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Rozprawy doktorskie na temat „Diffraction des rayons-X à incidence rasante”

Autor: Grafiati
Data publikacji: 26 października 2024
Data aktualizacji: 31 lipca 2025

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VERON, MARIE-BENOITE. "Etude des reconstructions de surface de cdte par diffraction de rayons x et d'electrons en incidence rasante." Paris 6, 1996. http://www.theses.fr/1996PA066428.

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Streszczenie:
Le travail de cette these porte sur l'etude des trois phases de surface de cdte (001) en fonction de la temperature par deux techniques: la diffraction de rayons x en incidence rasante (gixd) pour l'obtention des parametres structuraux et la diffraction d'electrons rapides (rheed) pour des etudes in-situ dans le bati d'epitaxie. L'etude par gixd de la phase mixte c(2x2)+(2x1) a mis en evidence une tres forte anisotropie de taille des domaines reconstruits, intrinseque a cette phase et due a la presence de parois d'antiphase, observees par de microscopie a effet tunnel. Les mesures de gixd ont
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2

Bensaid, Abdelmounim. "Etudes de couches minces par diffraction et fluorescence des rayons X en incidence très rasante : application au silicium poreux et au silicium sur alumine." Grenoble 1, 1988. http://www.theses.fr/1988GRE10144.

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Streszczenie:
L'utilisation d'un faisceau RX en incidence très rasante permet d'éviter les effets dûs au support. Application à la caractérisation de couches de Si poreux. Au cours de cette étude : Détermination de la densité en surface des couches, mise en évidence de la présence de pores et détermination de leur taille, étude de l'influence de ces pores sur le paramètre cristallin. L'étude de l'épitaxie Si/corindon a montré la possibilité d'utiliser les RX en incidence rasante pour le trace de profils de densité en profondeur et pour l'étude des variations structurales à l'interface
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GOUDOT, ANNE. "Structures microscopiques dans les films de langmuir d'acides carboxyliques fluores. Etude par diffraction en incidence rasante et reflectivite des rayons x." Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066104.

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Ce travail porte sur des films de langmuir d'acides carboxyliques a chaines perfluorees (c#1#1f#2#3cooh) ou mixtes fluorees/hydrocarbonees (c#1#0f#2#1ch#2cooh, c#8f#1#7(ch#2)#2cooh, c#8f#1#7(ch#2)#4cooh et c#8f#1#7(ch#2)#1#0cooh). Leurs diagrammes de phase ont ete etudies par des mesures d'isothermes de pression de surface, de reflectivite x et de diffraction x en incidence rasante. Nous montrons que les diagrammes de phase des films des acides c#1#1f#2#3cooh et c#1#0f#2#1ch#2cooh sont simplifies par rapport a ceux, complexes, des films d'acides gras fluorees qu'entre chaines hydrocarbones: ce
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ETGENS, VICTOR. "Etapes de la croissance epitaxiale par jets moleculaires de znte sur gaas(001) : une etude par diffraction de rayons-x sous incidence rasante." Paris 6, 1991. http://www.theses.fr/1991PA066111.

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La diffraction des rayons x sous incidence rasante a ete utilisee pour l'etude du debut de l'heteroepitaxie de semi-conducteurs ii-vi sur gaas(001) prepares par epitaxie de jets moleculaires. Les mesures ont ete faites a lure-orsay en utilisant le rayonnement produit par l'anneau de stockage dci. La procedure suivie a ete tout d'abord l'etude de la transition de phase entre les surfaces propres de gaas(001) riches en arsenic c(44)-24 in situ, puis celle des etats precurseurs de te-gaas(001) notamment ceux produit sur les surfaces gaas(001) riches en as (te-gaas 21 et 61) jusqu'a l'heteroepitax
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Leroy, Frédéric. "Diffusion centrale des rayons X en incidence rasante appliquée à l'étude in situ de la croissance de nanostructures : Vers la croissance auto-organisée." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00007372.

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La diffusion centrale des rayons X en incidence rasante a été appliquée à l'étude in situ de la croissance de nano-objets supportés. En s'appuyant sur une analyse quantitative des mesures expérimentales, la forme, la taille, l'orientation et la distance entre les nanostructures ont été déterminées. Nous avons appliqué cette technique à la caractérisation de la croissance d'agrégats de palladium sur MgO(001). La confrontation des résultats obtenus avec ceux déduits des clichés de microscopie électronique à transmission a permis de valider l'analyse. Plus particulièrement l'énergie d'interface e
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BROSSARD, FABIEN. "Etudes in-situ d'interfaces creees par voie electrochoimique par les techniques d'ondes stationnaires de rayons x et de diffraction de surface sous incidence rasante." Paris 7, 1997. http://www.theses.fr/1997PA077183.

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Les etudes des interfaces electrochimiques realisees in-situ, a l'aide des techniques de diffraction de rayons x ont, depuis une dizaine d'annees, pris une importance considerable dans la determination structurale de ces interfaces. Les proprietes structurales de la surface si-h(111) ont dicte le choix de cette orientation, tandis que la qualite cristalline du substrat de silicium a permis d'utiliser la technique des ondes stationnaires de rayons x afin d'etudier deux types d'interfaces. La jonction schottky realisee lors du depot de nickel requerant une trop grande epaisseur n'a pu etre carac
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Bensaid, Abdelmounim. "Etude de couches minces par diffraction et fluorescence des rayons X en incidence très rasante application au silicium poreux et au silicium sur alumine /." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37611777b.

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Jedrecy, Nathalie. "Etude de surfaces reconstruites et d'heteroepitaxies par diffraction des rayons x en ultra-vide sous incidence rasante gaas(001), de si(001) jusqu'a l'heteroepitaxie gaas/si." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066179.

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Streszczenie:
La comprehension des transformations pouvant s'operer aux surfaces ou interfaces est particulierement importante pour l'elaboration des composants microelectroniques a partir de materiaux semiconducteurs. Le rearrangement des atomes des couches superficielles selon une structure ordonnee, le plus souvent differente de celle du materiau en volume, peut etre etudie grace a la diffraction des rayons x sous incidence rasante, sur les bases de la theorie cinematique. La mesure des intensites diffractees par une surface n'est cependant devenue possible qu'avec l'avenement du rayonnement synchrotron.
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Wilson, Axel. "Suivi par STM et GIXD de nanoparticules Au-Cu/TiO2(110) : de leur nucléation à leur évolution sous gaz réactifs." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066469.

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Streszczenie:
Nous avons étudié la synthèse, la structure et l'évolution sous gaz de nanoparticules (NPs) bimétalliques Au-Cu sur la surface (110) du rutile TiO2. Les NPs ont été obtenues par évaporation sous UHV. Pendant la croissance, la nature des sites de nucléation et l'évolution des densités et distributions de taille des NPs ont été suivies par microscopie à effet tunnel (STM), tandis que la structure et les relations d'épitaxies avec le substrat ont été suivies par diffraction de rayons X en incidence rasante (GIXD). Ces caractéristiques ont été mesurées sous oxygène, sous monoxyde de carbone ou sou
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Merckling, Clément. "Croissance épitaxiale d'oxydes "High-k" sur silicium pour CMOS avancé : LaAlO3, GdO3, γ-Al2O3". Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2007. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/cmerckling.pdf.

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Streszczenie:
La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l’apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L’épaisseur requise pour l’isolant de grille devenant trop faible, cela induit une très forte augmentation des courants de fuites à travers le diélectrique. Une solution pour résoudre ce problème est de remplacer la silice (SiO2), qui est l’isolant naturel du substrat de Si, par un autre matériau qui a une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice. Avec c
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Wilson, Axel. "Suivi par STM et GIXD de nanoparticules Au-Cu/TiO2(110) : de leur nucléation à leur évolution sous gaz réactifs." Thesis, Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066469/document.

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Streszczenie:
Nous avons étudié la synthèse, la structure et l'évolution sous gaz de nanoparticules (NPs) bimétalliques Au-Cu sur la surface (110) du rutile TiO2. Les NPs ont été obtenues par évaporation sous UHV. Pendant la croissance, la nature des sites de nucléation et l'évolution des densités et distributions de taille des NPs ont été suivies par microscopie à effet tunnel (STM), tandis que la structure et les relations d'épitaxies avec le substrat ont été suivies par diffraction de rayons X en incidence rasante (GIXD). Ces caractéristiques ont été mesurées sous oxygène, sous monoxyde de carbone ou sou
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Delheusy, Mélissa. "X-ray investigation of Nb/O interfaces." Paris 11, 2008. http://www.theses.fr/2008PA112104.

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Streszczenie:
Les projets de Collisionneur International Linéaire et de lasers X à électrons libres reposent sur les performances des cavités supraconductrices radiofréquence en niobium pour une accélération efficace des particules. Une remarquable amélioration du champ accélérateur est couramment obtenue après un traitement des cavités à basse température (T<150°C pour plusieurs heures). L'origine microscopique de cet effet est jusqu'à présent indéterminée ; cependant, il a été proposé qu'une redistribution de l'oxygène interstitiel dans le niobium entre en cause. Ce travail présente une étude de surfac
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Chamard, Virginie. "Etudes structurales du silicium poreux par techniques de rayons X." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2000. http://www.theses.fr/2000GRE10136.

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L'objectif de cette these est d'etudier la structure du silicium poreux (sp) par des techniques de rayons x pour comprendre les mecanismes de formation. L'echelle nanometrique de la structure poreuse necessite des moyens d'investigation non destructifs et sensibles a cette echelle. De plus, le caractere cristallin connu dans le cas du type p, conduit naturellement a l'utilisation de la diffraction des rayons x pour tous types de sp. Ainsi, nous avons suivi in situ les deformations pendant la formation et la dissolution chimique du sp. Pour le type n, l'etude systematique en fonction du temps d
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Ouerghi, Abdelkarim. "Croissance épitaxiale de MnAs sur GaAs(111) et étude des reconstructions de la surface de MnAs." Paris 6, 2004. http://www.theses.fr/2004PA066568.

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Zhang, Kai. "Structure and growth of germanene and silicene on Ag and Al surfaces." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2021. http://www.theses.fr/2021SORUS438.

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De nombreuses propriétés intéressantes sont attendues des simulations théoriques pour le silicène et le germanène autoportants. Leur synthèse reste cependant controversée. Ce travail présente une étude expérimentale par microscopie à effet tunnel (STM) et par diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXD) de la croissance du germanium et du silicium sur des surfaces métalliques. Trois systèmes ont été étudiés : Ge/Al(111), Ge/Ag(111) et Si/Ag(110). Différentes reconstructions ordonnées ont été observées par STM en fonction de la température de croissance. La STM en temps réel me permet d
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Barbier, Antoine. "Interfaces métal – oxyde à couplage d'échange magnétique." Habilitation à diriger des recherches, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00416593.

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Streszczenie:
On aborde la structure de surface d'oxydes polaires MgO(111), NiO(111) et CoO(111) par diffraction des rayons-X en incidence rasante. Des vannes de spins épitaxiés sur du NiO(111) monocristallin sont étudiées au champitre 2. Une modélisation 3D de la croissance cristalline est présentée ensuite. La dernière partie est consacrée à la description d'une nouvelle technique - la diffraction magnétique en incidence rasante.
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Dudognon, Julien. "Etude des modifications structurales induites par implantation ionique dans les aciers austénitiques." Phd thesis, Université d'Orléans, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00136939.

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L'implantation ionique dans les aciers, bien que largement utilisée pour l'amélioration des propriétés d'usage, entraîne des modifications structurales des couches superficielles, qui restent sujettes à controverse. Dans ce cadre, différents éléments (N, Ar, Cr, Mo, Ag, Xe et Pb) ont été implantés (à des énergies allant de 28 à 280 keV) dans un acier 316LVM austénitique dans une couche d'épaisseur limitée à 80 nm avec une concentration maximale en élément implanté n'excédant pas 10 %.at. L'analyse de la couche implantée par diffraction des rayons X en incidence rasante permet de mettre en évid
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Gilles, Bruno. "Etude par rayons X rasants des effets de l'implantation de silicium dans le silicium et de fer dans un grenat." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37597890r.

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Robach, Odile. "Étude in situ de la croissance de Ag sur MgO(001) et de Ni/Ag(001), et étude de la nitruration du GaAs par diffusion de rayons X en incidence rasante." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10226.

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Un nouvel instrument est presente, qui permet l'elaboration d'interfaces dans une chambre ultra-vide et l'etude in situ de leur structure et de leur morphologie par diffusion des rayons x en incidence rasante (dxir). Il est installe sur la ligne de lumiere crg/if d32 de l'esrf. Une nouvelle description du mode de croissance de l'ag sur le mgo est proposee, dans laquelle, des 0. 2 monocouches (mc) d'ag deposees, le depot est sous forme d'ilots et la majorite de l'ag est relaxee. La signification physique de la fraction en site de l'ag est discutee, ainsi que les possibilites de calcul des posit
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Pons, Frédéric. "Étude des transformations structurales superficielles induites par implantation ionique et frottement dans les métaux." Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112366.

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J'ai conçu et réalisé un équipement de tribométrie adapté à l'étude du comportement sous frottement de surfaces implantées. Un montage de diffraction de rayons X permettant l'analyse cristallographique résolue en profondeur (50nm) de couches minces, a également été mis au point et une méthodologie proposée. Nous avons contribué à l'étude des mécanismes d'amorphisation par implantation ionique de métaux et par irradiation d'alliages métalliques cristallins. Combinée à la canalisation de particules α, la diffraction de rayons X sous incidence rasante a permis la mise en évidence de contraintes d
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Silva, Pedro Manuel Ribeiro. "Langmuir Films of Perfluoroalkylalkanes : Multiscale Insights on Molecular Structure, Mixing, and Subphase Deformability Effects." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2024. http://www.theses.fr/2024SORUS215.

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Les perfluoroalkylalcanes (PFAA ; CnF2n+1CmH2m+1 ; FnHm) sont des molécules diblocs formées par des blocs hydrogénés (CH) et perfluorés (CF). Les deux sont hydrophobes et mutuellement phobiques. Bien qu'ils ne possèdent pas de groupe polaire, ces tensioactifs primitifs forment des films de Langmuir sur l'eau ou des substrats hydrophiles. Les films comprennent des hémimicelles monodispersées bien définies, ordonnées de manière hexagonale, comme le montrent les expériences de microscopie à force atomique (AFM) et de diffraction des rayons X à incidence rasante. Il a été observé que le diamètre d
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Chapuis, Niels. "Van derWaals epitaxy ofWSe2, HfSe2 and their heterostructure on GaP(111)B substrate in a tunnelling device perspective." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2024. http://www.theses.fr/2024ULILN033.

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Les matériaux bidimensionnels (2MDs) offrent des propriétés uniques principalement dues à leur structure cristallographique, composée de couches faiblement couplées constituées d'un à quelques plans atomiques où les atomes sont liés de manière covalente. Cette structure spécifique entraîne l'absence de liaisons pendantes à la surface, permettant la formation d'hétérostructures sans nécessité d'adaptation du paramètre de maille. Parmi les 2MDs, les dichalcogénures de métaux de transition (DMTs) sont particulièrement intéressants car possédant des bandes interdites allant de 0,5 à 2 eV et une gr
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Merckling, Clément. "Croissance épitaxiale d'oxydes "high-κ" sur silicium pour CMOS avancé : LaAlO3, Gd2O3, γ-Al2O3". Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00201791.

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La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l'apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L'épaisseur requise pour l'isolant de grille devenant trop faible, cela induit une très forte augmentation des courants de fuites à travers le diélectrique. Une solution pour résoudre ce problème est de remplacer la silice (SiO2), qui est l'isolant naturel du substrat de Si, par un autre matériau qui a une constante diélectrique plus élevée que celle de la silice. Avec c
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Gasperini, Antonio Augusto Malfatti 1982. "Estudo do processo de formação de nanopartículas de GeSi em matriz de sílica por técnicas de luz síncrotron." [s.n.], 2011. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277863.

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Orientadores: Gustavo de Medeiros Azevedo, Ângelo Malachias de Souza, Eduardo Granado Monteiro da Silva<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin<br>Made available in DSpace on 2018-08-19T08:06:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gasperini_AntonioAugustoMalfatti_D.pdf: 9911404 bytes, checksum: e5b4150f5a1f5f42c4d0e24b92e46c65 (MD5) Previous issue date: 2011<br>Resumo: Neste trabalho estudamos a formação e estrutura de nanopartículas (NPs) de GeSi encapsuladas em sílica, utilizando técnicas baseadas em luz síncrotron, complementadas com imagens de
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El, Kazzi Mario. "ETUDE PAR PHOTOEMISSION (XPS & XPD) D'HETEROSTRUCTURES D'OXYDES FONCTIONNELS EPITAXIES SUR SILICIUM." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00321458.

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Cette thèse se situe dans un des axes principaux de l'INL qui a pour objectif de développer des procédés de fabrication de films minces d'oxydes monocristallins, épitaxiés sur silicium. Ces oxydes pourraient remplacer les oxydes de grille amorphes de type SiOxNy ou HfSixOyNz et répondre au cahier des charges de la « Road Map » de l'ITRS dans les futures filières CMOS sub 22nm. L'intérêt de maîtriser l'épitaxie d'oxydes sur silicium va bien au-delà de l'application au CMOS. Un tel savoir faire serait une brique technologique essentielle pour pouvoir développer des filières d'intégration monolit
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Lapena, Laurent. "Rugosité de surface et d'interfaces étudiée par diffusion de rayons X en incidence rasante." Aix-Marseille 2, 1997. http://www.theses.fr/1997AIX22092.

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Les surfaces et interfaces de couches minces font aujourd'hui l'objet d'etudes approfondies pour leurs proprietes dans divers domaines tels que l'electronique, l'optique, le magnetisme. . . La maitrise de ces proprietes qui sont intimement liees a la morphologie des couches requiert une description fine de celles-ci, et plus particulierement de l'etat de rugosite de leurs surfaces et interfaces. A travers l'etude de deux types de rugosite : une rugosite gaussienne et une rugosite structuree, la technique de diffusion de rayons x en incidence rasante qui est potentiellement capable de sonder su
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Gao, Haifei. "Chemical biology approaches to study toxin clustering and lipids reorganization in Shiga toxin endocytosis." Thesis, Sorbonne Paris Cité, 2015. http://www.theses.fr/2015USPCB147.

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La toxine bactérienne de Shiga se lie au glycosphingolipide (GSL) globotriaosylcéramide (Gb3) afin d’entrer par endocytose dans les cellules en utilisant une voie dépendante et indépendante de la clathrine. Dans la voie indépendante de la clathrine, la toxine de Shiga réorganise les lipides de la membrane de façon à imposer une contrainte mécanique sur la bicouche, conduisant ainsi à la formation de pic d’invagination d'endocytose profonds et étroits. Mécaniquement ce phénomène n’est pas encore compris, notamment il reste énigmatique, comment se traduisent les propriétés géométriques de l’agré
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Machefert, Jean-Michel. "Contribution des méthodes spectroscopiques d'analyse à l'étude de l'oxydation du cuivre OFHC." Rouen, 1990. http://www.theses.fr/1990ROUES021.

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L'analyse de la couche de corrosion se développant lors de l'oxydation thermique (température inférieure a 250° C) du cuivre OFHC a été principalement réalisée par spectroscopies optiques (50000-400 cm##1) et photoélectroniques ainsi que par diffraction X sous incidence rasante, et par des méthodes de réduction électrochimique des produits de corrosion. Après une étude des espèces rencontrées dans les couches de corrosion (en particulier des oxydes de cuivre non stoechiométriques) les mécanismes de corrosion sous air reconstitué sec, et sous air du laboratoire sont étudiés, et montrent: 1) une
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FRADIN, CECILE. "Structure et elasticite des interfaces liquides : une etude par diffusion de rayons x sous incidence rasante." Paris 6, 1999. http://www.theses.fr/1999PA066194.

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Le spectre des fluctuations de hauteur de differentes interfaces liquide/vapeur (dont l'interface eau/air) a ete mesure jusqu'a des transferts de vecteur d'onde de l'ordre de 10 1 0 m - 1, par diffusion diffuse de rayons x hors du plan d'incidence. Il ressort de ces experiences que la tension de surface depend de l'echelle, et diminue lorsque le vecteur d'onde augmente. Nous nous sommes ensuite interesses aux films d'acide gras a l'interface eau/air. Une methode basee sur la diffusion diffuse de rayons x est proposee pour mettre en evidence les transitions de phase du premier ordre dans ces sy
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Pouzet, Eric. "Etude du comportement moléculaire de l'alcane semifluoré F(CF2)8(CH2)18H en couches minces déposées sur substrats liquide et solide : détermination structurale et organisation interfaciale." Paris 6, 2003. http://www.theses.fr/2003PA066571.

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Revenant, Christine. "Diffusion centrale des rayons X en incidence rasante appliquée à l'étude in situ de la croissance de nanostructures." Habilitation à diriger des recherches, Université de Grenoble, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00630160.

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Ce manuscrit se concentre sur l'analyse du GISAXS d'îlots sur un substrat. Les données GISAXS doivent être analysées de façon quantitative afin d'obtenir des paramètres morphologiques précis (courbes de croissance, forme d'équilibre de l'îlot et énergie interfaciale) pour le processus d'élaboration. L'accent est mis sur le facteur de forme de l'îlot, c'est-à-dire la transformée de Fourier de la forme de l'îlot. On montre que la forme de l'îlot et la taille peuvent être obtenues à partir de la symétrie de l'îlot, la présence de facettes de l''îlot, le comportement asymptotique loin dans l'espac
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Caby, Béranger. "Développement de l’analyse combinée par Réflectométrie de rayons X (XRR) et Fluorescence des rayons X en Incidence Rasante (GIXRF) pour des applications micro et nano-électroniques." Caen, 2015. http://www.theses.fr/2015CAEN2055.

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Streszczenie:
En raison de récents développements en microélectronique, un besoin croissant de techniques alternatives de caractérisation est apparu. L’analyse combinée quantitative par réflectométrie de rayons (XRR) et Fluorescence X en incidence rasante (GIXRF) est une technique de caractérisation prometteuse. En effet, elle permet d’accéder de façon non destructive et avec une bonne résolution au profil de distribution en profondeur de composition et de densité d’échantillons multicouches. Dans la littérature, peu ou pas de travaux utilise les potentialités de cette analyse combinée. Pour accélérer le dé
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AID, KARIM. "Incommensurabilite et stoechiometrie des surfaces d'alliages ternaires (in,ga)as etudiees par diffusion des rayons x en incidence rasante." Paris 7, 1999. http://www.theses.fr/1999PA077003.

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La determination des structures cristallographiques des surfaces de semiconducteurs joue un role preponderant dans la comprehension de leurs proprietes physiques. Lors de la croissance par jets moleculaires de l'alliage ternaire (in,ga)as contraint sur gaas(001), un phenomene de segregation de l'indium en surface se produit. La diffraction des rayons x en incidence rasante (dxir) s'est averee une methode experimentale puissante pour etudier les alliages de surface formes. Des mesures de dxir ont permis de reveler un ordre chimique des cations dans la maille unite de la surface reconstruite (2
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Peng, Jun. "Détermination des contraintes résiduelles dans les revêtements par diffraction des rayons X en faible incidence." Paris, ENSAM, 2005. http://www.theses.fr/2006ENAM0019.

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Une nouvelle méthode d'analyse par diffraction des rayons X (DRX) en incidence rasante, notée sin2ψ*, a été développée pour répondre à la demande d'analyse du niveau et la distribution des contraintes résiduelles (CR) dans un revêtement. La méthode est basée sur la technique de DRX en faible incidence et elle tient compte des orientations cristallines et de la géométrie de mesure (l'angle d'incidence, les angles ψ et de l'épaisseur de couche à analyser) afin de connaître la profondeur de pénétration exacte du faisceau incident. Par cette méthode, on peut non seulement évaluer le niveau moyen d
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Thiaudière, Dominique. "Diffusion centrale des rayons X en incidence rasante ; faisabilité et application à l'étude morphologique de couches d'or assistées par implantation ionique." Poitiers, 1996. http://www.theses.fr/1996POIT2339.

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Dans ce travail consacre a la diffusion centrale des rayons x en incidence rasante (gisaxs), nous avons montre l'interet et les potentialites de cette technique pour la caracterisation morphologique d'agregats deposes sur un substrat ou inclus dans une couche superficielle. Le fait que l'angle d'incidente soit inferieur au degre, permet de definir deux configurations de la technique gisaxs. Quand l'angle d'incidence est egal a l'angle critique de l'echantillon, nous pouvons caracteriser des agregats deposes sur un substrat. Cette configuration nous a permis d'etudier des depots d'or elabores p
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Capello, Luciana. "Etude par des méthodes de diffusion de rayons X des propriétés structurales du silicium après implantation ionique." Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00009791.

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L'implantation ionique à très basse énergie (< 5keV) dans le silicium est utilisée pour la production de transistors CMOS. Les défauts présents dans le Si après implantation et recuit jouent un rôle crucial pour les performances du dispositif et, de ce fait, leur caractérisation structurale est fondamentale. Dans ce travail, je vais montrer que la combinaison de différentes techniques de diffusion de rayons X est une méthode puissante et non destructive pour réaliser ce but. La diffraction de rayons X révèle la distribution en profondeur de la contrainte dans le cristal de Si et la réflectivit
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Babonneau, David. "Elaboration par copulvérisation de couches minces d'agrégats métalliques encapsulés dans des matrices de carbone ; étude microstructurale par microscopie et diffusion centrale des rayons X en incidence rasante." Poitiers, 1999. http://www.theses.fr/1999POIT2269.

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Ce travail s'inscrit dans le cadre des etudes menees pour synthetiser de nouveaux materiaux nanostructures, notre but etant d'elaborer des couches minces composees d'agregats metalliques encapsules dans des nanocages graphitiques. Pour ce faire, nous pulverisons une cible composite graphite-metal ou le metal est un element immiscible avec le carbone tel que cu, ag, pt ou fe. Les couches minces obtenues sont ensuite caracterisees du point vue microstructural a l'aide des deux techniques complementaires suivantes : la microscopie electronique en transmission (image locale dans l'espace reel a l'
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Baudot, Sophie. "MOSFETs contraints sur SOI : analyse des déformations par diffraction des rayons X et étude des propriétés électriques." Phd thesis, Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00557963.

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L'introduction d'une contrainte mécanique dans le canal de MOSFETs sur SOI est indispensable pour les noeuds technologiques sub-22 nm. Son efficacité dépend de la géométrie et des règles de dessin du dispositif. L'impact des étapes du procédé de fabrication des transistors (gravure des zones actives, formation de la grille métallique, implantation des Source/Drain (S/D)) sur la contrainte du silicium contraint sur isolant (sSOI) a été mesuré par diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXRD). Parallèlement, le gain en performances de MOSFETs sur sSOI a été quantifié par rapport au SOI (
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Baudot, Sophie. "MOSFETs contraints sur SOI : analyse des déformations par diffraction des rayons X et étude des propriétés électriques." Phd thesis, Grenoble, 2010. http://www.theses.fr/2010GRENY064.

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L'introduction d'une contrainte mécanique dans le canal de MOSFETs sur SOI est indispensable pour les noeuds technologiques sub-22 nm. Son efficacité dépend de la géométrie et des règles de dessin du dispositif. L'impact des étapes du procédé de fabrication des transistors (gravure des zones actives, formation de la grille métallique, implantation des Source/Drain (S/D)) sur la contrainte du silicium contraint sur isolant (sSOI) a été mesuré par diffraction des rayons X en incidence rasante (GIXRD). Parallèlement, le gain en performances de MOSFETs sur sSOI a été quantifié par rapport au SOI (
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Turco, Françoise. "Applications de techniques d'analyse in situ à l'épitaxie par jets moléculaires du système (Al, Ga, In) As." Grenoble INPG, 1988. http://www.theses.fr/1988INPG0016.

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L'etude des oscillations d'intensite de diffraction rheed en incidence rasante dursant la croissance de (al,ga,in)as conduit a un controle en temps reel en fonction des parametres (temperature, composition de la phase solide, pressions incidentes). Le couplage in situ avec la spectroscopie xps a permis de mettre en evidence, au cours de la croissance de algaas, gainas et alinas, la segregation en surface de l'element iii le moins lie a as. Par la technique des oscillations de rheed, determination des variations du coefficient d'incorporation de in dans alinas en fonction de la contrainte de la
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Song, Hongbin. "Analyse expérimentale et numérique de la distribution des contraintes résiduelles induites par choc-laser dans les alliages d'aluminium." Phd thesis, Paris, ENSAM, 2010. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005901.

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L'objectif de cette étude est d'analyser le gradient des contraintes résiduelles induites par le traitement de choc laser (CL) sur 2 alliages d'aluminium (6056-T4 et 2050-T8) par la diffraction des rayons X (DRX) et par modélisation numérique en éléments finis, en portant une attention particulière à l'extrême surface du matériau. Pour étudier le gradient des contraintes résiduelles (CR) à l'extrême surface (moins de 10 μm), deux méthodes d'analyse par DRX en faible incidence (sin²ψ* et multi-réflexions) ont été adaptées et appliquées. Les deux méthodes ont été testées avec succès et ont permi
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Ortega, Luc. "Caractérisation par rayons X des isolants amorphes d'oxynitrures de silicium, SiOxNyHz, préparés en couches minces par PECVD." Grenoble 1, 1993. http://www.theses.fr/1993GRE10169.

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Ce memoire est consacre a la caracterisation des couches minces amorphes d'oxynitrures de silicium sioxnyhz preparee par pecvd. Ces materiaux isolants jouent un role de plus en plus important dans le domaine de la microelectronique. Ils ont donne lieu a un programme europeen de recherche esprit-deson qui a implique six laboratoires europeens et dans lequel nous sommes intervenus. Nous nous sommes attaches a caracteriser les oxynitrures de silicium a l'aide de plusieurs techniques x: reflectometrie x, diffusion des rayons x en incidence rasante, exafs, xanes et xps. L'epaisseur, la densite et l
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Hirrien, Bertrand. "Rugosité de surface et d'interface : méthodes de microscopie de force atomique et réflectivité de rayons-X rasants appliqués aux composants de la micro-électronique et de l'optronique." Grenoble INPG, 1997. http://www.theses.fr/1997INPG0179.

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Face a la diminution continue des dimensions des composants, la rugosite aux interfaces des systemes micro-electroniques et optroniques devient un facteur limitant. Il convient donc de savoir caracteriser la rugosite le plus completement possible, afin d'en quantifier et comprendre les effets. Ce travail de these montre l'interet, dans le cas d'une topographie rugueuse, de separer les caracteristiques de repartition horizontale de matiere, de ses caracteristiques verticales. L'etude mathematique et la programmation d'une methode basee sur le formalisme des densites spectrales de puissance (dsp
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Leroy, Frédéric. "Dynamique hors-équilibre : Quelques exemples en physique des surfaces." Habilitation à diriger des recherches, Aix-Marseille Université, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00958344.

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Dans ce mémoire sont abordées quelques études sur la dynamique hors-équilibre des surfaces cristallines. L'accent est porté sur le démouillage de films minces monocristallins et sur les instabilités morphologiques induites par électromigration. Sur le plan instrumental, la Microscopie à Electrons Lents et la Diffusion Centrale des Rayons X en Incidence Rasante nous ont permis d'accéder à la dynamique des phénomènes in situ et en temps réel. Nous montrons que le démouillage à l'état solide des films minces de Silicium et de Germanium sur Silice conduit à des instabilités dendritiques du front d
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Dardel, Sébastien. "Etudes de cristaux liquides colonnaires en solution organique et en film mince ouvert." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00808262.

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Les travaux effectués dans cette thèse concernent les cellules photovoltaïques fabriquées à partir de matériaux organiques discotiques. Ces derniers possèdent de bonnes propriétés de transport de charges et d'excitons lorsque les matériaux impliqués sont ordonnés sous forme de colonnes. Une stratégie est proposée et étudiée pour améliorer les paramètres de ces dispositifs organiques. En particulier, des investigations ont été menés sur la structuration des matériaux en solution et en films minces. En divers solvants organiques, l'agrégation des molécules discotiques en colonnes d'une taille de
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Fall, Safall. "Fabrication et analyse de nanomatériaux à bases d'oxydes par des techniques de diffusion de rayonnement." Phd thesis, Université du Maine, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00607031.

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Ce travail de thèse porte sur l'étude d'oxydes (ZnO et SiO2) fabriqués par voie sol-gel. Dans un premier temps, nous avons étudié la cinétique de croissance des nanoparticules de ZnO en milieu aqueux. L'étude in-situ de la croissance d'oxyde de zinc par la technique de croissance en milieu aqueux (ACG) a été réalisée grâce à la radiation synchrotron de l'ESRF sur la ligne ID10B. Nous avons réalisé la diffraction de rayons X en incidence rasante sur un substrat plongé dans une solution constituée de nitrate de zinc hexahydraté [Zn(NO3)2,6H2O], d'hexamethylenetetramine (HMT) (C6H12N4) et de l'ea
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Nappé, Jean-Christophe. "Évaluation du comportement sous irradiation de Ti3SiC2 : Étude de l'endommagement structural et microstructural." Phd thesis, Ecole Nationale Supérieure des Mines de Saint-Etienne, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00445458.

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Parmi les six nouveaux systèmes de réacteurs nucléaires envisagés par le Forum International Génération IV ; le réacteur à neutrons rapides et à caloporteur gaz est étudié en France. Ses conditions de fonctionnement nominal (haute température et pression d'hélium) ont conduit à la sélection de céramiques non-oxydes pour la gaine de combustible. Parmi ces céramiques ; Ti<sub>3</sub>SiC<sub>2</sub> se distingue par sa particularité à combiner certaines propriétés des métaux à celles des céramiques. Cependant ; son comportement en réacteur n'est pas connu. L'objectif de cette thèse est ainsi de c
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Richard, Marie-Ingrid. "Etudes in situ et ex situ par rayonnement synchrotron de la croissance d'îlots de Ge sur substrats de Si(001) nominaux et préstructurés." Phd thesis, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00264059.

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Les travaux présentés dans ce manuscrit sont consacrés à l'étude structurale (taille, déformation, défauts, composition) d'îlots de Ge sur substrats de Si(001) nominaux et pré-structurés durant ou après croissance par épitaxie par jet moléculaire, en utilisant la diffraction (anomale) des rayons X en incidence rasante àl'Installation Européenne de Rayonnement Synchrotron (ESRF). <br />Les échantillons ont été caractérisés soit ex situ après croissance sur la ligne de lumière ID01, soit in situ durant leur croissance par EJM grâce au dispositif dédié sur la ligne BM32. <br />Les effets dynamiqu
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De, Santis Maurizio. "Structure de couches antiferromagnétiques ultra-minces utilisées dans les systèmes à couplage d'échange: alliages à base de Mn; couches de CoO." Habilitation à diriger des recherches, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00995451.

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La connaissance de la structure est essentielle dans l'interprétation du couplage d'échange qui a lieu à l'interface entre des couches ferromagnétique et antiferromagnétique. Des expériences de diffraction X en incidence rasante sont décrites qui ont permis de déterminer la structure de couches d'alliages a base de Mn, et de couches d'oxyde de cobalt.
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Peng, Jun. "Détermination des contraintes résiduelles dans les revêtements par diffraction des rayons X en faible incidence." Phd thesis, 2006. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00001946.

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Une nouvelle méthode d'analyse par diffraction des rayons X (DRX) en incidence rasante, notée sin2 *, a été développée pour répondre à la demande d'analyse du niveau et la distribution des contraintes résiduelles (CR) dans un revêtement. La méthode est basée sur la technique de DRX en faible incidence et elle tient compte des orientations cristallines et de la géométrie de mesure (l'angle d'incidence, les angles et de l'épaisseur de couche à analyser) afin de connaître la profondeur de pénétration exacte du faisceau incident. Par cette méthode, on peut non seulement évaluer le niveau moyen des
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