Thematische Bibliographien / Hafnium oxide layers

Inhaltsverzeichnis

  1. Dissertationen

Auswahl der wissenschaftlichen Literatur zum Thema „Hafnium oxide layers“

Autor: Grafiati
Veröffentlicht am 19. April 2025

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Dissertationen zum Thema "Hafnium oxide layers"

1

Alrifai, Liliane. "Elaboration et caractérisation des couches minces d’oxyde d’hafnium ferroélectrique pour des applications de mémoires non-volatiles intégrées sur silicium." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT110.

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Cette thèse explore les propriétés ferroélectriques des films minces à base de HfO₂, en vue de leurs utilisations dans les mémoires à accès aléatoire ferroélectrique (FeRAM). Cette thèse met en avant l'intérêt croissant pour l'oxyde d'hafnium (HfO₂) en raison de sa compatibilité avec la technologie CMOS et de son potentiel pour des dispositifs ferroélectriques à échelle ultra-réduite. La recherche conduite a permis l’étude des films minces de HfO₂ dopés au Gd ou non dopés, déposés par dépôt de couches atomiques assisté par plasma (PEALD) dans une structure métal-isolant-métal (MIM) (TiN/HfO₂/T
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2

King, Peter. "Hafnium oxide-based dielectrics by atomic layer deposition." Thesis, University of Liverpool, 2013. http://livrepository.liverpool.ac.uk/9253/.

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In 2007 there was an important change in the architecture of nanotransistors - the building blocks of modern logic and memory devices. This change was from utilising thermally grown silicon dioxide as a dielectric to so-called high-κ hafnium oxide dielectrics grown by atomic layer deposition. The first production logic devices of this era used a hafnium oxide dielectric layer deposited by thermal atomic layer deposition; using HfCl₄ and H₂O as the precursors. Present day fabrication makes use of hafnium oxide-based atomic-layer-deposited dielectric films. The latest nanotransistor devices util
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3

Pham, Nam Hung. "Liquid-injection atomic layer deposition of cerium-doped hafnium oxide dielectric films." Thesis, University of Liverpool, 2010. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.539745.

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4

DeCerbo, Jennifer N. "Development and Characterization of Layered, Nitrogen-Doped Hafnium Oxide and Aluminum Oxide Films for Use as Wide Temperature Capacitor Dielectrics." University of Dayton / OhioLINK, 2015. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=dayton1429979783.

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5

Daniel, Monisha Gnanachandra. "Nanolaminate coatings to improve long-term stability of plasmonic structures in physiological environments." Thesis, Virginia Tech, 2017. http://hdl.handle.net/10919/78280.

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The unprecedented ability of plasmonic metal nano-structures to concentrate light into deep-subwavelength volumes has propelled their use in a vast array of nanophotonics technologies and research endeavors. They are used in sensing, super-resolution imaging, SPP lithography, SPP assisted absorption, SPP-based antennas, light manipulation, etc. To take full advantage of the attractive capabilities of CMOS compatible low-cost plasmonic structures based on Al and Cu, nanolaminate coatings are investigated to improve their long-term stability in corrosive physiological environments. The structure
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Jeloaica, Léonard. "Etude ab initio des mécanismes réactionnels dans la phase initiale du dépôt par par couches atomiques des oxydes à moyenne et forte permittivité sur silicium." Toulouse 3, 2006. http://www.theses.fr/2006TOU30077.

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L'objectif de ce travail est d'apporter un éclairage nouveau à la compréhension des mécanismes physico-chimiques qui contrôlent la croissance des trois oxydes d'Aluminium, de Zirconium, de Hafnium. Ces matériaux sont considérés comme les meilleurs candidats pour remplacer la silice en tant qu'oxyde de grille dans le futur composant MOS. La précision et la fiabilité de la méthode DFT associé à la fonctionnelle B3LYP, ont été testées à l'aide des résultats expérimentaux et des méthodes ab initio les plus précis telles que CCSD(T) et CISD(T), en utilisant différents ensembles des fonctions de bas
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7

Garcia, Ramirez Emmanuel Armando. "Etude et optimisation de matériaux diélectriques et électrodes déposés par ALD pour structures nano-poreuses." Electronic Thesis or Diss., Normandie, 2024. http://www.theses.fr/2024NORMC226.

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Cette thèse examine les films minces d’oxyde de hafnium (HfO2) pour leur potentiel dans lesnanocondensateurs, répondant aux besoins en miniaturisation et haute performance del’électronique moderne. Le HfO2 est compatible avec la Déposition par Couches Atomiques(ALD), ce qui permet des dépôts minces précis et homogènes, essentiels pour garantir la fiabilitédes dispositifs électroniques. Les films minces sont soumis à différentes techniques de fabricationet de caractérisation pour analyser leur morphologie et leurs propriétés électriques, notamment laconstante diélectrique, la tension de claquag
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8

Vieluf, Maik. "Hochauflösende Rutherford-Streuspektrometrie zur Untersuchung von ZrO2-Schichtwachstum im Anfangsstadium." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2010. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-38113.

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Die vorliegende Arbeit entstand im Rahmen einer Kooperation des Forschungszentrums Dresden-Rossendorf mit Qimonda Dresden GmbH & Co. OHG. Mithilfe der hochauflösenden Rutherford-Streuspektrometrie (HR-RBS) wurden das Diffusionsverhalten und Schichtwachstum von ZrO2 auf SiO2 und TiN im Anfangsstadium untersucht. Auf Grund der exzellenten Tiefenauflösung von 0,3 nm an der Oberfläche stand die Analyse von Konzentrationsprofilen in ultradünnen Schichten, respektive an deren Grenzflächen im Vordergrund. Zur qualitativen Verbesserung der Messergebnisse wurde erstmals ein zweidimensionaler positi
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9

Chang, Chih-Hsin, and 張志信. "Hafnium Germanium Oxide as Trapping Layer for Nonvolatile Memory Application." Thesis, 2008. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/04732139717939429570.

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碩士<br>長庚大學<br>電子工程學研究所<br>96<br>In this thesis, we proposed the fabrication of flash memory device with high-k dielectrics, the HfGeOx, as trapping layer is formed by co-sputtering with Hf and Ge. The thermal stability and charge storage can be improved by GeOx embedding in HfOx. In this thesis, we also compared the electrical characteristic of HfGeOx trapping layer with different tunnel dielectrics: SiO2 and HfTaOx. After different rapid thermal annealing temperature, the hysteresis window does not be increased with arising temperature. It is attributed to crystallize phenomenon in HfGeOx
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10

Wang, Tuo 1983. "Atomic layer deposition of amorphous hafnium-based thin films with enhance thermal stabilities." Thesis, 2010. http://hdl.handle.net/2152/ETD-UT-2010-12-2059.

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The continuous scaling of microelectronic devices requires high permittivity (high-k) dielectrics to replace SiO₂ as the gate material. HfO₂ is one of the most promising candidates but the crystallization temperature of amorphous HfO₂ is too low to withstand the fabrication process. To enhance the film thermal stability, HfO₂ is deposited using atomic layer deposition (ALD), and incorporated with various amorphizers, such as La₂O₃, Al₂O₃, and Ta₂O₅. The incorporation is achieved by growing multiple ALD layers of HfO₂ and one ALD layer of MO[subscript x] (M = La, Al, and Ta) alternately (denote
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