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Bibliografías temáticas / Matériau diélectrique à haute permittivité

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Tesis

Literatura académica sobre el tema "Matériau diélectrique à haute permittivité"

Autor: Grafiati

Publicado: 23 de noviembre de 2024

Última modificación: 31 de julio de 2025

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Tesis sobre el tema "Matériau diélectrique à haute permittivité"

1

Baudot, Sylvain. "Elaboration et caractérisation des grilles métalliques pour les technologiesCMOS 32 / 28 nm à base de diélectrique haute permittivité." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT122/document.

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Resumen

Cette thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation des grilles métalliques en TiN, aluminium et lanthane pour les technologies CMOS gate-first à base d'oxyde high-k HfSiON. L'effet de l'épaisseur et de la composition des dépôts métalliques a été caractérisé sur les paramètres de la technologie 32/28nm. Ces résultats ont été reliés à une variation de travail de sortie au vide du TiN, à des dipôles induits par l'Al et le La à l'interface HfSiON/SiON et à leur diminution aux petites épaisseurs de SiON (roll-off). Nous avons montré que l'aluminium déposé sous forme métallique dans le TiN ca

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2

Aulagner, Emmanuel. "Elaboration et étude des propriétés diélectriques de films minces de polyfluorure de vinylidène et de polypropylène chargés d'une céramique à haute permittivité relative." Saint-Etienne, 1996. http://www.theses.fr/1996STET4002.

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Resumen

Des films de polyfluorure de vinylidène et de polypropylène, chargés en titanate de baryum, sont réalisés par extrusion. Les propriétés diélectriques de ces films sont mesurées dans différentes conditions. Les films à matrice PVDF présentent les meilleures caractéristiques pour une application de stockage d'énergie. L'évolution de la permittivité relative et de la rigidité diélectrique en fonction du taux volumique de charge, sont modélisées respectivement par la théorie de la percolation et par un modèle semi-empirique. Les mélanges sont étudiés en rhéométrie dynamique et capillaire. Les inte

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3

Di, Geronimo Camacho Elizabeth Carolina. "Synthesis, high-pressure study and dielectric characterization of two lead-free perovskite materials : SrTi1-xZrxO3 and KNb1-xTaxO3." Thesis, Montpellier, 2016. http://www.theses.fr/2016MONTT208/document.

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Resumen

Les matériaux de structure pérovskite de formule générale ABO3 sont les ferroélectriques les plus étudiés pour leurs propriétés intéressantes dans de nombreuses applications technologiques. Cependant leurs propriétés sont directement reliées à la structure et sont fortement conditionnées par les transitions de phases qui dépendent de la température, de la composition chimique et de la pression. Dans le manuscrit de thèse, le comportement sous haute pression de deux matériaux pérovskite SrTi1-xZrxO3 (STZ) et KNb1-XTaXO3 (KNT) est étudié et différentes techniques de frittage pour améliorer la de

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4

Ihara, Kou. "Οptimizing οf metal-insulatοr-metal capacitοrs perfοrmances by atοmic layer depοsitiοn : advancing prοductiοn efficiency and thrοughput". Electronic Thesis or Diss., Normandie, 2024. http://www.theses.fr/2024NORMC218.

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Resumen

À mesure que la technologie des semi-conducteurs progresse, la nécessité de surmonter les limitations de la réduction des tailles de dispositifs est considérée comme primordiale. Bien que la loi de Moore ait guidé cette évolution au cours des cinq dernières décennies, les contraintes des composants actifs sont désormais évidentes à mesure que les processus de fabrication approchent de l'échelle atomique. L'approche "More Than Moore" a émergé pour y remédier, mettant l'accent sur l'intégration et la miniaturisation de puces hétérogènes afin de permettre l'empilement de diverses fonctionnalités

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5

Lacrevaz, Thierry. "Caractérisation hyperfréquences de matériaux isolants de haute permittivité en vue de l'intégration de fonctions passives dans les circuits intégrés avancés." Chambéry, 2005. http://www.theses.fr/2005CHAMS036.

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Resumen

Pour améliorer les performances des circuits intégrés rapides, densité d'intégration, vitesse et fiabilité, des matériaux à permittivité élevée sont introduits dans la conception des capacités Métal-Isolant-Métal (MIM) pour augmenter la capacité surfacique et ainsi diminuer leurs tailles. De nombreux diélectriques tels que Si3N4, Ta2O5, HfO2 ou STO paraissent appropriés compte tenu de leurs caractéristiques à basses fréquences. Cependant, la permittivité complexe εr (permittivité réelle εr ' et pertes εr ") des isolants peut varier avec la fréquence : des phénomènes de relaxation et de résonan

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6

Delhaye, Gabriel. "Oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique épitaxiés sur silicium : SrO et SrTiO3." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2006. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/gdelhaye.pdf.

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Resumen

L’étude de la croissance épitaxiale d’oxydes cristallins sur silicium présente un grand intérêt pour les technologies CMOS du futur ou l’intégration monolithique sur Si : la miniaturisation continue des composants de la microélectronique devrait conduire, pour les nœuds technologiques sub-22 nm, au remplacement de la silice comme oxyde de grille par des oxydes cristallins à haute permittivité diélectrique afin de limiter les fuites par effet tunnel. La maîtrise de la croissance d'oxydes cristallins doit aussi permettre l'intégration sur silicium d’oxydes fonctionnels à propriétés ferroélectriq

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7

Boussatour, Ghizlane. "Caractérisation diélectrique et thermique de films biopolymères pour l’électronique flexible haute fréquence." Thesis, Lille 1, 2019. http://www.theses.fr/2019LIL1I015/document.

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Resumen

Les matériaux biopolymères sont l’objet d’un engouement très fort pour des applications très variées dans de nombreux domaines d’activités où ils remplacent de plus en plus les polymères pétrosourcés. Compte tenu de leurs propriétés, parmi lesquelles la biocompatibilité, la biodégradabilité, la flexibilité et la légèreté, ils suscitent un intérêt croissant dans le domaine de l’électronique. Néanmoins, leur possible intégration dans l’électronique haute fréquence passe par l’étude de propriétés importantes telles que la conductivité thermique et la permittivité diélectrique complexe. Dans ce tr

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8

Charbonnier, Matthieu. "Etude du travail de sortie pour les empilements nanométriques diélectrique haute permittivité / grille métallique." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0016.

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Resumen

Cette thèse traite de l’étude des variations du travail de sortie effectif du métal de grille dans les empilements High-κ / Grille métal. Pour ce faire, nous avons étudié et développé des techniques de caractérisation électrique dont, notamment, l’étude de la réponse capacitive des structures MOS et la mesure du courant de photoémission interne. Ces techniques nous ont permis d’isoler les différentes composantes du travail de sortie effectif du métal de grille. Nous avons ainsi démontré que le ces variations viennent principalement d’un dipôle à l’interface High-κ / SiO2. De plus, nous avons m

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9

Fuinel, Cécile. "Étude des potentialités de la transduction diélectrique de haute permittivité pour les résonateurs NEMS et MEMS." Thesis, Toulouse 3, 2018. http://www.theses.fr/2018TOU30302/document.

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Resumen

L'essor du marché des MicroSystèmes ElectroMécaniques (MEMS : MicroElectroMechanial Systems) durant les deux dernières décennies s'est accompagné d'efforts de recherche soutenus pour élargir leurs champs d'application. Employés comme capteurs gravimétriques, des microstructures vibrant à la résonance permettent une détection ultrasensible pouvant aller jusqu'à la masse d'un seul proton pour les plus ultimes d'entre elles. Les capteurs MEMS gravimétriques fonctionnalisés apparaissent alors comme une alternative sans marquage aux technologies existantes de détection d'analytes chimiques et biolo

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10

Djebara, Lotfi. "Concept, réalisation et étude d'un matériau composite intégrable au procédé de fabrication des condensateurs de haute performance." Nantes, 2006. http://www.theses.fr/2006NANT2010.

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Resumen

For their use in high technology equipments, tantalum capacitors are required to have low Equivalent Series Resistance (ESR). The purpose of this work is to study a stable doped polymer for a possible replacement of MnO2, a poor conductor material used as a cathode. We have first studied the behaviour of Ta2O5 oxides, especially their dielectric strength, the effect of thermal annealing and chemical elements incorporation. We have shown that the stability and the good electric conductivity of PEDT polymer are suitable for its using as a cathode material. During the capacitor realization, the f

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