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Rozprawy doktorskie na temat „Jonctions magnétiques tunnel”

Autor: Grafiati
Data publikacji: 15 lutego 2025
Data aktualizacji: 31 lipca 2025

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Coelho, Paulo Veloso. "Doubles jonctions tunnel magnétiques pour dispositifs spintroniques innovants." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY048/document.

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Streszczenie:
Un des dilemmes au quel doit faire face la technologie MRAM est la réduction de la consommation énergétique et l’amélioration des vitesses d’accès aux données sans compromettre la rétention des données. Une des solutions possibles passe par les jonctions tunnel magnétiques à double barrière(JTMDB) dont l’amplitude du couple de transfert de spin de la couche de stockage peut être réglée par le choix de la configuration magnétique des électrodes. Cela permet ainsi des modes d’opération lecture/écriture plus fiables pour les MRAM. Malgré la réduction de moitié du courant de commutation, une étude
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Mizrahi, Alice. "Jonctions tunnel magnétiques stochastiques pour le calcul bioinspiré." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS006/document.

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Streszczenie:
Les jonctions tunnel magnétiques sont des candidats prometteurs for le calcul. Mais quand elles sont réduites à des dimensions nanométriques, conserver leur stabilité devient difficile. Les jonctions tunnel magnétiques instables subissent des renversements aléatoires de leur aimantation et se comportent comme des oscillateurs stochastiques. Pourtant, la nature stochastique de ces jonctions tunnel superparamagnétiques n’est pas une faille mais un atout qui peut être utilisé pour le calcul bio-inspiré. En effet, notre cerveau a évolué de sorte qu’il puisse fonctionner dans un environnement bruit
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Chatterjee, Jyotirmoy. "Optimisation de jonctions tunnel magnétiques pour STT-MRAM et développement d'un nouveau procédé de nanostructuration de ces jonctions." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT130/document.

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Streszczenie:
Le but de la thèse sera d'étudier la faisabilité d'un nouveau procédé de nanostructuration des jonctions tunnel de dimension sub-30nm récemment imaginé et breveté par Spintec et le LTM et de tester les propriétés des jonctions tunnel obtenus sur les plans structural, magnétique et des propriétés électriques. Une attention particulière sera mise sur la caractérisation des défauts générés en bord de piliers lors de la gravure des jonctions tunnels et l'impact de ces défauts sur les propriétés magnétiques et de transport. Une autre partie de la thèse concerne l'optimisation des propriétés magnéti
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Mouchel, Myckael. "Développement de jonctions tunnel magnétiques bas bruit pour les capteurs de champ magnétique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAY104.

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Streszczenie:
Les capteurs de champ magnétique à base de jonctions tunnel magnétiques sont parmi les solutions les plus prometteuses dans le cadre de la miniaturisation toujours plus poussée des composants. Crocus Technology, entreprise partenaire de cette thèse, conçoit depuis plusieurs années des capteurs parmi les plus petits du marché. Malgré leur très bonne sensibilité, ils présentent un bruit en 1/f très important dégradant fortement leur capacité à détecter des champs magnétiques de faible amplitude. Les travaux de cette thèse s’inscrivent dans un contexte de réduction du bruit et d’amélioration de l
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Chanthbouala, André. "Jonctions tunnel magnétiques et ferroélectriques : nouveaux concepts de memristors." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00932584.

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Streszczenie:
Durant ce travail de thèse, nous avons étudié deux concepts originaux de memristor fondés sur des effets purement électroniques. Un memristor est une nanorésistance variable non-volatile dont la valeur dépend de la quantité de charges qui l'a traversée. Ce composant est particulièrement prometteur pour des applications en tant qu'élément de mémoire binaire multi-niveaux ou en tant que synapse artificielle pour intégration dans des architectures de calculs neuromorphiques. Le premier concept, le memristor spintronique, se base sur une jonction tunnel magnétique dans laquelle une paroi magnétiqu
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Chanthbouala, André. "Jonctions tunnel ferroélectriques ou magnétiques : nouveaux concepts de memristor." Paris 6, 2013. http://www.theses.fr/2013PA066520.

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Streszczenie:
Durant ce travail de thèse, nous avons étudié deux concepts originaux de memristor fondés sur des effets purement électroniques. Un memristor est une nanorésistance variable non-volatile dont la valeur dépend de la quantité de charges qui l’a traversée. Ce composant est particulièrement prometteur pour des applications en tant qu’élément de mémoire binaire multi-niveaux ou en tant que synapse artificielle pour intégration dans des architectures de calculs neuromorphiques. Le premier concept, le memristor spintronique, se base sur une jonction tunnel magnétique dans laquelle une paroi magnétiqu
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Delprat, Sophie. "Jonctions tunnel magnétiques avec des monocouches moléculaires auto-assemblées." Thesis, Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066137/document.

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Streszczenie:
Le sujet de cette thèse concerne la spintronique moléculaire. Des jonctions tunnel magnétiques formées par une barrière tunnel moléculaire (monocouche auto-assemblée) insérée entre deux électrodes métalliques ferromagnétiques ont été étudiées. Afin de fabriquer les dispositifs, un procédé de greffage des molécules sur des substrats ferromagnétiques a été mis en place et une technique de lithographie a été développée pour définir des jonctions de taille submicronique. L’ensemble de ce travail expérimental a permis l’obtention de jonctions non court-circuitées et mesurables, où le transport élec
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Delprat, Sophie. "Jonctions tunnel magnétiques avec des monocouches moléculaires auto-assemblées." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066137.

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Le sujet de cette thèse concerne la spintronique moléculaire. Des jonctions tunnel magnétiques formées par une barrière tunnel moléculaire (monocouche auto-assemblée) insérée entre deux électrodes métalliques ferromagnétiques ont été étudiées. Afin de fabriquer les dispositifs, un procédé de greffage des molécules sur des substrats ferromagnétiques a été mis en place et une technique de lithographie a été développée pour définir des jonctions de taille submicronique. L’ensemble de ce travail expérimental a permis l’obtention de jonctions non court-circuitées et mesurables, où le transport élec
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Manchon, Aurélien. "Magnétorésistance et transfert de spin dans les jonctions tunnel magnétiques." Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10301.

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Streszczenie:
L'observation du renversement d'aimantation induit par courant polarisé (CIMS) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) a ouvert de nouvelles perspectives d'applications pour l'électronique de spin, en particulier à travers les mémoires magnétiques (MRAM). Cette réalisation exige une bonne maîtrise de l'oxydation de la barrière tunnel mais aussi une connaissance approfondie du phénomène de transfert dans ces dispositifs. En premier lieu, une étude expérimentale de l'influence de l'oxygène sur les propriétés magnétiques d'une tricouche Pt/Co/MOx (MOx est un métal oxydé) est présentée. La mod
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Rodary, Guillemin. "Transport dépendant du spin dans des doubles jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Université Paris-Diderot - Paris VII, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008574.

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Streszczenie:
L'objectif de ce travail a été la détection d'un magnéto-courant dans le transistor magnétique à base de double jonction tunnel. Ce magnéto-courant a pour origine l'émission d'un courant d'électrons chauds subissant un transport balistique et étant polarisé en spin. Des échantillons ont été élaborés par pulvérisation cathodique. Une technique innovante de prise de contact électrique des trois électrodes d'une double jonction tunnel par lithographie et gravure ionique a été mise en oeuvre. Il a été montré l'influence de cette structuration des échantillons sur les propriétés de transport des jo
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Bandiera, Sebastien. "Jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire et écriture assistée thermiquement." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00656105.

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Streszczenie:
Dans le cadre de l'augmentation de la densité de stockage des mémoires magnétorésistives à accès direct (MRAM), les matériaux à anisotropie magnétique perpendiculaire sont particulièrement intéressants car ils possèdent une très forte anisotropie. Cependant, cette augmentation d'anisotropie induit également un accroissement de la consommation d'écriture. Un nouveau concept d'écriture assistée thermiquement a été proposé par le laboratoire SPINTEC. Le principe est de concevoir une structure très stable à température ambiante, mais qui perd son anisotropie lorsqu'elle est chauffée, facilitant ai
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Bandiera, Sébastien. "Jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire et écriture assistée thermiquement." Thesis, Grenoble, 2011. http://www.theses.fr/2011GRENY053/document.

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Streszczenie:
Dans le cadre de l'augmentation de la densité de stockage des mémoires magnétorésistives à accès direct (MRAM), les matériaux à anisotropie magnétique perpendiculaire sont particulièrement intéressants car ils possèdent une très forte anisotropie. Cependant, cette augmentation d'anisotropie induit également un accroissement de la consommation d'écriture. Un nouveau concept d'écriture assistée thermiquement a été proposé par le laboratoire SPINTEC. Le principe est de concevoir une structure très stable à température ambiante, mais qui perd son anisotropie lorsqu'elle est chauffée, facilitant ai
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Clément, Pierre-Yves. "Transport électronique dans les jonctions tunnel magnétiques à double barrière." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENY040/document.

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Afin de concurrencer les mémoires à accès aléatoire de type DRAM actuellement sur le marché, les mémoires magnétiques ont depuis quelques années fait l'objet de nombreuses études afin de les rendre aussi performantes que possible. Dans ce contexte, les jonctions tunnel magnétiques à double barrière pourraient présenter des avantages significatifs en termes de vitesse de lecture et de consommation électrique. Nous avons en effet fait la démonstration que les structures à double barrière permettent, pour une configuration antiparallèle des aimantations des polariseurs, d'accroître les effets de
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Conraux, Yann. "Préparation et caractérisation d’un alliage amorphe ferrimagnétique de GdCo entrant dans la conception de jonctions tunnel magnétiques : résistance des jonctions tunnel magnétiques aux rayonnements ionisants." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2005. http://www.theses.fr/2005GRE10148.

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Streszczenie:
Les mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) sont en passe de supplanter les autres formes de mémoires à accès aléatoire utilisant des états de charge électrique, et ce grâce à leurs nombreux avantages techniques : non-volatilité, rapidité, faible consommation énergétique, robustesse. Egalement, les MRAM sont prétendues insensibles aux rayonnements ionisants, ce qui n'a pas été vérifié expérimentalement jusqu'à présent. L'architecture actuelle des MRAM est basée sur l'utilisation de jonctions tunnel magnétiques (JTM). Ces MRAM peuvent présenter un inconvénient de taille, car elles sont su
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Hassen, Emeline. "Elaboration de jonctions tunnel magnétiques à barrière SrTiO3 pour application bas RA." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00845676.

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Streszczenie:
Ce travail de thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation de jonctions tunnel magnétiques (JTM) polycristallines à barrière d'oxyde de titane de strontium, SrTiO3, qui se situe parmi les nouvelles barrières tunnel aux bandes interdites les plus étroites, recensées par la littérature. De telles barrières pourraient répondre à un besoin applicatif crucial : avoir un produit résistance x surface, RA, plus faible dans les JTM, ou à son corollaire, avoir une épaisseur de barrière plus forte à RA égal tout en conservant une magnétorésistance tunnel, TMR, élevée. De précédents travaux ont mon
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Najjari, Nabil. "Basculement électrique dans des jonctions tunnel magnétiques à base de MgO." Strasbourg, 2011. http://www.theses.fr/2011STRA6084.

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Ce travail de thèse s’inscrit dans le contexte des études actuelles sur les jonctions tunnels magnétiques (JTM) à base de MgO qui constituent les cellules élémentaires de mémoires non-volatiles MRAM. La première partie constitue une introduction générale de l’étude. Les phénomènes de basculement de résistance sont tout d’abord décrits. Les différentes origines de ces phénomènes de basculement de résistance sont rappelées. La deuxième partie traite de la synthèse des échantillons. Les différentes étapes du procédé de structuration sont présentées, ainsi que les difficultés rencontrées et les so
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Diouf, Baye Boucar. "Elaboration et étude de jonctions tunnel magnétiques NiO/Co/Al2O3/Co." Toulouse, INSA, 2003. http://www.theses.fr/2003ISAT0005.

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Cette thèse préparée au LPMC s'inscrit dans le cadre de la recherche aujourd'hui très active en Electronique de Spin. Les jonctions tunnel à forte magnétorésistance (TMR) à température ambiante sont trés prometteurs pour des applications telles que des MRAM ou des têtes de lecture de disques durs, ceci dans un futur relativement proche. Plusieurs objectifs majeurs ont été atteints dans ce travail en combiant sputtering et masques de contact ou lithographie pour la fabrication des dispositifs et pour leur caratérisation, des mesures de transport, de magnétorésistance, la magnétométrie MOKE, la
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Tiuşan, Coriolan. "Magnétisme et transport polarisé en spin dans des jonctions tunnel magnétiques : utilisation du transport tunnel comme une sonde micro magnétique." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2000. http://www.theses.fr/2000STR13058.

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Manchon, Aurélien. "MAGNETORESISTANCE ET TRANSFERT DE SPIN DANS LES JONCTIONS TUNNEL MAGNETIQUES." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00203385.

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Streszczenie:
L'observation du renversement d'aimantation induit par courant polarisé (CIMS) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) a ouvert de nouvelles perspectives d'applications pour l'électronique de spin, en particulier à travers les mémoires magnétiques (MRAM). Cette réalisation exige une bonne maîtrise de l'oxydation de la barrière tunnel mais aussi une connaissance approfondie du phénomène de transfert dans ces dispositifs.<br />En premier lieu, une étude expérimentale de l'influence de l'oxygène sur les propriétés magnétiques d'une tricouche Pt/Co/MOx (MOx est un métal oxydé) est présentée. L
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Dounia, Salim. "Optimisation des performances de capteurs de champ à base de jonctions tunnel magnétiques." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALY025.

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Streszczenie:
Les capteurs de champ magnétique à base de jonctions tunnel magnétiques constituent une solution prometteuse dans le cadre du développement de dispositifs miniatures de basse consommation. Les performances de ces capteurs dépendent fortement de l’état magnétique (macrospin ou vortex) et des dimensions de la couche libre. Crocus Technology entreprise partenaire de cette thèse conçoit depuis plusieurs années des capteurs à base de jonctions tunnel. Malgré leur très bonne sensibilité, les capteurs dont la couche libre est à l’état macrospin, présentent un bruit important, dégradant fortement la c
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Fix, Thomas. "Couches minces de Sr2FeMoO6 élaborées par ablation laser pour des jonctions tunnel magnétiques." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2006. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2006/FIX_Thomas_2006.pdf.

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Streszczenie:
Lorsque deux couches ferromagnétiques sont séparées par une fine couche isolante (ou semi-conductrice) le transport électronique est autorisé par effet tunnel. Ce type d’empilement, qui est appelé jonction tunnel magnétique, est très prometteur au niveau des applications. La magnétorésistance observée est alors appelée magnétorésistance tunnel. La magnétorésistance tunnel est liée à la polarisation en spin des électrodes, c’est-à-dire qu’elle est liée à l’asymétrie des densités d’états des électrodes au niveau de Fermi pour les deux directions de spin. Une solution pour avoir une polarisation
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Guth, Michel. "Propriétés de transport de jonctions tunnels magnétiques utilisant un composé II-VI de ZnS comme barrière tunnel." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2003. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2003/GUTH_Michel_2003.pdf.

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Zermatten, Pierre-Jean. "Étude du transport tunnel dépendant du spin dans des jonctions tunnels magnétiques épitaxiées Fe/MgO/Fe bcc." Phd thesis, Grenoble 1, 2008. http://www.theses.fr/2008GRE10139.

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Streszczenie:
La prédiction et l'observation de très forts taux de magnétorésistance tunnel (TMR) dans des jonctions tunnel magnétiques à base de MgO a ouvert de nouvelles perspectives d'applications dans le domaine de l'électronique de spin. Ces forts taux de TMR ne peuvent s'expliquer qu'en prenant en compte la structure cristalline des électrodes et le filtrage de la barrière tunnel dépendant des symétries. Un dispositif original de mesures de transport sous champ magnétique d'objets de taille nanométrique a été développé au cours de cette thèse. Il associe une électronique d'acquisition rapide et un Mic
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Zermatten, Pierre-Jean. "Étude du transport tunnel dépendant du spin dans des jonctions tunnels magnétiques épitaxiées Fe/MgO/Fe bcc." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00345079.

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Streszczenie:
La prédiction et l'observation de très forts taux de magnétorésistance tunnel (TMR) dans des jonctions tunnel magnétiques à base de MgO a ouvert de nouvelles perspectives d'applications dans le domaine de l'électronique de spin. Ces forts taux de TMR ne peuvent s'expliquer qu'en prenant en compte la structure cristalline des électrodes et le filtrage de la barrière tunnel dépendant des symétries. <br />Un dispositif original de mesures de transport sous champ magnétique d'objets de taille nanométrique a été développé au cours de cette thèse. Il associe une électronique d'acquisition rapide et
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Nistor, Lavinia. "Jonctions tunnel magnétiques à aimantation perpendiculaire : anisotropie, magnétorésistance, couplages magnétiques et renversement par couple de transfert de spin." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00648593.

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Streszczenie:
Le but de cette thèse est l'étude des propriétés de jonctions tunnel magnétiques à aimantation perpendiculaire, en utilisant l'anisotropie perpendiculaire présente à l'interface entre un métal magnétique et un oxyde. En théorie, dans le cas des applications mémoires, les jonctions tunnel perpendiculaires devraient nécessiter moins d'énergie (courant) pour l'écriture par courant polarisé en spin. Mais la fabrication de telles structures représente un défi et une tâche difficile puisque les propriétés de transport (TMR) et d'anisotropie imposent des contraintes sur les matériaux utilisées en lim
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Iovan, Adrian. "Elaboration et caractérisation de jonctions tunnel à plusieurs barrières pour l'intégration dans une nouvelle génération de mémoires magnétiques." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2004. https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2004/IOVAN_Adrian_2004.pdf.

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Streszczenie:
Après la découverte d'une grande magnétorésistance tunnel (MRT) dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM) à température ambiante, beaucoup d’applications potentielles basées sur le transport polarisé ont émergé, en particulier pour l’utilisation des jonctions tunnel au sein de mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM). Cependant, les MRAM actuellement proposées, nécessitent d’ajouter un commutateur semi-conducteur (un transistor CMOS ou une diode PN ) en série avec la cellule mémoire (JTM). En effet, dans une matrice de JTM, il faut supprimer (ou bloquer) les courants parasites provenant
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Petit, Sébastien. "Influence du couple de transfert de spin sur les fluctuations magnétiques thermiquement activées dans les jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Grenoble 1, 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10237.

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Streszczenie:
La réduction croissante des tailles des dispositifs de l'électronique de spin s'accompagne d'une diminution du rapport signal sur bruit, notamment du fait de l'augmentation des fluctuations magnétiques à l'approche de la limite super-paramagnétique. Simultanément la réduction des dimensions de ces dispositifs a entraîné l'apparition d'un nouveau phénomène: le transfert de spin, qui se traduit par un couple exercé par un courant polarisé en spin sur l'aimantation d'une couche ferromagnétique. Pour une densité de courant supérieure à une valeur seuil appelée courant critique, l'aimantation de la
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Petit, Sébastien. "Influence du couple de transfert de spin sur les fluctuations magnétiques thermiquement activées dans les jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Grenoble 1, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00293055.

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Streszczenie:
La réduction croissante des tailles des dispositifs de l'électronique de spin s'accompagne d'une diminution du rapport signal sur bruit, notamment du fait de l'augmentation des fluctuations magnétiques à l'approche de la limite super paramagnétique. Simultanément la réduction des dimensions de ces dispositifs a entraîné l'apparition d'un nouveau phénomène : le transfert de spin, qui se traduit par un couple exercé par un courant polarisé en spin sur l'aimantation d'une couche ferromagnétique. Pour une densité de courant supérieure à une valeur seuil appelée courant critique, l'aimantation de l
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De, person Pierre. "Jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire : croissance, caractérisations structurales ; phénomènes de couplage, magnétotransport ; extension aux hétérostructures pour l'injection de spins dans les semiconducteurs III-V." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://www.theses.fr/2007GRE10035.

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Streszczenie:
Le sujet de cette thèse est l'élaboration par épitaxie et la caractérisation de dispositifs pour l'électronique de spin, à savoir une jonction tunnel magnétique (FePt/MgO/FePt) et une hétérostructure hybride métal ferromagnétique / semiconducteur III-V (FePt/MgO/GaAs). L'approche retenue dans les deux cas a été l'utilisation d'une barrière isolante MgO et d'électrodes ferromagnétiques présentant une aimantation perpendiculaire au plan de la couche, réalisées en alliage ordonné FePt (phase L1o) ; le choix de ce matériau a été adopté dans l'optique de créer des mémoires magnétiques, sa forte ani
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Yang, Hongxin. "Etude ab-initio des phénomènes spintronique dans les jonctions tunnel magnétiques et le graphène." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00770720.

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Streszczenie:
Phénomènes de spintronique dans les jonctions tunnel magnétiques et des films minces sont très prometteurs des deux points fondamentaux et l'application de vue. Elles sont basées sur l'exploration de spin d'électron en plus de sa charge et comprennent intercalaire couplage d'échange (CEI), l'anisotropie magnétique perpendiculaire (PMA), géante (GMR) et magnétorésistance tunnel (TMR), Couple de transfert de spin (STT), Spin effet Hall (SHE) et même induire du magnétisme dans les éléments non compris d graphène. Cette thèse comprendra premiers principes des études de phénomènes spintronique qui
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Amara, Selma. "Etude de fiabilité des jonctions tunnel magnétiques pour applications à forte densité de courant." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00846519.

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L'objectif de cette thèse est d'étudier la fiabilité et la cyclabilité des jonctions Tunnel magnétique pour mieux comprendre les mécanismes de dégradation et de claquage de la barrière. Une étude de l'endurance de la barrière MgO jusqu'au claquage électrique est présentée. Les échantillons ont été testés sous un mode impulsionnel. Par l'étude de l'effet de retard entre des impulsions successives, une durée de vie optimale des JTM est observée pour une valeur intermédiaire de retard entre les impulsions correspondant à un compromis optimal entre la densité moyenne de charge piégée dans la barri
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Monso, Sandra. "Fabrication et tests de points mémoire non-volatiles à base de jonctions tunnel magnétiques." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2003. http://www.theses.fr/2003GRE10208.

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Dimopoulos, Théodoros. "Transport polarisé en spin dans les jonctions tunnel magnétiques : Le rôle des interfaces métal/oxyde dans le processus tunnel." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2002. http://www.theses.fr/2002STR13215.

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Streszczenie:
Le domaine de recherche du transport polarisé en spin dans les jonctions tunnel de type métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnétique (FM/I/FM) s'est vu porter un nouvel intérêt dans les sept dernières années qui se sont écoulées depuis sa mise en évidence à température ambiante. Ces structures hybrides métal/isolant suscitent actuellement de réelles perspectives d'application dans le domaine des capteurs magnétoresistifs ou des mémoires vives magnétiques non volatiles. Dans une jonction, les électrons polarisés en spin par les électrodes magnétiques, traversent la fine couche d'isolant
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Maunoury, Cécile. "Les empilements ferromagnétique/alumine/ferromagnétique à base de cobalt et de permalloy : élaboration par pulvérisation ionique et étude de leurs propriétés." Paris 11, 2003. http://www.theses.fr/2003PA112310.

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Streszczenie:
Depuis quelques d'années, l'étude des multicouches métalliques a suscité un vif intérêt dans la communauté scientifique. En effet, elles possèdent des propriétés magnétiques liées à leur caractère bidimensionnel n'existant pas dans un matériau à l'état massif. Les multicouches magnétiques ou Jonctions Tunnel Magnétiques (JTM) peuvent être utilisées dans la réalisation de nouvelles mémoires magnétiques MRAM (Mémoire Magnétique à Accès Aléatoire) en tant qu'élément de stockage de l'information. Les JTM présentent des propriétés de magnétorésistance et sont typiquement composées de deux couches f
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Cuchet, Léa. "Propriétés de transport et d'anisotropie de jonctions tunnel magnétiques perpendiculaires avec simple ou double barrière." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAY060/document.

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Streszczenie:
Du fait de leurs propriétés avantageuses en termes de rétention des données, densité de stockage et faible courant critique pour l'écriture par courant polarisé en spin (STT), les jonctions tunnel magnétiques à anisotropie perpendiculaire sont devenues prédominantes dans les études sur les applications aux mémoires magnétiques MRAM. Les travaux de cette thèse s'inscrivent dans ce contexte avec pour but l'amélioration des propriétés de transport et d'anisotropie de telles structures ainsi que la réalisation d'empilements encore plus complexes tels que des doubles jonctions perpendiculaires. Grâ
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Schleicher, Filip. "L'effet des défauts structuraux sur le transport polarisé en spin dans les jonctions tunnel magnétiques." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00864726.

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Dans le manuscrit, nous étudions l'impact des défauts sur le transport électronique dépendant du spin dans les jonctions tunnel magnétiques (JTM). Ces études ont été effectuées sur des hétérostructures possédant des barrières tunnel composé de SrTiO3, TiO2 et de MgO. Dans le cas des deux premières structures, nous montrons comment l'oxydation à l'interface induit réduction très prononcée de la magnétorésistance tunnel (TMR). Dans le cas du MgO, des études optiques sur les états induits par les défauts dans la barrière isolante ont été effectué. Nous avons montré qu'il est possible de contrôler
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Oubensaid, El Houcine. "Elaboration et structuration d'empilements Co/Al2O3/Co/Ni80/Fe20 par pulvérisation ionique." Paris 11, 2006. https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011764.

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Une jonction tunnel magnetique (jtm) est composee de deux couches minces metalliques ferromagnetiques (cobalt, nickel, fer) separees par une barriere isolante ultramince (alumine) dans sa forme la plus simple. Cette structure a evolue depuis la mesure de la premiere magnetoresistance tunnel (mrt) à temperature ambiante en 1995. Actuellement, les jonctions tunnel magnetiques sont utilisees par la nouvelle generation de memoire vive magnetique (mram) et par les tetes de lecture des disques durs. Cette etude presente l'elaboration de jonctions tunnel magnetiques cobalt/alumine/cobalt/permalloy pa
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Bernos, Julien. "Elaboration de jonctions tunnel magnétiques et de jonctions métal/oxyde/semi-conducteur pour l'étude du transport et de la précession de spin d'électrons chauds." Thesis, Nancy 1, 2010. http://www.theses.fr/2010NAN10080/document.

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Ce travail porte sur la précession du spin d'électrons chauds polarisés en spin. Celle-ci est induite par le champ d'échange d'une couche mince ferromagnétique dans une structure multicouche lors de sa traversée. Deux approches ont été testées. La première nécessite des jonctions tunnel magnétiques (JTM) doubles à forte magnéto-résistance tunnel (TMR). Nous avons obtenu des JTM CoFeB/MgO/CoFeB à aimantations planaires avec 140 % de TMR. Une étude du transport tunnel dans ces systèmes a mis en évidence l'impact du désordre structurel des interfaces électrode/barrière sur le transport des électr
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TIUSAN, Coriolan. "MAGNETISME ET TRANSPORT POLARISE EN SPIN DANS DES JONCTIONS TUNNEL MAGNETIQUES. UTILISATION DU TRANSPORT TUNNEL COMME UNE SONDE MICROMAGNETIQUE." Phd thesis, Université Louis Pasteur - Strasbourg I, 2000. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00002763.

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L'effet tunnel dépendant du spin dans une structure métal ferromagnétique/isolant/métal ferromagnétique, composant une jonction tunnel magnétique, connaît ces dernières années un regain d'intérêt avec sa mise en évidence à température ambiante et avec ses multiples applications potentielles pour l'élaboration de nouveaux dispositifs micro-électroniques (mémoires non-volatiles, capteurs magnéto-résistifs, etc). Dans une jonction tunnel magnétique la transmission par effet tunnel des électrons, polarisés par les électrodes magnétiques, dépend de l'orientation relative des aimantations des électr
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Nicolas, Hugo. "Développement de magnétomètres intégrés à base de jonctions tunnel magnétiques à couple de transfert de spin." Electronic Thesis or Diss., Strasbourg, 2024. https://publication-theses.unistra.fr/restreint/theses_doctorat/2024/NICOLAS_Hugo_2024_ED269.pdf.

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Cette thèse présente l'utilisation de STT-MTJs perpendiculaires, développées initialement pour les MRAMs, en tant que capteurs magnétiques intégrés. Les MRAMs basées sur des MTJs utilisent généralement l'effet STT pour modifier l'orientation de l'aimantation d'une couche ferromagnétique douce en appliquant une forte tension aux bornes de la MTJ. Cela conduit à un changement de résistance permettant de placer la MTJ dans deux états distincts, parallèle et antiparallèle. Cependant, la tension nécessaire pour provoquer le retournement de l'aimantation de la couche douce dépend du champ magnétique
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Lavanant, Marion. "Retournement de l’aimantation dans des jonctions tunnels magnétiques par effet de transfert de spin." Thesis, Université de Lorraine, 2017. http://www.theses.fr/2017LORR0122/document.

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Les mémoires non-volatiles magnétiques à effet de couple de transfert de spin - STT-MRAM sont un nouveau type de mémoire pouvant remplacer les mémoires DRAM ou SRAM. Chaque point de mémoire STT-MRAM est une jonction tunnel magnétique sous forme d’un pilier de taille nanométrique, composée de deux couches magnétiques séparées par une barrière d'oxide. L'empilement multicouche doit être élaboré sous ultravide par épitaxie par faisceau moléculaire (M.B.E.) ou par pulvérisation cathodique (P.V.D.). Ces méthodes d’élaboration sont développées par la société Vinci Technologies (finançant ce travail
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Vizzini, Sébastien. "Elaboration et caractérisation d'oxydes d'aluminium ultra-minces pour une application aux jonctions tunnels magnétiques." Aix-Marseille 2, 2008. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2008AIX22036.pdf.

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La spectroscopie d'électrons Auger (AES), la microscopie électronique en transmission (TEM), la diffraction d'électrons lents (LEED) et la microscopie à effet tunnel (STM) ont été utilisés pour étudier la croissance et les propriétés physico-chimiques de films ultra minces d'oxyde d'aluminium réalisés sur Si(100) et Ag(111). Ces oxydes ont été réalisés par une méthode spécifique dite ALDO (Atomic Layer Deposition and Oxydation), qui consiste à croître l'oxyde couche par couche. Cette méthode donne naissance à un oxyde artificiel qui présente de nombreuses spécificités et fait de cet oxyde un b
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Gabillet, Laurianne. "Elaboration et étude des propriétés physiques de jonctions tunnel magnétiques à barrières d'Al2O3, de MgO, ou hybrides." Toulouse, INSA, 2004. http://www.theses.fr/2004ISAT0012.

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En électronique de spin, les jonctions tunnel magnétiques (JTM) présentant une forte magnétorésistance tunnel (MRT) à température ambiante, sont des structures très prometteuses pour la fabrication d'une nouvelle génération de mémoire vive (MRAM) ou pour la réalisation de capteurs magnétiques ultrasensibles (automobile, têtes de lecture de disque dur). Dans cette thèse, les JTM sont constituées d'un empilement NiO/Co/barrière/Co. La barrière est obtenue par oxydation naturelle d'une couche métallique d'épaisseur inférieure à 2 nm. Elle est soit simple, formée d'Al2O3 ou de MgO, soit hybride, f
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Lequeux, Steven. "Déplacement de paroi de domaine par transfert de spin dans des jonctions tunnel magnétiques : application au memristor spintronique." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016SACLS168/document.

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Streszczenie:
Dans le contexte actuel des technologies de l’information, le traitement séquentiel effectué par les ordinateurs d’architecture classique bute sur des problématiques de consommation d’énergie. En s’inspirant de la nature, et tout particulièrement du cerveau, une solution alternative apparaît à travers les réseaux de neurones artificiels. Dans ce cadre, la réalisation de nano-composants, appelés memristors, qui miment la plasticité synaptique, permet grâce à leur taille nanométrique d’envisager la réalisation de réseaux neuronaux densément interconnectés. Dans ce travail de thèse, notre intérêt
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Malinowski, Grégory. "Transport dépendant du spin et couplage d'échange : de la jonction tunnel au capteur magnétique intégré." Phd thesis, Université Henri Poincaré - Nancy I, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008797.

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Dans une première partie, les propriétés cristallographiques et magnétiques de couches minces X/IrMn et X/IrMn/Y (X,Y= Co et/ou Py) sont présentées. Le magnétisme est expliqué à l'aide de modèles micromagnétiques. La différence de couplage d'échange aux interfaces X/IrMn et IrMn/Y est indépendante de la microstructure et uniquement liée à l'ordre d'empilement des couches. Il est démontré que déposer une couche antiferromagnétique sur une couche ferromagnétique est totalement différent d'un point de vue magnétique de l'opération inverse. Dans une seconde partie, la bicouche IrMn/Co est utilisée
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Solignac, Aurélie. "Réalisation et étude d'hétérostructures à base du manganite La0.7Sr0.3MnO3 pour des capteurs magnétiques oxydes ultrasensibles." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00836295.

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Les matériaux oxydes possèdent une physique très riche et une large gamme de propriétés qui en font des matériaux très attractifs les applications. Notre but est d'utiliser ces matériaux oxydes pour améliorer les performances de capteurs magnétiques ultrasensibles appelés capteurs mixtes à 77K. Ces capteurs combineraient un transformateur flux champ supraconducteur en YBaCuO fonctionnant à 77K et la magnétorésistance d'une jonction tunnel dont les électrodes sont composées du manganite demi-métallique La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO). Durant cette thèse, nous avons développé l'élément clé de ce capteur q
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Olive, Mendez Siôn Federico. "Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin." Aix-Marseille 2, 2008. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2008AIX22003.pdf.

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Streszczenie:
Ce travail de thèse est focalisé sur l’étude des jonctions tunnel magnétiques (JTM) et des semiconducteurs ferromagnétiques dilués (DMS) pour des applications en spintronique. La technique de croissance utilisée est l’épitaxie par jets moléculaires dans l’ultravide (UHV-MBE) et parmi les techniques de caractérisations utilisées on peut citer la microscopie à force atomique (AFM), la microscopie électronique à effet tunnel (STM), la diffraction d’électrons à haute énergie en incidence rasante (RHEED) et la microscopie électronique en transmission (TEM). Concernant les JTM, on a proposé une méth
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Greullet, Fanny. "Les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées à base de MgO(001) : de l'étude statique et dynamique à l'injection de spin dépendant des symétries." Thesis, Nancy 1, 2009. http://www.theses.fr/2009NAN10001/document.

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Streszczenie:
Les modèles théoriques qui prônent l’existence d’un filtrage en symétrie dans les électrodes ferromagnétiques n’ont jamais souffert d’autre justification que leur potentiel à éclairer les résultats expérimentaux. En la matière, les jonctions tunnel magnétiques Fe/MgO/Fe(001) apparaissent être un outil approprié pour confronter expérience et théorie de par leur haute qualité cristalline, cette dernière étant essentielle pour se rapprocher au plus près des considérations théoriques. Les premières mesures de bruit basse fréquence réalisées sur ce système en démontrent la qualité remarquable, para
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Greullet, Fanny. "Les jonctions tunnels magnétiques épitaxiées à base de MgO(001) : de l'étude statique et dynamique à l'injection de spin dépendant des symétries." Phd thesis, Université Henri Poincaré - Nancy I, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00410668.

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Les modèles théoriques qui prônent l'existence d'un filtrage en symétrie dans les électrodes ferromagnétiques n'ont jamais souffert d'autre justification que leur potentiel à éclairer les résultats expérimentaux. En la matière, les jonctions tunnel magnétiques Fe/MgO/Fe(001) apparaissent être un outil approprié pour confronter expérience et théorie de par leur haute qualité cristalline, cette dernière étant essentielle pour se rapprocher au plus près des considérations théoriques. Les premières mesures de bruit basse fréquence réalisées sur ce système en démontrent la qualité remarquable, para
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Bonell, Frédéric. "Analyse du transport dans les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées à barrière de MgO(001) par manipulation des interfaces, de la barrière et des électrodes." Phd thesis, Université Henri Poincaré - Nancy I, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00456413.

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Les jonctions tunnel magnétiques épitaxiées sont des systèmes modèles permettant de confronter l'expérience à la théorie de l'effet tunnel polarisé en spin. Celles à barrière de MgO(001) font à ce titre l'objet de nombreuses études, dont certaines ont permis d'établir expérimentalement l'existence de phénomènes tunnel cohérents dépendant de la symétrie des états de Bloch. Les expériences réalisées au cours de cette thèse visent à identifier et contrôler plusieurs propriétés des interfaces, de la barrière et des électrodes qui s'expriment dans le transport tunnel. Nous étudions les conséquences
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