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5

Martini, David M. Kelber Jeffry Alan. "Metallization and modification of low-k dielectric materials." [Denton, Tex.] : University of North Texas, 2008. http://digital.library.unt.edu/permalink/meta-dc-9754.

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6

Chan, Yu Hin. "Optimization of metallization and process variables in low temperature wire bonding technology /." View Abstract or Full-Text, 2003. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?MECH%202003%20CHAN.

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Abstract (sommario):

Thesis (M. Phil.)--Hong Kong University of Science and Technology, 2003.<br>Includes bibliographical references (leaves 129-132). Also available in electronic version. Access restricted to campus users.

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7

Adedeji, Adetayo V. William John R. "Composite contact metallization on SiC for high temperature applications in air." Auburn, Ala., 2005. http://repo.lib.auburn.edu/2005%20Summer/doctoral/ADEDEJI_ADETAYO_15.pdf.

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8

Witt, Kevin L. "Development of a Ti:W salicide-nitride based multilayer metallization for VLSI application /." Online version of thesis, 1992. http://hdl.handle.net/1850/11045.

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9

Pritchett, Merry. "Adherence/Diffusion Barrier Layers for Copper Metallization: Amorphous Carbon:Silicon Polymerized Films." Thesis, University of North Texas, 2004. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc4493/.

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Abstract (sommario):

Semiconductor circuitry feature miniaturization continues in response to Moore 's Law pushing the limits of aluminum and forcing the transition to Cu due to its lower resistivity and electromigration. Copper diffuses into silicon dioxide under thermal and electrical stresses, requiring the use of barriers to inhibit diffusion, adding to the insulator thickness and delay time, or replacement of SiO2 with new insulator materials that can inhibit diffusion while enabling Cu wetting. This study proposes modified amorphous silicon carbon hydrogen (a-Si:C:H) films as possible diffusion barrier

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10

Manandhar, Sudha. "Free Radical Induced Oxidation, Reduction and Metallization of NiSi and Ni(Pt)Si Surfaces." Thesis, University of North Texas, 2010. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc31542/.

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Abstract (sommario):

NiSi and Ni(Pt)Si, and of the effects of dissociated ammonia on oxide reduction was carried out under controlled ultrahigh vacuum (UHV) conditions. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) has been used to characterize the evolution of surface composition. Vicinal surfaces on NiSi and Ni(Pt)Si were formed in UHV by a combination of Ar+ sputtering and thermal annealing. Oxidation of these surfaces in the presence of either O+O2 or pure O2 at room temperature results in the initial formation of a SiO2 layer ~ 7 Å thick. Subsequent exposure to O2 yields no further oxidation. Continued exposure to

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11

De, Vecchi Sylvain. "Développement de cellules photovoltaïques à hétérojonction de silicium et contacts interdigités en face arrière." Thesis, Lyon, INSA, 2013. http://www.theses.fr/2013ISAL0050/document.

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Abstract (sommario):

Cette thèse est axée sur la fabrication et l’optimisation d’une nouvelle structure permettant théoriquement d’améliorer les performances des cellules à base de silicium cristallin. Cette nouvelle architecture de cellule utilise la technologie des hétérojonctions de silicium a-Si:H/ c-Si (Si-HJ) appliquée sur des structures à contacts interdigités en face arrière (IBC). Le potentiel de rendement des cellules IBC Si-HJ est supérieur à 25%, mais leur fabrication nécessite une localisation des couches de a-Si:H de dopage différent et de leurs métallisations. L’intégration de ces étapes dans un pro

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12

Meemongkolkiat, Vichai. "Development of high efficiency monocrystalline Si solar cells through improved optical and electrical confinement." Diss., online access from Digital Dissertation Consortium, 2008. http://libweb.cityu.edu.hk/cgi-bin/er/db/ddcdiss.pl?3346030.

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13

Martini, David M. "Metallization and Modification of Low-k Dielectric Materials." Thesis, University of North Texas, 2008. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc9754/.

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Abstract (sommario):

Aluminum was deposited onto both Teflon AF and Parylene AF surfaces by chemical vapor deposition of trimethylaluminum. This work shows that similar thin film (100 Angstroms) aluminum oxide adlayers form on both polymers at the low temperature dosing conditions used in the studies. Upon anneal to room temperature and above, defluorination of the polymer surfaces increased and resulted in fluorinated aluminum oxide adlayers; the adlayers were thermally stable to the highest temperatures tested (600 K). Angle-resolved spectra showed higher levels of fluorination toward the polymer/adlayer interfa

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14

Pospíchalová, Eva. "Studie nákupní strategie podniku." Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta podnikatelská, 2016. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-241175.

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Abstract (sommario):

This diploma thesis analyzes the current state of company´s purchasing strategy. In the introduction is described the company and its production program, followed by theoretical part of the thesis. The suggestion part deals with the application of the issue to the practical example as well as the calculation of savings as a result of the purchasing strategy change over.

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15

Fisher, Kate School of Photovoltaic &amp Renewable Energy Engineering UNSW. "The pitfalls of pit contacts: electroless metallization for c-Si solar cells." Awarded by:University of New South Wales. School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, 2007. http://handle.unsw.edu.au/1959.4/29568.

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Abstract (sommario):

This thesis focuses on improving the adhesion of electroless metal layers plated to pit contacts in interdigitated, backside buried contact (IBBC) solar cells. In an electrolessly plated, pit contact IBBC cell, the contact grooves are replaced with lines of pits which are interconnected by the plated metal. It is shown, however, that electroless metal layers, plated by the standard IBBC plating sequence, are not adherent on pit contact IBBC solar cells. The cause of this adhesion problem is investigated by examining the adhesive properties of each of the metal layers in the electroless metalli

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16

SASSOULAS, PIERRE-OLIVIER. "Decharges partielles et autocicatrisation dans les condensateurs au polypropylene metallise impregne." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10105.

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Abstract (sommario):

Afin de determiner s'il est possible d'impregner les condensateurs au polypropylene metallise, nous avons tout d'abord etudie les decharges se produisant au voisinage du bord de metallisation. Cette etude a montre que l'utilisation d'un liquide dielectrique tel que le m/dbt, l'huile de colza ou l'huile silicone, permet une elevation considerable de la tension d'apparition des decharges partielles par rapport aux condensateurs metallises secs. Nous avons mis en evidence l'existence de deux regimes de decharges : les decharges du 1#e#r regime sont dues a des avalanches electroniques dans le liqu

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Kadri, Mohammed. "Formation à basse température et nouvelles techniques de caractérisations [sic] du disiliciure de tungstène WSi2." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10053.

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Abstract (sommario):

Le disiliciure wsi::(2) pour la metallisation d'un circuit vlsi (contacts et lignes d'interconnexion) est forme a une temperature aussi basse que possible en utilisant la structure "sandwich" a-si: h(150 a)/w(110 a)/a-si: h(540 a)/c-si implantee par des ions a faible courant et a temperature ambiante. La concentration residuelle d'oxygene dans les couches de w et de a-si:h et a leur interface a une influence decisive sur la formation et la resistivite de wsi::(2). Les plus faibles temperatures de formation de wsi::(2) atteintes sont les plus basses, 550**(o)c apres recuit, 350**(o)c apres impl

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Marcadal, Christophe. "Étude du dépot de cuivre par MOCVD pour les interconnexions des circuits à très haute densité d'intégration." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0217.

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Abstract (sommario):

Avec la reduction des dimensions des circuits integres, les metallisations usuelles a base d'alliages d'aluminium revelent des limitations, en ce qui concerne le temps de propagation du signal dans les interconnexions, ainsi que la duree de vie des circuits. Ceci justifie l'introduction dans les circuits, d'un nouveau type de metallisation, le cuivre. En effet, les proprietes intrinseques de celui ci (faible resistivite 1,67. Cm et bonne tenue aux phenomenes d'electromigration), permettront de depasser les limitations actuelles. Le but de cette these etait donc, la mise au point du procede de

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19

Dassapa, Chandrasekar. "Couches minces de tungstène déposées par le procédé C. V. D. Pour la métallisation des circuits intégrés." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10117.

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Abstract (sommario):

Le tungstene depose par le procede l. P. C. V. D. Semble etre un materiau susceptible d'apporter des solutions aux nombreux problemes d'interconnexion poses par la diminution constante de la taille des circuits integres. Ce memoire presente le travail portant sur les themes suivants: 1) optimisation des conditions de depot de tungstene et caracterisation, 2) caracterisation de l'interface tungstene-silicium, 3) stabilite thermique de la structure w/si et 4) faisabilite de l'utilisation du tungstene comme une barriere de diffusion dans la structure al/w/si

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Fornara, Pascal. "Modélisation et simulation numérique de la croissance des siliciures pour la microélectronique." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10082.

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Abstract (sommario):

La miniaturisation des transistors mos n'est plus envisageable sans une etape de metallisation auto-alignee des contacts source/drain et grille (procede salicide: self aligned silicide). Dans les technologies mos actuelles, le siliciure le plus couramment utilise est le disiliciure de titane: tisi#2. La siliciuration ayant une influence a la fois sur les dopants et sur la topographie, elle a un impact evident sur les dispositifs. Afin de garantir des simulations electriques precises, la modelisation des procedes technologiques submicroniques doit donc etre capable de prendre en compte cette et

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Dutron, Anne-Marie. "Dépots LPCVD de siliciures ternaires Me-Si-N (Me= Re, W, Ti, Ta) pour des applications en microélectronique." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0092.

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Abstract (sommario):

Dans la metallisation avancee des circuits integres, le cuivre est envisage comme futur metal d'interconnexion et de contact. Cependant, son utilisation reste conditionnee par l'usage d'une barriere de diffusion tres performante susceptible de bloquer sa migration lors de traitements thermiques dans les materiaux voisins constitutifs des circuits integres. Cette etude a concerne l'elaboration par lpcvd de siliciures ternaires de type me-si-n (me= re, w, ti, ta) sur substrat de sio#2, et plus particulierement elle s'est orientee vers le choix d'une barriere de diffusion adequate repondant aux c

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Harajli, Zeinab. "Synthesis, characterisation and thermal evaluation of a new generation of metalised ceramic materials." Thesis, Lyon, 2022. http://www.theses.fr/2022LYSEI016.

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Abstract (sommario):

Une gestion thermique efficace est souvent considérée comme une étape clé vers un système technologique réussi. L'élimination rapide de l'excès de chaleur, des systèmes électroniques exposés à des températures extrêmes, améliore la fiabilité et empêche la défaillance prématurée de ces systèmes. De nos jours, les approches habituelles, pour évacuer la chaleur et maintenir le système à une température souhaitée, consistent à utiliser un dissipateur thermique à semi-conducteur ou un système complexe de contrôle de vitesse de ventilateur qui repose sur une mesure continue de la température. Cepend

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RICHARD, EMMANUEL. "Etude du dépôt MOCVD de TiN et de son intégration comme matériau barrière pour la métallisation du cuivre." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10081.

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Abstract (sommario):

Avec la reduction des dimensions caracteristiques des circuits integres, il est necessaire de diminuer les capacites entre lignes d'interconnexions ainsi que leurs resistances et d'ameliorer la fiabilite des interconnexions. L'introduction d'une metallisation cuivre permet de depasser les limitations actuelles. Cependant, l'integration du cuivre dans des structures d'interconnexions necessite l'introduction de nouveaux materiaux. Ces couches d'interface doivent verifier les proprietes suivantes : * empecher la diffusion du cuivre dans le silicium et dans les dielectrique meme pour des epaisseu

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"Effects of metallization on optical properties of ZnO thin films." 2006. http://library.cuhk.edu.hk/record=b5892774.

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Abstract (sommario):

Lai Chung Wing = 金屬膜覆蓋在氧化鋅上之光學變化 / 黎頌榮.<br>Thesis submitted in: July 2005.<br>Thesis (M.Phil.)--Chinese University of Hong Kong, 2006.<br>Includes bibliographical references.<br>Text in English; abstracts in English and Chinese.<br>Lai Chung Wing = Jin shu mo fu gai zai yang hua xin shang zhi guang xue bian hua / Li Songrong.<br>Acknowledgements --- p.i<br>Abstract --- p.ii<br>摘要 --- p.iii<br>Table of contents --- p.iv<br>List of Figures --- p.vi<br>Chapter Chapter 1 --- Introduction<br>Chapter 1.1. --- Motivation --- p.1-1<br>Chapter 1.2. --- Literature Review --- p.1-2<br>Chapter 1.3.

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Howell, Robert S. "Advanced metallization and applications to large area active matrix arrays and polysilicon thin film transistors /." Diss., 2000. http://gateway.proquest.com/openurl?url_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:dissertation&res_dat=xri:pqdiss&rft_dat=xri:pqdiss:9995527.

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