Gotowe bibliografie tematyczne / Gravure par couche atomique

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  1. Artykuły w czasopismach
  2. Rozprawy doktorskie

Gotowa bibliografia na temat „Gravure par couche atomique”

Autor: Grafiati
Data publikacji: 19 października 2024
Data aktualizacji: 31 lipca 2025

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Artykuły w czasopismach na temat "Gravure par couche atomique"

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Constantin, D., C. Petit-Etienne, and A. Bsiesy. "Influence des paramètres puissance source et bias sur la gravure ICP-RIE plasma d’une couche mince suivie par interférométrie LASER." J3eA 21 (2022): 1003. http://dx.doi.org/10.1051/j3ea/20221003.

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Streszczenie:
Le CIME Nanotech, Centre Interuniversitaire de Microélectronique et Nanotechnologies, pôle du GIP CNFM (1) de Grenoble, répond aux besoins en formation expérimentale et pratique dans les domaines de la microélectronique et des nanotechnologies au travers de ces huit plateformes. L’offre de travaux pratiques sur la plateforme Salle Blanche, jusqu’alors orientée filière de fabrication de dispositifs micro- et nano-électroniques, propose désormais un travail pratique sur les plasmas appliqués à la gravure ionique réactive de couches minces sur un équipement de type industriel, suivie par interfér
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Levesque, Simon. "Stockage des déchets nucléaires : la communication à travers les millénaires. L’hypothèse cléricale de Sebeok réinterprétée avec Latour et Lotman." Cygne noir, no. 5 (June 16, 2022): 74–131. http://dx.doi.org/10.7202/1089940ar.

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L’exploitation civile du potentiel énergétique issu de la fission de l’atome, depuis 1954, a généré des masses de déchets nucléaires souvent hautement radioactifs. Stockés à la surface de la Terre, ces déchets sont soumis aux aléas de l’histoire et exposés à d’éventuelles catastrophes naturelles impliquant un risque de diffusion à la fois des matières radioactives et de la radiotoxicité. La solution consensuelle pour leur gestion consiste, depuis trois décennies, à les enfouir en couche géologique profonde pour une durée indéterminée. Considérant que la période radioactive moyenne de ces déche
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MUÑOZ-ROJAS, David. "Dépôt par couche atomique spatiale (SALD)." Innovations technologiques, November 2016. http://dx.doi.org/10.51257/a-v1-re262.

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Rozprawy doktorskie na temat "Gravure par couche atomique"

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Antoun, Gaëlle. "Cryo-gravure de couches atomiques par plasma : mécanismes et procédés." Electronic Thesis or Diss., Orléans, 2020. http://www.theses.fr/2020ORLE3067.

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Cette thèse a été réalisée au GREMI en collaboration avec Tokyo Electron Ltd, qui a également financé le projet. Le but de cette étude était de développer un nouveau procédé de gravure de couche atomique (ALE) à température cryogénique pour la gravure de matériaux à base de silicium.Le Cryo-ALE consiste à graver une ou quelques monocouches après avoir refroidi le substrat. La première étape de ce procédé est l'injection d'azote liquide pour refroidir le porte-substrat et refroidir la plaquette en injectant de l'hélium à l'arrière pour assurer le conductivité thermique. Une fois la température
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Pezeril, Maxime. "Développement d'un procédé de gravure par plasma pour les transistors de puissance à base de matériaux III-V." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT049.

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Dans le secteur de l’électronique de puissance, le Nitrure de Gallium (GaN) émerge comme un matériau prometteur grâce à ses qualités intrinsèques, en particulier son grand gap et sa tenue à fortes tensions. Les transistors qui l’utilisent, appelés HEMT (High Electron Mobility Transistors), reposent sur une propriété particulière d’une hétérostructure AlGaN/GaN: un canal bi-dimensionnel (2DEG). Les différentes technologies sont encore en développement et font face à différentes problématiques liées aux étapes critiques du procédé de fabrication des composants. L’une de ces étapes est la gravure
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3

Tran, Duc-Duy. "Techniques avancées de gravure pour les composants électroniques et optiques en diamant." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALT115.

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Le diamant suscite depuis quelques années une attention considérable en tant que matériau de choix pour les dispositifs électroniques et optiques avancés. Cependant, pour exploiter pleinement son potentiel, il est essentiel de surmonter des défis majeurs dans les processus de gravure. En effet, si les liaisons carbone-carbone très fortes du diamant lui confèrent des propriétés très intéressantes, elles rendent les procédés de gravure inefficaces ou mal adaptés. Les méthodes de gravure classiques sont inadaptées car elles causent trop de dommages de surface et de subsurface, ce qui affecte les
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Rollier, Anne-Sophie Collard Dominique Buchaillot Lionel. "Technologies microsystèmes avancées pour le fonctionnement de dispositifs en milieu liquide et les applications nanométriques." Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille, 2007. https://iris.univ-lille1.fr/dspace/handle/1908/1036.

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Streszczenie:
Reproduction de : Thèse de doctorat : Microondes et microtechnologies : Lille 1 : 2006.<br>N° d'ordre (Lille 1) : 3891. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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HEHN, Michel. "ELABORATION, ETUDE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET MAGNETIQUES DE COUCHES ET RESEAUX DE PLOTS SUBMICRONIQUES A BASE DE COBALT." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 1997. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00002760.

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Dans une première partie, nous avons élaboré des couches épitaxiées de cobalt d'épaisseur variant de 10 à 500 nm et étudié leurs propriétés structurales et magnétiques. Nous avons optimisé leur croissance pour obtenir du cobalt dans sa phase cristalline hexagonale (0001) car elle présente la plus forte anisotropie magnétocristalline perpendiculaire. Puis, nous avons montré que l'aimantation de ces couches passe d'une configuration en domaines d'aimantation planaire à perpendiculaire lorsque l'épaisseur varie entre 10 et 50 nm. Pour des épaisseurs supérieures à 50 nm, la structure en domaines e
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XU, XIANG ZHEN. "Les mecanismes de croissance de films de bi#2sr#2cuo#x deposes sequentiellement couche atomique par couche atomique." Paris 6, 1993. http://www.theses.fr/1993PA066278.

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L'utilisation des cuprates supraconducteurs en electronique suppose la realisation de films d'excellente qualite tant supraconductrices que morphologiques. Dans la methode d'epitaxie par jets moleculaires que nous utilisons, les constituants sont deposes par sequences correspondant exactement a un plan atomique du compose a realiser. Chaque source, cellule de knudsen ou canon electronique, est munie d'un cache dont la duree d'ouverture permet d'ajuster la quantite de matiere deposee. Cette methode est en principe tres puissante car elle permet de forcer la croissance de composes ayant une stru
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Rollier, Anne-Sophie. "Technologies microsystèmes avancées pour le fonctionnement de dispositifs en milieu liquide et les applications nanométriques." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00128689.

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Ce travail s'inscrit dans le cadre du développement de sondes actives destinées à améliorer les performances des microscopes à force atomique (AFM) en vue de caractériser des objets nanométriques en milieu liquide avec une grande résolution spatiale et temporelle. Il s'agit d'un enjeu d'actualité qui mobilise la communauté scientifique tant au niveau de la physique encore souvent mal comprise que de l'instrument lui-même dont la sonde microsystème va fournir des performances accrues. L'architecture de ce nouveau capteur AFM va être identique aux sondes de type poutre encastrée-libre classiquem
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Soriano, casero Robert. "Etude de la gravure du SiN contrôlée a l'échelle atomique par implantation d'O2 suivi de gravure ultra-sélective SiO2/SiN en plasma déporté NF3/NH3." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT003/document.

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Depuis le début de la microélectronique, l’industrie a développé sans arrêt des nouvelles technologies de gravure plasma pour diminuer la taille des dispositifs tout en réduisant le cout de fabrication et en augmentent les performances des circuits intégrés. Aujourd’hui, les transistors tel que le FDSOI 22nm ou FinFET 10 nm doivent être gravé avec une précision sub-nanométrique et sans endommager la sous-couche sur plus d’une couche atomique. Pour arriver à faire cela, de nouvelles technologie se développent, dont le Smart Etch. Cette technologie en deux étapes consiste à modifier la surface d
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Melo, Sánchez Claudia de. "Croissance sélective de Cu2O et Cu métallique par dépôt par couche atomique sur ZnO et leur application en optoélectronique." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2019. http://www.theses.fr/2019LORR0040.

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Dans ce travail, après l’état de l’art et la présentation de méthodes de synthèse et d’analyse, nous présentons des résultats sur la croissance sélective de Cu2O et Cu métallique par dépôt par couche atomique (ALD) sur ZnO, ZnO dopé à l’Al (AZO) et α-Al2O3. Nous mettons en évidence la possibilité de déposer de façon sélective Cu métallique ou Cu2O, en contrôlant la température de dépôt et la conductivité ou la densité des défauts ponctuels au sein du substrat. Un procédé sélectif local de dépôt par couche atomique (AS-ALD) a été mis en évidence sur une bicouche à motifs composée de zones de Zn
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Vital, Alexane. "Elaboration de masques nano poreux de polymères et gravure profonde du silicium." Thesis, Orléans, 2016. http://www.theses.fr/2016ORLE2011/document.

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En microélectronique, les techniques actuelles de fabrication des supercondensateurs requièrent le développement de motifs nanostructurés de surface spécifique élevée. Nous nous intéressons à une alternative émergeante aux techniques classiques ‘top-down’ de fabrication des masques de gravure : les mélanges d’homopolymères. En effet, deux polymères avec des chimies différentes sous forme de films minces peuvent conduire à une séparation de phase avec des domaines cylindriques de taille sub-micrométrique. Une gravure cryogénique au travers de ces masques produit une nanostructuration avec une i
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