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Gotowe bibliografie tematyczne / Fiabilité RF

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Gotowa bibliografia na temat „Fiabilité RF”

Autor: Grafiati

Data publikacji: 31 sierpnia 2024

Data aktualizacji: 31 lipca 2025

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Artykuły w czasopismach na temat "Fiabilité RF"

1

Ritzler, Barry. "Personality Factors in Genocide: The Rorschachs of Nazi War Criminals." Rorschachiana 22, no. 1 (1997): 67–91. http://dx.doi.org/10.1027/1192-5604.22.1.67.

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Streszczenie:

Les facteurs de personnalité associés au génocide ont été étudiés à partir des Rorschach de simples soldats Nazis danois qui ont été évalués à l’occasion des procès pour crime de guerre à Copenhague en 1946. L’échantillon comprend 165 citoyens danois qui ont collaboré avec les Nazis pendant l’occupation du Danemark et de 22 officiers allemands. Les protocoles de Rorschach ont été cotés selon le Système Intégré ( Exner, 1993 ). La fiabilité de la cotation s’établit à 80% et plus d’accord inter-correcteurs pour toutes les catégories. En raison des défauts de l’enquête dans la plupart des protoco

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Rozprawy doktorskie na temat "Fiabilité RF"

1

Maris, Ferreira Pietro. "Méthodologie de conception AMS/RF pour la fiabilité : conception d'un frontal RF fiabilisé." Phd thesis, Télécom ParisTech, 2011. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00628802.

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Le développement des technologies CMOS à l'échelle nanométrique a fait émerger de nombreux défis sur le rendement et la fiabilité des composants. Les prochaines générations de circuits AMS et RF souffriront d'une augmentation du taux de défaillance durant le temps d'opération. Dans ce travail de thèse, nous proposons une nouvelle approche pour la conception d'un frontal RF en CMOS 65 nm. L'objectif principal de ce travail est d'améliorer la conception de circuits du frontal RF basée sur la recherche des nouveaux compromis imposés par la variabilité du transistor et la dégradation par vieilliss

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2

Gares, Mohamed. "Etude de la fiabilité des transistors RF LDMOS de puissance en mode pulsé pour des applications hyperfréquences." Rouen, 2008. http://www.theses.fr/2008ROUES003.

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Depuis toujours la longueur de pulse et le rapport cyclique n’ont cessé d’augmenter afin d’accroître les performances du radar. Ces fortes exigences de fonctionnement ont augmenté la quantité de contraintes appliquées aux transistors qui constituent les modules de puissance dans les radars et ont un impact direct sur leurs temps de vie. Une connaissance approfondie de cet impact est nécessaire pour une meilleure estimation de la fiabilité des modules et des transistors qui la composent. C’est pour toutes ces raisons, qu’une étude a été engagée pour élaborer de nouvelles méthodes d’investigatio

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3

Duong, Quynh Huong. "Conception, caractérisation et modélisation : contribution à la fiabilité de micro-commutateurs RF MEMS." Lille 1, 2007. http://www.theses.fr/2007LIL10166.

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Ces dernières années, de nouveaux composants micro-ondes sont apparus : les micro commutateurs RF MEMS. Bien que ces composants soient encore absents des systèmes spatiaux, l'intérêt que leur porte l'industrie spatiale est grandissant car ils apparaissent comme une solution adéquate pour réduire le coût des missions et améliorer les performances tout en conservant l'intégrité de celles-ci (volume, masse, consommation). Cependant une problématique majeure de la technologie MEMS concerne leur fiabilité. Les travaux développés dans ce manuscrit visent à mettre en place des méthodes de caractéris

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4

Mardivirin, David. "Etude des mécanismes mis en jeu dans la fiabilité des micro-commutateurs MEMS-RF." Limoges, 2010. https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/e321f18e-23a9-4448-99a0-73476cf2cc9d/blobholder:0/2010LIMO4054.pdf.

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Les travaux présentés dans ce manuscrit sont axés sur la caractérisation et l’analyse des mécanismes de défaillances qui apparaissent dans une nouvelle famille de composants microondes : les MEMS-RF (Systèmes Micro-Electro-Mécanique RadioFréquence). Si ces composants ont rapidement suscité beaucoup d’espoirs pour résoudre un grand nombre de verrous concernant les nouvelles architectures de communication, il est apparu que la fiabilité de ces composants a énormément ralenti leur développement industriel. De plus, ces micro-commutateurs résultent d’un couplage multi-physique qui a ajouté une for

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5

Hai, Joycelyn. "fiabilité rf en technologie soi cmos : modélisation et application à un amplificateur de puissance." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT033.

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Le développement de la technologie SOI CMOS a contribué à l'évolution rapide des systèmes de communication RF/mmW qui jouent un rôle critique dans le déploiement des réseaux 5G. Pour répondre aux objectifs de performance des spécifications 5G, des schémas de modulation complexes utilisent des niveaux de puissance crête sur puissance moyenne (PAPR) élevés générés par l'amplificateur de puissance (PA). Ces niveaux de puissance élevés ont un impact important sur la fiabilité du dispositif en raison des limites en tension de la technologie CMOS moderne. Dans les premières étapes de la conception,

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6

Torres, Matabosch Nuria. "Design for reliability applied to RF-MEMS devices and circuits issued from different TRL environments." Toulouse 3, 2013. http://thesesups.ups-tlse.fr/1943/.

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Ces travaux de thèse visent à aborder la fiabilité des composants RF-MEMS (commutateurs en particulier) pendant la phase de conception en utilisant différents approches de procédés de fabrication. Ça veut dire que l'intérêt est focalisé en comment éliminer ou diminuer pendant la conception les effets des mécanismes de défaillance plus importants au lieu d'étudier la physique des mécanismes. La détection des différents mécanismes de défaillance est analysée en utilisant les performances RF du dispositif et le développement d'un circuit équivalent. Cette nouvelle approche permet à l'utilisateur

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7

Torres-Matabosch, Nuria. "Design pour la fiabilité applique aux composants et circuits RF-MEMS dans différents environnements TRL." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00797045.

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Ces travaux de thèse visent à aborder la fiabilité des composants RF-MEMS (commutateurs en particulier) pendant la phase de conception en utilisant différents approches de procédés de fabrication. Ça veut dire que l'intérêt est focalisé en comment éliminer ou diminuer pendant la conception les effets des mécanismes de défaillance plus importants au lieu d'étudier la physique des mécanismes. La détection des différents mécanismes de défaillance est analysée en utilisant les performances RF du dispositif et le développement d'un circuit équivalent. Cette nouvelle approche permet à l'utilisateur

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8

Tsamados, Dimitrios. "Conception et caractérisation de microsystèmes électromécaniques : étude et fiabilité des capacités accordables des MEMS RF." Grenoble INPG, 2005. http://www.theses.fr/2005INPG0016.

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Les microsystèmes électromécaniques radiofréquence (MEMS RF) sont devenus ces dernières années des composants très prometteurs pour l’amélioration des performances des circuits hyperfréquences. La possibilité de les intégrer avec des dispositifs classiques CMOS est aussi un avantage décisif. Par contre, la fiabilité des composants MEMS RF constitue le problème le plus important qui empêche souvent leur industrialisation. Dans ce mémoire une étude du fonctionnement des composants MEMS RF capacitifs est effectuée. Nous présentons la technologie compatible CMOS adoptée pour leur réalisation et le

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9

Lemoine, Emilien. "Quality and Reliability of RF-MEMS Switches for Space Applications." Thesis, Limoges, 2014. http://www.theses.fr/2014LIMO0062/document.

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Ce manuscrit traite de la fiabilité de micro-composants électro-mécaniques que l'on appelle des MEMS (Acronyme anglais signifiant Micro-Electro-Mechanical Systems). Les MEMS sont utilisés dans un grand nombre de domaines et le domaine qui nous concerne est celui des télécommunications. Plus précisément, notre domaine de travail se situe autour des radio-fréquences où les MEMS vont principalement réaliser des fonctions de commutation. On appellera ainsi nos composants des MEMS-RF, RF signifiant Radio-Fréquence. Dans ce domaine, les MEMS sont des candidats à fort potentiel grâce à une faible con

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Fillit, Chrystelle. "Développement d’un banc de thermographie infrarouge pour l’analyse in-situ de la fiabilité des microsystèmes." Thesis, Saint-Etienne, EMSE, 2011. http://www.theses.fr/2011EMSE0600/document.

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Au cours des dernières années, l’essor spectaculaire des microsystèmes (ou MEMS), qui touche tous les domaines industriels, est à l’origine de nombreux et nouveaux progrès technologiques. Néanmoins, dans ce contexte prometteur de large envergure, la fiabilité des MEMS s’avère être la problématique à améliorer pour franchir la phase d’industrialisation à grande échelle. C’est dans le cadre de cette thématique de fiabilité des microsystèmes, que s’inscrit ce travail.La température étant un paramètre majeur entrant dans de nombreux mécanismes d’endommagement des MEMS, notre étude présente la conc

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Więcej źródeł

Książki na temat "Fiabilité RF"

1

Gares, Mohamed. La fiabilité des composants RF de puissance: Étude de la fiabilité des transistors RF LDMOS de puissance en mode pulsé pour des applications hyperfréquences. Omniscriptum, 2012.

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Streszczenia konferencji na temat "Fiabilité RF"

1

Gares, Mohamed, Hichame Maanane, M. Belaid, et al. "Impact de la Temperature sur la Fiabilite des Composants rf Ldmos de Puissance." In 2006 Canadian Conference on Electrical and Computer Engineering. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/ccece.2006.277631.

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