Einloggen

Thematische Bibliographien / Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)

Inhaltsverzeichnis

Dissertationen

Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)“

Autor: Grafiati

Veröffentlicht am 18. Mai 2024

Geben Sie eine Quelle nach APA, MLA, Chicago, Harvard und anderen Zitierweisen an

Wählen Sie eine Art der Quelle aus:

Machen Sie sich mit den Listen der aktuellen Artikel, Bücher, Dissertationen, Berichten und anderer wissenschaftlichen Quellen zum Thema "Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)" bekannt.

Neben jedem Werk im Literaturverzeichnis ist die Option "Zur Bibliographie hinzufügen" verfügbar. Nutzen Sie sie, wird Ihre bibliographische Angabe des gewählten Werkes nach der nötigen Zitierweise (APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver usw.) automatisch gestaltet.

Sie können auch den vollen Text der wissenschaftlichen Publikation im PDF-Format herunterladen und eine Online-Annotation der Arbeit lesen, wenn die relevanten Parameter in den Metadaten verfügbar sind.

Dissertationen zum Thema "Dépôt chimique en phase vapeur d’organométalliques (MOCVD)"

1

Riaz, Adeel. "Conception, optimisation et caractérisation avancée de nouvelles microstructures d'électrodes pour piles à oxydes solides." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALI006.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Les piles à oxyde solide (SOCs selon l’acronyme anglais de Solid Oxide Cells) sont des dispositifs électrochimiques de conversion d’énergie pouvant fonctionner en mode pile à combustible (SOFC) pour convertir un combustible en énergie électrique et inversement en mode électrolyseur (SOEC). Les piles à oxyde solide sont des dispositifs constitués de céramiques avec une électrolyte à oxyde solide dense capable de conduire des ions oxygène négatifs et intercalée entre deux électrodes. Cette thèse se concentre sur l'optimisation de l'électrode à oxygène et la caractérisation avancée de films mince

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

2

Karsi, Mustapha. "Dépôt chimique en phase vapeur de cuivre à partir de composés métal-organiques (MOCVD) : étude de l'activation photonique et de la sélectivité." Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT027G.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Le cuivre est un materiau d'interconnexion tres prometteur dans la technologie microelectronique. Le depot chimique en phase vapeur (cvd) du cuivre attire de plus en plus d'attention, grace a ses avantages multiples: uniformite de depot, vitesse de croissance importante et surtout croissance selective sur certaines surfaces. Un reacteur de depot chimique en phase vapeur sous pression reduite equipe d'une source photonique (lampe mercure basse pression 185-254 nm) est utilise, dans le but d'elaborer des films de cuivre de haute purete a basse temperature a partir de precurseurs metal-organiques

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

3

Bonnefond, Pierre. "Elaboration à basse température par MOCVD de revêtements de nitrures et carbonitrures de vanadium à partir du tetrakis (diethylamido) vanadium." Toulouse, INPT, 1997. http://www.theses.fr/1997INPT014G.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Le complexe metal-organique, tetrakis (diethylamido) vanadium : v(net#2)#4 est utilise comme precurseur pour l'elaboration de revetements de nitrures et carbonitrures de vanadium a basse temperature par depot chimique en phase vapeur (mocvd). Des films microcristallins sont obtenus a pression reduite, en mur chaud pour des temperatures inferieures a 500c. Le developpement d'un appareillage supportant un degazage sous-vide secondaire avant la phase de depot a permis l'elaboration de films dont la contamination par l'oxygene o#2 est inferieure a 2% at. Lorsque v(net2)4 est utilise comme monosour

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

4

Gueroudji, Latifa. "Etude de l'incorporation du carbone dans les revêtements à base de chrome élaborés par MOCVD." Toulouse, INPT, 1996. http://www.theses.fr/1996INPT031G.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Des films de carbures de chrome monophases ou polyphases et plus ou moins contamines en carbone libre, ont ete elabores par mocvd (metalorganic chemical vapor deposition) a partir du bis(benzene)chrome(bbc), cr(c#6h#6)#2, dans differentes conditions. La nature des phases deposees, la composition et la structure des films sont correlees a la temperature de depot, a la pression totale dans le reacteur, ainsi qu'a la composition initiale de la phase gazeuse. Plus particulierement, l'incorporation du carbone dans les films a ete etudiee. Les resultats experimentaux sont compares a ceux obtenus par

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

5

Brevet, Aude. "Les premiers instants de la croissance de films minces d'oxydes métalliques par MOCVD : caractérisation physico-chimique de l'interface film/substrat." Dijon, 2006. http://www.theses.fr/2006DIJOS003.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

L'étude des premiers instants de la croissance par dépôt chimique en phase vapeur à partir d'un précurseur métalorganique (MOCVD) de films de TiO2 sur Si(100) a été réalisée in situ par analyse de surfaces (XPS, ARXPS, AES). Un dispositif expérimental original a été conçu à cet effet et mis au point. Des caractérisations ex situ (HRTEM, SIMS, GIXRD. . . ) ont complété les informations obtenues in situ. La formation d'une couche interfaciale de SiOy<2, par interaction du précurseur Ti(OCH(CH3)2)4 avec le substrat, précède la formation de TiO2 et conduit à la présence de carbone à l'interface

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

6

Briot, Olivier. "Le semiconducteur II-VI ZnSe : épitaxie par MOCVD et étude de la compensation." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20085.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

La croissance par epitaxie en phase vapeur a partir de la decomposition d'organometalliques (movpe) est appliquee au cas du seleniure de zinc (2. 67 ev a 300 k). L'influence des parametres de croissance est etudiee et un optimum est propose. Pour preciser les proprietes de transport du materiau et pour avoir interpreter correctement les resultats electriques, l'equation de boltzmann est resolue en y incluant tous les mecanismes plausibles de diffusion. La faisabilite de la realisation par movpe de doubles heterostructures gaas:znse/gaas est demontree

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

7

Gallon, Philippe. "Mise en oeuvre de différents processus de dépôts MOCVD pour la croissance du matériau photovoltaïque CuInSe2." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20209.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Le principal sujet de cette these est l'etude de l'influence des processus de croissance du materiau ternaire cuinse2 (cis) par la technique de depot chimique en phase vapeur aux organometalliques (mocvd), a savoir le codepot des trois elements cu, in, se ou le depot en plusieurs etapes. La methode dite depot en plusieurs etapes se developpe depuis plusieurs annees et est presentee comme une alternative a la technique de codepots usuelle des elements entrant dans la composition de la couche finale. Nous avons adapte le depot en plusieurs etapes en alliant la mocvd et les recuits sous atmospher

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

8

Ouchen, Fahima. "Etude des couches minces de CuInSe2 obtenues par la technique de MOCVD en une ou plusieurs étapes pour des applications photovoltai͏̈que." Montpellier 2, 1996. http://www.theses.fr/1996MON20101.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Ce memoire presente le resultat d'une etude realisee sur la croissance des couches minces de cuinse#2 par la technique de depot chimique en phase vapeur aux organometalliques (mocvd). L'interet de ce compose est qu'il peut etre utilise en tant que materiau absorbeur dans l'elaboration de cellules solaires. Dans le premier chapitre, un etat d'art sur les differents materiaux dans la filiere des couches minces utilises dans les cellules et plus particulierement les proprietes du cuinse#2, sont presentes. Une description de l'appareillage de mocvd et une etude en fonction des parametres de croiss

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

9

Caubel, Yannick. "Contribution à l'élaboration de couches minces d'YBa2Cu3O7-x par MOCVD sur aciers : les couches de conversion comme couches intermédiaires." Toulouse, INPT, 1995. http://www.theses.fr/1995INPT011G.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Nous avons realise des depots d'yba#2cu#3o#7#-#x par mocvd (depot chimique en phase vapeur a partir de sources metallo-organiques) sur des substrats en aciers inoxydables. Les precurseurs d'yttrium et de cuivre utilises sont les tetramethylheptanedionates. Une etude de la stabilite de divers composes barytes par spectrometrie de masse in situ dans le reacteur cvd a permis de selectionner ba(hfa)#2. Tetraglyme comme source de baryum. Afin d'eviter la formation de baf#2 dans les depots, le gaz reactif est de l'oxygene sature en vapeur d'eau. Les depots ont ete elabores sur deux types d'aciers: u

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

10

Manole, Claudiu Constantin. "MOCVD and electrochemical polymeric thin films : elaboration, characterization, properties ans applications." Thesis, Toulouse, INPT, 2012. http://www.theses.fr/2012INPT0165/document.

Der volle Inhalt der Quelle

Annotation:

Ce mémoire traite de deux types de polymères en films minces: le poly (méthacrylate de méthyle) (PMMA) et le polypyrrole (PPy). Ces films minces ont été déposés par voie sèche et par voie humide. La voie sèche consiste à faire croitre les films polymères par un procédé original de dépôt chimique en phase vapeur assisté par photons (Chemical Vapor Deposition, CVD). La croissance implique l'activation UV des espèces monomères dans la phase gazeuse. Les deux polymères PMMA et PPy ont été obtenus pour la première fois par ce procédé de photo-CVD. La caractérisation des propriétés a mis en évidence

APA, Harvard, Vancouver, ISO und andere Zitierweisen

Mehr Quellen

Wir bieten Rabatte auf alle Premium-Pläne für Autoren, deren Werke in thematische Literatursammlungen aufgenommen wurden. Kontaktieren Sie uns, um einen einzigartigen Promo-Code zu erhalten!