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Teses / dissertações sobre o tema "Binary Nitride"
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Meka, Sai Ramudu [Verfasser], e Eric J. [Akademischer Betreuer] Mittemeijer. "Nitriding of iron-based binary and ternary alloys : microstructural development during nitride precipitation / Sai Ramudu Meka. Betreuer: E. J. Mittemeijer". Stuttgart : Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart, 2012. http://d-nb.info/1018893474/34.
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Kasic, Alexander [Verfasser]. "Phonons, free-carrier properties, and electronic interband transitions of binary, ternary, and quaternary group-III nitride layers measured by spectroscopic ellipsometry / Alexander Kasic". Aachen : Shaker, 2003. http://d-nb.info/117054195X/34.
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Gehrmann, Jan. "Transferable reduced TB models for elemental Si and N and binary Si-N systems". Thesis, University of Oxford, 2013. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:002b0c99-0e9d-4d8c-a0dc-ad07383f083f.
Texto completo da fonteResumo:
Silicon nitride is a bulk and a coating material exhibiting excellent mechanical properties. The understanding of the complex processes at the nanometre scale gained through experimental research will be enhanced by the existence of a computationally efficient and accurate model that is able to describe the mechanical properties of silicon nitride. Such a model has yet to be proposed. In this thesis we present a transferable reduced tight-binding (TB) model for the silicon nitride system. More precisely, this model consists of a reduced TB model for elemental silicon, a reduced TB model for elemental nitrogen, and a reduced TB model for silicon nitride. These models are developed within the framework of coarse-graining the electronic structure from density functional theory (DFT) to tight binding (TB) to bond-order potentials (BOPs), and can therefore be used in the future as the stepping stone to develop BOPs for the application in large scale simulations. The bond integrals employed in the reduced TB models are obtained directly from mixed-basis DFT projections of wave functions onto a minimal basis of atom-centred orbitals. This approach reduces the number of overall parameters to be fitted and provides models which are transferable through the different coarse-graining levels. We provide an example by using the same bond integrals in the reduced TB model for silicon and the preliminary bond-based BOP for silicon. DFT binding energies of ground state and metastable crystal structures are used as the benchmark to which the TB and BOP repulsive parameters are fitted. In addition to model development, we present an improved methodology when going from TB to reduced TB. By weighting all four σ TB bond integrals equally, we provide a new parameterisation (Eqs. (2.73) and (2.74)) and show that the quality of the silicon reduced TB model can be increased by choosing one of the reduced TB parameters to be distance invariant. The ingredients, the development methodology, and the quality of each of the four models are discussed in a separate chapter. The quality of the reduced TB models and BOP is demonstrated by comparing their predictions for the binding energies, heats of formation, elastic constants, and defect energies with DFT and experimental values.
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Siddons, Daniel James. "Synthetic routes to binary and ternary nitrides". Thesis, University of Nottingham, 1997. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.363637.
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5
O'Meara, Paul Martin. "The synthesis and characterisation of binary and ternary nitrides". Thesis, University of Nottingham, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.311740.
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Bowman, Amy. "Synthesis and characteristation of binary and ternary nitrides with two-dimensional structures". Thesis, Nottingham Trent University, 2003. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.275911.
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Holleck, H. [Verfasser]. "Binaere und ternaere Carbide und Nitride der Uebergangsmetalle und ihre Phasenbeziehungen / H. Holleck". Karlsruhe : KIT-Bibliothek, 2012. http://d-nb.info/1190100371/34.
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Feregotto, Virginia. "Observation par microscopie électronique en transmission des défauts étendus introduits par déformation à haute température dans le nitrure d'aluminium". Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 1996. http://www.theses.fr/1996INPL142N.
Texto completo da fonteResumo:
Nous avons déformé par compression, jusqu'à 10%, des polycristaux de nitrure d'aluminium (AlN) et nous avons étudié les défauts étendus introduits. Les essais mécaniques ont été effectués entre 1550 et 1650°C sous atmosphère neutre, soit par fluage sous des contraintes de 150 à 250 MPa soit à vitesse de déformation constante ([Epsilon] = 5. 10-⁶ s-¹). Les courbes de fluage sont constituées d'un stade transitoire et d'un stade quasi-stationnaire tandis que les courbes à [Epsilon] constant présentent un léger crochet de traction suivi d'un stade à faible durcissement. La principale conséquence de la déformation est la création aux joints de grains de cavités qui coalescent créant de longs vides responsables de la ruine du matériau. Les résultats les plus originaux concernent l'observation des défauts intragranulaires étendus, notamment les dislocations, les boucles de dislocations, les fautes d'empilement et les parois de domaines d'inversion (IDBs). La densité de dislocation, initialement très faible, croit avec la déformation jusqu'à atteindre localement 10¹⁰cm-². Le mouvement des dislocations se produit selon la valeur de la contrainte, par glissement dans le plan de base et dans d'autres plans (surtout {1010}), ou par montée. Des sous-joints de flexion et de torsion ont été observés. La plupart des dislocations sont de type a mais quelques empilements de dislocations c+a ont été vus dans (0001). De larges fautes d'empilements, situées dans (0001) et bordées de dislocations partielles de Shockley ou de Frank-Shockley, ont été observées sur des échantillons déformés à faible [Sigma]. Simultanément à ces fautes, on note la présence des boucles, dont la nature et la densité dépend très fortement des conditions de déformation: il s'agit de boucles de Frank, de Frank-Shockley et de quelques boucles de Shockley. La caractérisation des boucles de Frank (R = ± c/2), montre qu'elles résultent de la précipitation d'atomes interstitiels, ce qui suggère une diffusion couplée des atomes d'aluminium et d'azote. Les IDBs constituent souvent des obstacles au mouvement des dislocations. Dans certains IDBs plans nous avons mis en évidence la formation de réseaux constitués de dislocations des trois vecteurs de burgers a, dissociées, avec nœuds alternativement étendus et constrictes, configurations qui n'avaient jamais été observées
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Akhlaghi, Maryam [Verfasser], e Eric Jan [Akademischer Betreuer] Mittemeijer. "Precipitation of nitrides in iron-based binary and ternary alloys; influence of defects and transformation-misfit stresses / Maryam Akhlaghi. Betreuer: Eric Jan Mittemeijer". Stuttgart : Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart, 2016. http://d-nb.info/1082238171/34.
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Richter, Sebastian. "Neue binäre CN-Verbindungen sowie Vorläufersubstanzen von monomerem C3N4". Doctoral thesis, Universitätsbibliothek Chemnitz, 2014. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:ch1-qucosa-155547.
Texto completo da fonteResumo:
Gegenstand dieser Arbeit sind Versuche zur Synthese neuer binärer Kohlenstoffnitride im Allgemeinen und von C3N4-Vorläuferverbindungen im Speziellen. Hierbei werden v. a. die Herstellung und die Eigenschaften organischer Polyazide beschrieben, die aufgrund ihrer Gefährlichkeit durch zahlreiche Folgereaktionen in weniger brisante Moleküle überführt werden mussten. Als Derivatisierungsreaktionen kamen hierbei beispielsweise die 1,3-dipolare Cycloaddition mit Norbornen und Cyclooctin, die STAUDINGER-Reaktion mit verschiedenen Phosphinen sowie die Aza-WITTIG-Reaktion zum Einsatz. Es konnten dabei u. a. zehn Röntgeneinkristallstrukturen erhalten und als Strukturbeweis aufgeführt werden. Zahlreiche hochaufgelöste Massenspektren sowie Elementaranalysen und NMR-Daten bestätigten außerdem alle neu erhaltenen Strukturen. Einen weiteren Schwerpunkt dieser Arbeit stellen Versuche zur Synthese von monomerem C3N4 dar, dessen Herstellung zwar nicht gelang, für dessen Bildung allerdings neue Möglichkeiten ausgehend von verschiedenen Edukten beschrieben werden. Darüber hinaus wurden bereits bekannte Moleküle auf ihre Eignung als C3N4-Vorläufer untersucht, wobei z. B. durch Azid-Addition an Nitrilgruppen unerwartete neue Produkte erhalten werden konnten.
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Santos, Adriano Manoel dos. "Propriedades vibracionais de nitretos do grupo III e de suas ligas". Universidade de São Paulo, 2004. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22062012-134557/.
Texto completo da fonteResumo:
Os nitretos do grupo III (BN, AIN,Gan e InN) e suas ligas ternárias Al-GaN e InGaN proporcionam, recentemente, um extraordinário avanço na fabricação de dispositivos opto-eletrônicos operando na região do espectro correspondente ao verde-azul-UV e na produção de dispositivos eletrônicos de alta frequência, alta temperatura e alta potência. Estes materiais semicondutores de gap largo atraíram enorme atenção dos pesquisadores nos últimos anos. O objetivo desta tese é o estudo das propriedades vibracionais dos nitretos do grupo III referente tanto ao cristal perfeito, quanto ao cristal com defeito. Utilizamos como base a Teoria Clássica do Crital Harmônico e o Método das Funções de Green. Com a Teoria Clássica do Cristal Harmônico, juntamente com o Método do Valence Force Filed e o Método da Soma de Ewald, que permitem gerar a matriz dinâmica do sistema, determinamos o comportamento vibracional dos nitretos binários e das ligas ternárias. A utilização destes métodos permitiu a obtenção do espectro de fônons dos nitretos binários, e o estudo do comportamento dos modos ópticos em para as ligas ternárias. A partir da Função de Green do cristal perfeito e da Função de Green do cristal com defeito, obtivemos as frequências e os modos vibracionais localizados e ressonantes introduzidos pela impureza de C e As em GaN. A partir das densidades de estados do cristal perfeito e do cristal com defeito, calculamos a entropia de formação da vacância de N em GaN. Os resultados obtidos foram usados na interpretação de dados experimentais disponíveis na literatura, relativos às propriedades vibracionais dos nitretos na estrutura wurtzita, e na predição e análise de dados experimentais obtidos pelo grupo do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do Instituto de Física da USP para os nitretos zincblende.The group-III nitrides (BN, AIN, GaN and InN) and their ternary alloys AlGaN and InGaN generated recently an extraordirlary progress in the production of optoelectronic devices operating in the green-blue-UV region of the spectrum, and in the production of electronic devices of high frequency, high temperature and high power. These wide gap semiconductor materials attracted enormous attention in the last years. The objective of this Thesis was to study the vibrational properties of the bulk III nitrides, without and with defects. To accomplish this study we used the Classic Theory of the Harmonic Crystal and the Method of the Green\'s Functions. With the Classic Theory of the Harmonic Crystal, together with the Valence Force Field Method and the Method of the Ewald\'s Sum, that allow to generate the dynamic matrix of the system, we determined the vibrational behavior of the binary nitrides and of the ternary alloys. The use of these methods allowed us to obtain the phonon spectra of the binary nitrides and to study the behavior of the optical modes at of the ternary alloys. Starting from the Green\'s Function of the perfect crystal and the Green\'s Function of the crystal with defect, we obtained the frequencies and the localized and resonant vibrational modes introduced by the C and As impurities in GaN. Starting from the densities of states of the perfect crystal and of the crystal with defect, we calculated the formation entropy of the N vacancy in GaN. The obtained results were used in the interpretation of experimental data related to the vibrational properties of the wurtzite nitrides available in the literature, and in the prediction and analysis of experimental results obtained for zincblende nitrides by the group of the New Semiconductors Materials Laboratory of t11c Physics Institute at USP.
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Rossner, Ulrike. "Epitaxie des nitrures de gallium et d'aluminium sur silicium par jets moléculaires : caractérisation structurale et optique". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1995. http://www.theses.fr/1995GRE10181.
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Les nitrures de gallium et d'aluminium ont ete elabores par epitaxie par jets moleculaires (mbe) sur des substrats de silicium. La phase cubique de ces nitrures a ete obtenue sur le si(001). Elle est initiee par une carburation de la surface du silicium precedante a la croissance des nitrures: cette carburation permet de recouvrir completement la surface des substrats par des cristallites de sic cubique. La phase hexagonale du gan et de l'ain a ete observee sur le si(111). Pour la croissance du gan hexagonal, des couches tampons d'ain ont ete utilisees. Le nitrure d'aluminium a ete caracterise structuralement (par rheed, diffraction x et microscopie electronique). Pour le nitrure de gallium, semiconducteur a grand gap (3. 4 ev) qui constituait le but principal de notre travail, une etude structurale detaillee ainsi qu'une etude optique (par photoluminescence et cathodoluminescence) ont ete realisees. L'azote reactif pour la croissance des nitrures a ete obtenu par deux methodes differentes: par la creation d'un plasma d'azote par resonance cyclotron-electronique (ecr-mbe) ou par la decomposition de l'ammoniac sur la surface de l'echantillon (gas-source-mbe). Pour travailler en ecr-mbe, une source de plasma a ete developpee et caracterisee: elle est concue telle que le rapport ions/atomes neutres d'azote soit faible pour minimiser l'endommagement eventuel des nitrures par des ions energetiques
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Widmann, Frédéric. "Epitaxie par jets moléculaires de GaN, AlN, InN et leurs alliages : physique de la croissance et réalisation de nanostructures". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10234.
Texto completo da fonteResumo:
Ce travail a porte sur la croissance epitaxiale des nitrures d'elements iii gan, aln, et inn, en utilisant l'epitaxie par jets moleculaires assistee par plasma d'azote. Nous avons optimise les premiers stades de la croissance de gan ou aln sur substrat al#2o#3 (0001). Le processus utilise consiste a nitrurer la surface du substrat a l'aide du plasma d'azote, afin de la transformer en aln, puis a faire croitre une couche tampon d'aln ou de gan a basse temperature, avant de reprendre la croissance de gan ou aln a haute temperature (680 a 750c). Nous avons en particulier etudie les proprietes d'une couche de gan en fonction de la temperature a laquelle est realisee l'etape de nitruration. Lorsque les conditions de demarrage de la croissance sont optimisees, nous avons pu observer des oscillations de rheed pendant la croissance de la couche de gan. Nous avons etudie l'effet du rapport v/iii sur la morphologie de surface et les proprietes optiques et structurales de cette couche. Nous avons propose l'utilisation de l'indium en tant que surfactant pour ameliorer ces proprietes. Nous avons ensuite aborde la realisation de superreseaux gan/aln dont nous avons optimise les interfaces. Les mecanismes de relaxation des contraintes de aln sur gan et gan sur aln ont ete etudies. Nous avons egalement elabore les alliages algan et ingan, comme barrieres quantiques dans les heterostructures. Nous avons montre que la relaxation elastique des contraintes de gan en epitaxie sur aln donne lieu a la formation d'ilots de tailles nanometriques, qui se comportent comme des boites quantiques. Leur densite et leur taille dependent de la temperature de croissance, et des conditions de murissement apres croissance. Les proprietes optiques de ces ilots sont gouvernees a la fois par les effets de confinement quantique et par le fort champ piezo-electrique induit par la contrainte dans les ilots.
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Auguste, Jean-Michel. "Association d'aromatiques substitués et de mésogènes cyanés non aromatiques : diagrammes de phases binaires et caractérisation des phases smectiques A induites". Bordeaux 1, 1988. http://www.theses.fr/1988BOR10534.
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On montre que l'addition de molecules organiques a un cristal liquide stabilise de facon inattendue des phases lamellaires de type smectique a. En modifiant la structure moleculaire de chacun des composants dans ces systemes binaires et en discutant de la topologie des diagrammes obtenus, on determine les parametres favorables a l'existence de ce phenomene, comme dans d'autres systemes sous le nom de "phase induite". La nature des interactions entre les deux sortes de molecules et leur arrangement dans les couches sont etudiees en se servant des proprietes particulieres de ce melanges dans les domaines du diamagnetisme et de l'absorption uv-visible. Proposition d'un modele de structure locale pour ces phases induites
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RICHARD, EMMANUEL. "Etude du dépôt MOCVD de TiN et de son intégration comme matériau barrière pour la métallisation du cuivre". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1998. http://www.theses.fr/1998GRE10081.
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Avec la reduction des dimensions caracteristiques des circuits integres, il est necessaire de diminuer les capacites entre lignes d'interconnexions ainsi que leurs resistances et d'ameliorer la fiabilite des interconnexions. L'introduction d'une metallisation cuivre permet de depasser les limitations actuelles. Cependant, l'integration du cuivre dans des structures d'interconnexions necessite l'introduction de nouveaux materiaux. Ces couches d'interface doivent verifier les proprietes suivantes : * empecher la diffusion du cuivre dans le silicium et dans les dielectrique meme pour des epaisseurs de films inferieures a 20 nm * avoir une faible resistivite (<300cm) * etre une couche d'interface assurant l'adherence du cuivre sur son substrat, permettant ainsi d'utiliser le polissage mecano-chimique lors de la fabrication des interconnexions en architecture double damascene * conformite de la couche deposee sur des motifs de facteurs de forme elevee (>4) le nitrure de titane (tin) est utilise couramment comme materiau barriere de diffusion et comme couche d'adherence dans l'industrie des semi-conducteurs. Le depot pvd de tin ne permet pas d'obtenir une bonne conformite de la couche deposee sur des motifs a facteurs de forme eleve. Le depot de tin par cvd a partir d'une chimie inorganique conduit a des couches a resistivites importantes contenant un pourcentage de chlore eleve a des temperatures inferieures a 500c. Au cours de cette etude, nous avons evalue et optimise un nouveau procede de depot cvd qui consiste a repeter de facon recurrente un depot pyrolytique du tin a partir d'un precurseur organometallique, le tetrakis (dimethylamino) titane (tdmat) et un traitement du film avec un plasma n#2/h#2. Les parametres de l'etude sont l'epaisseur initiale de la couche avant le traitement plasma (5 et 10 nm), la puissance du plasma et de la duree du traitement. Une correlation a ete realisee entre les performances en tant que couche barriere a la diffusion du cuivre et couche d'adherence, et les caracteristiques intrinseques du materiau tin.
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WEHREY-AUGUSTIN, FABIENNE. "Oxydo-reduction du neptunium dans les melanges phosphate tributylique-dodecane". Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1988. http://www.theses.fr/1988STR13007.
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Etude des reactions de dismutation et d'oxydation (parhno::(3)) de np(v) dans les melanges tbp-dodecane. La dismutation de np(v) en milieu perchlorique est une reaction d'ordre 2 par rapport a np. Cinetique et energie d'activation de la reaction
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Schnaffnit, Catherine. "Elaboration de couches minces de nitrure de bore par voie chimique assistée par plasma R. F. à partir de BCl3/N2/H2/Ar : étude du procédé et des propriétés physico-chimiques du matériau". Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0125.
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Des couches minces de nitrure de bore ont ete synthetisees a partir de melanges bcl#3/n#2/h#2/ar dans un reacteur plasma r. F. A couplage capacitif. L'etude a porte dans un premier temps sur la caracterisation de la phase gazeuse par spectrometrie de masse et par spectroscopie optique d'emission. En particulier, l'effet de la teneur de la phase gazeuse en hydrogene sur la nature et la concentration relative des especes a ete etudie: tout d'abord dans un plasma argon-hydrogene, dans lequel ont ensuite ete ajoutes les deux precurseurs bcl#3 et n#2, separement puis simultanement. Le debit d'hydrogene moleculaire determine le taux de dissociation de bcl#3 et donc la nature et la quantite des especes chlorees. De meme, lorsque la teneur en hydrogene des plasmas n#2/h#2/ar augmente, il apparait successivement les especes suivantes: n, nh, nh#2 puis nh#3. Deux reactions chimiques pouvant aboutir a la formation du nitrure de bore ont ete mises en evidence: bcl#3 + nh bn#s + hcl + cl#2 bcl + nh bn#s + hcl dans une seconde partie, des couches minces de nitrure de bore ont ete deposees dans differentes conditions experimentales de bombardement ionique (effet de la puissance r. F. Et de la taille des electrodes) et de composition de la phase gazeuse. Ces parametres jouent un role determinant sur la structure des couches de nitrure de bore: il existe un optimum d'energie des ions et de teneur de la phase gazeuse en hydrogene qui permet la croissance de couches a forte teneur en bn-cubique. A partir des experiences de traitements des couches par des plasmas d'argon, argon-hydrogene et argon-chlore, nous avons mis en evidence l'existence d'une part d'un mecanisme de pulverisation preferentielle du bn-hexagonal et, d'autre part, d'un mecanisme de gravure chimique selective de la phase hexagonale par l'hydrogene atomique et par le chlore qui permettent l'obtention de couches a forte teneur en bn-cubique
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Mazoyer, Pascale. "Analyse et caractérisation des mécanismes de perte de charge relatifs aux diélectriques multicouches du point mémoire EPROM". Université Joseph Fourier (Grenoble), 1994. http://www.theses.fr/1994GRE10009.
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L'evolution des memoires a semiconducteurs et en particulier de la famille eprom (erasable read only memory) est liee a l'identification des phenomenes determinants du processus de perte de la charge electronique stockee. Les cellules etudiees ici sont toutes proches des points de fonctionnement de filieres industrialisees ou en cours de developpement (de 4 a 256 megabits). On distingue deux mecanismes de perte de charge. Le premier est une fonction de la nature des dielectriques presents dans la structure et des lois qui regissent la conduction qui leur est associee. Le second est lie a la migration des ions alcalins dans la cellule. Partant de l'analyse des proprietes de la tricouche ono (oxyde nitrure oxyde) et en emettant l'hypothese de l'injection d'electrons en fin d'ecriture, un modele de perte de charge est propose. Il est base sur l'emission electronique assistee en temperature et la migration des electrons a travers l'ono. Les mesures de perte de charge montrent qu'il ne faut pas descendre, dans la realisation de l'ono, en deca de l'epaisseur tunnel de chaque couche et que l'obtention de couche d'epaisseur homogene et stchiometrique ameliore la fiabilite du dispositif. Cette analyse conduit, de meme, a la proposition d'un dielectrique adapte aux applications tres avancees. Forme par l'association de nitrure et d'oxyde, le no apparait comme un candidat interessant les generations eprom et flash eprom 256 mb. L'etude des contaminants ioniques a mis en uvre la methode tvs, qui s'avere un outil puissant, permettant l'evaluation rapide et precise de la densite d'ions mobile dans les dielectriques epais. Une solution economiquement viable a ete mise au point pour prevenir les effets d'une eventuelle contamination sur le plan memoire. Il s'agit de la juxtaposition judicieuse d'un verre au phosphore et d'un verre au bore et au phosphore
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Michau, Dominique. "Etude de l'influence du substrat sur la formation de films de diamant : application au développement de couches minces de nitrure de bore cubique". Phd thesis, Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 1995. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00143406.
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En utilisant une démarche de type "Chimie du Solide", le rôle des principaux facteurs caractérisant la surface du substrat (composition chimique, structure et liaisons chimiques) sur la germination de cristallites de diamant, ainsi que leur morphologie, a ete mis en évidence. La densité de nucléation et le rapport Csp2/Csp3 ont pu notamment etre corrélés a la diffusion du carbone dans le substrat. Afin de contrôler celle-ci, des couches superficielles de composes covalents tels que les nitrures et les borures ont été utilisées. Elles ont permis d'atteindre des densités très importantes de nucléi de diamant pour des temps de dépôt relativement courts. L'ensemble des résultats concernant le dépôt par hétéroépitaxie du diamant a permis de proposer une méthodologie au niveau du choix du substrat et des espèces réactives pour l'obtention de couches minces de nitrure de bore cubique.
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Chatbi, Hassan. "Caractérisation structurale des nitrures de fer préparés par évaporation et pulvérisation réactives et étude de la stabilité thermique des systèmes : TiH₂, Gd₁-xFex : H et Fe-N". Nancy 1, 1996. http://www.theses.fr/1996NAN10119.
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Cette thèse est consacrée à l'élaboration de films minces de nitrures de fer par évaporation et pulvérisation réactives, à leur caractérisation structurale et magnétique et à l'étude de leur stabilité thermique. La première méthode d'élaboration utilisée est la pulvérisation réactive à base d'un mélange gazeux argon -azote. Les films sont caractérisés par diffraction de rayons X, microscopie électronique et par spectrométrie Mössbauer. En modifiant la valeur des paramètres expérimentaux tels que la composition d'azote du mélange gazeux et la température du substrat, il est possible d'obtenir du nitrure de fer amorphe, ainsi que toutes les phases du diagramme d'équilibre Fe-N. La phase paramagnétique ζ-Fe₂N a fait l'objet d'une étude de mesures magnétiques à basse température qui a montré la possibilité de régler sa température de Curie en contrôlant la concentration d'azote dans l'échantillon. La deuxième méthode d'élaboration utilisée est l'évaporation réactive, le fer étant évaporé à partir d'un canon à électrons. L'utilisation de canons à ions a permis d'obtenir les phases du diagramme d'équilibre. De plus certaines conditions expérimentales permettent la synthèse de nitrures mal cristallisés possédant des champs hyperfins élevés. Le vieillissement de ces films par des recuits à 190°C conduit à l'apparition dans le spectre Mössbauer des trois sextuplets caractéristiques du nitrure α "-Fe₁₆N₂. L'étude de la stabilité thermique de l'azote dans les couches minces de nitrures de fer et dans les multicouches Fe/Fe₂N a été réalisée par des expériences de spectrométrie de désorption thermique. Cette technique, mise au point et testée en étudiant la stabilité de l'hydrogène dans l'hydrure de titane et les alliages amorphes gadolinium fer, a permis de déterminer le coefficient de diffusion de l'azote dans la phase γ -Fe₄N.
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Herle, P. Subramanya. "Synthesis, Structure And Properties Of Some Novel Binary And Ternary Transition Metal Nitrides". Thesis, 1998. http://etd.iisc.ernet.in/handle/2005/2185.
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