Bibliografías temáticas / Capteurs quantiques

Índice

  1. Artículos de revistas
  2. Tesis

Literatura académica sobre el tema "Capteurs quantiques"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de enero de 2025
Última modificación: 31 de julio de 2025

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Artículos de revistas sobre el tema "Capteurs quantiques"

1

Pavel, Ilarion. "Les défis des technologies quantiques." Annales des Mines - Responsabilité et environnement N° 114, no. 2 (2024): 81–90. http://dx.doi.org/10.3917/re1.114.0081.

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Resumen
Le développement des technologies quantiques est aujourd’hui l’objet d’importants efforts de recherche, mais les résultats seront-ils à la hauteur des attentes ? L’ordinateur quantique peut résoudre certains problèmes difficiles, qui demandent à l’ordinateur classique un temps de calcul trop important, et peut également attaquer les schémas actuels de cryptage. Cependant, la réalisation d’un ordinateur quantique suffisamment puissant pour résoudre des problèmes pratiques demeure un véritable défi technologique. Il existe plusieurs technologies d’implémentation hardware , chacune avec ses avant
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2

Jacques, Vincent, Aurore Finco, and Isabelle Robert-Philip. "Le centre coloré NV du diamant : un capteur quantique multifonctionnel." Reflets de la physique, no. 81 (June 2025): 17–22. https://doi.org/10.1051/refdp/202581017.

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Resumen
Les défauts ponctuels dans les solides sont des systèmes très prometteurs pour le développement de capteurs quantiques, dont les performances sont susceptibles de dépasser celles de leurs homologues classiques grâce à l’extrême sensibilité des systèmes quantiques élémentaires à leur environnement. Au sein de cette nouvelle famille de capteurs, le centre coloré NV du diamant est devenu une plateforme incontournable en raison de ses performances sans équivalent et de sa grande diversité d’applications, notamment pour l’imagerie magnétique à l’échelle nanométrique. Cet article décrit le principe
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3

Gerard, Jean-Michel, and Julien Claudon. "Des trompettes photoniques pour les technologies quantiques." Photoniques, no. 91 (May 2018): 29–32. http://dx.doi.org/10.1051/photon/20189129.

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Resumen
La source de photon unique est un composant clef pour le développement des technologies quantiques. À ce jour, les sources les plus performantes exploitent l’émission spontanée d’une boîte quantique semiconductrice, canalisée dans un mode optique bien défini grâce à une nanostructure photonique. Nous présentons une approche originale, la trompette photonique, qui a permis de réaliser des sources monomodes, efficaces et d’une grande agilité spectrale. Par ailleurs, ces objets possèdent des propriétés optomécaniques remarquables et permettent de réaliser des capteurs ultrasensibles.
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4

Jacques, Vincent, Mathieu Munsch, and Marc Chaigneau. "Microscopie magnétique à spin unique." Photoniques, no. 108 (May 2021): 32–35. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202110832.

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Les méthodes expérimentales permettant de détecter la résonance de spin électronique de défauts ponctuels du diamant ouvrent de nouvelles perspectives pour le développement de capteurs quantiques à haute sensibilité. De tels capteurs ont notamment démontré des performances exceptionnelles pour l’imagerie magnétique aux échelles nanométriques, conduisant à une transition accélérée vers des solutions commerciales.
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5

Bouyer, Philippe. ". Mesurer l’accélération avec des ondes de matière : de la gravimétrie à la navigation." Photoniques, no. 88 (September 2017): 42–44. http://dx.doi.org/10.1051/photon/20178842.

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Resumen
Refroidis proche du zéro absolu, les atomes se comportent non plus comme des particules, mais comme des ondes de matière dont la propagation peut conduire à des phénomènes d'interférence. Ces interférences peuvent être exploitées pour mesurer l’accélération avec une très haute précision. Les capteurs inertiels quantiques qui en découlent sont aujourd’hui des dispositifs prometteurs de nombreuses applications comme le guidage et la navigation, ou la gravimétrie ultra-précise.
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6

Michel, Kurek. "Technologies Quantiques : Vers la seconde révolution." November 30, 2020. https://doi.org/10.5281/zenodo.7474043.

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Centenaire, la physique quantique a permis des inventions majeures tels le laser ou le transistor, élément de base de nos ordinateurs et smartphones et, par conséquent, de notre civilisation de l’information et de la télécommunication. Désormais, une seconde révolution est en cours, celle de l’information quantique dont l’unité n’est plus le bit mais le bit quantique - dit qubit. Le monde quantique est un univers particulier, celui des particules atomiques et subatomiques, où règnent les probabilit&ea
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Tesis sobre el tema "Capteurs quantiques"

1

Tran, Manh Trung. "Développement de capteurs nanocomposites quantiques résistifs pour la prévention des escarres." Thesis, Lorient, 2018. http://www.theses.fr/2018LORIS514.

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Les escarres ou les plaies cutanées chroniques (en général) ont été qualifiées d‘ « épidémie silencieuse » et constituent une menace pour la santé publique et l'économie. Cependant, les méthodes de surveillance actuelles restent extrêmement coûteuses, et se limitent souvent au suivi d’un paramètre (pression verticale, pH ou au niveau d'humidité). Par conséquent, la volonté de mettre en œuvre des mesures préventives par une autre technique peu coûteuse, portable et capable de surveiller plusieurs facteurs de risque, en particulier à un stade précoce, est à l'origine recherche. S'inspirant de no
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2

Das, Aparna. "Boîtes quantiques de semi-conducteurs nitrures pour des applications aux capteurs opto-chimiques." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00870365.

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Ce travail de thèse a porté sur la synthèse de boîtes quantiques (BQs) de semi-conducteurs nitrures orientés (11-22) ou (0001) par épitaxie par jets moléculaires à plasma d'azote, pour des applications aux capteurs chimiques pour la détection du niveau de pH, d'hydrogène ou des hydrocarbures dans des environnements gazeux ou liquides. Dans la première partie de ce manuscrit, je décri la synthèse des couches bidimensionnelles semi-polaires (11-22) : des couches binaires (AlN, GaN, and InN) et des ternaires (AlGaN et InGaN), qui sont requises pour le contact de référence dans les transducteurs e
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3

Lassoued, Saïda. "Modélisation de transistors a homo et hétéro-jonctions, compatibles avec une filière submicronique : influence de phénomènes quantiques." Lyon, INSA, 1998. http://www.theses.fr/1998ISAL0089.

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Le sujet de cette thèse concerne l'étude de transistors bipolaires submicroniques à émetteur polysilicium, compatibles avec une technologie silicium CMOS (BICMOS) du ÇNET de Meylan, et au premier chef le développement d'une modélisation afférente. Après un rappel d'une investigation sur des profils mesurés (SIMS) ayant amené à développer un modèle de (co)diffusions, nous présentons des mesures électriques en statique (cf. "Gummel") et en dynamique, capacitives essentiellement. Une discussion s'appuie sur ce travail, qui permet d'étudier l'influence de différentes variantes sur le process, part
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4

Israbian, Claude. "Détecteurs infrarouge quantiques multi-éléments : analyse de limitations intrinsèques et mise en oeuvre de techniques contribuant à un fonctionnement optimal." Aix-Marseille 3, 1997. http://www.theses.fr/1997AIX30070.

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L'imagerie infrarouge presente des limitations inherentes aux detecteurs. Afin de proposer et d'evaluer certaines techniques correctives, nous avons realise la maquette d'un dispositif de veille panoramique. Le detecteur utilise est une barrette hgcdte de 288 points, multiplexes par dtc, avec tdi sur 4 elements. C'est un prototype du lir (cea) sensible jusqu'a 11 microns. Les resultats se transposent facilement a d'autre capteurs. L'analyse des limitations liees a la physique et a la technologie des materiaux montre que les caracteristiques des detecteurs ne sont pas parfaitement maitrisees, e
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5

Foix, Dominique. "Caractéristiques structurales et électroniques de verres chalcogénures : Etude par spectroscopie photoélectronique à rayonnement X (XPS) et calculs quantiques." Pau, 2002. http://www.theses.fr/2002PAUU3032.

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Ce travail a été consacré à l'analyse de verres chalcogénures par spectroscopie photoélectronique à rayonnement X (XPS) couplée à des calculs quantiques. Une première partie du mémoire traite de verres thiosilicates et thiogermanates pour lesquels une analyse des pics de cœur XPS a permis de dégager certaines conclusions quant à l'influence d'un changement de teneur et de nature de l'agent modificateur. Pour approfondir les résultats expérimentaux, nous avons réalisé des calculs ab-initio en formalisme Hartree Fock sur les verres thiogermanates. L'analyse des spectres de valence XPS (des verre
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6

Aristin, Pascale. "Fabrication et caractérisation de photodiodes à avalanche à puits quantiques multiples GaAs." Toulouse, INSA, 1992. http://www.theses.fr/1992ISAT0029.

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Les photodiodes a avalanche a puits quantiques multiples gaas/al(x)ga(1-x)as sont etudiees pour la photodetection avec un bruit faible dans le domaine des longueurs d'onde du visible. Les procedures de fabrication ont ete developpees pour obtenir des composants integres et fiables. La caracterisation des photodiodes est basee sur une analyse auto-coherente des caracteristiques courant-tension, capacite-tension et des courbes de bruit de fond. Des resultats sont presentes pour les photodiodes a puits quantiques multiples gaas/al(x)ga(1-x)as non dopes ayant differentes geometries et differentes
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7

Taleb, Fethallah. "Nouvelles sources lasers massivement accordables pour les applications télécom et les nouveaux capteurs." Thesis, Rennes, INSA, 2016. http://www.theses.fr/2016ISAR0003/document.

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Ce travail de thèse porte sur l'étude et la réalisation de lasers à cavité verticale accordable et émettant à 1,55 µm, destinés aux applications télécom, capteurs intégrés et imagerie médicale. En vue de réaliser des VCSELs accordables sur de large gamme spectrale (>> 50 nm), ce travail de thèse s'est attaché à étudier et à améliorer les éléments clés constitutifs de ces dispositifs, à savoir : les miroirs de Bragg, la zone active, et les performances optiques et thermiques des VCSELs. Le fort contraste d'indice (Δn~1,9) des matériaux diélectriques (a-Si/a-SiN,x) a permis d'avoir une ban
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8

Guillot, Fabien. "Développement de nanostructures à base de semiconducteurs III-Nitrures pour l'optoélectronique infrarouge." Phd thesis, Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10230.

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Resumen
Ce travail a consisté en la croissance (par épitaxie à jets moléculaires) et la caractérisation de nanostructures à base de semiconducteurs nitrures (GaN, AlN et alliages) afin de développer de composants optoélectroniques avancés basés sur les transitions intrabandes pour la prochaine génération de systèmes de télécommunications à très haut débit. Une première série de résultats concerne la croissance de couches minces de nitrures, notamment celle des alliages d'AlGaN. D'après notre étude, la croissance de couches dont la fraction molaire d'Al reste en deçà de 35 % nécessite la présence d'un
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9

Guillot, Fabien. "Développement de nanostructures à base de semiconducteurs III-Nitrures pour l'optoélectronique infrarouge." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00365896.

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Resumen
Ce travail a consisté en la croissance (par épitaxie à jets moléculaires) et la caractérisation de nanostructures à base de semiconducteurs nitrures (GaN, AlN et alliages) afin de développer de composants optoélectroniques avancés basés sur les transitions intrabandes pour la prochaine génération de systèmes de télécommunications à très haut débit. Une première série de résultats concerne la croissance de couches minces de nitrures, notamment celle des alliages d'AlGaN. D'après notre étude, la croissance de couches dont la fraction molaire d'Al reste en deçà de 35 % nécessite la présence d'un
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10

Callen, Olivier. "Nouvelle méthode d'investigation par effet Hall des états d'interface dans les composants à base d'hétérostructures III-V." Montpellier 2, 2000. http://www.theses.fr/2000MON20029.

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Resumen
Cette these demontre l'interet des heterostructures semi-conductrices pour la caracterisation des etats presents aux interfaces dielectrique/semi-conducteur (d/sc), etats qui jouent un role important dans les composants electroniques actuels. Deux methodes originales de caracterisation de l'interface d/sc sont proposees. La premiere est une methode de mesure du spectre dit(e) des etats d'interface. Elle est basee sur la mesure de la densite de porteurs ns dans des motifs de hall recouverts du dielectrique a caracteriser et equipes d'une grille metallique (structures mis-h : metal-isolant-semic
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