Gotowe bibliografie tematyczne / Semiconductor metal interface

Spis treści

  1. Rozprawy doktorskie

Gotowa bibliografia na temat „Semiconductor metal interface”

Autor: Grafiati
Data publikacji: 6 września 2023
Data aktualizacji: 7 września 2023

Utwórz poprawne odniesienie w stylach APA, MLA, Chicago, Harvard i wielu innych

Wybierz rodzaj źródła:

Zobacz listy aktualnych artykułów, książek, rozpraw, streszczeń i innych źródeł naukowych na temat „Semiconductor metal interface”.

Przycisk „Dodaj do bibliografii” jest dostępny obok każdej pracy w bibliografii. Użyj go – a my automatycznie utworzymy odniesienie bibliograficzne do wybranej pracy w stylu cytowania, którego potrzebujesz: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver itp.

Możesz również pobrać pełny tekst publikacji naukowej w formacie „.pdf” i przeczytać adnotację do pracy online, jeśli odpowiednie parametry są dostępne w metadanych.

Rozprawy doktorskie na temat "Semiconductor metal interface"

1

Denk, Matthias. "Structural investigation of solid liquid interfaces metal semiconductor interface /." [S.l. : s.n.], 2006. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:93-opus-29148.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
2

Maani, Colette. "A study of some metal-semiconductor interfaces." Thesis, University of Ulster, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.329499.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
3

Palmgren, Pål. "Initial stages of metal- and organic-semiconductor interface formation." Licentiate thesis, KTH, KTH, 2006. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-3911.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
<p>This licentiate thesis deals with the electronic and geometrical properties of metal-semiconductor and organic-semiconductor interfaces investigated by photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy. </p><p>First in line is the Co-InAs interface (metal-semiconductor) where it is found that Co is reactive and upon adsorption and thermal treatment it alloys with the indium of the substrate to form metallic islands, about 20 nm in diameter. The resulting broken bonds causes As entities to form which are loosely bond to the surface and evaporate upon thermal treatment. Thus, the a
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
4

Yan, Yu. "Interface magnetic properties in ferromagnetic metal/semiconductor and related heterostructures." Thesis, University of York, 2018. http://etheses.whiterose.ac.uk/20412/.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
This dissertation investigates the growth and magnetic properties of magnetic thin films deposited on semiconductor GaAs and the insulator MgO, which could be useful for devices such as Spin-FET and MRAM. CoFeB amorphous films were grown on both GaAs and MgO. We have studied the origin of the uniaxial magnetic anisotropy (UMA) and perpendicular magnetic anisotropy (PMA) with TEM, VSM and XMCD. Our results demonstrated that the orbital moment of Co atoms play an important role to both UMA and PMA. The origin of UMA in Fe/GaAs (100) system with Cr interlayers is explored. The values of UMA in th
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
5

Evans, D. A. "The metal-indium phosphide (110) interface : Interactions and Schottky barrier formation." Thesis, Bucks New University, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.234721.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
6

Moran, John Thomas. "The electronic structure of gold-induced reconstructions on vicinal silicon(111)." Thesis, University of Liverpool, 1995. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.283057.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
7

Huang, Chender 1960. "Characterization of interface trap density in power MOSFETs using noise measurements." Thesis, The University of Arizona, 1988. http://hdl.handle.net/10150/276872.

Pełny tekst źródła
Streszczenie:
Low-frequency noise has been measured on commercial power MOSFETs. These devices, fabricated with the VDMOS structure, exhibit a 1/f type noise spectrum. The interface state density obtained from noise measurements was compared with that obtained from the subthreshold-slope method. Reasonable agreement was found between the two measurements. The radiation effects on the noise power spectral density were also investigated. The results indicated that the noise can be attributed to the generation of interface traps near the Si-SiO₂ interface. The level of interface traps generated by radiation wa
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
8

Zavaliche, Florin. "The metal-semiconductor interface Fe-Si(001) and Fe-InP(001) /." [S.l. : s.n.], 2002. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=965216217.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
9

Walters, Stephanie A. "The metal - n-type gallium antimonide (110) interface : interfacial reactions and Schottky barrier formation." Thesis, Cardiff University, 1989. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.238197.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
10

Metcalf, Frances L. "The noble metal/elemental semiconductor interface (a study of Ag on Ge(111))." Thesis, University of Sussex, 1991. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.306595.

Pełny tekst źródła
Style APA, Harvard, Vancouver, ISO itp.
Więcej źródeł
Możesz być także zainteresowany rozszerzonymi bibliografiami na temat „Semiconductor metal interface” dla poszczególnych typów źródeł:
Rozprawy doktorskie
Oferujemy zniżki na wszystkie plany premium dla autorów, których prace zostały uwzględnione w tematycznych zestawieniach literatury. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać unikalny kod promocyjny!

Do bibliografii