Gotowa bibliografia na temat „Faisceaux d'électrons à basse énergie”

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Rozprawy doktorskie na temat "Faisceaux d'électrons à basse énergie"

1

Braga, Delfin. "Etude des phénomènes de charge des matériaux isolants sous faisceau d'électrons de basse énergie (200 eV-30 keV)." Paris 11, 2003. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00004341.

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Les phénomènes de charge des isolants ont été étudiés à l'aide d'un microscope électronique à balayage qui permet d'injecter de très faibles doses d'électrons dans une large gamme d'énergie et de mesurer simultanément l'émission électronique secondaire et la charge générée dans le matériau par influence. Les résultats obtenus ont permis de montrer que le rendement électronique secondaire est un bon moyen de caractériser l'état de charge d'un isolant et de classer ces matériaux en deux grandes classes selon leur capacité à relaxer les charges générées: les "piégeurs", de fortes résistivités, pi
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Jussot, Julien. "Lithographie directe à faisceaux d’électrons multiples pour les nœuds technologiques sub-20nm." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAT086/document.

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Depuis de nombreuses années, l'industrie microélectronique s'est engagée dans une course à l'augmentation des performances et à la diminution des coûts de ses dispositifs grâce à la miniaturisation de ces derniers. La génération de ces structures de petites dimensions repose essentiellement sur l'étape de lithographie. Dans cette optique, plusieurs techniques de lithographie nouvelle génération (NGL) sont en cours de développement afin de pouvoir répondre aux besoins de l'industrie pour les nœuds technologiques inférieurs à 20 nm. Parmi elles, les solutions de lithographie à faisceaux d'électr
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BRAGA, DELFIN. "ETUDE DES PHENOMENES DE CHARGE DES MATERIAUX ISOLANTS SOUS FAISCEAU D'ELECTRONS DE BASSE ENERGIE (200 eV - 30 keV)." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00004341.

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Les phénomènes de charge des isolants ont été étudiés à l'aide d'un microscope électronique à balayage qui permet d'injecter de très faibles doses d'électrons dans une large gamme d'énergie et de mesurer simultanément l'émission électronique secondaire et la charge générée dans le matériau par influence. Les résultats obtenus ont permis de montrer que le rendement électronique secondaire est un bon moyen de caractériser l'état de charge d'un isolant et de classer ces matériaux en deux grandes classes selon leur capacité à relaxer les charges générées : · Les "piégeurs", de fortes résistivités,
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Martelli, Lorenzo. "Average Current Enhancement of Laser-Plasma Accelerators for Industrial Applications." Electronic Thesis or Diss., Institut polytechnique de Paris, 2024. http://www.theses.fr/2024IPPAE012.

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Cette thèse de doctorat s'inscrit dans le cadre d'une collaboration CIFRE entre Thales-MIS et le Laboratoire d'Optique Appliquée (LOA). L'objectif principal est d'améliorer le courant moyen des accélérateurs laser-plasma à faible énergie, notamment dans la gamme de quelques MeV. Cette avancée revêt un intérêt particulier pour les applications à faible énergie telles que la tomographie industrielle par rayons X, ne nécessitant pas de faisceaux d'électrons monoénergétiques.Des expériences ont été menées au moyen du système laser de 60 TW installé dans la Salle Jaune du LOA, capable de générer de
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Garcia, Roge Vololoniaina. "Nitruration superficielle de SiO2 à basse température activée par des électrons de basse énergie." Aix-Marseille 2, 1992. http://www.theses.fr/1992AIX22097.

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Nous proposons une methode de nitruration superficielle a basse temperature de films minces de silice par silicium (100). La nitruration superficielle est realisee en irradiant la surface de la silice avec des electrons de basse energie (3 ev-300 ev) en presence d'une faible pression d'ammoniac (p#n#h#310###4 mbar). Grace aux differentes analyses physico-chimiques de surface et de volume: aes, erosion ionique, spectroscopie de masse d'ions secondaires, spectrometrie ir-ft, nous avons pu mettre en evidence la realite de la nitruration et suivre la distribution de concentration d'azote dependant
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Bouchiha, Dorra. "Étude théorique des collisions d'électrons de basse énergie avec des molécules d'intérêt biologique." Thèse, Université de Sherbrooke, 2007. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4263.

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Les électrons de basse énergie sont générés en grande quantité lors d'une irradiation par des rayons X ou 7 ou encore par des particules de hautes énergies (électrons ou protons). En fait, ils constituent l'espèce secondaire la plus abondante. II est donc important d'étudier en détail leurs interactions avec la matière biologique afin d'achever une compréhension complète de l'effet du rayonnement ionisant sur le vivant. Nous nous proposons dans ce travail de recherche d'étudier théoriquement l'interaction des EBE avec des systèmes d'intérêt biologique comme le méthanol, le tétrahydrofurane (TH
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Dubus, Alain. "Application de méthodes de neutronique au transport d'électrons à basse énergie dans les solides et notamment à l'émission d'électrons secondaires." Doctoral thesis, Universite Libre de Bruxelles, 1987. http://hdl.handle.net/2013/ULB-DIPOT:oai:dipot.ulb.ac.be:2013/213435.

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Grech, Sophie. "Mesures locales des propriétés de transmission d'électrons de basse énergie par une couche métallique ultrafine." Thesis, Aix-Marseille 3, 2011. http://www.theses.fr/2011AIX30024.

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Ce travail de thèse a été motivé par la volonté de mesurer la transmission d’un faisceau électronique de basse énergie à travers un film. Ce type de mesures a été réalisé à l’aide du microscope électronique à projection MEP, dont l’utilisation est basée sur trois éléments clés : la pointe émettrice, l’objet, le système de détection. Les mesures effectuées permettent, sur un même objet, de déterminer la transmission en fonction de l’énergie cinétique des électrons incidents pour des énergies comprises entre quelques dizaines et plusieurs centaines d’électronvolts. Afin de mener à bien ces mesur
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Pierron, Juliette. "Modèle de transport d'électrons à basse énergie (~10 eV- 2 keV) pour applications spatiales (OSMOSEE, GEANT4)." Thesis, Toulouse, ISAE, 2017. http://www.theses.fr/2017ESAE0024/document.

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L’espace est un milieu hostile pour les équipements embarqués à bord des satellites. Les importants flux d’électrons qui les bombardent continuellement peuvent pénétrer à l’intérieur de leurs composants électroniques et engendrer des dysfonctionnements. Leur prise en compte nécessite des outils numériques 3D très performants, tels que des codes de transport d’électrons utilisant la méthode statistique de Monte-Carlo, valides jusqu’à quelques eV. Dans ce contexte, l’ONERA a développé, en partenariat avec le CNES, le code OSMOSEE pour l’aluminium. De son côté, le CEA a développé, pour le siliciu
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Aminou, Mal Adji. "Etude d'un laser KrF de grande énergie : optimisation du dépôt d'énergie par faisceaux d'électrons dans la cavité laser." Aix-Marseille 3, 1988. http://www.theses.fr/1988AIX30018.

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Generation des faisceaux d'electrons par des diodes a cathodes froide, profil de l'energie deposee dans la cavite laser en fonction des parametres pression et melange ar/kr/f::(2). Le systeme utilise quatre canons a electrons segmentes, places deux a deux les uns en face des autres afin d'obtenir un pompage uniforme. Les resultats numeriques obtenus sur un systeme modulaire, sous la forme de signaux tension et courant en fonction du temps sont similaires aux resultats experimentaux. L'optimisation des distributions spatio-temporelles de l'energie deposee dans la cavite laser a ete effectuee nu
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