Bibliografías temáticas / CBRAM

Índice

  1. Artículos de revistas
  2. Tesis
  3. Libros
  4. Capítulos de libros
  5. Actas de conferencias
  6. Informes

Literatura académica sobre el tema "CBRAM"

Autor: Grafiati
Publicado: 4 de junio de 2021
Última modificación: 25 de mayo de 2024

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Artículos de revistas sobre el tema "CBRAM"

1

Cao, Haichao y Hao Ren. "A 10-nm-thick silicon oxide based high switching speed conductive bridging random access memory with ultra-low operation voltage and ultra-low LRS resistance". Applied Physics Letters 120, n.º 13 (28 de marzo de 2022): 133502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0085045.

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Resumen
In this paper, a silicon oxide based conductive bridging random access memory (CBRAM) with an ultra-low operation voltage, a high switching speed, and an ultra-low resistance at low resistance state (LRS) is reported. The CBRAM has a sandwich structure with platinum and copper as electrode layers and an ultra-thin 10-nm-thick silicon oxide film as an insulating switching layer. The CBRAMs are fabricated with CMOS compatible materials and processes. DC I–V sweep characterizations show an ultra-low SET/RESET voltage of 0.35 V/−0.05 V, and the RESET voltage is the lowest among all ultra-low voltage CBRAMs. The CBRAM is capable of withstanding endurance tests with over 106 pulses of +0.4 V/−0.1 V with 1 μs pulse width, with the resistance at LRS maintaining at an ultra-low value of only 20 Ω, which is the lowest among all CBRAMs to date, and it is reduced by at least 2.95 times compared with prior studies. Meanwhile, the switching ratio between high resistance state and LRS is more than 1.49 × 104. Moreover, the switching time characterization of the CBRAM demonstrates an ultra-short SET/RESET time of 7/9 ns. The CBRAM has potential applications in high-speed, ultra-low voltage, and ultra-low power electronics.
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Abbas, Haider, Jiayi Li y Diing Shenp Ang. "Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM): Challenges and Opportunities for Memory and Neuromorphic Computing Applications". Micromachines 13, n.º 5 (30 de abril de 2022): 725. http://dx.doi.org/10.3390/mi13050725.

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Resumen
Due to a rapid increase in the amount of data, there is a huge demand for the development of new memory technologies as well as emerging computing systems for high-density memory storage and efficient computing. As the conventional transistor-based storage devices and computing systems are approaching their scaling and technical limits, extensive research on emerging technologies is becoming more and more important. Among other emerging technologies, CBRAM offers excellent opportunities for future memory and neuromorphic computing applications. The principles of the CBRAM are explored in depth in this review, including the materials and issues associated with various materials, as well as the basic switching mechanisms. Furthermore, the opportunities that CBRAMs provide for memory and brain-inspired neuromorphic computing applications, as well as the challenges that CBRAMs confront in those applications, are thoroughly discussed. The emulation of biological synapses and neurons using CBRAM devices fabricated with various switching materials and device engineering and material innovation approaches are examined in depth.
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Cha, Jun-Hwe, Sang Yoon Yang, Jungyeop Oh, Shinhyun Choi, Sangsu Park, Byung Chul Jang, Wonbae Ahn y Sung-Yool Choi. "Conductive-bridging random-access memories for emerging neuromorphic computing". Nanoscale 12, n.º 27 (2020): 14339–68. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr01671c.

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Kim, Hae Jin. "Recent Progress of the Cation Based Conductive Bridge Random Access Memory". Ceramist 26, n.º 1 (31 de marzo de 2023): 90–105. http://dx.doi.org/10.31613/ceramist.2023.26.1.07.

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Resumen
Demand for new computing systems equipped with ultra-high-density memory storage and new computer architecture is rapidly increasing with the tremendous increment of the amount of data produced and/or reproduced. In particular, the requirement for technology development is growing as conventional storage devices face the physical limitations for scaling down and the data bottleneck that the Von Neumann architecture increases. Among the recent emerging memory devices, the conductive bridge random access memory (CBRAM) has superior switching properties and excellent scalability to be adopted as the next-generation storage device and as the hardware implementation of the neuromorphic computing system. In this review, the previous papers on the resistive switching mechanism of CBRAM and the precedent CBRAM devices exploiting various materials proposed by many research groups are introduced. The principle of CBRAM is discussed including the operation mechanism, switching materials, and the challenges that need to be solved. A wide selection of materials including metal oxides, Chalcogenides, and other non-oxides have been examined as the electrolyte layer of the CBRAM. Various switching materials, device engineering, and material innovation approaches were introduced, and the research results for solving the problems of CBRAM were reviewed in depth.
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Hsu, Chih-Chieh, Po-Tsun Liu, Kai-Jhih Gan, Dun-Bao Ruan y Simon M. Sze. "Oxygen Concentration Effect on Conductive Bridge Random Access Memory of InWZnO Thin Film". Nanomaterials 11, n.º 9 (27 de agosto de 2021): 2204. http://dx.doi.org/10.3390/nano11092204.

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Resumen
In this study, the influence of oxygen concentration in InWZnO (IWZO), which was used as the switching layer of conductive bridge random access memory, (CBRAM) is investigated. With different oxygen flow during the sputtering process, the IWZO film can be fabricated with different oxygen concentrations and different oxygen vacancy distribution. In addition, the electrical characteristics of CBRAM device with different oxygen concentration are compared and further analyzed with an atomic force microscope and X-ray photoelectron spectrum. Furthermore, a stacking structure with different bilayer switching is also systematically discussed. Compared with an interchange stacking layer and other single layer memory, the CBRAM with specific stacking sequence of bilayer oxygen-poor/-rich IWZO (IWZOx/IWZOy, x < y) exhibits more stable distribution of a resistance state and also better endurance (more than 3 × 104 cycles). Meanwhile, the memory window of IWZOx/IWZOy can even be maintained over 104 s at 85 °C. Those improvements can be attributed to the oxygen vacancy distribution in switching layers, which may create a suitable environment for the conductive filament formation or rupture. Therefore, it is believed that the specific stacking bilayer IWZO CBRAM might further pave the way for emerging memory applications.
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Goux, Ludovic, Janaki Radhakrishnan, Attilio Belmonte, Thomas Witters, Wouter Devulder, Augusto Redolfi, Shreya Kundu, Michel Houssa y Gouri Sankar Kar. "Key material parameters driving CBRAM device performances". Faraday Discussions 213 (2019): 67–85. http://dx.doi.org/10.1039/c8fd00115d.

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Resumen
This study is focused on Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) devices based on chalcogenide electrolyte and Cu-supply materials, and aims at identifying the key material parameters controlling memory properties.
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Aziz, Jamal, Honggyun Kim y Deok-Kee Kim. "(Digital Presentation) Power Efficient Transistors with Low Subthreshold Swing Using Abrupt Switching Devices". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 35 (9 de octubre de 2022): 1283. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351283mtgabs.

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Resumen
With the rapid development of transparent integrated circuits, transistors with extremely low subthreshold swing (SS) is becoming a necessary requirement. Here, we fabricated three transparent device structures that show abrupt electrical switching and make their series connection to the source terminal of the conventional field effect transistors (FET) to lower the SS value. Firstly, we demonstrate an environment friendly, disposable, and transparent conductive bridge random access memory (CBRAM) device composed of a cellulose nanocrystals active layer. Our CBRAM consists of a silver (Ag) electrochemically active top electrode and a cellulose nanocrystals-based switching layer on the FTO coated glass substrate. Devices with CBRAM can enable FET with an ultra-steep slope that is SS < 0.24 mV/dec and has a significantly high on/off ratio (~105) by switching the Ag metallic filament between on and off. Niobium oxide (NbO2) based threshold switching devices and zinc oxide (ZnO) based flexible Schottky diodes that show electrical breakdown were also stacked with FET, which gave SS values < 0.74 mV/dec and < 5.20 mV/dec, respectively. Comparatively, a nano-watt transistor called filament transistor (FET + CBRAM stack) can significantly improve the SS slope value with the lowest leakage current (~nA) and a record low turn on-voltage (~0.2 V) with a set power of only ~197 nW compared to the other series stack, which thereby attracts the attention of low power operations. Keywords: filament transistor, threshold switching, Schottky diode, subthreshold swing, on/off ratio Figure 1
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Merkel, Cory, Dhireesha Kudithipudi, Manan Suri y Bryant Wysocki. "Stochastic CBRAM-Based Neuromorphic Time Series Prediction System". ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems 13, n.º 3 (13 de mayo de 2017): 1–14. http://dx.doi.org/10.1145/2996193.

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Suri, Manan, Damien Querlioz, Olivier Bichler, Giorgio Palma, Elisa Vianello, Dominique Vuillaume, Christian Gamrat y Barbara DeSalvo. "Bio-Inspired Stochastic Computing Using Binary CBRAM Synapses". IEEE Transactions on Electron Devices 60, n.º 7 (julio de 2013): 2402–9. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2263000.

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Rehman, Shania, Muhammad Farooq Khan, Sikandar Aftab, Honggyun Kim, Jonghwa Eom y Deok-kee Kim. "Thickness-dependent resistive switching in black phosphorus CBRAM". Journal of Materials Chemistry C 7, n.º 3 (2019): 725–32. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc04538k.

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Más fuentes

Tesis sobre el tema "CBRAM"

1

Saadi, Mohamed. "Etude des mécanismes de commutation de résistance dans des dispositifs Métal (Ag) / Isolant (HfO2) / Métal, application aux mémoires résistives à pont conducteur (CBRAMs)". Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT021/document.

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Resumen
Actuellement, l'étude et le développement d'oxydes à commutation de résistance pour des dispositifs mémoires (Resistive RAM, ou ReRAM) constituent un domaine d'activité intense sur le plan international. Les ReRAMs sont des structures MIM (Métal-Isolant-Métal) dont la résistance peut être modulée par l’application d’une tension. A ce jour, les mécanismes qui régissent la transition de résistance dans les dispositfs ReRAM sont toujours l’objet de débats. Le travail développé dans cette thèse représente une contribution au développement des mémoires ReRAM à base de HfO2. Nous nous intéressons plus particulièrement aux ReRAMs « à pont conducteur » (Conducting Bridge RAM, ou CBRAM) pour lesquelles la transition de résistance est provoquée par la diffusion du métal d’anode. Nous cherchons à améliorer la compréhension des phénomènes qui contrôlent le passage d’un état isolant à un état conducteur. Dans ce cadre, notre travail se focalise sur l’influence des métaux d'électrodes. Le rôle de l’anode et de la cathode sont précisés. Un modèle qualitatif est présenté permettant d’expliquer la commutation de résistance. Nous discutons également des mécanismes de conduction dans l’état de faible résistance. Enfin, l’impact de la structure de l’oxyde est étudié
The Resistive Random Access Memory (ReRAM) technology is attracting growing interest as a potential candidate for the next generation of nonvolatile memories. ReRAMs are MIM (Metal-Insulator-Metal) devices whose resistance can be tuned by voltage bias. Today the physical mechanisms at the origin of resistance switching are not yet fully understood and are still under debate. In the present work, we are interested in HfO2-based ReRAMs, with a focus on Conducting Bridge RAM (CBRAM) devices in which resistance transition is ascribed to anode metal diffusion. Our goal is to better identify phenomena which govern the high to low resistance transition. In this context, we study the impact of different metal electrodes. The role played by the anode and the cathode is elucidated. A qualitative model describing resistance transition is proposed. Conduction mechanisms in the low resistive state are also discussed. Finally, the impact of oxide structure is studied
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Nail, Cécile. "Etude de mémoire non-volatile hybride CBRAM OXRAM pour faible consommation et forte fiabilité". Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT010/document.

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Resumen
À mesure que les technologies de l'information (IT) continuent de croître, les dispositifs mémoires doivent évoluer pour répondre aux exigences du marché informatique. De nos jours, de nouvelles technologies émergent et entrent sur le marché. La mémoire Resistive Random Access Memory (RRAM) fait partie de ces dispositifs émergents et offre de grands avantages en termes de consommation d'énergie, de performances, de densité et la possibilité d'être intégrés en back-end. Cependant, pour être compétitif, certains problèmes doivent encore être surmontés en particulier en ce qui concerne la variabilité, la fiabilité et la stabilité thermique de la technologie. Leur place sur le marché des mémoires est encore indéfinie. En outre, comme le principe de fonctionnement des RRAM dépend des matériaux utilisés et doit être observé à la résolution nanométrique, la compréhension du mécanisme de commutation est encore difficile. Cette thèse propose une analyse du principe de fonctionnement microscopique des CBRAM à base d'oxyde basé sur des résultats de caractérisation électrique et de simulation atomistique. Une interdépendance entre les performances électriques des RRAM et certains paramètres matériaux est étudiée, indiquant de nouveaux paramètres à prendre en compte pour atteindre les spécifications d'une application donnée
As Information Technologies (IT) are still growing, memory devices need to evolve to answer IT market demands. Nowadays, new technologies are emerging and are entering the market. Resistive Random Access Memory (RRAM) are part of these emerging devices and offer great advantages in terms of power consumption, performances, density and the possibility to be integrated in the back end of line. However, to be competitive, some roadblocks still have to be overcome especially regarding technology variability, reliability and thermal stability. Their place on memory market is then still undefined. Moreover, as RRAM working principle depends on stack materials and has to be observed at nanometer resolution, switching mechanism understanding is still challenging. This thesis proposes an analysis of oxide-based CBRAM microscopic working principle based on electrical characterization results and atomistic simulation. Then, an interdependence between RRAM electrical performances as well as material parameters is studied to point out new parameters that can be taken into account to target specific memory applications
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Alfaro, robayo Diego. "Mémoires resistives pour applications Storage Class Memory (SCM)". Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03103308.

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Resumen
Dans les architectures classiques dites de Von-Neumann pour des systèmes d'information, les blocs de mémoire et de traitement sont séparés. Pour le premier, les temps d'accès sont beaucoup plus importants. Afin d'optimiser les performances, une hiérarchie de mémoire a été mise en place. Elle combine des technologies coûteuses, de petite taille, mais très performantes en termes de vitesse; avec d'autres plus larges, à bas coûts per bit, mais plus lentes. Dans une telle hiérarchie, un gap important existe en termes de temps d'accès et capacité de stockage entre les blocs de mémoire les plus bas et ceux de stockage les plus hauts (mémoires FLASH). Des technologies émergentes non-volatiles, appelées textit{Storage Class Memories (SCM)} sont candidates pour remplir tel gap. Entre elles, les mémoires résistives vives, ReRAM, de l'abbreviation anglaise pour textit{Resistive Random Access Memories}; représentent une alternative très intéressante grâce à leur bonne scalabilité, basse consommation, compatibilité avec la Back-End-Of-Line (BEOL), leurs temps d'écriture et lecture rapides, et bonne endurance. Cependant, plusieurs obstacles empêchent leur implémentation à l'échelle industriel, notamment la haute variabilité des états résistifs et la non-linéarité réduite entre eux, ce qui limite l'implémentation des matrices mémoires larges. Ces deux aspects sont étudiés dans ces travaux de thèse. Pour la variabilité, il se trouve que l'endurance, caractéristique fondamentale vis-à-vis des applications SCM, est aussi dispersée. Ce manuscrit présente des caractérisations électriques en endurance au niveau statistique sur des matrices ReRAM de 4Kb. Plusieurs empilements mémoires furent étudiés, ainsi qu'une grande variété des conditions de programmation pour le cyclage. Il a été observé comment la valeur médiane et la déviation standard du claquage des mémoires sont principalement affectées par le RESET. Les résultats expérimentaux ont été utilisés dans la proposition d'un modèle stochastique basé sur la génération de défauts dans la couche résistive. Concernant l'autre grand axe de cette thèse, une co-intégration réussie entre une mémoire $HfO_{2}$ (1R) et un sélecteur (1S) de type textit{Ovonic Threshold Switch (OTS)}, a été demontrée. Les courants de fuite, obtenus grâce à l'addition de l'OTS, sont compatibles avec des matrices entre 100Mb et 1Gb. Pour la première fois, à notre connaissance, des paramètres influant sur les performances des structures 1S1R ont été étudiés au niveau statistique pour des matrices crossbar à haute densité, ainsi permettant la proposition d'optimisations futures et des nouvelles études incluant des nouveaux matériaux et circuits, pour continuer à améliorer les performances des dispositifs 1S1R
In classical von-Neumann architectures, processing and memory blocks are separated. Latency times for the latter are much more slower. To boost performances, memory hierarchy has been introduced to combine small, fast, but expensive technologies with large, slower, and cheaper ones. In such hierarchy, a notorious latency and storage gap can be distinguished between the lowest memory level and the highest storage one (Flash memories). Emerging non-volatile technologies are called to fill such gap through the so-called Storage Class Memories (SCM). Among them, Resistive Random-Access Memories (ReRAM), represent an interesting candidate to improve flash performances due to their good scalability, low-power consumption, Back-End of Line compatibility, fast writing and erasing process, and good endurance. However, several roadblocks hinder their implementation at large industrial scale, notably high variability, and low non-linearity, which avoids large crossbar arrays implementation. This thesis work explores such aspects to increase attractiveness of ReRAM technologies for SCM applications. For the former, endurance variability is addressed at the array level through various measurements over diverse stacks configurations. Results allow to study the impact of programming conditions on failure mechanisms dispersions, leading to the development of a stochastic model based on defects generation inside the resistive layer. As for the non-linearity issue, successful co-integration between best-in-class $HfO_2$ and $GeSeSbN$ Ovonic Threshold Selector (OTS) in 1S1R structures, is demonstrated. Hence, leakage currents compatible with 100Mb-1Gb bank size are obtained. For the first time, to our knowledge, key parameters of OTS+ReRAM systems for high-density crossbar arrays are identified and studied at the statistical level, allowing proposition of further optimizations and opening the way to a whole field of studies which include new materials and circuits to improve 1S1R performances
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Kazar, Mendes Munique. "X-ray photoelectron spectroscopy investigations of resistive switching in Te-based CBRAMs". Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS285/document.

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Resumen
Les mémoires à pont conducteur (CBRAM) sont une option actuellement étudiée pour la prochaine génération de mémoires non volatiles. Le stockage des données est basé sur la commutation de la résistivité entre les états de résistance élevée (HRS) et faible (LRS). Sous polarisation électrique, on suppose qu'un trajet conducteur est créé par la diffusion des ions de l'électrode active dans l'électrolyte solide. Récemment, une attention particulière a été portée sur les dispositifs contenant un élément semi-conducteur tel que le tellure, fonctionnant avec des courants réduits et présentant moins de défaillances de rétention. Dans ces « subquantum CBRAMs », le filament est censé contenir du tellure, ce qui donne une conductance de 1 atome (G₁atom) significativement réduite par rapport aux CBRAMs standard et permettant ainsi un fonctionnement à faible puissance. Dans cette thèse, nous utilisons la spectroscopie de photoélectrons par rayons X (XPS) pour étudier les réactions électrochimiques impliquées dans le mécanisme de commutation des CBRAMs à base de Al₂O ₃ avec des alliages ZrTe et TiTe comme électrode active. Deux méthodes sont utilisées: i) spectroscopie de photoélectrons par rayons X de haute énergie non destructive (HAXPES) pour étudier les interfaces critiques entre l'électrolyte (Al₂O ₃ ) et les électrodes supérieure et inférieure et ii) les faisceaux d'ions à agrégats gazeux (GCIB), une technique de pulvérisation qui conduit à une dégradation plus faible de la structure, avec un profilage en profondeur XPS pour évaluer les distributions des éléments en profondeur. Des mesures ToF-SIMS sont également effectuées pour obtenir des informations complémentaires sur la répartition en profondeur des éléments. Le but de cette thèse est de clarifier le mécanisme de changement de résistance et de comprendre les changements chimiques aux deux interfaces impliquées dans le processus de « forming » sous polarisation positive et négative ainsi que le mécanisme de « reset ». Pour cela, nous avons effectué une comparaison entre le dispositif vierge avec un état formé, i.e. l'échantillon après la première transition entre HRS et LRS et un état reset, i.e. l'échantillon après la première transition entre LRS et HRS.L'analyse du « forming » positif pour les dispositifs ZrTe / Al₂O ₃ a montré une libération de Te liée à l’oxydation de Zr due au piégeage de l'oxygène de l'Al₂O ₃ sous l’effet du champ électrique. D'autre part, pour les dispositifs TiTe / Al₂O ₃, la présence d'une couche importante d'oxyde de titane à l'interface avec l'électrolyte a provoqué une dégradation permanente de la cellule en polarisation positive. Pour le « forming » négatif, nos résultats montrent un mécanisme hybride, à savoir une combinaison de formation de lacunes d'oxygène dans l'oxyde provoquée par la migration de O2- entraîné par le champ électrique vers l'électrode inférieure et la libération de tellure pour former des filaments conducteurs. De plus, les résultats obtenus par profilométrie XPS et ToF-SIMS ont indiqué une possible diffusion de Te dans la couche d'Al₂O ₃. Lors du « reset », il y a une recombinaison partielle des ions oxygène avec les lacunes d'oxygène près de l'interface TiTe / AlAl₂O ₃ avec une perte de Te. Un mécanisme hybride a également été observé sur les dispositifs ZrTe / Al₂O ₃ pendant le « forming » négatif. En tenant compte du rôle important de la migration d'oxygène dans la formation / dissolution des filaments, nous discutons également des résultats obtenus par XPS avec polarisation électrique in- situ (sous ultravide) pour mieux comprendre le rôle de l'oxydation de surface et des interfaces dans la commutation résistive
Conducting bridging resistive random accessmemories (CBRAMs) are one option currently investigated for the next generation of non volatile memories. Data storage is based on switching the resistivity between high (HRS) and low (LRS) resistance states. Under electrical bias,a conductive path is assumed to be created by ions diffusion from the active electrode into the solid electrolyte. Recently, special attention has been drawn to devices containing an elemental semiconductor such as tellurium, operating with reduced currents and less retention failures. In these subquantum CBRAM cells, the filament is thought to contain tellurium , yielding a 1-atomconductance (G₁atom) significantly reduced compared to standard CBRAMs and thus allowing low power operation. In this thesis, we use X-rayphotoelectron spectroscopy (XPS) to learn about electrochemical reactions involved in the switching mechanism of Al₂O₃ based CBRAMswith ZrTe and TiTe alloys as active electrode. Two methods are used: i) non-destructive Hard X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES) to investigate the critical interfaces between the electrolyte (Al₂O₃) and the top and bottom electrodes and ii) Gas Cluster Ion Beams (GCIB), a sputtering technique that leads to lower structure degradation, combined with XPS depth profiling to evaluate chemical depth distributions. To FSIMS measurements are also performed to get complementary in-depth chemical information.The aim of this thesis is to clarify the driving mechanism and understand the chemical changes at both interfaces involved in the forming process under positive and negative polarization as well as the mechanism of the reset operation. For that,we performed a comparison between as-grown state, i.e. the pristine device with a formed state,i.e. the sample after the first transition between HRS and LRS, and reset state, i.e. the sample after the first transition between LRS and HRS.Conducting bridging resistive random access memories (CBRAMs) are one option currently investigated for the next generation of non-volatile memories. Data storage is based on switching the resistivity between high (HRS) and low (LRS) resistance states. Under electrical bias,a conductive path is assumed to be created byions diffusion from the active electrode into the solid electrolyte. Recently, special attention has been drawn to devices containing an elemental semiconductor such as tellurium, operating with reduced currents and less retention failures. In these subquantum CBRAM cells, the filament is thought to contain tellurium , yielding a 1-atom conductance (G₁atom) significantly reduced compared to standard CBRAMs and thus allowing low power operation. In this thesis, we use X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to learn about electrochemical reactions involved in the switching mechanism of Al₂O₃ based CBRAMs with ZrTe and TiTe alloys as active electrode. Twomethods are used: i) non-destructive Hard X-rayphotoelectron spectroscopy (HAXPES) toinvestigate the critical interfaces between the electrolyte (Al₂O₃) and the top and bottom electrodes and ii) Gas Cluster Ion Beams (GCIB), a sputtering technique that leads to lower structure degradation, combined with XPS depth profiling to evaluate chemical depth distributions. To FSIMS measurements are also performed to get complementary in-depth chemical information.The aim of this thesis is to clarify the driving mechanism and understand the chemical changes at both interfaces involved in the forming process under positive and negative polarization as well as the mechanism of the reset operation. For that,we performed a comparison between as-grown state, i.e. the pristine device with a formed state,i.e. the sample after the first transition between HRS and LRS, and reset state, i.e. the sample after the first transition between LRS and HRS
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Rebora, Charles. "Développement de matrices mémoires non-volatiles sur support flexible pour les circuits électroniques imprimés". Thesis, Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0643.

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Le marché de l’électronique flexible devrait atteindre un chiffre d’affaire de plus de 10 milliards de dollars à l’horizon 2020. La réalisation de circuits dotés de flexibilité mécanique accompagnera l’essor de nouvelles applications liées à l’internet des objets ou à l’électronique grande surface. Après la logique, la mémoire est un organe fondamental de tout système électronique. Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés au développement de mémoires non-volatiles de type CBRAM (Conductive Bridge Random Acces Memory) pour les applications électroniques flexibles. Ces mémoires possèdent une structure MEM (Métal-Électrolyte-Métal) et font partie des mémoires non volatiles émergentes de type ReRAM (Resistive RAM). L’effet mémoire est basé sur une commutation de résistance due à des phénomènes d’oxydo-réduction et de migration ionique aboutissant à la formation/dissolution d’un filament conducteur dans l’électrolyte solide. La possibilité d’utiliser des verres de chalcogénures ou encore des polymères comme électrolytes solide offre à ces mémoires un avenir prometteur pour les applications flexibles. Après avoir passé en revue les différents matériaux exploités pour la réalisation de CBRAM, nous exposerons des travaux concernant la fabrication et la caractérisation de mémoires basées sur des électrolytes de GeS$_x$ et de Ge$_X$Sb$_Y$Te$_Z$ sur substrats de silicium. Les caractéristiques I-V obtenues (phénomènes de set et reset) sont ensuite confrontées à des simulations réalisées à l’aide d’un modèle électro-thermique qui considère le courant ionique comme facteur limitant. La dernière partie de ce travail est quant à elle dédiée au développement de mémoires flexibles
Flexible electronics market revenue is expected to exceed $10B by 2020. Duento their mechanical flexibility, flexible circuits will enable numerous developmentsnin various fields from internet-of-things applications to large area electronics. Besides logic devices, memory is the second fundamental component of any electronic system. During this thesis, we aimed at developing nonvolatile memories referred as CBRAM (Conductive-Bridge Random Access Memories) for flexible electronics applications. These devices consist in a simple Metal-Electrolyte-Metal structure. The memory effect relies on resistance switching due to the formation/dissolution of a metallic conductive filament within a solid electrolyte. The use of chalcogenide glasses or polymers layers as solid-electrolytes offers many opportunities for future for flexible applications. In a first part, memory devices based on of GeS$_x$ and de Ge$_X$Sb$_Y$Te$_Z$ solid electrolytes on silicon substrates we fabricated and electrically tested. Experimental results were then confronted to an electro-thermal model, based on ionic current, developed during this thesis. The final chapter of this manuscript is devoted to the development of flexible memories
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Liaw, Corvin [Verfasser]. "Investigation of a New Memory Technology : The Conductive Bridging Random Access Memory Technology (CBRAM) / Corvin Liaw". Aachen : Shaker, 2007. http://d-nb.info/1164339516/34.

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Longnos, Florian. "Etude et optimisation des performances électriques et de la fiabilité de mémoires résistives à pont conducteur à base de chalcogénure/Ag ou d'oxyde métallique/Cu". Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT046.

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Resumen
Les mémoires non-volatiles sont devenues récemment un moteur clé de la croissance du secteur des semiconducteurs, et constituent un pivot pour les nouvelles applications et les nouveaux concepts dans le domaine des technologies de l'information et de la communication (TIC). Afin de surmonter les limites en termes de miniaturisation, de consommation électrique et de complexité de fabrication des mémoires non-volatiles à grille flottante (FLASH), l'industrie des semiconducteurs évalue actuellement des solutions alternatives. Parmi celles-ci, les mémoires résistives à pont conducteur ou CBRAM (Conductive Bridge Random Access Memory), qui reposent sur la commutation de résistance d'un électrolyte par migration et oxydo/réduction d'ions métalliques, semblent être des plus prometteuses. L'attractivité de cette technologie innovante vient d'une part de la simplicité de sa structure à deux terminaux et d'autre part de ses performances électriques très prometteuses en termes de consommation électrique et vitesse d'écriture/effacement. De surcroît la CBRAM is une technology mémoire qui s'intègre facilement dans le back end of line (BEOL) du procédé CMOS standard. Dans cette thèse, nous étudions les performances électriques et la fiabilité de deux technologies CBRAM, utilisant des chalcogénures (GeS2) ou un oxyde métallique pour l'électrolyte. Tout d'abord nous nous concentrons sur les CBRAM à base de GeS2, ou l'effet du dopage de l'électrolyte avec de l'argent (Ag) ou de l'antimoine (Sb) est étudié à la lumière d'une analyse des caractérisations électriques. Les mécanismes physiques gouvernant la cinétique de commutation et la stabilité thermique sont aussi discutés sur la base de mesures électrique, d'un modèle empirique et des résultats de calculs ab initio. L'influence des différentes conditions de set/reset est étudiée sur une CBRAM à base d'oxyde métallique. Grâce à cette analyse, les conditions permettant de maximiser la fenêtre mémoire, améliorer l'endurance et minimiser la variabilité sont déterminées
Non-volatile memory technology has recently become the key driver for growth in the semiconductor business, and an enabler for new applications and concepts in the field of information and communication technologies (ICT). In order to overcome the limitations in terms of scalability, power consumption and fabrication complexity of Flash memory, semiconductor industry is currently assessing alternative solutions. Among them, Conductive Bridge Memories (CBRAM) rely on the resistance switching of a solid electrolyte induced by the migration and redox reactions of metallic ions. This technology is appealing due to its simple two-terminal structure, and its promising performances in terms of low power consumption, program/erase speed. Furthermore, the CBRAM is a memory technology that can be easily integrated with standard CMOS technology in the back end of line (BEOL). In this work we study the electrical performances and reliability of two different CBRAM technologies, specifically using chalcogenides (GeS2) and metal oxide as electrolyte. We first focus on GeS2-based CBRAM, where the effect of doping with Ag and Sb of GeS2 electrolyte is extensively investigated through electrical characterization analysis. The physical mechanisms governing the switching kinetics and the thermal stability are also addressed by means of electrical measurements, empirical model and 1st principle calculations. The influence of the different set/reset programming conditions is studied on a metal oxide based CBRAM technology. Based on this analysis, the programming conditions able to maximize the memory window, improve the endurance and minimize the variability are determined
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Guy, Jérémy. "Evaluation des performances des mémoires CBRAM (Conductive bridge memory) afin d’optimiser les empilements technologiques et les solutions d’intégration". Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT127/document.

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Resumen
Ces dernières décennies, la constante évolution des besoins de stockage de données a mené à un bouleversement du paysage technologique qui s’est complètement métamorphosé et réinventé. Depuis les débuts du stockage magnétique jusqu’aux plus récents dispositifs fondés sur l’électronique dit d’état solide, la densité de bits stockés continue d’augmenter vers ce qui semble du point de vue du consommateur comme des capacités de stockage et des performances infinies. Cependant, derrière chaque transition et évolution des technologies de stockage se cachent des limitations en termes de densité et performances qui nécessitent de lourds travaux de recherche afin d’être surmontées et repoussées. Ce manuscrit s’articule autour d’une technologie émergeante prometteuse ayant pour vocation de révolutionner le paysage du stockage de données : la mémoire à pont conducteur ou Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM). Cette technologie est fondée sur la formation et dissolution réversible d’un chemin électriquement conducteur dans un électrolyte solide. Elle offre de nombreux avantages face aux technologies actuelles tels qu’une faible consommation électrique, de très bonnes performances d’écriture et de lecture et la capacité d’être intégré aux seins des interconnexions métalliques d’une puce afin d’augmenter la densité de stockage. Malgré tout, pour que cette technologie soit compétitive certaines limitations ont besoin d’être surmontées et particulièrement sa variabilité et sa stabilité thermique qui posent encore problème. Ce manuscrit propose une compréhension physique globale du fonctionnement de la technologie CBRAM fondée sur une étude expérimentale approfondie couplée à un modèle Monte Carlo cinétique spécialement développé. Cette compréhension fait le lien entre les propriétés physiques des matériaux composant la mémoire CBRAM et ses performances (Tension et temps d’écriture et d’effacement, rétention de donnée, endurance et variabilité). Un fort accent est mis la compréhension des limites actuelle de la technologie et comment les repousser. Grâce à une optimisation des conditions d’opérations ainsi qu’à un travail d’ingénierie des dispositifs mémoire, il est démontré dans ce manuscrit une forte amélioration de la stabilité thermique ainsi que de la variabilité des états écrits et effacés
The constant evolution of the data storage needs over the last decades have led the technological landscape to completely change and reinvent itself. From the early stage of magnetic storage to the most recent solid state devices, the bit density keeps increasing toward what seems from a consumer point of view infinite storage capacity and performances. However, behind each storage technology transition stand density and performances limitations that required strong research work to overcome. This manuscript revolves around one of the promising emerging technology aiming to revolutionize data storage landscape: the Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM). This technology based on the reversible formation and dissolution of a conductive path in a solid electrolyte matrix offers great advantages in term of power consumption, performances, density and the possibility to be integrated in the back end of line. However, for this technology to be competitive some roadblocks still have to be overcome especially regarding the technology variability, reliability and thermal stability. This manuscript proposes a comprehensive understanding of the CBRAM operations based on experimental results and a specially developed Kinetic Monte Carlo model. This understanding creates bridges between the physical properties of the materials involved in the devices and the devices performances (Forming, SET and RESET time and voltage, retention, endurance, variability). A strong emphasis is placed on the current limitations of the technology previously stated and how to overcome these limitations. Improvement of the thermal stability and device reliability are demonstrated with optimized operating conditions and proper devices engineering
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Methapettyparambu, purushothama Jayakrishnan. "Nouvelle génération de dispositifs hyperfréquences passifs reconfigurables électroniquement basés sur la technologie de commutation CBRAM non volatile". Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT086.

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Resumen
Cette thèse présente une nouvelle génération de dispositifs hyperfréquences passifs, reconfigurables électroniquement, basés sur la technologie de commutation ‘Conductive Bridging Random Access Random'(CBRAM). Le travail présenté dans cette thèse a pour objectif de s’affranchir du principal inconvénient des dispositifs hyperfréquences entièrement passifs (ne nécessitant pas de batterie pour fonctionner), à savoir la reconfigurabilité électronique. En effet, sur les dispositifs radiofréquences classiques, cette fonctionnalité repose sur l'utilisation de composants de commutation plus ou moins encombrants nécessitant une puissance importante, pour être exploités, et pour maintenir un état d'impédance (PIN, MEMS et similaire). Nous proposons ici une technique permettant de reconfigurer des dispositifs passifs ne nécessitant pas d’énergie (non-volatilité) pour maintenir un état d'impédance. Cette caractéristique fondamentale distingue les commutateurs CBRAM des commutateurs RF classiques, comme indiqué ci-dessus. Nous présentons ici deux techniques pour concevoir et développer des commutateurs CBRAM potentiellement imprimables, et pouvant être intégrés dans un circuit hyperfréquence sur substrat rigide ou flexible via un procédé de fabrication simple réalisable hors salle blanche.Dans un premier temps, une preuve de concept de cette technologie est présentée à travers la réalisation expérimentale d’un commutateur RF en mode shunt sur ligne CPW réalisé sur substrat FR-4 ainsi que sur un substrat papier. Cette première étude est validée par des mesures, des simulations électromagnétiques, ainsi qu’une modélisation du commutateur sous la forme d’un circuit électrique équivalent. Ensuite, nous montrons l’intégration de ces commutateurs pour le développement d’étiquettes RFID sans puce réinscriptibles. Ces étiquettes sont similaires à un code-barres optique, mais avec une fonctionnalité améliorée de réinscriptibilité électronique et la possibilité de les lire à travers des objets opaques. Nous présentons également différentes stratégies de codage de données pour ces nouveaux tags RFID sans puce ainsi qu’une modélisation circuit pour faciliter la conception. Enfin nous montrons qu’il est possible d’intégrer ces commutateurs dans d’autres circuits micro-ondes passifs tels que des antennes reconfigurables, des filtres et des commutateurs SPDT. Ces nouveaux dispositifs sont compatibles avec des applications dont la consommation énergétique doit être faible, c’est le cas par exemple pour les capteurs sans fils autonomes en énergie appliqués à l’internet des objets (IOT) ou à la technologie 5G. Pendant toute la durée de cette thèse, nous avons œuvré pour démocratiser cette nouvelle technologie de commutation non volatile en la rendant compatible avec des procédés d’impression d’encre métallique et diélectrique, à bas coût
This thesis presents new generation of electronically reconfigurable solid-state passive microwave devices based on ‘Conductive Bridging Random Access Memory / Metal – Insulator – Metal’ (CBRAM/MIM) switching technology. The work focuses on overcoming the main drawback of fully passive (that doesn’t need any energy to operate) microwave devices, which is electronic-reconfigurability. Indeed, on conventional microwaves devices, this functionality relies on the use of bulky switching devices requiring a large power, to be operated, and to maintain an impedance state (PIN, MEMS and similar). We propose a technique to make possible to reconfigure passive devices without the requirement of constant power supply (Non-Volatility) to maintain an impedance state. This profound feature distinguishes the CBRAM/MIM switches from classic RF switches as indicated above. Here we present two techniques to design and develop fully passive non-volatile and potentially printable CBRAM/MIM switches integrated into a microwave circuit using simple fabrication steps, on rigid as well as flexible substrates. In particular without using any ‘Clean Room’ technology and with process steps compatible for mass production.The proof of concept of this technique is presented through experimental realization of a solid state CPW shunt mode RF switch on classic FR-4 and paper substrates. Equivalent electrical models and their advantages in reducing the electromagnetic simulation budget are also demonstrated affirmatively. Then we show the integration of these switches for the development of rewritable chipless RFID tags. These tags are similar to an optical barcode, but with enhanced functionality of electronic re-writeablity, and out of optical line of sight readability. Analysis of possible data encoding strategies and equivalent circuit modelling, for aiding simplified real time application design is also presented herewith. In addition we also demonstrate the application, and advantage of integration of this switching technique in devices like reconfigurable antennas, filters and SPDT switches. These devices could be used for low power stand-alone devices, ranging from low-cost sensors, to IoT and 5G applications. In this research we present our efforts to democratize this switching technology till these electronically-reconfigurable solid-state passive microwave devices could be printed using a common house-hold printer with metallic and ion-conductor inks, at an economically efficient budget
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Palma, Giorgio. "Nouvelles Architectures Hybrides : Logique / Mémoires Non-Volatiles et technologies associées". Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00951384.

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Resumen
Les nouvelles approches de technologies mémoires permettront une intégration dite back-end, où les cellules élémentaires de stockage seront fabriquées lors des dernières étapes de réalisation à grande échelle du circuit. Ces approches innovantes sont souvent basées sur l'utilisation de matériaux actifs présentant deux états de résistance distincts. Le passage d'un état à l'autre est contrôlé en courant ou en tension donnant lieu à une caractéristique I-V hystérétique. Nos mémoires résistives sont composées d'argent en métal électrochimiquement actif et de sulfure amorphe agissant comme électrolyte. Leur fonctionnement repose sur la formation réversible et la dissolution d'un filament conducteur. Le potentiel d'application de ces nouveaux dispositifs n'est pas limité aux mémoires ultra-haute densité mais aussi aux circuits embarqués. En empilant ces mémoires dans la troisième dimension au niveau des interconnections des circuits logiques CMOS, de nouvelles architectures hybrides et innovantes deviennent possibles. Il serait alors envisageable d'exploiter un fonctionnement à basse énergie, à haute vitesse d'écriture/lecture et de haute performance telles que l'endurance et la rétention. Dans cette thèse, en se concentrant sur les aspects de la technologie de mémoire en vue de développer de nouvelles architectures, l'introduction d'une fonctionnalité non-volatile au niveau logique est démontrée par trois circuits hybrides: commutateurs de routage non volatiles dans un Field Programmable Gate Arrays, un 6T-SRAM non volatile, et les neurones stochastiques pour un réseau neuronal. Pour améliorer les solutions existantes, les limitations de la performances des dispositifs mémoires sont identifiés et résolus avec des nouveaux empilements ou en fournissant des défauts de circuits tolérants.
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Más fuentes

Libros sobre el tema "CBRAM"

1

Hearing on H.R. 2401, CBRA technical corrections; and H.R. 2556, to reauthorize the North American Wetlands Conservation Act of 1989: Hearing before the Subcommittee on Fisheries Conservation, Wildlife, and Oceans of the Committee on Resources, House of Representatives, One Hundred Fifth Congress, first session, October 23, 1997, Washington, DC. Washington: U.S. G.P.O., 1998.

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2

Thomas, Olivier y Jean-Michel Portal. Resistive Memories: From Materials to Circuits and Applications Inside OxRAM / CBRAM Technologies. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2020.

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3

Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre y Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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4

Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre y Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre y Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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6

Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre y Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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7

US GOVERNMENT. Hearing on H.R. 2401, CBRA technical corrections; and H.R. 2556, to reauthorize the North American Wetlands Conservation Act of 1989: Hearing before the ... session, October 23, 1997, Washington, DC. For sale by the U.S. G.P.O., Supt. of Docs., Congressional Sales Office, 1998.

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Capítulos de libros sobre el tema "CBRAM"

1

Celano, Umberto. "Reliability Threats in CBRAM". En Metrology and Physical Mechanisms in New Generation Ionic Devices, 143–50. Cham: Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-39531-9_6.

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2

Vianello, Elisa, Thilo Werner, Giuseppe Piccolboni, Daniele Garbin, Olivier Bichler, Gabriel Molas, Jean Michel Portal, Blaise Yvert, Barbara De Salvo y Luca Perniola. "Binary OxRAM/CBRAM Memories for Efficient Implementations of Embedded Neuromorphic Circuits". En Neuro-inspired Computing Using Resistive Synaptic Devices, 253–69. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-54313-0_13.

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3

Vianello, Elisa, Thilo Werner, Giuseppe Piccolboni, Daniele Garbin, Olivier Bichler, Gabriel Molas, Jean Michel Portal, Blaise Yvert, Barbara De Salvo y Luca Perniola. "Erratum to: Binary OxRAM/CBRAM Memories for Efficient Implementations of Embedded Neuromorphic Circuits". En Neuro-inspired Computing Using Resistive Synaptic Devices, E1. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-54313-0_14.

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4

Woo, Sanghyun, Jongchan Park, Joon-Young Lee y In So Kweon. "CBAM: Convolutional Block Attention Module". En Computer Vision – ECCV 2018, 3–19. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-01234-2_1.

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5

Suguna, Kota Yamini, H. Pallab Jyoti Dutta, M. K. Bhuyan y R. H. Laskar. "Hand Gesture Recognition Using CBAM-RetinaNet". En Communications in Computer and Information Science, 438–49. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-11349-9_38.

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6

Chen, Huasuo y Ge Jiao. "Deep Learning Image Steganalysis Method Fused with CBAM". En Lecture Notes in Electrical Engineering, 1175–84. Singapore: Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-6901-0_123.

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7

Saarinen, Markku-Juhani O. "CBEAM: Efficient Authenticated Encryption from Feebly One-Way ϕ Functions". En Topics in Cryptology – CT-RSA 2014, 251–69. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-04852-9_13.

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8

Kumar, Rajeev, Prashant Kumar y Naveen Chauhan. "CBRM – Cluster Based Replica Management in Mobile Adhoc Networks". En Lecture Notes in Computer Science, 338–47. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-29280-4_40.

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9

Qin, Jiaji, Dapeng Lang y Chao Gao. "Feature Extraction of Time Series Data Based on CNN-CBAM". En Communications in Computer and Information Science, 233–45. Singapore: Springer Nature Singapore, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-99-5968-6_17.

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10

Wang, Qingsong y Nianyin Yang. "Aspect-Based Sentiment Analysis via BERT and Multi-scale CBAM". En Advanced Data Mining and Applications, 211–25. Cham: Springer Nature Switzerland, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-46674-8_15.

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Actas de conferencias sobre el tema "CBRAM"

1

Piccolboni, G., M. Parise, G. Molas, A. Levisse, J. M. Portal, R. Coquand, C. Carabasse et al. "Vertical CBRAM (V-CBRAM): From Experimental Data to Design Perspectives". En 2016 IEEE International Memory Workshop (IMW). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/imw.2016.7495296.

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2

Robayo, D. Alfaro, C. Nail, G. Sassine, J. F. Nodin, M. Bernard, Q. Raffay, G. Ghibaudo, G. Molas y E. Nowak. "Statistical analysis of CBRAM endurance". En 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/vlsi-tsa.2018.8403856.

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3

Longnos, F., M. Reyboz, N. Jovanovic, A. Levisse, T. Benoist, G. Suraci, O. Thomas et al. "CBRAM corner analysis for robust design solutions". En 2014 14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/nvmts.2014.7060850.

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4

Gonzalez-Velo, Y., A. Mahmud, W. Chen, J. Taggart, H. J. Barnaby, M. N. Kozicki, M. Ailavajhala, K. E. Holbert y M. Mitkova. "TID Impact on Process Modified CBRAM Cells". En 2015 15th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/radecs.2015.7365685.

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5

Chatzinikolaou, Theodoros Panagiotis, Iosif-Angelos Fyrigos, Stavros Kitsios, Panagiotis Bousoulas, Michail-Antisthenis Tsompanas, Dimitris Tsoukalas y Georgios Ch Sirakoulis. "Unconventional Logic on Unipolar CBRAM Based Oscillators". En 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/nano54668.2022.9928664.

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6

Kobuchi, Daisuke, Romain Siragusa, Yoshiaki Narusue, Arnaud Vena y Etienne Perret. "Contactless Switching of a RF CBRAM Switch". En 2023 XXXVth General Assembly and Scientific Symposium of the International Union of Radio Science (URSI GASS). IEEE, 2023. http://dx.doi.org/10.23919/ursigass57860.2023.10265566.

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7

Muthuseenu, Kiraneswar, E. Carl Hylin, Hugh J. Barnaby, Priyanka Apsangi, Michael N. Kozicki, Garrett Schlenvogt y Mark Townsend. "TCAD Model for Ag-GeSe3-Ni CBRAM Devices". En 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2019.8870539.

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8

Belmonte, A., T. Witters, A. Covello, G. Vereecke, A. Franquet, V. Spampinato, S. Kundu et al. "Co Active Electrode Enhances CBRAM Performance and Scaling Potential". En 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993527.

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9

Jameson, J. R., P. Blanchard, C. Cheng, J. Dinh, A. Gallo, V. Gopalakrishnan, C. Gopalan et al. "Conductive-bridge memory (CBRAM) with excellent high-temperature retention". En 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/iedm.2013.6724721.

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Reyboz, M., S. Onkaraiah, G. Palma, E. Vianello y L. Perniola. "Compact model of a CBRAM cell in Verilog-A". En 2012 12th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/nvmts.2013.6632872.

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Informes sobre el tema "CBRAM"

1

Tolleson, Blayne, Matthew Marinella, Christopher Bennett, Hugh Barnaby, Donald Wilson y Jesse Short. Vector-Matrix Multiplication Engine for Neuromorphic Computation with a CBRAM Crossbar Array. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), febrero de 2022. http://dx.doi.org/10.2172/1846087.

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2

Bravo Gallegos, Maricruz, Harro van Asselt y Timothy Suljada. Swedish policy positions and perspectives on CBAM. Stockholm Environment Institute, 2022. http://dx.doi.org/10.51414/sei2022.004.

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3

Dreyer, K. A. CBEAM. 2-D: a two-dimensional beam field code. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), mayo de 1985. http://dx.doi.org/10.2172/5111880.

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4

Park, Cyn-Young, Yuya Yamamoto y Maria Anne Lorraine Doong. European Union Carbon Border Adjustment Mechanism: Economic Impact and Implications for Asia. Asian Development Bank, noviembre de 2023. http://dx.doi.org/10.22617/brf230561-2.

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Resumen
This brief assesses the impact of the European Union’s carbon tariffs on energy-intensive exports from Asia and the Pacific and shows how upgrading product value, boosting energy efficiency, and cutting emissions can help mitigate its effect. It explains how the Carbon Border Adjustment Mechanism (CBAM) is designed to prevent carbon leakage–where industries shift to countries with less stringent environmental rules. Providing a regional breakdown, the brief shows how sectors including Indian steel and Georgian fertilizer are among those hit. It outlines how steps such as developing and integrating regional carbon markets and increasing decarbonization can reduce countries’ CBAM risk exposure.
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Nord, Robert L., Mario R. Barbacci, Paul Clements, Rick Kazman y Mark Klein. Integrating the Architecture Tradeoff Analysis Method (ATAM) with the Cost Benefit Analysis Method (CBAM). Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, diciembre de 2003. http://dx.doi.org/10.21236/ada421615.

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Collado Van-Baumberghen, Natalia, Pedro Linares Llamas y Ángel Martínez Jorge. What will be the effect in Spain of the new EU emissions tax on imports? Esade EcPol, junio de 2023. http://dx.doi.org/10.56269/20230606/ncv.

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Resumen
The EU has adopted a Carbon Border Adjustment Mechanism (CBAM) that taxes imported products according to their emissions. Despite its importance in aligning incentives for decarbonisation between the European and global levels, it carries a double risk: reducing the competitiveness of European exports and raising the prices paid by consumers within the EU. In this policy brief we analyse both issues for Spain, noting that the most affected sectors would be the automotive and metalworking industries. For the agri-food industry, despite being another of the leading sectors in our international trade, the effect would be more moderate. Finally, the impact on households would be small and slightly progressive, with higher-income households, especially those in rural areas, facing higher costs.
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Linares Llamas, Pedro y Natalia Collado Van-Baumberghen. ¿Cuál va a ser el efecto en España del nuevo impuesto de la UE sobre las emisiones en las importaciones? Esade EcPol, junio de 2023. http://dx.doi.org/10.56269/20230602/pll.

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Resumen
La UE ha aprobado un Mecanismo de Ajuste en Frontera al Carbono (CBAM) que grava los productos importados en función de sus emisiones. Pese a su importancia para alinear incentivos para la descarbonización entre el nivel europeo y el global, trae un riesgo doble: reducir la competitividad de las exportaciones europeas y subir los precios que pagan los consumidores dentro de la UE. En este policy brief analizamos ambas cuestiones para España observando que los sectores más afectados serían el automovilístico y la metalurgia. Para la industria agroalimentaria, pese a ser otro de los sectores líderes de nuestro comercio internacional, el efecto sería más moderado. Finalmente, el impacto sobre los hogares sería pequeño y ligeramente progresivo siendo los de mayor renta, especialmente aquellos de entornos rurales, los que se enfrentan a mayores costes.
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Díaz, Lina M., Déborah Martínez Villarreal, Carlos Scartascini y Colombe Ladreit. Lowering Businesses' Carbon Footprint: Adoption of Eco-efficiency Indicators in Colombia and Peru. Inter-American Development Bank, abril de 2024. http://dx.doi.org/10.18235/0012905.

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Resumen
This document provides a guide for conducting behaviorally informed interventions to reduce businesses' carbon footprint. It draws insights from a pilot study within Colombia's textile industry and Peru's plastic industry. The study addresses the critical need for businesses to adapt to the challenges posed by climate change and transition risks, such as the European Union's Carbon Border Adjustment Mechanism (CBAM), which requires significant adaptations from companies in Latin America and the Caribbean to stay competitive. A key component of this study was developing and testing the "Green Tool," designed to assist companies in adopting eco-efficiency indicators (EEIs), which can be used as an input to measuring and lowering companies carbon footprint. Central to the intervention's success was a preliminary diagnosis stage that pinpointed specific behavioral barriers hindering the reduction of carbon footprints, including present bias and prevailing social norms. By combining a behaviorally informed communications strategy with mentorship, the intervention enhanced the adoption of EEIs among the businesses in the treatment group compared to those in the control group. This pilot study highlights the essential role of targeted interventions, mentorship, and the strategic application of behavioral tools in encouraging sustainable practices within the business sector. Furthermore, this guide demonstrates the effectiveness of behavioral interventions in supporting businesses to transition towards lower carbon footprints, showcasing a path forward in the global effort to combat climate change.
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