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Rozprawy doktorskie na temat „Les technologies avancées”

Autor: Grafiati

Data publikacji: 2 czerwca 2025

Data aktualizacji: 31 lipca 2025

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1

Lagacé, Denis. "Succès d'implantation des technologies manufacturières avancées." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 2000. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape4/PQDD_0017/NQ57381.pdf.

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Hoffmann, Thomas. "Modélisation et simulation multidimentionnelle des contraintes mécaniques en technologies silicium avancées." Lille 1, 2000. http://www.theses.fr/2000LIL10122.

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Streszczenie:

La reduction des dimensions des dispositifs microelectroniques reste a ce jour le meilleur moyen d'ameliorer les performances des circuits integres. Dans cette perspective, la maitrise des contraintes mecaniques generees au sein des dispositifs devient incontournable. L'identification des etapes critiques responsables de l'apparition de defaillances est souvent delicate car les origines possibles sont multiples (variations thermiques, oxydations, siliciurations, depots et gravures). La simulation multidimensionnelle (2d et 3d) de technologie represente un outil precieux qui permet le calcul de

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3

Nafaa, Beya. "Etude du bruit électrique basse fréquence dans des technologies CMOS avancées." Thesis, Normandie, 2018. http://www.theses.fr/2018NORMC273/document.

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Les travaux réalisés pendant cette thèse se focalisent sur l'étude de transistors double grille UTBOX complètement délpétés fabriqués pour le nœud technologique 16 nm. Les performances de ces composants en courant continu et en fonction de la température ont été évaluées. Les pièges localisés dans le film de silicium ont été identifiés à l’aide de la spectroscopie de bruit basse fréquence, donnant ainsi la possibilité d'évaluer les étapes de fabrications afin de les optimiser. Un pic inhabituel de transconductance a été observé dans les caractéristiques de transfert obtenues à faibles températ

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Petit-Faivre, Emilie. "Caractérisarion physique par imagerie électronique de défauts dans les technologies mémoires avancées." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4795/document.

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De nos jours, l'essor des produits électroniques nomades requièrent une capacité de stockage de données croissante et imposent la fabrication de composants mémoire performants, denses et fiables. Cela implique une grande robustesse des cellules mémoires élémentaires dont les dimensions caractéristiques sont régulièrement réduites. L'objectif principal de la thèse est d'appréhender les mécanismes de claquage d'oxydes minces voire ultraminces intégrés dans des empilements métal/oxyde/semiconducteur. Un intérêt particulier a été porté à la croissance d'îlots cristallins épitaxiés se formant lors

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5

Mina, Rayan. "Etude des architectures échantillonnées de réception radio en technologies CMOS submicroniques avancées." Phd thesis, Paris, ENST, 2008. https://pastel.hal.science/pastel-00005928.

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Avec l’arrivée des systèmes radio mobiles de troisième et de quatrième génération, les standards de communications ont tendance à occuper plus de bande pour pouvoir assurer des services de voix, de données et de multimédia. Dans ce contexte, la tendance est d’intégrer les fonctions radio et bandes de base sur le même substrat en technologie CMOS afin de réduire la surface et le coût de fabrication des terminaux sans fils. L’évolution de la technologie CMOS et la miniaturisation des transistors rendent la conception analogique de plus en plus difficile, de nouveaux effets parasites apparaissent

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Mina, Rayan. "Etude des architectures échantillonnées de réception radio en technologies CMOS submicroniques avancées." Phd thesis, Télécom ParisTech, 2008. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005928.

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Streszczenie:

Avec l'arrivée des systèmes radio mobiles de troisième et de quatrième génération, les standards de communications ont tendance à occuper plus de bande pour pouvoir assurer des services de voix, de données et de multimédia. En parallèle, le terminal mobile doit être reconfigurable pour couvrir à la fois le service cellulaire et la connectivité de données. Dans ce contexte, la tendance est d'intégrer les fonctions radio et bandes de base sur le même substrat en utilisant la technologie CMOS afin de réduire la surface, le coût de fabrication et la consommation des terminaux sans fils. Récemment,

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Breil, Nicolas. "Contribution à l'étude de techniques de siliciuration avancées pour les technologies CMOS décananométriques." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00460287.

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Dans le cadre de la réduction des dimensions des technologies CMOS, le module de jonction apparaît comme un point bloquant pour l'amélioration des performances. En particulier, la hauteur de barrière entre le siliciure et le silicium limite le courant passant du transistor. Cette thèse adresse spécifiquement la problématique du contrôle de la hauteur de barrière suivant deux directions. D'une part, nous étudions l'intérêt d'une modification du métal formant le siliciure. D'autre part, nous évaluons le potentiel des techniques de ségrégation de dopants pour la modulation de la hauteur de barriè

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8

Conde, Moustapha. "Composants optoélectroniques à microcavités verticales sur GaAs : Technologies avancées pour de nouvelles fonctions." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00357498.

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Streszczenie:

Face à la diversification des domaines d'application en optoélectronique, les émetteurs lasers, dont les VCSELs, évoluent rapidement vers une plus grande capacité d'intégration, ainsi qu'un accroissement de leurs fonctionnalités. Ceci a pour conséquence une sophistication des structures et des géométries de ces composants, impliquant la levée de certains verrous technologiques. Ce travail de thèse porte, d'une part, sur la mise en place d'une méthodologie d'optimisation de la croissance, d'analyse et de diagnostic rapide intégrée au procédé d'épitaxie par jets moléculaires (uniformité, maîtris

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9

Evennou, Frédéric. "Techniques et technologies de localisation avancées pour terminaux mobiles dans les environnements indoor." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00136064.

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Streszczenie:

Autant le GPS tend à s'imposer pour la localisation à l'extérieur des bâtiments, autant la situation est beaucoup plus ouverte pour la localisation à l'intérieur des bâtiments. De nombreux réseaux WiFi sont déployés dans les bâtiments. Ils diffusent des informations de puissance du signal permettant de remonter à la position d'un mobile. La technique du fingerprinting par puissance WiFi permet de localiser le mobile. Cependant, l'utilisation de cette technique de localisation requière une base de données correspondant à la couverture radio WiFi dans l'environnement.<br />L'utilisation d'une te

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10

Fuard, david. "Etude et caractérisation avancées des procédés plasma pour les technologies sub - 0.1 µm." Phd thesis, Université d'Orléans, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006610.

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Les interconnexions des circuits intégrés sub-0.25µm nécessitent l'intégration d'isolants «low-K» à plus faible permittivité diélectrique que SiO2 (~ 4.4) tel que le SiLK™ (~ 2.65), un matériau organique prometteur. Mais sa gravure plasma conduit à l'obtention de structures en forme de tonneau («bow»), alors que les profils gravés doivent rester anisotropes pour les étapes ultérieures d'intégration. Afin de réduire le bow, cette étude montre que la passivation des flancs des structures gravées est nécessaire, et fortement corrélée à la dégradation («graphitisation») du SiLK et à la présence de

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Fall, Diarga. "Techniques de tolérance aux fautes : conception des circuits fiables dans les technologies avancées." Thesis, Grenoble, 2013. http://www.theses.fr/2013GRENT030.

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En approchant leurs limites ultimes, les technologies de silicium sont affectées par divers problèmes qui rendent de plus en plus difficile la poursuite de la miniaturisation technologique. Ces problèmes concernent en particulier la dissipation de puissance, le rendement paramétrique (affecté par la variation des paramètres du processus de fabrication, des tension d'alimentation et de la température), et la fiabilité (affectée par ces mêmes variations ainsi que par l'accélération du vieillissement, les interférences et les soft-errors) Cette thèse concerne le développement et la mise en œuvre

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Dussault, Jean-Michel. "Développement et évaluation de stratégies de contrôle avancées des technologies de fenêtres intelligentes." Doctoral thesis, Université Laval, 2017. http://hdl.handle.net/20.500.11794/27726.

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Les fenêtres intelligentes présentent un potentiel important quant à la réduction de la consommation d’énergie dans les bâtiments et permettent d’assurer le confort visuel des occupants. Depuis le début des années 90, la recherche sur les technologies de fenêtres intelligentes s’est accentuée tant au niveau des technologies elles-mêmes qu’au niveau des types de contrôle qu’on peut leur appliquer pour gérer le plus efficacement possible le rayonnement solaire qui les traverse. Plusieurs laboratoires de recherche tels que le Lawrence Berkeley National Laboratory (LBNL) se sont penché sur la ques

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Condé, Moustapha. "Composants optoélectroniques à microcavités verticales sur GaAs : technologies avancées pour de nouvelles fonctions." Toulouse 3, 2008. http://thesesups.ups-tlse.fr/411/.

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Streszczenie:

Face à la diversification des domaines d'application en optoélectronique, les émetteurs lasers, dont les VCSELs, évoluent rapidement vers une plus grande capacité d'intégration, ainsi qu'un accroissement de leurs fonctionnalités. Ceci a pour conséquence une sophistication des structures et des géométries de ces composants, impliquant la levée de certains verrous technologiques. Ce travail de thèse porte, d'une part, sur la mise en place d'une méthodologie d'optimisation de la croissance, d'analyse et de diagnostic rapide intégrée au procédé d'épitaxie par jets moléculaires (uniformité, maîtris

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Bourdon, Hélène. "Développement et caractérisation de nouveaux procédés de dopage pour les technologies imageurs avancées." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 2007. http://www.theses.fr/2007STR13222.

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Dans le cadre du développement des technologies imageurs, les procédés de dopage spécifiques aux jonctions photo-sensibles ont été étudiés. La thèse s’articule en trois axes de recherche principaux. Tout d’abord, l’architecture de la photodiode a été optimisée par l’introduction d’implantations de bore localisées permettant d’améliorer le courant d’obscurité ou encore la séparation électro-optique des pixels. Ensuite, l’effet de la contamination métallique sur le nombre de pixels blancs au sein des matrices de pixels a été étudié. Une classification de la nocivité des différentes espèces métal

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Breil, Nicolas. "Contribution à l’étude de techniques de siliciuration avancées pour les technologies CMOS décananométriques." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10188/document.

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Dans le cadre de la réduction des dimensions des technologies CMOS, le module de jonction apparaît comme un point bloquant pour l’amélioration des performances. En particulier, la hauteur de barrière entre le siliciure et le silicium limite le courant passant du transistor. Cette thèse adresse spécifiquement la problématique du contrôle de la hauteur de barrière suivant deux directions. D’une part, nous étudions l’intérêt d’une modification du métal formant le siliciure. D’autre part, nous évaluons le potentiel des techniques de ségrégation de dopants pour la modulation de la hauteur de barriè

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Labrot, Maxime. "Développement de procédés d'épitaxie basse température pour les technologies CMOS FD-SOI avancées." Thesis, Aix-Marseille, 2016. http://www.theses.fr/2016AIXM4082/document.

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Ce travail de thèse s’inscrit dans la technologie de fabrication de transistors à canal mince (Si ou SiGe) totalement déserté sur isolant (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator ou FDSOI) qui constitue une option prometteuse pour les nœuds 14nm et au-delà. Les problèmes liés à cette nouvelle technologie sont dus à : (1) l’existence d’instabilités morphologiques conduisant, lors de recuits haute température, à la fragmentation de la couche mince formant le canal, (2) la nécessité d’une reprise d’épitaxie SiGe:B afin de former, sur le canal, des sources et drains surélevées (Raised Source and Drain

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Jovanovic, Natalija. "Bascules et registres non-volatiles à base de ReRAM en technologies CMOS avancées." Electronic Thesis or Diss., Paris, ENST, 2016. http://www.theses.fr/2016ENST0023.

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Les mémoires et l'éléments séquentiels non-volatiles peuvent améliorer l'efficacité énergétique des appareils à piles en éliminant la consommation statique tout en maintenant l'état du système.Parmi les nouvelles technologies NVM intégrées, ReRAMs se distinguent par un temps de programmation rapide, une structure simple, compatible avec la technologie CMOS et très bien scalable. Les flip-flops non-volatiles (NVFF) basées sur ReRAM ont été implémentées dans des nœuds CMOS de 90nm ou plus et souffrent de problèmes de fiabilité dans les nœuds plus petits, en raison de hautes tensions de programma

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Bayatti, Agnès. "Régulation et reproduction en interdépendance des systèmes économiques et de leurs environnements naturels : l'impact des technologies dites "avancées"." Paris 1, 1988. http://www.theses.fr/1988PA010015.

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La révolution scientifique et technique actuelle correspond à une mutation du système économique, à un certain stade de développement de celui-ci dans lequel les "technologies avancées" - biotechnologies et nouvelles technologies de l'information- occupent une large place. La crise de l'environnement éclate au moment même ou la puissance d'intervention de l'homme s'accroit de façon accélérée. Elle impose de respecter les lois qui président à la reproduction des systèmes naturels et, donc, d'organiser des activités économiques en fonction de ces lois. Or, avec le progrès technologiques, la cris

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Lacord, Joris. "Développement de modèles pour l'évaluation des performances circuit des technologies CMOS avancées sub-20nm." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00820068.

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Depuis la commercialisation du premier circuit intégré en 1971, l'industrie de la microélectronique s'est fixée comme leitmotiv de réduire les dimensions des transistors MOSFETs, en suivant la loi de Moore. Comme indiqué par Dennard, cette miniaturisation améliore automatiquement les performances des transistors. A partir des nœuds 28-22nm, les effets canaux courts sont trop difficiles à contrôler et de nouvelles architectures de transistors sont introduites: FDSOI pour STMicroelectronics, Trigate pour Intel. Dans ce contexte, l'évaluation des performances des technologies CMOS est clé et les

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Hanna, Tony. "Contribution à l'étude de transmetteurs aux fréquences millimétriques sur des technologies émergentes et avancées." Thesis, Bordeaux, 2017. http://www.theses.fr/2017BORD0944/document.

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Depuis près d'un demi-siècle, l'industrie de la microélectronique a prospéré grâce à la miniaturisation des transistors Si CMOS. Cependant, la course à la miniaturisation se heurtera dans les prochaines années à des barrières physiques incontournables. Ainsi, de nombreux travaux technologiques sont en cours de réalisation sur les technologies émergentes et avancées. Ces technologies, notamment le graphène et la CMOS FD-SOI, représentent de grandes opportunités dans le domaine de la microélectronique, et notamment pour la conception de circuits radiofréquences et millimétriques. En outre, avec

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Bodnar, Sylvie. "Hétérostructures Si/Si1-xGex : étude et intégration dans des technologies BiCMOS et CMOS avancées." Toulouse, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAT0017.

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Deux des applications les plus interessantes du systeme silicium-germanium sont le transistor bipolaire et le transistor cmos dont les performances sont augmentees en epitaxiant respectivement une base si/sige et un canal enterre si et/ou sige. En vue de ces applications, nous avons caracterise l'epitaxie en phase vapeur non selective de films de si et sige, dopes ou non. Puis, nous avons developpe l'epitaxie selective de ces deux materiaux en etudiant l'influence des conditions experimentales, l'effet de la couverture d'oxyde du substrat sur le taux de croissance et l'incorporation du ge, ain

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Fuard, David. "Etude et caractérisation avancées des procédés plasma pour les technologies sub-0. 1 um." Orléans, 2003. http://www.theses.fr/2003ORLE2061.

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L'accroissement des densités d'intégration dans les circuits intégrés nécessite l'utilisation d'isolants (appelés ±low-Kα) à plus faible constante diélectrique (er) que celle de l'oxyde de silicium (er = 4. 4). Dans ce cadre, la gravure plasma d'un nouveau polymère hydrocarboné, le SiLK (er = 2. 65), a été étudiée : Le problème technologique majeur rencontré avec ces nouveaux matériaux demeure leur très faible seuil de gravure ionique réactive, qui conduit inévitablement à une forte déformation des profils de gravure (±bowα). Un moyen d'obtenir une gravure anisotrope est de déposer une couche

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Rollier, Anne-Sophie. "Technologies microsystèmes avancées pour le fonctionnement de dispositifs en milieu liquide et les applications nanométriques." Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00128689.

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Ce travail s'inscrit dans le cadre du développement de sondes actives destinées à améliorer les performances des microscopes à force atomique (AFM) en vue de caractériser des objets nanométriques en milieu liquide avec une grande résolution spatiale et temporelle. Il s'agit d'un enjeu d'actualité qui mobilise la communauté scientifique tant au niveau de la physique encore souvent mal comprise que de l'instrument lui-même dont la sonde microsystème va fournir des performances accrues. L'architecture de ce nouveau capteur AFM va être identique aux sondes de type poutre encastrée-libre classiquem

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Li, Bo. "Conception et test de cellules de gestion d'énergie à commande numérique en technologies CMOS avancées." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00782429.

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Les technologies avancées de semi-conducteur permettent de mettre en œuvre un contrôleur numérique dédié aux convertisseurs à découpage, de faible puissance et de fréquence de découpage élevée sur FPGA et ASIC. Cette thèse vise à proposer des contrôleurs numériques des performances élevées, de faible consommation énergétique et qui peuvent être implémentés facilement. En plus des contrôleurs numériques existants comme PID, RST, tri-mode et par mode de glissement, un nouveau contrôleur numérique (DDP) pour le convertisseur abaisseur de tension est proposé sur le principe de la commande prédicti

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Maggioni, Mezzomo Cécilia. "Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00987632.

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Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d'abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l'appariement du courant de drain est caracté

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Maggioni, Mezzomo Cecilia. "Caractérisation et modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des dispositifs en technologies CMOS avancées." Thesis, Grenoble, 2011. http://www.theses.fr/2011GRENT044/document.

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Streszczenie:

Ce travail porte sur la caractérisation et la modélisation des fluctuations aléatoires des paramètres électriques des transistors MOS avancées. La structure de test utilisée est validée expérimentalement au moyen de la méthode de mesure de Kelvin. Pour comprendre le comportement des fluctuations, un modèle est d’abord proposé pour le régime linéaire. Il permet de modéliser les fluctuations de la tension de seuil des transistors avec implants de poche pour toutes les longueurs de transistor et aussi pour toute la gamme de tension de grille. Ensuite, l’appariement du courant de drain est caracté

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Giry, Alexandre. "Étude des potentialités des technologies CMOS avancées pour les radiofréquences : application aux amplificateurs de puissance." Grenoble INPG, 2001. http://www.theses.fr/2001INPG0057.

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Lallement, Fabrice. "Etude, développement et caractérisation de procédés de dopage par plasma appliqués aux technologies électroniques avancées." Toulouse, INSA, 2005. http://www.theses.fr/2005ISAT0047.

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A l'heure de la technologie CMOS 65nm, le procédé d'implantation standard usuellement utilisé n'est plus en mesure de réaliser les jonctions requises pour les futures générations de transistors. Le dopage par plasma (PLAD) introduit depuis quelques années en microélectronique semble donc un candidat idéal pour relever ce challenge. Basé sur le principe de la décharge plasma à champ électrique continu, ce procédé permet d'implanter simultanément toute la plaque de silicium tout en s'affranchissant des problèmes liés au transport des ions à basse énergie. L'optimisation des procédés d'implantati

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Jahan, Carine. "Étude des mécanismes de défaillance des diélectriques de grille minces pour les technologies CMOS avancées." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0137.

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Ce memoire presente les resultats consacres a l'etude des mecanismes de degradation et de claquage de l'oxyde de grille pour une gamme d'epaisseur variant de 7 a 3. 5 nm, correspondant aux technologies cmos 0. 35 a 0. 18 m. Cette etude a d'abord necessite un important travail d'optimisation des techniques de caracterisation de l'oxyde de grille mince et en particulier de tenir compte du comportement quantique des porteurs pres de l'interface pour avoir une extraction fiable des parametres de la structure mos. Dans la gamme d'epaisseur d'oxyde etudiee, la degradation du dielectrique se manifest

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Tavernier, Aurélien. "Développement d'un procédé innovant pour le remplissage des tranchées d'isolation entre transistors des technologies CMOS avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00987019.

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Réalisées au début du processus de fabrication des circuits intégrés, les tranchées d'isolation permettent d'éviter les fuites de courant latérales qui pourraient avoir lieu entre les transistors. Les tranchées sont remplies par un film d'oxyde de silicium réalisé par des procédés de dépôt chimiques en phase vapeur (aussi appelés CVD). Le remplissage des tranchées est couramment réalisé par un procédé CVD à pression sub-atmosphérique (SACVD TEOS/O3). Cependant, la capacité de remplissage de ce procédé pour les nœuds technologiques CMOS 28 nm et inférieurs est dégradée à cause de profils trop v

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Guérin, Chloé. "Etude de la dégradation par porteurs chauds des technologies CMOS avancées en fonctionnement statique et dynamique." Aix-Marseille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008AIX11041.

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La miniaturisation des dernières technologies s’est effectuée à tension d’alimentation quasi constante. Cela se traduit par une augmentation du champ latéral du transistor MOSFET. Un risque important réapparaît en terme de fiabilité : la dégradation par porteurs chauds (HC). Pour garantir le meilleur compromis entre fiabilité et performance, il est important de comprendre toutes les causes physiques de la dégradation par porteurs chauds. Grâce à une étude menée pour des conditions de polarisation et de température variées, sur différentes épaisseurs d’oxyde et longueurs de canal, nous avons mi

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Lachenal, Damien. "Etude des mécanismes de dégradation des transistors MOS haute tension des technologies CMOS et BiCMOS avancées." Aix-Marseille 1, 2007. http://www.theses.fr/2007AIX11027.

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L’intégration de transistors haute tension sur une base CMOS afin de créer des systèmes sur puce plus complets implique une augmentation des problèmes de fiabilité dont l’origine provient des forts champs électriques utilisés vis-à-vis de l’épaisseur d’oxyde de grille déposée. Ce manuscrit de thèse évalue la fiabilité du transistor NLDMOS en technologie SOI pour différentes conditions de stress (Ibmax, Vgmax, ON, OFF à fort Vds). Selon le type de stress appliqué, la localisation des états d’interfaces est différente. Les différentes cinétiques de dégradation du courant linéaire ont été modélis

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Ebrard, Élodie. "Etude de points mémoires non-volatiles haute densité pour les technologies CMOS avancées 45nm et 32nm." Lyon, INSA, 2009. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2009ISAL0116/these.pdf.

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De très nombreuses applications industrielles nécessitent de la mémoire non volatile programmable électriquement une seule fois et noneffaçable (OTP: One Time Programmable). Cette mémoire est indispensable à l'ensemble des circuits sur technologie CMOS avancée pour effectuer les opérations de réparation, d'ajustement de fonctions digitales ou analogiques, de traçabilité et de sécurité. La mémoire OTP doit être compatible avec la technologie CMOS standard pour des raisons de coût. De plus, les conditions de programmation de cette mémoire doivent répondre à des exigences de consommation et de ra

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Saliva, Marine. "Circuits dédiés à l'étude des mécanismes de vieillissement dans les technologies CMOS avancées : conception et mesures." Thesis, Aix-Marseille, 2015. http://www.theses.fr/2015AIXM4337.

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Dans la chaine de développement des circuits, une attention particulière doit être portée sur le comportement en fiabilité des dispositifs MOS comme briques de base des circuits avancés CMOS lors du développement d’une technologie. Au niveau du dispositif, les comportements des différents mécanismes de dégradation sont caractérisés. A l’opposé dans le prototype final, le produit est caractérisé dans des conditions accélérées de vieillissement, mais seuls des paramètres macroscopiques peuvent être extraits. Un des objectifs de cette thèse a été de faire le lien entre le comportement en fiabilit

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Esposito, Laura. "Mise en oeuvre de procédés innovants pour l'optimisation de contacts TiSi pour les technologies imageurs avancées." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2021. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/210319_ESPOSITO_505pj561fjb969hmp55qmrno_TH.pdf.

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Dans les dispositifs de capteurs d’image les siliciures de titane sont utilisés afin de réaliser les contacts entre les transistors et les interconnections de cuivre. Une nouvelle problématique émerge alors d’une co-intégration des contacts en siliciures de Ti et de nickel : former le siliciure de titane optimal (C54-TiSi2) a une température plus faible que la température de formation classique (800°C). Afin de réduire la température de formation du siliciure, l’influence du recuit laser nanoseconde UV (UV-NLA) sur la formation des contacts en siliciures de Ti a été étudiée. Pour cela, des dép

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Quévy, Emmanuel. "Élaboration et caractérisation de technologies microsystèmes avancées : structures d'actionnement tridimensionnelles et résonateurs électromécaniques à entrefer latéral nanométrique." Lille 1, 2002. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2002/50376-2002-293.pdf.

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Le développement des technologies microsystèmes depuis le milieu des années quatre-vingt a permis d'entrevoir de nouvelles voies de miniaturisation aux fonctions de capteurs et d'actionneurs intégrés. Le principal attrait de ces technologies est de s'appuyer sur des techniques déjà éprouvées en microélectronique afin de fabriquer des composants capables de combiner maîtrise du transport électronique et contrôle du mouvement à l'échelle nanométrique. Parmi ces techniques, le micro-usinage de surface du silicium permet une fabrication de masse et donc l'utilisation en parallèle de ces dispositif

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Filiol, Hubert. "Méthodes d'analyse de la variabilité et de conception robuste des circuits analogiques dans les technologies CMOS avancées." Phd thesis, Ecole Centrale de Lyon, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00560610.

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Streszczenie:

Avec la miniaturisation toujours plus poussée des technologies CMOS, il devient de plus en plus difficile de maîtriser les variations des paramètres technologiques lors de la fabrication des circuits intégrés. A cause de ces variations, les performances des circuits peuvent varier de façon considérable. Par conséquent, des méthodes d'analyse de la variabilité et de conception robuste sont plus que jamais nécessaires pour garantir un rendement de fabrication des circuits élevé.Les techniques classiques d'analyse de la variabilité se révèlent soit pessimistes conduisant alors à un surdimensionne

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Fadlallah, Mouenes. "Contribution à l'étude du bruit basse fréquence et à la modélisation des transistors des technologies CMOS avancées." Grenoble INPG, 2002. http://www.theses.fr/2002INPG0050.

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Sallagoity, Pascal. "Etude et réalisation de structures avancées d'isolement par tranchées peu profondes pour technologies CMOS 0. 25 µm." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10035.

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Pour les technologies micro-electronique cmos 0. 25 micrometres et en dessous, l'isolement par tranchee peu profonde ou box s'est largement impose pour poursuivre l'integration des circuits integres. Ce procede d'isolement lateral, qui consiste a remplir d'oxyde une tranchee gravee dans le silicium du substrat, possede plusieurs avantages: une bonne planeite, une perte de cote nulle de la zone active du circuit, et une haute densite d'integration. Ces caracteristiques sont toutefois le resultat d'une optimisation delicate de chacune des etapes technologiques critiques du procede. De plus, la m

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Doyen, Lise. "Caractérisation électrique de l'endommagement par électromigration des interconnexions en cuivre pour les technologies avancées de la microélectronique." Grenoble 1, 2009. http://www.theses.fr/2009GRE10036.

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La dégradation par électromigration des interconnexions en cuivre damascène est une des principales limitations de la fiabilité des circuits intégrés. Des méthodes de caractérisation complémentaires aux tests de durée de vie, habituellement utilisés, sont nécessaires pour approfondir nos connaissances sur ce phénomène de dégradation. Dans cette étude nous proposons de suivre la croissance par électromigration de la cavité en analysant l'évolution de la résistance de l'interconnexion en fonction du temps. Nous avons, dans un premier temps, étudié les effets de la section de ligne et de la tempé

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Denis, Yvan. "Implémentation de PCM (Process Compact Models) pour l’étude et l’amélioration de la variabilité des technologies CMOS FDSOI avancées." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016GREAT045/document.

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Récemment, la course à la miniaturisation a vue sa progression ralentir à cause des défis technologiques qu’elle implique. Parmi ces obstacles, on trouve l’impact croissant de la variabilité local et process émanant de la complexité croissante du processus de fabrication et de la miniaturisation, en plus de la difficulté à réduire la longueur du canal. Afin de relever ces défis, de nouvelles architectures, très différentes de celle traditionnelle (bulk), ont été proposées. Cependant ces nouvelles architectures demandent plus d’efforts pour être industrialisées. L’augmentation de la complexité

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Valery, Alexia. "Caractérisation de microtextures par la technique ACOM-TEM dans le cadre du développement des technologies avancées en microélectronique." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAI018/document.

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Afin d’optimiser les composants de l’industrie de la microélectronique, il est essentiel d’établir le lien entre la texture cristallographique des matériaux constitutifs et leurs propriétés électriques, thermiques et mécaniques. Ainsi, il est nécessaire de disposer d’outils capables de cartographier la morphologie et l’orientation cristallographique des grains à l’échelle nanométrique. La technique ACOM, implémentée sur un Microscope Electronique en Transmission (MET), permet d’obtenir ces informations en exploitant les figures de diffraction électronique. Dans cette thèse, les capacités de ce

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Karatsori, Theano. "Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT035/document.

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La motivation de cette thèse est deux des principaux problèmes soulevés par la mise à l'échelle des appareils de la nouvelle ère dans la conception MOSFET contemporaine: le développement d'un modèle de courant de drain analytique et compact, valable dans toutes les régions d'opération, décrivant précisément les caractéristiques Id-Vg et Id-Vd des dispositifs FDSOI à canaux courts et l'étude des problèmes de fiabilité et de variabilité de ces transistors évolués à l'échelle nanométrique. Le chapitre II fournit une base théorique et technique pour une meilleure compréhension de cette thèse, en m

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Ney, David. "Étude de la fiabilité en électromigration dans les interconnexions en cuivre pour les technologies avancées de la microélectronique." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0032.

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Les dégradations des interconnexions causées par le phénomène d'électromigration sont considérées comme l'une des principales limitations de la fiabilité des circuits intégrés. Le problème est de plus en plus préoccupant avec l'augmentation incessante de la densité d'intégration des composants et donc des densités de courant véhiculées. Il est indispensable d'approfondir nos connaissances sur l'électromigration et sur ses conséquences sur la fiabilité des interconnexions en cuivre damascène. Dans une première partie, nous avons étudié l'effet des dimensions des interconnexions sur leur fiabili

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Quémerais, Thomas. "Conception et étude de la fiabilité des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fréquences millimétriques en technologies CMOS avancées." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0158.

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Avec l'émergence d'applications millimétriques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilité est devenue un enjeu extrêmement important pour l'industrie. Dans un émetteur/récepteur radio, les problèmes de fiabilité concernent principalement les transistors MOS intégrés dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement élevés des puissances. Ces composants sont susceptibles de se détériorer fortement par le phénomène de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail de thèse concerne la conception et l'étud

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Mamy, Randriamihaja Yoann. "Etude de la fiabilité des technologies CMOS avancées, depuis la création des défauts jusqu'à la dégradation des transistors." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4781/document.

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L'étude de la fiabilité représente un enjeu majeur de la qualification des technologies de l'industrie de la microélectronique. Elle est traditionnellement étudiée en suivant la dégradation des paramètres des transistors au cours du temps, qui sert ensuite à construire des modèles physiques expliquant le vieillissement des transistors. Nous avons fait le choix dans ces travaux d'étudier la fiabilité des transistors à l'échelle microscopique, en nous intéressant aux mécanismes de ruptures de liaisons atomiques à l'origine de la création des défauts de l'oxyde de grille. Nous avons tout d'abord

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Mora, Pascal. "Étude et caractérisation de la fiabilité de cellules mémoire non volatiles pour des technologies CMOS et BICMOS avancées." Grenoble INPG, 2007. http://www.theses.fr/2007INPG0065.

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Aujourd'hui les solutions mémoire programmables de type Flash compatibles CMOS sont très demandées. Cependant, leur intégration dans les technologies logiques se heurte à des barrières physiques liées au caractère non volatile de la structure. En effet, certaines étapes du procédé de fabrication ne sont pas adaptées à ce type de fonctionnement et induisent des problèmes de fiabilité. La thèse s'inscrit dans ce contexte avec trois grands axes de travail qui sont l'étude des mécanismes de défaillance, l'évaluation de I'impact des procédés et de l'architecture des cellules sur la fiabilité ainsi

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Mbaye, Nogaye. "Contribution à l’étude de la fiabilité des technologies avancées en environnement radiatif atmosphérique et spatial par des méthodes optiques." Thesis, Bordeaux 1, 2013. http://www.theses.fr/2013BOR15009/document.

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Ce travail présente la mise en œuvre du test par faisceau laser TPA pour l’étude de la sensibilité au phénomène SEB dans les diodes schottky en carbure de silicium. Le contexte de l’étude est décrit par un état de l’art du SEB sur les MOSFETs et Diodes en Silicium et en carbure de silicium. Une étude technologique et structurelle des composants en SiC a permis de dégager les avantages du SiC par rapport au Si conventionnel et a permis d’analyser les dégâts causés par le faisceau TPA. L’utilisation du montage expérimental sur la plateforme ATLAS dédié spécifiquement au test de matériaux à grand

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Mazouffre, Olivier. "Conception de synthèses de fréquences à 24 GHz à base de diviseurs à mémoires D en technologies silicium avancées." Thesis, Bordeaux 1, 2008. http://www.theses.fr/2008BOR13740/document.

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La synthèse de fréquences est une fonction largement utilisée dans les émetteur-récepteurs radios. En général, la fonction synthèse de fréquence est réalisée à l’aide d’une boucle à verrouillage de phase utilisant des diviseurs de fréquence numériques. Cette thèse présente un nouveau type de diviseur de fréquence faisant appel à des mémoires D et son application à la synthèse de fréquences. Ce nouveau diviseur permet de repousser les limites des diviseurs numériques classiques à bascules D, en matière de fréquence maximale de fonctionnement et de consommation, tout en conservant leur souplesse

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Mbaye, Nogaye. "Contribution à l'étude de la fiabilité des technologies avancées en environnement radiatif atmosphérique et spatial par des méthodes optiques." Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00947893.

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Ce travail présente la mise en œuvre du test par faisceau laser TPA pour l'étude de la sensibilité au phénomène SEB dans les diodes schottky en carbure de silicium. Le contexte de l'étude est décrit par un état de l'art du SEB sur les MOSFETs et Diodes en Silicium et en carbure de silicium. Une étude technologique et structurelle des composants en SiC a permis de dégager les avantages du SiC par rapport au Si conventionnel et a permis d'analyser les dégâts causés par le faisceau TPA. L'utilisation du montage expérimental sur la plateforme ATLAS dédié spécifiquement au test de matériaux à grand

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