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Thematische Bibliographien / HIGH-POWER APPLICATIONS / Zeitschriftenartikel

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Zeitschriftenartikel zum Thema „HIGH-POWER APPLICATIONS“

Autor: Grafiati

Veröffentlicht am 11. September 2023

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1

Carroll, E. I. „Power electronics for very high power applications“. Power Engineering Journal 13, Nr. 2 (01.04.1999): 81–87. http://dx.doi.org/10.1049/pe:19990208.

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2

Anlin Yi, Anlin Yi, Lianshan Yan Lianshan Yan, Bin Luo Bin Luo, Wei Pan Wei Pan und Jia Ye Jia Ye. „Effects of pattern dependence on high-power polarization-division-multiplexing applications“. Chinese Optics Letters 10, Nr. 1 (2012): 010601–10603. http://dx.doi.org/10.3788/col201210.010601.

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3

Pottier, Sebastien B., Franck Hamm, Dominique Jousse, Patrick Sirot, Friedman Tchoffo Talom und Rene Vezinet. „High Pulsed Power Compact Antenna for High-Power Microwaves Applications“. IEEE Transactions on Plasma Science 42, Nr. 6 (Juni 2014): 1515–21. http://dx.doi.org/10.1109/tps.2014.2321416.

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4

Sethakul, P., S. Rael, B. Davat und P. Thounthong. „Fuel cell high-power applications“. IEEE Industrial Electronics Magazine 3, Nr. 1 (März 2009): 32–46. http://dx.doi.org/10.1109/mie.2008.930365.

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5

Pervak, V., O. Pronin, O. Razskazovskaya, J. Brons, I. B. Angelov, M. K. Trubetskov, A. V. Tikhonravov und F. Krausz. „High-dispersive mirrors for high power applications“. Optics Express 20, Nr. 4 (08.02.2012): 4503. http://dx.doi.org/10.1364/oe.20.004503.

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6

Aralikatti, Sachin, und Reshma Nadaf. „High Speed Implementation of Floating Point Multiplier for Low Power Design Applications“. Bonfring International Journal of Research in Communication Engineering 6, Special Issue (30.11.2016): 108–12. http://dx.doi.org/10.9756/bijrce.8213.

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7

Kumar, Srisanthosh. „Single Power-Conversion Ac–Dc Converter with High Power Factor Based On ZVZCS for Dc Drive Applications“. International Journal of Psychosocial Rehabilitation 23, Nr. 4 (20.12.2019): 627–38. http://dx.doi.org/10.37200/ijpr/v23i4/pr190397.

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8

Pokryvailo, Alex, Costel Carp und Clifford Scapellati. „A High-Power High-Voltage Power Supply for Long-Pulse Applications“. IEEE Transactions on Plasma Science 38, Nr. 10 (Oktober 2010): 2604–10. http://dx.doi.org/10.1109/tps.2010.2044810.

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9

Yeh, Ping-Chun, Hwann-Kaeo Chiou, Chwan-Ying Lee, John Yeh, Yi-Hung Tsai, Denny Tang und John Chern. „High power density, high efficiency 1W SiGe power HBT for 2.4GHz power amplifier applications“. Solid-State Electronics 52, Nr. 5 (Mai 2008): 745–48. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2007.11.003.

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10

Pearton, S. J., F. Ren, A. P. Zhang, G. Dang, X. A. Cao, H. Cho, C. R. Abernathy et al. „GaN Electronics for High Power, High Temperature Applications“. Electrochemical Society Interface 9, Nr. 2 (01.06.2000): 34–39. http://dx.doi.org/10.1149/2.f06002if.

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11

Sugawara, Yoshitaka. „SiC Devices for High Voltage High Power Applications“. Materials Science Forum 457-460 (Juni 2004): 963–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.963.

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12

Pearton, S. J., F. Ren, A. P. Zhang, G. Dang, X. A. Cao, K. P. Lee, H. Cho et al. „GaN electronics for high power, high temperature applications“. Materials Science and Engineering: B 82, Nr. 1-3 (Mai 2001): 227–31. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(00)00767-4.

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13

Zhang, Shujun, Ru Xia, Laurent Lebrun, Dean Anderson und Thomas R. Shrout. „Piezoelectric materials for high power, high temperature applications“. Materials Letters 59, Nr. 27 (November 2005): 3471–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2005.06.016.

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14

Megel, Stefan, Mihails Kusnezoff, Nikolai Trofimenko, Viktar Sauchuk, Alexander Michaelis, Andreas Venskutonis, Klaus Rissbacher et al. „High Efficiency CFY-Stack for High Power Applications“. ECS Transactions 35, Nr. 1 (16.12.2019): 269–77. http://dx.doi.org/10.1149/1.3570002.

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15

Pisau, Cătălin Dumitru. „High Power Lasers in Military Applications“. Journal of Military Technology 2, Nr. 1 (26.06.2019): 53–56. http://dx.doi.org/10.32754/jmt.2019.1.10.

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16

BELING, Andreas, Joe C. CAMPBELL, Kejia LI, Qinglong LI, Ye WANG, Madison E. WOODSON, Xiaojun XIE und Zhanyu YANG. „High-Power Photodiodes for Analog Applications“. IEICE Transactions on Electronics E98.C, Nr. 8 (2015): 764–68. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e98.c.764.

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17

Kuk, Seung-Han, Sung-Myun Kim, Won-Gu Kang, Bumsoo Han, Nikolai K. Kuksanov und Kwang-Young Jeong. „High-power Accelerator for Environmental Applications“. Journal of the Korean Physical Society 59, Nr. 6(1) (15.12.2011): 3485–88. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.59.3485.

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18

YAMANAKA, Chiyoe, und Shuji SAKABE. „Prospects of High Power Laser Applications“. Review of Laser Engineering 30, Nr. 4 (2002): 185–92. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.30.185.

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19

MIYANAGA, Noriaki. „Extending Applications of High-Power Lasers“. Review of Laser Engineering 36, Nr. 9 (2008): 530–37. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.36.530.

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20

SASOH, Akihiro, und Toshikazu EBISUZAKI. „High Power Laser Applications to Aerospace“. Review of Laser Engineering 43, Nr. 9 (2015): 611. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.43.9_611.

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21

DOBREF, VASILE. „HIGH POWER APPLICATIONS OF ELECTROMAGNETIC DEVICES“. Scientific Bulletin of Naval Academy 19, Nr. 1 (15.06.2016): 206–9. http://dx.doi.org/10.21279/1454-864x-16-i1-036.

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22

Dableh, Joseph H., Raymond D. Findlay, Ian L. Colquhoun und Morley E. Truemner. „Cable for High Pulse Power Applications“. IEEE Power Engineering Review PER-5, Nr. 8 (August 1985): 23–24. http://dx.doi.org/10.1109/mper.1985.5526367.

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23

Benford, James. „Space Applications of High-Power Microwaves“. IEEE Transactions on Plasma Science 36, Nr. 3 (Juni 2008): 569–81. http://dx.doi.org/10.1109/tps.2008.923760.

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24

Chen, Makan, Lise Donzel, Martin Lakner und Willi Paul. „High temperature superconductors for power applications“. Journal of the European Ceramic Society 24, Nr. 6 (Januar 2004): 1815–22. http://dx.doi.org/10.1016/s0955-2219(03)00443-6.

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25

Janzén, E., und O. Kordina. „SiC material for high-power applications“. Materials Science and Engineering: B 46, Nr. 1-3 (April 1997): 203–9. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01984-8.

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26

Berger, T., J. Dreher, M. Krausa und J. Tübke. „Lithium accumulator for high-power applications“. Journal of Power Sources 136, Nr. 2 (Oktober 2004): 383–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpowsour.2004.03.039.

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27

Dableh, Joseph, Raymond Findlay, Ian Colquhoun und Morley Truemner. „Cable for High Pulse Power Applications“. IEEE Transactions on Power Apparatus and Systems PAS-104, Nr. 8 (August 1985): 1963–67. http://dx.doi.org/10.1109/tpas.1985.318768.

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28

Lubkin, Gloria B. „Power Applications of High‐Temperature Superconductors“. Physics Today 49, Nr. 3 (März 1996): 48–51. http://dx.doi.org/10.1063/1.881492.

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29

Capel, A., D. O'Sullivan und J. C. Marpinard. „High-power conditioning for space applications“. Proceedings of the IEEE 76, Nr. 4 (April 1988): 391–0408. http://dx.doi.org/10.1109/5.4425.

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30

Boni, Arthur A., David I. Rosen, Steven J. Davis und Leslie A. Popper. „High-power laser applications to medicine“. Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 40, Nr. 3 (September 1988): 449–67. http://dx.doi.org/10.1016/0022-4073(88)90133-1.

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Boettcher, Lars, Lars Boettcher, S. Karaszkiewicz, D. Manessis und A. Ostmann. „Embedded Power Modules – A new approach using Power Core and High Power PCB“. Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2015, DPC (01.01.2015): 000906–37. http://dx.doi.org/10.4071/2015dpc-tp42.

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Annotation:

Power electronics packaging applications has strong demands regarding reliability and cost. The fields of developments reach from low power converter modules, over single or multichip MOSFET or IGBT packages, up to high power applications, like needed e.g. for solar inverters and automotive applications. This paper will give an overview about these applications and a description of each ones demand. The spectrum of conventional power electronics packaging reaches from SMD packages for power chips to large power modules. In most of these packages the power semiconductors are connected by bond wires, resulting in large resistances and parasitic inductance. Additionally bond wires result in a high stray inductance which limits the switching frequency. The embedding of chips using Printed Circuit Board (PCB) technology offers a solution for many of the problems in power packaging. This paper will show today's available power packages and power modules, realized in industrial production as well as in European research projects. All technologies which are used are based on PCB materials and processes. Chips are mounted to Cu foils, lead frames, high power PCBs or even ceramic substrates, embedded by vacuum lamination of laminate sheets and electrically connected by laser drilling and Cu plating. A new approach for embedded power modules will be presented in detail. In this project, different application fields are covered, ranging from 50 W over 500 W to 50kW power modules for different applications like single chip packages, over power control units for pedelec (Pedal Electric Cycle), to inverter modules for automotive applications. This approach will focus on a power core base structure for the embedded semiconductor, which is then connected to a high power PCB. The connection to the embedded die is realized by direct copper connection only. The technology principle will be described in detail. Frist manufactured demonstrators will be presented. The presented new approach for the realization of a power core structure offers new possibilities for the module manufacturing, avoiding soldering or Ag sintering of the power semiconductors and the handling of thick copper substrates during the embedding process.

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32

Lima, G. B., L. C. Freitas, J. B. Vieira, E. A. A. Coelho, V. J. Farias, L. C. G. Freitas, C. A. Canesin und A. P. Finazzi. „Single-phase high power factor hybrid rectifier suitable for high-power applications“. IET Power Electronics 5, Nr. 7 (01.08.2012): 1137–46. http://dx.doi.org/10.1049/iet-pel.2011.0172.

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Banaei, M. R., und E. Salary. „Power Exchange by Using Micro-grid Inverter with High-Voltage Gain for Photovoltaic Applications“. Journal of Clean Energy Technologies 4, Nr. 4 (2015): 237–40. http://dx.doi.org/10.7763/jocet.2016.v4.288.

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34

P. Divya Sri, P. Divya Sri, und Dr P. Hari Krishna Prasad. „Single Phase Dual Full Bridge Bi-directional DC-DC Converter for High power applications“. Indian Journal of Applied Research 3, Nr. 5 (01.10.2011): 259–65. http://dx.doi.org/10.15373/2249555x/may2013/79.

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35

Baranov, G. A., und A. A. Kuchinsky. „High-power, high-pressure pulsed CO2lasers and their applications“. Quantum Electronics 35, Nr. 3 (31.03.2005): 219–29. http://dx.doi.org/10.1070/qe2005v035n03abeh002856.

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36

Kheraluwala, M. H., D. W. Novotny und D. M. Divan. „Coaxially wound transformers for high-power high-frequency applications“. IEEE Transactions on Power Electronics 7, Nr. 1 (Januar 1992): 54–62. http://dx.doi.org/10.1109/63.124577.

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Sun, Ruize, Jingxue Lai, Wanjun Chen und Bo Zhang. „GaN Power Integration for High Frequency and High Efficiency Power Applications: A Review“. IEEE Access 8 (2020): 15529–42. http://dx.doi.org/10.1109/access.2020.2967027.

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38

Jiang, H. C., X. Si, W. L. Zhang, C. J. Wang, B. Peng und Y. R. Li. „Microwave power thin film resistors for high frequency and high power load applications“. Applied Physics Letters 97, Nr. 17 (25.10.2010): 173504. http://dx.doi.org/10.1063/1.3507883.

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39

Chang, Chao, Zhengfeng Xiong, Letian Guo, Xiaolong Wu, Yansheng Liu, Xiaoyue Xing und Zhiguo Li. „Compact four-way microwave power combiner for high power applications“. Journal of Applied Physics 115, Nr. 21 (07.06.2014): 214502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4880741.

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Yuming, Zhou, Yu Yuehui, Chen Haigang und Liang Lin. „A High Power Semiconductor Switch RSD for Pulsed Power Applications“. Plasma Science and Technology 9, Nr. 5 (Oktober 2007): 622–25. http://dx.doi.org/10.1088/1009-0630/9/5/23.

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Madawala, U. K., und D. J. Thrimawithana. „Modular-based inductive power transfer system for high-power applications“. IET Power Electronics 5, Nr. 7 (01.08.2012): 1119–26. http://dx.doi.org/10.1049/iet-pel.2011.0182.

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42

Meng, Ru, Yulong Xia, Letian Guo, Yuanyue Guo und Qi Zhu. „X‐band compact coaxial power combiner for high‐power applications“. IET Microwaves, Antennas & Propagation 13, Nr. 12 (12.07.2019): 2171–76. http://dx.doi.org/10.1049/iet-map.2019.0055.

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Keeling, N. A., G. A. Covic und J. T. Boys. „A Unity-Power-Factor IPT Pickup for High-Power Applications“. IEEE Transactions on Industrial Electronics 57, Nr. 2 (Februar 2010): 744–51. http://dx.doi.org/10.1109/tie.2009.2027255.

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Elshafey, Ahmed F., und Mahmoud Abdelrahman Abdalla. „LOW LOSS HIGH POWER AIR SUSPENDED STRIPLINE POWER DIVIDER FOR HIGH POWER DIVISION SUB-SYSTEMS APPLICATIONS“. Progress In Electromagnetics Research M 73 (2018): 153–62. http://dx.doi.org/10.2528/pierm18070506.

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45

Eroglu, Abdullah. „PLANAR INDUCTOR DESIGN FOR HIGH POWER APPLICATIONS“. Progress In Electromagnetics Research B 35 (2011): 53–67. http://dx.doi.org/10.2528/pierb11081601.

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46

MINAMIDA, Katsuhiro. „High Power Laser Applications in Steel Industries“. Review of Laser Engineering 24, Supplement (1996): S25—S28. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.24.supplement_s25.

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47

MINAMIDA, Katsuhiro. „High Power Laser Applications in Steel Industry.“ Review of Laser Engineering 28, Nr. 11 (2000): 760–64. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.28.760.

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48

Nisida, Naoto. „High Power Excimer Laser for Industrial Applications.“ Journal of the Japan Welding Society 61, Nr. 8 (1992): 683–87. http://dx.doi.org/10.2207/qjjws1943.61.8_683.

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49

Jovcic, Dragan, Lu Zhang und Masood Hajian. „LCL VSC Converter for High-Power Applications“. IEEE Transactions on Power Delivery 28, Nr. 1 (Januar 2013): 137–44. http://dx.doi.org/10.1109/tpwrd.2012.2219560.

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Jin, H., G. Pan, S. J. Xue und F. P. Wang. „Novel Lithium Titanate for High Power Applications“. ECS Transactions 58, Nr. 48 (25.04.2014): 63–69. http://dx.doi.org/10.1149/05848.0063ecst.

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