Bücher zum Thema „Metal oxide semiconductors, Complimentary“
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Heusler, Lucas Sebastian. Transistor sizing for timing optimization of combinational digital CMOS circuits. [Konstanz, Switzerland: Hartung-Gorre Verlag, 1990.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZhao, Yi. Wafer level reliability of advanced CMOS devices and processes. New York: Nova Science Publishers, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLancaster, Don. CMOS cookbook. 2. Aufl. Indianapolis, Ind: H.W. Sams, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenM, Berlin Howard, Hrsg. CMOS cookbook. 2. Aufl. Boston: Newnes, 1997.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNicollian, E. H. MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology. Hoboken, N.J: Wiley-Interscience, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPfaffli, Paul. Characterisation of degradation and failure phenomena in MOS devices. Konstanz [Germany]: Hartung-Gorre, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSato, Norio. Electrochemistry at metal and semiconductor electrodes. Amsterdam: Elsevier, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenF, Hawkins Charles, Hrsg. CMOS electronics: How it works, how it fails. New York: IEEE Press, 2004.
Den vollen Inhalt der Quelle findenHelms, Harry L. High-speed (HC/HCT) CMOS guide. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKwon, Min-jun. CMOS technology. Hauppauge, N.Y: Nova Science Publishers, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenShoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGrabinski, Władysław, und Thomas Gneiting. Power/HVMOS devices compact modeling. Dordrecht: Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMajkusiak, Bogdan. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS--konsekwencje dla działania i modelowania. Warszawa: Wydawnictwa Politechniki Warszawskiej, 1991.
Den vollen Inhalt der Quelle findenShriram, Ramanathan, Symposium J, "Materials and Devices for Beyond CMOS Scaling" (2010 : San Francisco, Calif.) und Materials Research Society, Hrsg. Materials and devices for end-of-roadmap and beyond CMOS scaling: Symposium held April 5-9, 2010, San Francisco, California. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJ, Branning D., Hrsg. Experiments in CMOS technology. Blue Ridge Summit, PA: Tab Books, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Firm), Signetics. High-speed CMOS data manual. Sunnyvale, Calif: Signetics Corp., 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMinoru, Fujishima, Hrsg. Design and modeling of millimeter-wave CMOS circuits for wireless transceivers: Era of sub-100nm technology. Dordrecht: Springer Science+Business Media, 2008.
Den vollen Inhalt der Quelle finden(Firm), Signetics. High-speed CMOS data manual. Sunnyvale, Calif: Signetics Corp., 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYusuf, Leblebici, Hrsg. CMOS digital integrated circuits: Analysis and design. 2. Aufl. Boston, MA: McGraw-Hill, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKang, Sung-Mo. CMOS digital integrated circuits: Analysis and design. 2. Aufl. Boston, Mass: McGraw-Hill, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenYusuf, Leblebici, Hrsg. CMOS digital integrated circuits: Analysis and design. 3. Aufl. Boston: McGraw-Hill, 2003.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKang, Sung-Mo. CMOS digital integrated circuits: Analysis and design. New York: McGraw-Hill, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenRumak, N. V. Sistema kremniĭ--dvuokisʹ kremnii͡a︡ v MOP-strukturakh. Minsk: "Nauka i tekhnika", 1986.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPeluso, Vincenzo. Design of low-voltage low-power CMOS Delta-Sigma A/D converters. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1999.
Den vollen Inhalt der Quelle findenInternational, Symposium on Advanced Gate Stack Source/Drain and Channel Engineering for Si-based CMOS (2nd 2006 Cancún Mexico). Advanced gate stack, source/drain, and channel engineering for Si-based CMOS 2: New materials, processes and equipment. Pennington, NJ: Electrochemical Society, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenShoji, Masakazu. CMOS digital circuit technology. New Jersey: Prentice-Hall International, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenCMOS digital circuit technology. Englewood Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1987.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLatchup in CMOS technology: The problem and its cure. Boston: Kluwer Academic Publishers, 1986.
Den vollen Inhalt der Quelle findenBentarzi, Hamid. Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2011.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMeeting, Materials Research Society, und Symposium C, "CMOS Gate-Stack Scaling-- Materials, Interfaces and Reliability Implications" (2009 : San Francisco, Calif.), Hrsg. CMOS gate-stack scaling-- materials, interfaces and reliability implications: Symposium held April 14-16, 2009, San Francisco, california, U.S.A. Warrendale, Pa: Materials Research Society, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKlar, Heinrich. Integrierte digitale Schaltungen MOS/BICMOS. 2. Aufl. Berlin: Springer, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKursun, Volkan. Multiple supply and threshold voltage CMOS circuits. Chichester, England: John Wiley, 2006.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMarston, R. M. Modern CMOS circuits manual. 2. Aufl. Oxford: Newnes, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLoeliger, Teddy. Large-area photosensing in CMOS. Konstanz: Hartung-Gorre, 2001.
Den vollen Inhalt der Quelle findenKuo, James B. CMOS digital IC. Taipei: McGraw-Hill, Inc., 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenJosé, Pineda de Gyvez, Pradhan Dhiraj K und IEEE Circuits and Systems Society., Hrsg. Integrated circuit manufacturability. Piscataway, NJ: IEEE Press, 1998.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPearton, Stephen J., Chennupati Jagadish und Bengt G. Svensson. Oxide Semiconductors. Elsevier Science & Technology Books, 2013.
Den vollen Inhalt der Quelle findenOxide Semiconductors: Volume 1633. Materials Research Society, 2014.
Den vollen Inhalt der Quelle findenNanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.
Den vollen Inhalt der Quelle findenDemkov, Alexander A., und Agham B. Posadas. Integration of Functional Oxides with Semiconductors. Springer, 2014.
Den vollen Inhalt der Quelle findenZhang, Jing. Generation of substrate bias and current sources in CMOS technology. 1995.
Den vollen Inhalt der Quelle findenLim, Wei Tjan (Richard). Suppression of substrate noise in a mixed-signal CMOS intergrated circuit. 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGneiting, Thomas, und Wladyslaw Grabinski. Power/Hvmos Devices Compact Modeling. Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenGneiting, Thomas, und Wladyslaw Grabinski. POWER/HVMOS Devices Compact Modeling. Springer, 2014.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMilne, David. Mos: Design and Manufacture. Edinburgh University Press, 1988.
Den vollen Inhalt der Quelle findenG, Einspruch Norman, und Gildenblat Gennady Sh, Hrsg. Advanced MOS device physics. San Diego: Academic Press, 1989.
Den vollen Inhalt der Quelle findenMaes, Herman E., Willy M. Sansen und Jeroen A. A. Croon. Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors. Springer, 2010.
Den vollen Inhalt der Quelle findenPaul, Vande Voorde, und Hewlett-Packard Laboratories, Hrsg. Extension of bandgap broadening model for quantum mechanical correction in sub-quarter micron MOS devices to accumulation layer. Palo Alto, CA: Hewlett-Packard Laboratories, Technical Publications Department, 1996.
Den vollen Inhalt der Quelle finden1948-, Gautier Jacques, Hrsg. Physics and operation of silicon devices in integrated circuits. London: ISTE, 2009.
Den vollen Inhalt der Quelle findenSusumu, Kohyama, Hrsg. Very high speed MOS devices. Oxford: Clarendon Press, 1990.
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