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Tesi sul tema "Semiconducteurs actifs"

Autore: Grafiati
Pubblicato: 19 ottobre 2024
Ultima modifica: 31 luglio 2025

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Heiser, Thomas. "Developpement d'une technique d'analyse localisee des defauts electriquement actifs dans les semiconducteurs." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1988. http://www.theses.fr/1988STR13136.

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Abstract (sommario):
Methode basee sur l'emission thermique de porteurs electriques pieges par les niveaux profonds dans la bande interdite. La modelisation de la technique a permis de determiner l'influence des divers parametres physiques sur la resolution spatiale de la technique et d'etablir les conditions optimales de mesures. L'exploitation numerisee des signaux augmente sensiblement la capacite de detection de la technique. Le phenomene de "gettering" de l'or par les dislocations ainsi que la diffusion acceleree de l'or a travers le joint de grain d'un bicristal de silicium ont ete mis en evidence
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Heiser, Thomas. "Développement d'une technique d'analyse localisée des défauts électriquement actifs dans les semiconducteurs." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37614162c.

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Azouani, Rabah. "Elaboration de nouveaux nanomatériaux photocatalytiques actifs sous rayonnement visible." Paris 13, 2009. http://www.theses.fr/2009PA132016.

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Abstract (sommario):
Ce travail de thèse est consacré à la synthèse par méthode sol-gel de nanoparticules de TiO2(précurseur de tétraisopropoxyde de titane) dopées à l’azote de taille contrôlée pour des applications en nanodépôts et en photocatalyse. Les colloïdes métastables sont préparés dans un réacteur à micromélange rapide (turbulent). Des mesures de granulométrie in-situ permettent le suivi de la cinétique de formation des nanoparticules. L’effet du processus de mélange des réactifs sur la distribution de taille a été analysé en utilisant le modèle hydrodynamique k-ε. L’étude de la cinétique de nucléation-cr
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Remram, Mohamed. "Etude des défauts électriquement actifs induits par le recuit rapide isotherme dans le silicium." Lyon, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAL0028.

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Abstract (sommario):
Nous avons utilisé la technique de spectroscopie capacitive (DLTS) pour étudier les défauts électriquement actifs introduits par le recuit rapide isotherme (RRI) dans le silicium vierge ou implanté. Aucun niveau piège n'a été détecté dans une structure Schottky Au-Si dopé Phosphore et recuit pendant 5 s, à différentes températures. D'un autre côté, trois niveaux pièges à trous Hl (O,4 eV), H2 (0,29 eV) et H3 (0,31 eV) ont été observés dans le silicium dopé bore (Al-Si(p)) et recuit pendant 5 s entre 850 et 1050°C. Pour les temps de recuit de 10 s et 20h aucun niveau n'a été observé. Les pics d
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Marrakchi, Ghanem. "Etude comparative de différentes techniques de recuit rapide sur les défauts électriquement actifs dans l’arséniure de gallium non implante." Lyon, INSA, 1987. http://www.theses.fr/1987ISAL0049.

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Abstract (sommario):
Nous avons étudié les effets de traitements thermiques rapides sur les propriétés électriques de l'Arséniure de Gallium non implanté. Trois types de recuit sont considérés : le recuit électronique pulsé (REP), le Recuit par Laser Continu (RLC) et le Recuit Rapide Isotherme par lampe (RRI). Nos mesures ont été effectuées sur des dispositifs Schottky formés après traitement thermique. Elles se basent sur l'étude des courbes I(V) : courant-tension et C(V) : capacité-tension pour les caractéristiques électriques, et spectroscopie transitoire de capacité (DLTS) pour l'étude des défauts. Après REP,
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Talib, Abdullah Saleh. "Influence du caractère semiconducteur des minéraux sur leur interaction avec les tensio-actifs en solution : application au système galène-xanthate." Montpellier 2, 1986. http://www.theses.fr/1986MON20202.

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Abstract (sommario):
L'etude du mecanisme de flottation de la galene est realisee par la mesure de l'impedance interfaciale sur une electrode de galene naturelle. La presence de l'additif (xanthate) ne modifie pas la structure des spectres. La galene naturelle se comporte comme un semiconducteur de type n non degenere. La variation de la capacite de charge d'espace en presence de xanthate s'explique par son adsorption a l'etat d'anion modifiant la composante electrostatique du potentiel de bandes plates
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Gassoumi, Malek. "Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les filières SiC et GaN." Lyon, INSA, 2006. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2006ISAL0029/these.pdf.

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Abstract (sommario):
La demande croissante de composants permettant d'opérer à de fortes puissances, à hautes fréquences et à hautes températures a conduit au développement de filières électroniques à base de semiconducteurs à large bande interdite tels que le nitrure de galium (GaN) et le carbure de silicium (SiC). Toutefois, la maîtrise encore imparfaite des matériaux en termes des défauts au sens large (impuretés, défauts cristallins) limite les performances des dispositifs à base de SiC et GaN. Dans ce travail de thèse, nous nous sommes partculièrement intéressé à l'étude de deux dispositifs : les transistors
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Gassoumi, Malek Guillot Gérard Maaref Hassen. "Etude des défauts électriquement actifs dans les composants hyperfréquences de puissance dans les filières SiC et GaN." Villeurbanne : Doc'INSA, 2006. http://docinsa.insa-lyon.fr/these/pont.php?id=gassoumi.

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Abstract (sommario):
Thèse doctorat : Physique des Solides. Matière Condensée, Surfaces et Interfaces : Villeurbanne, INSA : 2006. Thèse doctorat : Physique des Solides. Matière Condensée, Surfaces et Interfaces : Université de Monastir. Faculté des sciences de Monastir : 2006.<br>Thèse soutenue en co-tutelle. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. à la fin de chaque chapitre.
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Mehor, Benchenane Halima. "Spectroscopie des défauts électriquement actifs par simplex-DLTS dans les structures P+N silicium préamorphisées au Germanium." Rouen, 2005. http://www.theses.fr/2005ROUES054.

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Abstract (sommario):
Notre travail est une contribution à la caractérisation des structures au Silicium requises en technologie ULSI. Ce sont des jonctions P+N ultra-minces obtenues sur un substrat de Silicium préamorphisé au Germanium à différentes énergies et dopées au Bore qui pose des problèmes associés à sa diffusion anormale pendant le recuit. Dans le chapitre I, nous présentons les étapes de la réalisation de ces jonctions et les défauts engendrés par la préamorphisation et le recuit thermique rapide. L'objet du chapitre II est la caractérisation électrique pour déterminer dans un premier temps les mécanism
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Ben, Naceur Walim. "Evaluation des solutions d’encapsulation quasi-hermétique pour les composants actifs hyperfréquences." Thesis, Bordeaux 1, 2013. http://www.theses.fr/2013BOR14793/document.

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Abstract (sommario):
Les composants hyperfréquences embarqués dans des satellites utilisent actuellement l’encapsulation hermétique dans des boîtiers métalliques ou céramiques. La très forte amélioration des matériaux organiques en termes de dégazage et d’impureté ionique notamment rend possible l’utilisation de solutions quasi-hermétiques pour l’environnement spatial. Les encapsulations plastiques ouvrent des perspectives avérées de gain de dimension et de coût. La validation d’une technologie d’encapsulation repose sur la réalisation d’essais de fiabilité normatifs (1000 heures à 85°C et 85% d’humidité relative)
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Fisne, Christophe. "Métasurfaces actives pour applications large bande." Thesis, Toulouse, INPT, 2020. http://www.theses.fr/2020INPT0086.

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Abstract (sommario):
Les métasurfaces offrent des propriétés électromagnétiques particulières permettant de générer des indices de réfraction inhabituels, produire des bandes électromagnétiques interdites, ou encore créer des surfaces à haute-impédance. Ces dernières, aussi nommées « Artificial Magnetic Conductor (AMC) » sont particulièrement intéressantes dans le domaine antennaire. En effet elles permettent de réduire les couplages de divers éléments rayonnants, mais aussi de miniaturiser les antennes comportant un plan réflecteur. Cependant, leur bande de fonctionnement inférieure à 10%, les rend souvent incomp
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Darga, Arouna. "Etude des défauts électriquement actifs et des mécanismes de recombinaison des cellules solaires à base de Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2 co-évaporé ou électrodéposé." Paris 6, 2007. http://www.theses.fr/2007PA066413.

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Abstract (sommario):
Le marché mondial de l’énergie photovoltaïque, connaît depuis ces vingt dernières années une forte croissance de production annuelle. Les cellules solaires à base de chalcopyrites de formule générale CuIn1-x,Gax (Se1-y Sy)2 constituent une des voies les plus avancées pour la production de cellules solaires performantes en couches minces. Toutefois, les propriétés électriques de ces dispositifs restent encore insuffisamment connues. Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés du transport électronique ainsi que les défauts électriquement actifs des dispositifs photovoltaïques en couche mi
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Ben, Naceur Walim. "Evaluation des solutions d'encapsulation quasi-hermétique pour les composants actifs hyperfréquences." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00991023.

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Abstract (sommario):
Les composants hyperfréquences embarqués dans des satellites utilisent actuellement l'encapsulation hermétique dans des boîtiers métalliques ou céramiques. La très forte amélioration des matériaux organiques en termes de dégazage et d'impureté ionique notamment rend possible l'utilisation de solutions quasi-hermétiques pour l'environnement spatial. Les encapsulations plastiques ouvrent des perspectives avérées de gain de dimension et de coût. La validation d'une technologie d'encapsulation repose sur la réalisation d'essais de fiabilité normatifs (1000 heures à 85°C et 85% d'humidité relative)
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Monti, Federico. "Time sampling using four-wave mixing to measure the dynamics of semiconductor nanolasers." Electronic Thesis or Diss., université Paris-Saclay, 2024. http://www.theses.fr/2024UPASP026.

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Abstract (sommario):
Les nanolasers PhC suscitent de plus en plus d'attention en raison de leur capacité unique à manipuler et à confiner la lumière à une très petite échelle. Leur empreinte réduite et leur seuil bas en font des candidats idéaux pour la réalisation de connexions optiques, répondant ainsi à la demande croissante en matière de vitesse de transmission des données et de consommation d'énergie. De plus, leur géométrie singulière permet de contrôler leurs propriétés d'émission spontanée. Cela révèle l'unicité des nanolasers PhC d'un point de vue fondamental, soulignant leur potentiel à servir de sujets
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Mille, Julien. "Modèle déformables pour la segmentation et le suivi en imagerie 2D et 3D." Tours, 2007. http://www.theses.fr/2007TOUR4051.

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Abstract (sommario):
Les modèles déformables tels que les contours actifs sont des outils généraux et puissants pour la segmentation, en permettant notamment l'adjonction de contraintes et de connaissances a priori sur les objets à segmenter. Un modèle déformable est une structure géométrique déformée à l'aide d'une méthode d'évolution afin de s'ajuster aux frontières des objets recherchés. La segmentation est formulée comme un problèpmme d'optimisation, le but étant de déterminer la courbe ou la surface minimisant une fonction objectif (une énergie) composée de termes internes relatifs à la régularité géométrique
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Voutsinas, Georgios. "Optimisation of the ILC vertex detector and study of the Higgs couplings." Thesis, Strasbourg, 2012. http://www.theses.fr/2012STRAE053/document.

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Abstract (sommario):
Cette thèse est une contribution au document intitulé "Detector Baseline Document (DBD)" décrivant le conceptde détecteur ILD envisagé auprès du collisionneur linéaire international électron-positon ILC (acronyme del'anglais International Linear Collider).Les objectifs de physique de l'ILD nécessitent un détecteur de vertex (VXD) particulièrement léger, rapide et trèsgranulaire permettant d'atteindre une résolution sans précédent sur le paramètre d'impact des trajectoiresreconstruites des particules produites dans les interactions étudiées. Le principal objectif de cette thèse est demontrer co
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Feddi, El Mustapha. "Action d'un champ magnétique sur les trions excitoniques dans les semiconducteurs." Metz, 1987. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/1987/Feddi.El_Mustapha.SMZ8707.pdf.

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Abstract (sommario):
Les trions excitoniques sont des quasiparticules chargées et mobiles, pouvant résulter, dans certaines conditions, de la liaison d'un "exciton" avec un électron ou un trou libre dans les semiconducteurs. Ils font partie des états excités électroniques dont l'étude présente un très grand intérêt tant des points de vue pratique que théorique. Elle permet de comprendre les mécanismes des recombinaisons radiatives contrôlant le fonctionnement de certains dispositifs utilisés en optoélectronique. Elle fournit à la physique fondamentale des modèles de systèmes formés de particules ou de quasiparticu
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Feddi, El-Mustapha. "Action d'un champ magnétique sur les trions excitoniques dans les semiconducteurs." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37604989d.

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FEDDI, EL MUSTAPHA Stebe Bernard. "ACTION D'UN CHAMP MAGNETIQUE SUR LES TRIONS EXCITONIQUES DANS LES SEMICONDUCTEURS /." [S.l.] : [s.n.], 1987. ftp://ftp.scd.univ-metz.fr/pub/Theses/1987/Feddi.El_Mustapha.SMZ8707.pdf.

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Mashade, Mohamed Bakry el. "Largeur spectrale du laser semiconducteur dans l'approximation d'une couche mince active." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37607749b.

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Zurletto, Claude. "Influence de recuit à 425o C sur des propriétés électriques du silicium polycristallin : action d'une interface aluminium-silicium." Aix-Marseille 3, 1988. http://www.theses.fr/1988AIX30053.

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Abstract (sommario):
Analyse des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires dans si. Des recuits a 425#oc pendant quelques heures augmentent la longueur de diffusion de 20 a 30 m tant que les valeurs initiales sont inferieures a 60 m. Les effets sont plus marques lorsqu'une couche d'aluminium est prealablement deposee sur la face arriere des echantillons ou lorsque les echantillons sont soumis a une diffusion superficielle de phosphore. Explication des resultats par l'interaction entre atomes d'oxygene dissous, impuretes metalliques, interstitiels de si et defauts (dislocations)
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Talib, Abdullah Saleh. "Influence du caractère semiconducteur des minéraux sur leur interaction avec les tensio-actifs en solution application au système galène-xanthate /." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37601451m.

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Moradi, Aali. "Action d'un champ magnétique sur les trions excitoniques dans les puits quantiques de semi-conducteurs." Metz, 2001. http://docnum.univ-lorraine.fr/public/UPV-M/Theses/2001/Moradi.Aali.SMZ0122.pdf.

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Abstract (sommario):
Le travail présenté dans ce mémoire est consacré à l'étude des excitons chargés (ou trions excitoniques) dans les puits quantiques de semi-conducteurs, en l'absence et en présence d'un champ magnétique. Les résultats numériques ont été particularisé à des composés de type GaAS/GaAlAs et CdTe/CdZnTe en raison des applications potentielles de ces nanostructures dans le domaine de l'optoélectronique. Les excitons chargés résultent de la liaison d'un exciton (paire électron trou) avec un électron (trion négatif) ou un trou (trion positif) et peuvent donc être considérés comme des quasi-particules
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Kaddour, Mohsen. "Contribution à la modélisation d'un coupleur actif à onde lente en lignes de transmission à contact métal-semiconducteur." Toulouse, INPT, 1987. http://www.theses.fr/1987INPT034H.

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Abstract (sommario):
Analyse de la propagation des ondes lentes ainsi que de leur couplage interlignes dans une structure metal semiconducteur couramment utilisee dans les circuits microondes. La structure utilisee est un mesfet bigrille qui sera modelise
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Kaddour, Mohsen. "Contribution à la modélisation d'un coupleur actif à ondes lentes en lignes de transmission à contact métal-semiconducteur." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37606265z.

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Suarez, Aparicio Hector. "Étude de la mise en parallèle de composants de puissance : application au parallélisme actif de modules de puissance." Aix-Marseille 3, 2004. http://www.theses.fr/2004AIX30020.

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Abstract (sommario):
Le travail réalisé dans le cadre de cette thèse aborde l'analyse du parallélisme des IGBTs et l'étude de la gestion active du déséquilibre en courant. La conception des différentes topologies (maître esclave et décentralisée) intégrant l'équilibrage actif montre que l'action de la correction améliore la répartition des courants et les pertes. La topologie décentralisée effectue un meilleur équilibrage des courants que la topologie centralisée par l'action d'une boucle additionnelle. Cela permet aussi de corriger un déséquilibre plus grand. Par contre, en termes de pertes totales la topologie m
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Lavastre, Eric. "Déclenchement des microlasers solides émettant à 1,55 µm par un dispositif à semiconducteur." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10173.

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Abstract (sommario):
Les microlasers emettant a 1,55 m sont des lasers solides de faible volume (<1 mm#3) a base de verre : er, yb dont les miroirs de la cavite sont directement deposes sur le milieu a gain. En introduisant un modulateur dans la cavite, il est possible de declencher le laser afin d'obtenir des impulsions de puissance crete elevee donc exploitables pour des applications telles que la telemetrie. L'objet de cette these est d'utiliser un dispositif a semiconducteur comme modulateur. De par leurs proprietes optiques et electriques, les semiconducteurs presentent un fort potentiel pour le declenchement
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Djelloul, Abdelatif. "Dépôt plasma de silicium amorphe hydrogène à partir de silane : cas des puissances élevées." Toulouse, INPT, 1997. http://www.theses.fr/1997INPT026G.

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Abstract (sommario):
L'objectif de ce travail consiste a analyser puis a modeliser le phenomene de depot de silicium amorphe hydrogene a partir de silane dans des reacteurs a activation plasma. L'etude a tout particulierement ete consacree au domaine des puissances rf elevees. Elle demontre que, si une chimie assez simple peut etre utilisee pour des conditions de faible puissance, il n'en est pas de meme pour des conditions de puissance elevee ou un grand nombre de reactions doit etre pris en compte. L'utilisation d'un logiciel relativement simplifie, afin d'obtenir un outil de simulation d'utilisation commode tou
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Maës, Clément. "Plasmonique active pour l’infrarouge sur semi-conducteur fortement dopé." Thesis, Montpellier, 2020. http://www.theses.fr/2020MONTS033.

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Abstract (sommario):
Le contexte de ma thèse se situe dans le cadre de l’imagerie multispectrale infrarouge (IR) et traite notamment de la plasmonique, domaine de l’optique électromagnétique dont le but est d’étudier et d’exploiter des ondes de surface existant à l’interface entre un métal et un diélectrique. On cherche à miniaturiser des fonctions optiques grâce aux nanotechnologies et plus précisément à réaliser du filtrage spectrale IR au niveau du pixel de détection en intégrant un nano-résonateur. Usuellement, on utilise des diélectriques et des métaux mais l’intégration est complexe. J’explore le potentiel o
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Guillebot, de Nerville Marie Anne. "Dépôt par activation plasma de matériaux diélectriques sur substrat semi-conducteur pour les nouvelles technologies submicroniques : Optimisation d'un réacteur industriel." Montpellier 2, 1995. http://www.theses.fr/1995MON20049.

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Lesecq, Marie. "Fonctionnalités actives en optique intégrée à base de fils optiques en filière InP : application à la commutation optique." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2007/50376-2007-127.pdf.

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Abstract (sommario):
L'objectif de cette étude est l'évaluation des potentialités de la nanophotonique pour la réalisation de la fonction de commutation à la longueur d'onde des télécommunications optiques 1550 nm. Des guides optiques de taille submicronique (ou fils optiques) ont été utilisés. L'étape de conception à l'aide de logiciels commerciaux de modélisation numérique a permis de définir une structure de commutation optique originale basée sur la mise en série de deux jonctions Y actives dissymétriques. Différents procédés technologiques spécifiques ont été développés : lithographie électronique sur résine
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Bachaalany, Mario. "Utilisation de capteurs CMOS rapides pour l'imagerie X à très haute sensibilité." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00955895.

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Abstract (sommario):
Cette étude évalue le potentiel, comme détecteur de rayons X, des capteurs à pixel CMOS conçus pour la trajectométrie des particules chargée. Nous démontrons l'intérêt de la construction d'une image par comptage de photons uniques pour la définition de celle-ci. Un dispositif exploitant une source X est développé pour mesurer la résolution spatiale sur l'impact des photons. Une simulation complète sous GEANT4 montre que le système permet d'estimer cette résolution avec une incertitude de 2 µm. L'application du protocole caractérise la détection directe des rayons X de basse énergie (< 10 keV)
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Nachab, Abdellatif. "Etudes expérimentales et modélisations Monte Carlo de l'auto-absorption gamma et de la dosimétrie active par capteurs CMOS." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/in2p3-00023644.

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Abstract (sommario):
Les travaux de recherche de cette thèse portent sur deux parties: l'évaluation de l'auto-absorption des rayonnements gamma et l'étude de la fonction de réponse des capteurs à pixels actifs pour la dosimétrie en temps réel. Dans le processus d'analyse quantitative de la radioactivité par spectrométrie gamma, l'étalonnage en rendement de détection de la chaîne est une étape essentielle. Outre le problème des interférences, l'atténuation des photons dans l'échantillon et l'effet de sommation en cas de cascade de transitions gamma sont les deux principaux facteurs déterminants dans ce type d'analy
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Delachat, Florian Brice. "Élaboration et caractérisation de nanoparticules de silicium dans du nitrure de silicium en vue d’applications photovoltaïques." Strasbourg, 2010. http://www.theses.fr/2010STRA6148.

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Abstract (sommario):
Les nanoparticules de silicium (Si-nps) enfouies dans une matrice de nitrure de silicium (SiNx) sont prometteuses pour les applications photovoltaïques. Cette thèse traite de leur élaboration et leur caractérisation dans le SiNx afin de maitriser leurs propriétés optiques par l’intermédiaire du confinement quantique. Des couches minces (»100nm) SiNx riche en silicium (NSRS) sont préalablement déposées par PECVD. Elles sont ensuite recuites à 1100°C/30min pour permettre la nucléation des Si-nps dans la matrice de nitrure de silicium. Nous montrons que le contrôle de l’excès de Si permet d’engen
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Pes, Salvatore. "Nanostructures-based 1.55 μm-emitting Vertical-(External)-Cavity Surface-Emitting Lasers for microwave photonics and coherent communications". Thesis, Rennes, INSA, 2019. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02892844.

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Abstract (sommario):
Les travaux de thèse présentés en ce mémoire ont comme objectif principal le développement des sources lasers à semi- conducteurs en cavité verticale sur substrat InP, intègrent des régions actives à nanostructure quantiques, et émettent à des longueurs d’onde “télécom” (1550-1600 nm). Le développement d’un nouveau procédé technologique pour la réalisation de composants VCSEL compactes est détaillé. Ce procédé (nommé TSHEC) a été utilisé pour réaliser des émetteurs VCSELs en pompage optique sur plateforme hôte Si, ayant des performances très satisfaisantes. Ce même procédé a été adapté à la ré
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Viana, Carlos Eduardo. "Réalisation et caractérisation d'une technologie CMOS-TFT à basse température (<600° C)." Rennes 1, 2002. http://www.theses.fr/2002REN10148.

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Sun, Qianying. "Conducting ceramics based on ZnO co-doped by (Al, Ti, Mg) : microstructure, electronic active defects and electrical properties." Thesis, Le Mans, 2020. http://www.theses.fr/2020LEMA1014.

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Abstract (sommario):
Les céramiques conductrices à base de ZnO suscitent un important intérêt pour leurs applications comme varistances, capteurs de gaz, électrodes transparentes, dispositifs piézoélectriques, électro-optiques ou thermoélectriques. Le dopage de ZnO confère aux céramiques formées des propriétés électriques et optiques remarquables caractérisées par une transparence optique modulée, des énergies de liaison élevées pour les excitons, et des conductivités électriques atteignant 0.1 MS.m-1. La grande conductivité de ZnO est intimement liée aux éléments dopants, à la microstructure des céramiques et aux
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Zhang, Liang. "Development of a CMOS pixel sensor for the outer layers of the ILC vertex detector." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01068494.

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Abstract (sommario):
This work deals with the design of a CMOS pixel sensor prototype (called MIMOSA 31) for the outer layers of the International Linear Collider (ILC) vertex detector. CMOS pixel sensors (CPS) also called monolithic active pixel sensors (MAPS) have demonstrated attractive performance towards the requirements of the vertex detector of the future linear collider. MIMOSA 31developed at IPHC-Strasbourg is the first pixel sensor integrated with 4-bit column-level ADC for the outer layers. It is composed of a matrix of 64 rows and 48 columns. The pixel concept combines in-pixel amplification with a cor
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Kim, Ka-Hyun. "Hydrogenated polymorphous silicon : establishing the link between hydrogen microstructure and irreversible solar cell kinetics during light soaking." Phd thesis, Palaiseau, Ecole polytechnique, 2012. https://pastel.hal.science/docs/00/74/74/63/PDF/Thesis_Ka-Hyun_KIM.pdf.

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Abstract (sommario):
Cette thèse est consacrée au silicium polymorphe hydrogéné (pm-Si:H). Elle porte tout d'abord sur une étude du pm-Si :H puis sur une étude des cellules photovoltaïques fabriquées à partir de ce matériau. Le pm-Si:H est formé de couches minces nanostructurées et peut être déposé par PECVD conventionnelle. Les effets des différents paramètres de dépôt (mélanges gazeux, pression, puissance RF, température du substrat) sur les propriétés du matériau ont été étudiés pour optimiser sa qualité. La caractérisation des couches a été un enjeu primordial. Pour cela, nous avons choisi de combiner une pale
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Labrune, Martin. "Silicon surface passivation and epitaxial growth on c-Si by low temperature plasma processes for high efficiency solar cells." Phd thesis, Palaiseau, Ecole polytechnique, 2011. https://pastel.hal.science/docs/00/61/16/52/PDF/thesis_Martin_LABRUNE.pdf.

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Abstract (sommario):
This thesis presents a work which has been devoted to the growth of silicon thin films on crystalline silicon for photovoltaic applications by means of RF PECVD. The primary goal of this work was to obtain an amorphous growth on any c-Si surface in order to provide an efficient passivation, as required in heterojunction solar cells. Indeed, we demonstrated that epitaxial or mixed phase growths, easy to obtain on (100) Si, would lead to poor surface passivation. We proved that growing a few nm thin a-Si1-xCx:H alloy film was an efficient, stable and reproducible way to hinder epitaxy while keeping
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Kim, Ka-Hyun. "Hydrogenated polymorphous silicon : establishing the link between hydrogen microstructure and irreversible solar cell kinetics during light soaking." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2012. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00747463.

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Abstract (sommario):
Cette thèse est consacrée au silicium polymorphe hydrogéné (pm-Si:H). Elle porte tout d'abord sur une étude du pm-Si :H puis sur une étude des cellules photovoltaïques fabriquées à partir de ce matériau. Le pm-Si:H est formé de couches minces nanostructurées et peut être déposé par PECVD conventionnelle. Les effets des différents paramètres de dépôt (mélanges gazeux, pression, puissance RF, température du substrat) sur les propriétés du matériau ont été étudiés pour optimiser sa qualité. La caractérisation des couches a été un enjeu primordial. Pour cela, nous avons choisi de combiner une pale
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Labrune, Martin. "Silicon surface passivation and epitaxial growth on c-Si by low temperature plasma processes for high efficiency solar cells." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2011. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00611652.

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Abstract (sommario):
This thesis presents a work which has been devoted to the growth of silicon thin films on crystalline silicon for photovoltaic applications by means of RF PECVD. The primary goal of this work was to obtain an amorphous growth on any c-Si surface in order to provide an efficient passivation, as required in heterojunction solar cells. Indeed, we demonstrated that epitaxial or mixed phase growths, easy to obtain on (100) Si, would lead to poor surface passivation. We proved that growing a few nm thin a-Si1-xCx:H alloy film was an efficient, stable and reproducible way to hinder epitaxy while keeping
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Blanc, Maximin. "Optimisation d’une structure de conversion DC/DC réversible pour application aéronautique de forte puissance." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT115.

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Abstract (sommario):
Le véhicule aérien a connu de nombreuses révolutions durant les dernières décennies afin d’être plus économe en énergie et plus respectueux de l’environnement. Dans cet objectif, l’électricité est apparue comme le vecteur énergétique le plus adapté associé aux sources conventionnelles d’énergie. C’est dans ce contexte que nos recherches se sont portées sur ce mode de transport qui va voir des bouleversements structurels importants et de plus en plus d’équipements électriques installés à bord. Ce travail de recherche s’intéresse à une brique de conversion DC/DC nécessaire au transfert d’énergie
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Chelouche, Abdellatif. "Croissance et caractérisation de nano-cristaux fonctionnels de Si1-xGex éventuellement dopés dans diverses matrices diélectriques." Thesis, Strasbourg, 2018. http://www.theses.fr/2018STRAD019/document.

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Abstract (sommario):
Au cours de ces dernières années, les nanostructures à base de silicium et de germanium, enfouies dans une matrice diélectrique, ont été largement étudiées en raison de leurs applications potentielles dans la nanoélectronique et l’optoélectronique. Afin de fabriquer des dispositifs de haute performance avec des nanocristaux Si1-xGex, il est nécessaire de connaître et de contrôler leurs propriétés structurelles et électriques, ce qui est le but de ce travail. Pour cela, nous avons utilisé la co-implantation ionique de Si et de Ge avec différentes doses dans des matrices de SiO2 pour synthétiser
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Marconi, Mathias. "Structures localisées temporelles dans les lasers à semi-conducteur à cavité verticale." Thesis, Nice, 2014. http://www.theses.fr/2014NICE4098/document.

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Abstract (sommario):
Les Structures Localisées (SL) se forment dans les milieux non-linéaires dissipatifs à large rapport d'aspect où une ou plusieurs solutions peuvent coexister dans l'espace des paramètres. Bien que la formation des SL est un phénomène général, leur mise en œuvre dans les lasers à semi-conducteur se montre très intéressante due au potentiel qu'offre les SL pour le traitement tout optique de l'information. En effet, l'idée de base est d'utiliser les SL comme des bits d'information en exploitant leur propriété d'addressabilité dans un milieu laser rapide et miniaturisé. Dans ce travail, je décrira
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Zhao, Wei. "Development of CMOS sensor with digital pixels for ILD vertex detector." Thesis, Strasbourg, 2015. http://www.theses.fr/2015STRAE004/document.

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Abstract (sommario):
La thèse présente le développement de CPS (CMOS Pixel Sensors) intégré avec CAN au niveau du pixel pour les couches externes du détecteur de vertex de l’ILD (International Large Detector). Motivé par la physique dans l’ILC (International Linear Collider), une précision élevée est nécessaire pour les détecteurs. La priorité des capteurs qui montre sur les couches externes est une faible consommation d’énergie en raison du rapport élevé de couverture de la surface sensible (~90%) dans le détecteur de vertex. Le CPS intégré avec CAN est un choix approprié pour cette application. L’architecture de
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Fu, Yunan. "Développement de capteurs à pixels CMOS pour un détecteur de vertex adapté au collisionneur ILC." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00869940.

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Abstract (sommario):
Le travail de thèse a consisté, en priorité, à s'approprier les technologies d'intégration verticale en usage dans l'industrie pour réaliser des mémoires à plusieurs étages, et à en évaluer l'apport pour les capteurs à pixel CMOS (CPS). Cette approche s'appuie sur la capacité de l'industrie à interconnecter des puces amincies empilées les unes sur les autres. Elle ouvre la perspective d'associer plusieurs microcircuits superposés à un même pixel, en dépits de sa taille réduite. L'interconnexion est donc réalisée au niveau du pixel. Ce saut technologique permet de lever la majorité des obstacle
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Sahni, Mohamed Omar. "Contribution à l'étude de techniques pour l'affinement spectral de lasers : application aux diodes à blocage de modes destinées aux télécommunications optiques cohérentes." Thesis, Rennes 1, 2018. http://www.theses.fr/2018REN1S121/document.

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Abstract (sommario):
Les peignes de fréquences optiques, issus de diodes à blocage de modes, font partie des candidats potentiels pour les réseaux de transmission à multiplexage en longueurs d’onde (WDM). Cependant, les modes composant leur peigne, exhibent généralement des largeurs de raie optiques relativement élevées ( 1-100 MHz), rendant ainsi incompatible leur utilisation sur un réseau WDM employant des formats de modulation avancés d’ordre supérieur. Cette thèse étudie, une solution pour palier à cette limitation. La technique utilisée, dite d’asservissement à correction aval hétérodyne, effectue un traiteme
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Severac, Fabrice. "Jonctions ultra-minces p+/n pour MOS "ultimes étude de l'impact des défauts sur la mobilité et l'activation du bore." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00390908.

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Abstract (sommario):
La réalisation des transistors MOS de taille "ultime" nécessite la fabrication de jonctions source et drain ultra-minces (quelques dizaines de nanomètres), abruptes et fortement dopées. L'optimisation du procédé de fabrication de ces jonctions nécessite la compréhension des phénomènes physiques qui interviennent lors des différentes étapes de fabrication, en particulier l'impact des défauts cristallins sur leurs paramètres électriques. Dans ce travail, nous avons étudié l'impact des précipités de bore (BICs, Boron-Interstitial Clusters) mais aussi des défauts EOR (End-Of-Range), sur la mobilit
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Hamon, Gwenaëlle. "III-V/Si tandem solar cells : an inverted metamorphic approach using low temperature PECVD of c-Si(Ge)." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLX004/document.

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Abstract (sommario):
La limite théorique d’efficacité d’une cellule solaire simple jonction est de ~29 %. Afin de dépasser cette limite, une des moyens les plus prometteurs est de combiner le silicium avec des matériaux III-V. Alors que la plupart des solutions proposées dans la littérature proposent de faire croître directement le matériau III-V sur substrat silicium, ce travail présente une approche innovante de fabriquer ces cellules solaires tandem. Nous proposons une approche inverse métamorphique, où le silicium cristallin ou SiGe est cru directement sur le matériau III-V par PECVD. La faible température de
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