Gotowe bibliografie tematyczne / Jonctions magnétiques tunnel

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Gotowa bibliografia na temat „Jonctions magnétiques tunnel”

Autor: Grafiati

Data publikacji: 15 lutego 2025

Data aktualizacji: 31 lipca 2025

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Rozprawy doktorskie na temat "Jonctions magnétiques tunnel"

Coelho, Paulo Veloso. "Doubles jonctions tunnel magnétiques pour dispositifs spintroniques innovants." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY048/document.

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Streszczenie:

Un des dilemmes au quel doit faire face la technologie MRAM est la réduction de la consommation énergétique et l’amélioration des vitesses d’accès aux données sans compromettre la rétention des données. Une des solutions possibles passe par les jonctions tunnel magnétiques à double barrière(JTMDB) dont l’amplitude du couple de transfert de spin de la couche de stockage peut être réglée par le choix de la configuration magnétique des électrodes. Cela permet ainsi des modes d’opération lecture/écriture plus fiables pour les MRAM. Malgré la réduction de moitié du courant de commutation, une étude

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Mizrahi, Alice. "Jonctions tunnel magnétiques stochastiques pour le calcul bioinspiré." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS006/document.

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Streszczenie:

Les jonctions tunnel magnétiques sont des candidats prometteurs for le calcul. Mais quand elles sont réduites à des dimensions nanométriques, conserver leur stabilité devient difficile. Les jonctions tunnel magnétiques instables subissent des renversements aléatoires de leur aimantation et se comportent comme des oscillateurs stochastiques. Pourtant, la nature stochastique de ces jonctions tunnel superparamagnétiques n’est pas une faille mais un atout qui peut être utilisé pour le calcul bio-inspiré. En effet, notre cerveau a évolué de sorte qu’il puisse fonctionner dans un environnement bruit

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Chatterjee, Jyotirmoy. "Optimisation de jonctions tunnel magnétiques pour STT-MRAM et développement d'un nouveau procédé de nanostructuration de ces jonctions." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT130/document.

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Streszczenie:

Le but de la thèse sera d'étudier la faisabilité d'un nouveau procédé de nanostructuration des jonctions tunnel de dimension sub-30nm récemment imaginé et breveté par Spintec et le LTM et de tester les propriétés des jonctions tunnel obtenus sur les plans structural, magnétique et des propriétés électriques. Une attention particulière sera mise sur la caractérisation des défauts générés en bord de piliers lors de la gravure des jonctions tunnels et l'impact de ces défauts sur les propriétés magnétiques et de transport. Une autre partie de la thèse concerne l'optimisation des propriétés magnéti

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Mouchel, Myckael. "Développement de jonctions tunnel magnétiques bas bruit pour les capteurs de champ magnétique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAY104.

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Les capteurs de champ magnétique à base de jonctions tunnel magnétiques sont parmi les solutions les plus prometteuses dans le cadre de la miniaturisation toujours plus poussée des composants. Crocus Technology, entreprise partenaire de cette thèse, conçoit depuis plusieurs années des capteurs parmi les plus petits du marché. Malgré leur très bonne sensibilité, ils présentent un bruit en 1/f très important dégradant fortement leur capacité à détecter des champs magnétiques de faible amplitude. Les travaux de cette thèse s’inscrivent dans un contexte de réduction du bruit et d’amélioration de l

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Chanthbouala, André. "Jonctions tunnel magnétiques et ferroélectriques : nouveaux concepts de memristors." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00932584.

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Streszczenie:

Durant ce travail de thèse, nous avons étudié deux concepts originaux de memristor fondés sur des effets purement électroniques. Un memristor est une nanorésistance variable non-volatile dont la valeur dépend de la quantité de charges qui l'a traversée. Ce composant est particulièrement prometteur pour des applications en tant qu'élément de mémoire binaire multi-niveaux ou en tant que synapse artificielle pour intégration dans des architectures de calculs neuromorphiques. Le premier concept, le memristor spintronique, se base sur une jonction tunnel magnétique dans laquelle une paroi magnétiqu

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Chanthbouala, André. "Jonctions tunnel ferroélectriques ou magnétiques : nouveaux concepts de memristor." Paris 6, 2013. http://www.theses.fr/2013PA066520.

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Streszczenie:

Durant ce travail de thèse, nous avons étudié deux concepts originaux de memristor fondés sur des effets purement électroniques. Un memristor est une nanorésistance variable non-volatile dont la valeur dépend de la quantité de charges qui l’a traversée. Ce composant est particulièrement prometteur pour des applications en tant qu’élément de mémoire binaire multi-niveaux ou en tant que synapse artificielle pour intégration dans des architectures de calculs neuromorphiques. Le premier concept, le memristor spintronique, se base sur une jonction tunnel magnétique dans laquelle une paroi magnétiqu

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Delprat, Sophie. "Jonctions tunnel magnétiques avec des monocouches moléculaires auto-assemblées." Thesis, Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066137/document.

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Le sujet de cette thèse concerne la spintronique moléculaire. Des jonctions tunnel magnétiques formées par une barrière tunnel moléculaire (monocouche auto-assemblée) insérée entre deux électrodes métalliques ferromagnétiques ont été étudiées. Afin de fabriquer les dispositifs, un procédé de greffage des molécules sur des substrats ferromagnétiques a été mis en place et une technique de lithographie a été développée pour définir des jonctions de taille submicronique. L’ensemble de ce travail expérimental a permis l’obtention de jonctions non court-circuitées et mesurables, où le transport élec

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Delprat, Sophie. "Jonctions tunnel magnétiques avec des monocouches moléculaires auto-assemblées." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066137.

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Manchon, Aurélien. "Magnétorésistance et transfert de spin dans les jonctions tunnel magnétiques." Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10301.

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L'observation du renversement d'aimantation induit par courant polarisé (CIMS) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) a ouvert de nouvelles perspectives d'applications pour l'électronique de spin, en particulier à travers les mémoires magnétiques (MRAM). Cette réalisation exige une bonne maîtrise de l'oxydation de la barrière tunnel mais aussi une connaissance approfondie du phénomène de transfert dans ces dispositifs. En premier lieu, une étude expérimentale de l'influence de l'oxygène sur les propriétés magnétiques d'une tricouche Pt/Co/MOx (MOx est un métal oxydé) est présentée. La mod

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Rodary, Guillemin. "Transport dépendant du spin dans des doubles jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Université Paris-Diderot - Paris VII, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008574.

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L'objectif de ce travail a été la détection d'un magnéto-courant dans le transistor magnétique à base de double jonction tunnel. Ce magnéto-courant a pour origine l'émission d'un courant d'électrons chauds subissant un transport balistique et étant polarisé en spin. Des échantillons ont été élaborés par pulvérisation cathodique. Une technique innovante de prise de contact électrique des trois électrodes d'une double jonction tunnel par lithographie et gravure ionique a été mise en oeuvre. Il a été montré l'influence de cette structuration des échantillons sur les propriétés de transport des jo

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JAMET, Matthieu, Diogo C. VAZ, Juan F. SIERRA, et al. "La spintronique bidimensionnelle." In Au-delà du CMOS. ISTE Group, 2024. http://dx.doi.org/10.51926/iste.9127.ch5.

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Streszczenie:

L'introduction des systèmes 2D en spintronique a été à l'origine de plusieurs découvertes majeures et de phénomènes originaux. Ce chapitre passe en revue les avancées et applications dans ce domaine, comme l'effet Rashba-Edelstein inverse, le transport de spin dans les matériaux 2D et leur intégration dans les jonctions tunnel magnétiques, les mémoires magnétiques à accès aléatoire et les propriétés de spin des isolants topologiques.

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