Bibliografías temáticas / CBRAM

Índice

  1. Artículos de revistas
  2. Tesis
  3. Libros
  4. Capítulos de libros
  5. Actas de conferencias
  6. Informes

Literatura académica sobre el tema "CBRAM"

Autor: Grafiati
Publicado: 4 de junio de 2021
Última modificación: 25 de mayo de 2024

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Artículos de revistas sobre el tema "CBRAM"

1

Cao, Haichao, and Hao Ren. "A 10-nm-thick silicon oxide based high switching speed conductive bridging random access memory with ultra-low operation voltage and ultra-low LRS resistance." Applied Physics Letters 120, no. 13 (2022): 133502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0085045.

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Resumen
In this paper, a silicon oxide based conductive bridging random access memory (CBRAM) with an ultra-low operation voltage, a high switching speed, and an ultra-low resistance at low resistance state (LRS) is reported. The CBRAM has a sandwich structure with platinum and copper as electrode layers and an ultra-thin 10-nm-thick silicon oxide film as an insulating switching layer. The CBRAMs are fabricated with CMOS compatible materials and processes. DC I–V sweep characterizations show an ultra-low SET/RESET voltage of 0.35 V/−0.05 V, and the RESET voltage is the lowest among all ultra-low volta
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2

Abbas, Haider, Jiayi Li, and Diing Shenp Ang. "Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM): Challenges and Opportunities for Memory and Neuromorphic Computing Applications." Micromachines 13, no. 5 (2022): 725. http://dx.doi.org/10.3390/mi13050725.

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Resumen
Due to a rapid increase in the amount of data, there is a huge demand for the development of new memory technologies as well as emerging computing systems for high-density memory storage and efficient computing. As the conventional transistor-based storage devices and computing systems are approaching their scaling and technical limits, extensive research on emerging technologies is becoming more and more important. Among other emerging technologies, CBRAM offers excellent opportunities for future memory and neuromorphic computing applications. The principles of the CBRAM are explored in depth
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3

Cha, Jun-Hwe, Sang Yoon Yang, Jungyeop Oh, et al. "Conductive-bridging random-access memories for emerging neuromorphic computing." Nanoscale 12, no. 27 (2020): 14339–68. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr01671c.

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4

Kim, Hae Jin. "Recent Progress of the Cation Based Conductive Bridge Random Access Memory." Ceramist 26, no. 1 (2023): 90–105. http://dx.doi.org/10.31613/ceramist.2023.26.1.07.

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Resumen
Demand for new computing systems equipped with ultra-high-density memory storage and new computer architecture is rapidly increasing with the tremendous increment of the amount of data produced and/or reproduced. In particular, the requirement for technology development is growing as conventional storage devices face the physical limitations for scaling down and the data bottleneck that the Von Neumann architecture increases. Among the recent emerging memory devices, the conductive bridge random access memory (CBRAM) has superior switching properties and excellent scalability to be adopted as
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5

Hsu, Chih-Chieh, Po-Tsun Liu, Kai-Jhih Gan, Dun-Bao Ruan, and Simon M. Sze. "Oxygen Concentration Effect on Conductive Bridge Random Access Memory of InWZnO Thin Film." Nanomaterials 11, no. 9 (2021): 2204. http://dx.doi.org/10.3390/nano11092204.

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Resumen
In this study, the influence of oxygen concentration in InWZnO (IWZO), which was used as the switching layer of conductive bridge random access memory, (CBRAM) is investigated. With different oxygen flow during the sputtering process, the IWZO film can be fabricated with different oxygen concentrations and different oxygen vacancy distribution. In addition, the electrical characteristics of CBRAM device with different oxygen concentration are compared and further analyzed with an atomic force microscope and X-ray photoelectron spectrum. Furthermore, a stacking structure with different bilayer
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6

Goux, Ludovic, Janaki Radhakrishnan, Attilio Belmonte, et al. "Key material parameters driving CBRAM device performances." Faraday Discussions 213 (2019): 67–85. http://dx.doi.org/10.1039/c8fd00115d.

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Resumen
This study is focused on Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) devices based on chalcogenide electrolyte and Cu-supply materials, and aims at identifying the key material parameters controlling memory properties.
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7

Aziz, Jamal, Honggyun Kim, and Deok-Kee Kim. "(Digital Presentation) Power Efficient Transistors with Low Subthreshold Swing Using Abrupt Switching Devices." ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no. 35 (2022): 1283. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351283mtgabs.

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Resumen
With the rapid development of transparent integrated circuits, transistors with extremely low subthreshold swing (SS) is becoming a necessary requirement. Here, we fabricated three transparent device structures that show abrupt electrical switching and make their series connection to the source terminal of the conventional field effect transistors (FET) to lower the SS value. Firstly, we demonstrate an environment friendly, disposable, and transparent conductive bridge random access memory (CBRAM) device composed of a cellulose nanocrystals active layer. Our CBRAM consists of a silver (Ag) ele
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8

Merkel, Cory, Dhireesha Kudithipudi, Manan Suri, and Bryant Wysocki. "Stochastic CBRAM-Based Neuromorphic Time Series Prediction System." ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems 13, no. 3 (2017): 1–14. http://dx.doi.org/10.1145/2996193.

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9

Suri, Manan, Damien Querlioz, Olivier Bichler, et al. "Bio-Inspired Stochastic Computing Using Binary CBRAM Synapses." IEEE Transactions on Electron Devices 60, no. 7 (2013): 2402–9. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2263000.

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Rehman, Shania, Muhammad Farooq Khan, Sikandar Aftab, Honggyun Kim, Jonghwa Eom, and Deok-kee Kim. "Thickness-dependent resistive switching in black phosphorus CBRAM." Journal of Materials Chemistry C 7, no. 3 (2019): 725–32. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc04538k.

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Más fuentes

Tesis sobre el tema "CBRAM"

1

Saadi, Mohamed. "Etude des mécanismes de commutation de résistance dans des dispositifs Métal (Ag) / Isolant (HfO2) / Métal, application aux mémoires résistives à pont conducteur (CBRAMs)." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT021/document.

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Resumen
Actuellement, l'étude et le développement d'oxydes à commutation de résistance pour des dispositifs mémoires (Resistive RAM, ou ReRAM) constituent un domaine d'activité intense sur le plan international. Les ReRAMs sont des structures MIM (Métal-Isolant-Métal) dont la résistance peut être modulée par l’application d’une tension. A ce jour, les mécanismes qui régissent la transition de résistance dans les dispositfs ReRAM sont toujours l’objet de débats. Le travail développé dans cette thèse représente une contribution au développement des mémoires ReRAM à base de HfO2. Nous nous intéressons pl
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2

Nail, Cécile. "Etude de mémoire non-volatile hybride CBRAM OXRAM pour faible consommation et forte fiabilité." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT010/document.

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Resumen
À mesure que les technologies de l'information (IT) continuent de croître, les dispositifs mémoires doivent évoluer pour répondre aux exigences du marché informatique. De nos jours, de nouvelles technologies émergent et entrent sur le marché. La mémoire Resistive Random Access Memory (RRAM) fait partie de ces dispositifs émergents et offre de grands avantages en termes de consommation d'énergie, de performances, de densité et la possibilité d'être intégrés en back-end. Cependant, pour être compétitif, certains problèmes doivent encore être surmontés en particulier en ce qui concerne la variabi
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3

Alfaro, robayo Diego. "Mémoires resistives pour applications Storage Class Memory (SCM)." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03103308.

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Resumen
Dans les architectures classiques dites de Von-Neumann pour des systèmes d'information, les blocs de mémoire et de traitement sont séparés. Pour le premier, les temps d'accès sont beaucoup plus importants. Afin d'optimiser les performances, une hiérarchie de mémoire a été mise en place. Elle combine des technologies coûteuses, de petite taille, mais très performantes en termes de vitesse; avec d'autres plus larges, à bas coûts per bit, mais plus lentes. Dans une telle hiérarchie, un gap important existe en termes de temps d'accès et capacité de stockage entre les blocs de mémoire les plus bas
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4

Kazar, Mendes Munique. "X-ray photoelectron spectroscopy investigations of resistive switching in Te-based CBRAMs." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS285/document.

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Resumen
Les mémoires à pont conducteur (CBRAM) sont une option actuellement étudiée pour la prochaine génération de mémoires non volatiles. Le stockage des données est basé sur la commutation de la résistivité entre les états de résistance élevée (HRS) et faible (LRS). Sous polarisation électrique, on suppose qu'un trajet conducteur est créé par la diffusion des ions de l'électrode active dans l'électrolyte solide. Récemment, une attention particulière a été portée sur les dispositifs contenant un élément semi-conducteur tel que le tellure, fonctionnant avec des courants réduits et présentant moins de
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5

Rebora, Charles. "Développement de matrices mémoires non-volatiles sur support flexible pour les circuits électroniques imprimés." Thesis, Aix-Marseille, 2017. http://www.theses.fr/2017AIXM0643.

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Resumen
Le marché de l’électronique flexible devrait atteindre un chiffre d’affaire de plus de 10 milliards de dollars à l’horizon 2020. La réalisation de circuits dotés de flexibilité mécanique accompagnera l’essor de nouvelles applications liées à l’internet des objets ou à l’électronique grande surface. Après la logique, la mémoire est un organe fondamental de tout système électronique. Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés au développement de mémoires non-volatiles de type CBRAM (Conductive Bridge Random Acces Memory) pour les applications électroniques flexibles. Ces mémoires possèdent un
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6

Liaw, Corvin [Verfasser]. "Investigation of a New Memory Technology : The Conductive Bridging Random Access Memory Technology (CBRAM) / Corvin Liaw." Aachen : Shaker, 2007. http://d-nb.info/1164339516/34.

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7

Longnos, Florian. "Etude et optimisation des performances électriques et de la fiabilité de mémoires résistives à pont conducteur à base de chalcogénure/Ag ou d'oxyde métallique/Cu." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT046.

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Resumen
Les mémoires non-volatiles sont devenues récemment un moteur clé de la croissance du secteur des semiconducteurs, et constituent un pivot pour les nouvelles applications et les nouveaux concepts dans le domaine des technologies de l'information et de la communication (TIC). Afin de surmonter les limites en termes de miniaturisation, de consommation électrique et de complexité de fabrication des mémoires non-volatiles à grille flottante (FLASH), l'industrie des semiconducteurs évalue actuellement des solutions alternatives. Parmi celles-ci, les mémoires résistives à pont conducteur ou CBRAM (Co
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8

Guy, Jérémy. "Evaluation des performances des mémoires CBRAM (Conductive bridge memory) afin d’optimiser les empilements technologiques et les solutions d’intégration." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT127/document.

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Resumen
Ces dernières décennies, la constante évolution des besoins de stockage de données a mené à un bouleversement du paysage technologique qui s’est complètement métamorphosé et réinventé. Depuis les débuts du stockage magnétique jusqu’aux plus récents dispositifs fondés sur l’électronique dit d’état solide, la densité de bits stockés continue d’augmenter vers ce qui semble du point de vue du consommateur comme des capacités de stockage et des performances infinies. Cependant, derrière chaque transition et évolution des technologies de stockage se cachent des limitations en termes de densité et pe
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Methapettyparambu, purushothama Jayakrishnan. "Nouvelle génération de dispositifs hyperfréquences passifs reconfigurables électroniquement basés sur la technologie de commutation CBRAM non volatile." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT086.

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Resumen
Cette thèse présente une nouvelle génération de dispositifs hyperfréquences passifs, reconfigurables électroniquement, basés sur la technologie de commutation ‘Conductive Bridging Random Access Random'(CBRAM). Le travail présenté dans cette thèse a pour objectif de s’affranchir du principal inconvénient des dispositifs hyperfréquences entièrement passifs (ne nécessitant pas de batterie pour fonctionner), à savoir la reconfigurabilité électronique. En effet, sur les dispositifs radiofréquences classiques, cette fonctionnalité repose sur l'utilisation de composants de commutation plus ou moins e
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Palma, Giorgio. "Nouvelles Architectures Hybrides : Logique / Mémoires Non-Volatiles et technologies associées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00951384.

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Resumen
Les nouvelles approches de technologies mémoires permettront une intégration dite back-end, où les cellules élémentaires de stockage seront fabriquées lors des dernières étapes de réalisation à grande échelle du circuit. Ces approches innovantes sont souvent basées sur l'utilisation de matériaux actifs présentant deux états de résistance distincts. Le passage d'un état à l'autre est contrôlé en courant ou en tension donnant lieu à une caractéristique I-V hystérétique. Nos mémoires résistives sont composées d'argent en métal électrochimiquement actif et de sulfure amorphe agissant comme électro
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Más fuentes

Libros sobre el tema "CBRAM"

1

Hearing on H.R. 2401, CBRA technical corrections; and H.R. 2556, to reauthorize the North American Wetlands Conservation Act of 1989: Hearing before the Subcommittee on Fisheries Conservation, Wildlife, and Oceans of the Committee on Resources, House of Representatives, One Hundred Fifth Congress, first session, October 23, 1997, Washington, DC. U.S. G.P.O., 1998.

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2

Thomas, Olivier, and Jean-Michel Portal. Resistive Memories: From Materials to Circuits and Applications Inside OxRAM / CBRAM Technologies. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2020.

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3

Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre, and Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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4

Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre, and Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre, and Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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6

Purushothama, Jayakrishnan M., Etienne Perre, and Arnaud Vena. Non-Volatile CBRAM/MIM Switching Technology for Electronically Reconfigurable Passive Microwave Devices: Theory and Methods for Application in Rewrita. Wiley & Sons, Incorporated, John, 2022.

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7

US GOVERNMENT. Hearing on H.R. 2401, CBRA technical corrections; and H.R. 2556, to reauthorize the North American Wetlands Conservation Act of 1989: Hearing before the ... session, October 23, 1997, Washington, DC. For sale by the U.S. G.P.O., Supt. of Docs., Congressional Sales Office, 1998.

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Capítulos de libros sobre el tema "CBRAM"

1

Celano, Umberto. "Reliability Threats in CBRAM." In Metrology and Physical Mechanisms in New Generation Ionic Devices. Springer International Publishing, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-39531-9_6.

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2

Vianello, Elisa, Thilo Werner, Giuseppe Piccolboni, et al. "Binary OxRAM/CBRAM Memories for Efficient Implementations of Embedded Neuromorphic Circuits." In Neuro-inspired Computing Using Resistive Synaptic Devices. Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-54313-0_13.

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3

Vianello, Elisa, Thilo Werner, Giuseppe Piccolboni, et al. "Erratum to: Binary OxRAM/CBRAM Memories for Efficient Implementations of Embedded Neuromorphic Circuits." In Neuro-inspired Computing Using Resistive Synaptic Devices. Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-54313-0_14.

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4

Woo, Sanghyun, Jongchan Park, Joon-Young Lee, and In So Kweon. "CBAM: Convolutional Block Attention Module." In Computer Vision – ECCV 2018. Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-01234-2_1.

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5

Suguna, Kota Yamini, H. Pallab Jyoti Dutta, M. K. Bhuyan, and R. H. Laskar. "Hand Gesture Recognition Using CBAM-RetinaNet." In Communications in Computer and Information Science. Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-11349-9_38.

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6

Chen, Huasuo, and Ge Jiao. "Deep Learning Image Steganalysis Method Fused with CBAM." In Lecture Notes in Electrical Engineering. Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-6901-0_123.

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7

Saarinen, Markku-Juhani O. "CBEAM: Efficient Authenticated Encryption from Feebly One-Way ϕ Functions." In Topics in Cryptology – CT-RSA 2014. Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-04852-9_13.

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8

Kumar, Rajeev, Prashant Kumar, and Naveen Chauhan. "CBRM – Cluster Based Replica Management in Mobile Adhoc Networks." In Lecture Notes in Computer Science. Springer Berlin Heidelberg, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-29280-4_40.

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9

Qin, Jiaji, Dapeng Lang, and Chao Gao. "Feature Extraction of Time Series Data Based on CNN-CBAM." In Communications in Computer and Information Science. Springer Nature Singapore, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-99-5968-6_17.

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10

Wang, Qingsong, and Nianyin Yang. "Aspect-Based Sentiment Analysis via BERT and Multi-scale CBAM." In Advanced Data Mining and Applications. Springer Nature Switzerland, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-46674-8_15.

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Actas de conferencias sobre el tema "CBRAM"

1

Piccolboni, G., M. Parise, G. Molas, et al. "Vertical CBRAM (V-CBRAM): From Experimental Data to Design Perspectives." In 2016 IEEE International Memory Workshop (IMW). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/imw.2016.7495296.

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2

Robayo, D. Alfaro, C. Nail, G. Sassine, et al. "Statistical analysis of CBRAM endurance." In 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/vlsi-tsa.2018.8403856.

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3

Longnos, F., M. Reyboz, N. Jovanovic, et al. "CBRAM corner analysis for robust design solutions." In 2014 14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/nvmts.2014.7060850.

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4

Gonzalez-Velo, Y., A. Mahmud, W. Chen, et al. "TID Impact on Process Modified CBRAM Cells." In 2015 15th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/radecs.2015.7365685.

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5

Chatzinikolaou, Theodoros Panagiotis, Iosif-Angelos Fyrigos, Stavros Kitsios, et al. "Unconventional Logic on Unipolar CBRAM Based Oscillators." In 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/nano54668.2022.9928664.

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6

Kobuchi, Daisuke, Romain Siragusa, Yoshiaki Narusue, Arnaud Vena, and Etienne Perret. "Contactless Switching of a RF CBRAM Switch." In 2023 XXXVth General Assembly and Scientific Symposium of the International Union of Radio Science (URSI GASS). IEEE, 2023. http://dx.doi.org/10.23919/ursigass57860.2023.10265566.

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7

Muthuseenu, Kiraneswar, E. Carl Hylin, Hugh J. Barnaby, et al. "TCAD Model for Ag-GeSe3-Ni CBRAM Devices." In 2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2019.8870539.

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8

Belmonte, A., T. Witters, A. Covello, et al. "Co Active Electrode Enhances CBRAM Performance and Scaling Potential." In 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993527.

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9

Jameson, J. R., P. Blanchard, C. Cheng, et al. "Conductive-bridge memory (CBRAM) with excellent high-temperature retention." In 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/iedm.2013.6724721.

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Reyboz, M., S. Onkaraiah, G. Palma, E. Vianello, and L. Perniola. "Compact model of a CBRAM cell in Verilog-A." In 2012 12th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/nvmts.2013.6632872.

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Informes sobre el tema "CBRAM"

1

Tolleson, Blayne, Matthew Marinella, Christopher Bennett, Hugh Barnaby, Donald Wilson, and Jesse Short. Vector-Matrix Multiplication Engine for Neuromorphic Computation with a CBRAM Crossbar Array. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 2022. http://dx.doi.org/10.2172/1846087.

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2

Bravo Gallegos, Maricruz, Harro van Asselt, and Timothy Suljada. Swedish policy positions and perspectives on CBAM. Stockholm Environment Institute, 2022. http://dx.doi.org/10.51414/sei2022.004.

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3

Dreyer, K. A. CBEAM. 2-D: a two-dimensional beam field code. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1985. http://dx.doi.org/10.2172/5111880.

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4

Park, Cyn-Young, Yuya Yamamoto, and Maria Anne Lorraine Doong. European Union Carbon Border Adjustment Mechanism: Economic Impact and Implications for Asia. Asian Development Bank, 2023. http://dx.doi.org/10.22617/brf230561-2.

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Resumen
This brief assesses the impact of the European Union’s carbon tariffs on energy-intensive exports from Asia and the Pacific and shows how upgrading product value, boosting energy efficiency, and cutting emissions can help mitigate its effect. It explains how the Carbon Border Adjustment Mechanism (CBAM) is designed to prevent carbon leakage–where industries shift to countries with less stringent environmental rules. Providing a regional breakdown, the brief shows how sectors including Indian steel and Georgian fertilizer are among those hit. It outlines how steps such as developing and integra
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Nord, Robert L., Mario R. Barbacci, Paul Clements, Rick Kazman, and Mark Klein. Integrating the Architecture Tradeoff Analysis Method (ATAM) with the Cost Benefit Analysis Method (CBAM). Defense Technical Information Center, 2003. http://dx.doi.org/10.21236/ada421615.

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6

Collado Van-Baumberghen, Natalia, Pedro Linares Llamas, and Ángel Martínez Jorge. What will be the effect in Spain of the new EU emissions tax on imports? Esade EcPol, 2023. http://dx.doi.org/10.56269/20230606/ncv.

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Resumen
The EU has adopted a Carbon Border Adjustment Mechanism (CBAM) that taxes imported products according to their emissions. Despite its importance in aligning incentives for decarbonisation between the European and global levels, it carries a double risk: reducing the competitiveness of European exports and raising the prices paid by consumers within the EU. In this policy brief we analyse both issues for Spain, noting that the most affected sectors would be the automotive and metalworking industries. For the agri-food industry, despite being another of the leading sectors in our international t
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7

Linares Llamas, Pedro, and Natalia Collado Van-Baumberghen. ¿Cuál va a ser el efecto en España del nuevo impuesto de la UE sobre las emisiones en las importaciones? Esade EcPol, 2023. http://dx.doi.org/10.56269/20230602/pll.

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Resumen
La UE ha aprobado un Mecanismo de Ajuste en Frontera al Carbono (CBAM) que grava los productos importados en función de sus emisiones. Pese a su importancia para alinear incentivos para la descarbonización entre el nivel europeo y el global, trae un riesgo doble: reducir la competitividad de las exportaciones europeas y subir los precios que pagan los consumidores dentro de la UE. En este policy brief analizamos ambas cuestiones para España observando que los sectores más afectados serían el automovilístico y la metalurgia. Para la industria agroalimentaria, pese a ser otro de los sectores líd
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Díaz, Lina M., Déborah Martínez Villarreal, Carlos Scartascini, and Colombe Ladreit. Lowering Businesses' Carbon Footprint: Adoption of Eco-efficiency Indicators in Colombia and Peru. Inter-American Development Bank, 2024. http://dx.doi.org/10.18235/0012905.

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This document provides a guide for conducting behaviorally informed interventions to reduce businesses' carbon footprint. It draws insights from a pilot study within Colombia's textile industry and Peru's plastic industry. The study addresses the critical need for businesses to adapt to the challenges posed by climate change and transition risks, such as the European Union's Carbon Border Adjustment Mechanism (CBAM), which requires significant adaptations from companies in Latin America and the Caribbean to stay competitive. A key component of this study was developing and testing the "Green T
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