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Teses / dissertações sobre o tema "Diélectriques à Haut k"

Autor: Grafiati

Publicado: 7 de dezembro de 2024

Última modificação: 19 de julho de 2025

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Alemany, y. Palmer Mathias. "Caractérisation de lacunes d’oxygène dans les diélectriques à haute permittivité à destination des transistors « High-k Metal Gate »." Thesis, Orléans, 2017. http://www.theses.fr/2017ORLE2049/document.

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Resumo:

La présence de lacunes d’oxygène dans les diélectriques est supposée dégrader les propriétés électriques des transistors « high-k metal gate ». Nous avons donc étudié les possibilités d’une nouvelle méthodologie pour analyser ces défauts dans des couches minces de HfO2. Il s’agit d’utiliser des techniques optimisées pour la caractérisation de nano-dispositifs i.e. la spectroscopie de perte d'énergie des électrons (EELS) en microscopie électronique en transmission et la cathodoluminescence (CL)calibrées par la spectroscopie d’annihilation de positons (PAS). Des films de HfO2 ont été déposés par

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Garcia, Ramirez Emmanuel Armando. "Etude et optimisation de matériaux diélectriques et électrodes déposés par ALD pour structures nano-poreuses." Electronic Thesis or Diss., Normandie, 2024. http://www.theses.fr/2024NORMC226.

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Cette thèse examine les films minces d’oxyde de hafnium (HfO2) pour leur potentiel dans lesnanocondensateurs, répondant aux besoins en miniaturisation et haute performance del’électronique moderne. Le HfO2 est compatible avec la Déposition par Couches Atomiques(ALD), ce qui permet des dépôts minces précis et homogènes, essentiels pour garantir la fiabilitédes dispositifs électroniques. Les films minces sont soumis à différentes techniques de fabricationet de caractérisation pour analyser leur morphologie et leurs propriétés électriques, notamment laconstante diélectrique, la tension de claquag

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Charbonnier, Matthieu. "Etude du travail de sortie pour les empilements nanométriques diélectrique haute permittivité / grille métallique." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0016.

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Cette thèse traite de l’étude des variations du travail de sortie effectif du métal de grille dans les empilements High-κ / Grille métal. Pour ce faire, nous avons étudié et développé des techniques de caractérisation électrique dont, notamment, l’étude de la réponse capacitive des structures MOS et la mesure du courant de photoémission interne. Ces techniques nous ont permis d’isoler les différentes composantes du travail de sortie effectif du métal de grille. Nous avons ainsi démontré que le ces variations viennent principalement d’un dipôle à l’interface High-κ / SiO2. De plus, nous avons m

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4

Fuinel, Cécile. "Étude des potentialités de la transduction diélectrique de haute permittivité pour les résonateurs NEMS et MEMS." Thesis, Toulouse 3, 2018. http://www.theses.fr/2018TOU30302/document.

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L'essor du marché des MicroSystèmes ElectroMécaniques (MEMS : MicroElectroMechanial Systems) durant les deux dernières décennies s'est accompagné d'efforts de recherche soutenus pour élargir leurs champs d'application. Employés comme capteurs gravimétriques, des microstructures vibrant à la résonance permettent une détection ultrasensible pouvant aller jusqu'à la masse d'un seul proton pour les plus ultimes d'entre elles. Les capteurs MEMS gravimétriques fonctionnalisés apparaissent alors comme une alternative sans marquage aux technologies existantes de détection d'analytes chimiques et biolo

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Baudot, Sylvain. "Elaboration et caractérisation des grilles métalliques pour les technologiesCMOS 32 / 28 nm à base de diélectrique haute permittivité." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENT122/document.

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Cette thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation des grilles métalliques en TiN, aluminium et lanthane pour les technologies CMOS gate-first à base d'oxyde high-k HfSiON. L'effet de l'épaisseur et de la composition des dépôts métalliques a été caractérisé sur les paramètres de la technologie 32/28nm. Ces résultats ont été reliés à une variation de travail de sortie au vide du TiN, à des dipôles induits par l'Al et le La à l'interface HfSiON/SiON et à leur diminution aux petites épaisseurs de SiON (roll-off). Nous avons montré que l'aluminium déposé sous forme métallique dans le TiN ca

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Ihara, Kou. "Οptimizing οf metal-insulatοr-metal capacitοrs perfοrmances by atοmic layer depοsitiοn : advancing prοductiοn efficiency and thrοughput". Electronic Thesis or Diss., Normandie, 2024. http://www.theses.fr/2024NORMC218.

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À mesure que la technologie des semi-conducteurs progresse, la nécessité de surmonter les limitations de la réduction des tailles de dispositifs est considérée comme primordiale. Bien que la loi de Moore ait guidé cette évolution au cours des cinq dernières décennies, les contraintes des composants actifs sont désormais évidentes à mesure que les processus de fabrication approchent de l'échelle atomique. L'approche "More Than Moore" a émergé pour y remédier, mettant l'accent sur l'intégration et la miniaturisation de puces hétérogènes afin de permettre l'empilement de diverses fonctionnalités

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7

Bêche, Elodie. "Etude des collages directs hydrophiles mettant en jeu des couches diélectriques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAY064/document.

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Le collage direct consiste à l’adhésion spontanée dès température ambiante de deux surfaces sans ajout de matière polymère à l’interface de collage. Réalisable sous vide ou à pression atmosphérique, il possède l’avantage de permettre l’empilement de matériaux monocristallins sur des matériaux amorphes, parfaitement illustrée, par exemple, avec la fabrication de substrats SOI (silicium sur isolant) couramment utilisé de nos jours en microélectronique et/ou en microtechnologie. La course à la performance et/ou pluridisciplinarité des circuits électroniques nécessite la maîtrise de ce procédé pou

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Chery, Emmanuel. "Fiabilité des diélectriques low-k SiOCH poreux dans les interconnexions CMOS avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01063862.

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Avec la miniaturisation continue des circuits intégrés et le remplacement de l'oxyde de silicium par des diélectriques low-k poreux à base de SiOCH, la fiabilité des circuits microélectroniques a été fortement compromise. Il est aujourd'hui extrêmement important de mieux appréhender les mécanismes de dégradation au sein de ces matériaux afin de réaliser une estimation précise de leur durée de vie. Dans ce contexte, ces travaux de thèse ont consisté à étudier les mécanismes de dégradation au sein du diélectrique afin de proposer un modèle de durée de vie plus pertinent. Par une étude statistiqu

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Favennec, Laurent. "Développement de matériaux diélectriques pour les interconnexions des circuits intégrés a-SiOC:H poreux "Ultra Low K" et a-SiC:H "Low K"." Montpellier 2, 2005. http://www.theses.fr/2005MON20160.

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Garnell, Emil. "Dielectric elastomer loudspeakers : models, experiments and optimization." Thesis, Institut polytechnique de Paris, 2020. http://www.theses.fr/2020IPPAE007.

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Les élastomères diélectriques sont des matériaux actifs souples capables de grandes déformations sous chargement électrique. Ils sont constitués d’une fine membrane d’élastomère (en général en silicone ou en acrylique), recouverte de chaque côté par des électrodes souples et étirables. L’ensemble a une épaisseur de l’ordre de 100 microns. Lorsqu’une tension électrique est appliquée entre les électrodes, la membrane se comprime et sa surface peut augmenter de plus de 100%.Ce principe de conversion électromécanique peut être utilisé pour réaliser des haut-parleurs. Des prototypes ont été dévelop

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Lépinay, Matthieu J. "Impact des chimies de nettoyage et des traitements plasma sur les matériaux diélectriques à basse permittivité." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20097/document.

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Nous présentons dans ce travail l'impact du procédé de fabrication d'un circuit intégré (nœud technologique 28 nm) sur le matériau diélectrique poreux utilisé pour isoler les interconnexions des transistors. Notre étude est en particulier axée sur la diffusion d'espèces (chimies de nettoyage, eau/humidité, molécules de gaz) dans le réseau poreux. Pour décorréler les effets "chimiques" d'affinité entre la surface et les molécules considérées et "physiques" de taille des pores, plusieurs techniques de caractérisation complémentaires sont utilisées. Les modifications chimiques sont d'abord caract

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Verriere, Virginie. "Analyse électrique de diélectriques SiOCH poreux pour évaluer la fiabilité des interconnexions avancées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00593515.

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Avec la miniaturisation des circuits intégrés, le délai de transmission dû aux interconnexions a fortement augmenté. Pour limiter cet effet parasite, le SiO2 intégré en tant qu'isolant entre les lignes métalliques a été remplacé par des matériaux diélectriques à plus faible permittivité diélectrique dits Low-κ. La principale approche pour élaborer ces matériaux est de diminuer la densité en incorporant de la porosité dans des matériaux à base de SiOCH. L'introduction de ces matériaux peu denses a cependant diminué la fiabilité : sous tension, le diélectrique SiOCH poreux est traversé par des c

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Buckley, Julien. "Etude de mémoires flash intégrant des diélectriques high-k en tant qu'oxyde tunnel ou couche de stockage." Grenoble INPG, 2006. http://www.theses.fr/2006INPG0173.

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Les mémoires Flash sont aujourd'hui incontournables pour le développement de l'électronique portable. C'est dans ce contexte que s'inscrit le travail de cette thèse. Il a été mené selon deux axes : l'étude de l'utilisation des high-k dans le diélectrique tunnel des mémoires Flash, et l'évaluation de matériaux à base de Hf en tant que couche de stockage. D'après nos résultats, la première solution nécessiterait une amélioration des propriétés de conduction et de piégeage des matériaux en diminuant leur défauts par des optimisations futures des procédés de fabrication. Nous avons établi des crit

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Chatenet, Christophe. "Etude de dispositifs rayonnants millimétriques à lentilles diélectriques alimentées par des antennes imprimées : Application à la réalisation de systèmes de télécommunication haut débit." Limoges, 1999. http://www.theses.fr/1999LIMO0013.

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Ce memoire est consacre a l'etude de faisabilite de dispositifs rayonnants fonctionnant dans la bande millimetrique, constitues par des antennes imprimees placees au foyer de lentilles dielectriques. La conception de ces antennes avait pour application deux systemes de communication a haut debit, permettant d'offrir un service multimedia et internet rapide : - le l. M. D. S (local multipoint distribution system) est base sur des liaisons hertziennes de proximite a 40 ghz (inferieures a 5 km entre les stations de base et les multiples recepteurs d'abonnes) avec une couverture cellulaire. - le s

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Lontsi, Fomena Mireille. "Etude théorique de la diffusion de l’oxygène dans des oxydes diélectriques." Thesis, Bordeaux 1, 2008. http://www.theses.fr/2008BOR13703/document.

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La miniaturisation des composants CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) impose l’emploi de matériaux diélectriques de permittivité élevée. LaAlO3 et SrTiO3 sont aujourd’hui parmi les meilleurs candidats ; toutefois, la diffusion de l’oxygène dans ces matériaux conduit à la dégradation des propriétés électriques et de l’interface avec le silicium. Ce travail théorique a pour but d’étudier les facteurs gouvernant, à l’échelle de la liaison chimique, la diffusion de l’ion oxygène. L’approche choisie repose sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), couplée à des méthodes d’a

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Gravil, Jean-Louis. "Contribution à l'étude des propriétés basse température des composés à base de K Ta O3 par mesures thermiques et diélectriques." Grenoble 1, 1991. http://www.theses.fr/1991GRE10079.

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Ce travail est centre sur l'etude experimentale du transport thermique des composes a base de ktao#3, caracterises par la presence d'un mode optique qui s'amollit lorsque la temperature diminue. La conductivite thermique du systeme non dope a particulierement ete etudiee, ainsi que celle des composes dopes avec des ions polarisants (nb, na, li). Les phonons acoustiques sont fortement diffuses aux environs de 7 k. Cette resonance a ete attribuee a une interaction des phonons thermiques avec le mode optique mou, rendue possible dans des regions ou existe un desordre structural. Ce desordre est l

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Monnier, Denis. "Étude des dépôts par plasma ALD de diélectriques à forte permittivité diélectrique (dits "High-k") pour les applications capacités MIM." Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0036.

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La miniaturisation des composants dans la micorélectronique touche maintenant les composants passifs comme les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal). Pour augmenter la densité de capacité des capacités MIM, les diélectriques conventionnels (Si02, E = 3. 9) sont remplacés par des diélectriques à haute permittivité diélectrique dits « high-k » comme Zr02. Sa permittivité E est égale à 47 lorsqu'il se trouve sous la phase tétragonale. Le procédé de dépôt de Zr02 est la méthode PEALD. Nous avons étudié le procédé de dépôt de Zr02 avec les précurseurs TEMAZ et ZyALD. Les propriétés thermodynamiques d

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LAPERGUE, THIERRY. "Conception de circuits hyperfrequences en technologie monolithique (mmic) pour chaines de modulation haut debit en bande k." Toulouse 3, 1999. http://www.theses.fr/1999TOU30160.

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Les travaux que nous presentons dans ce memoire portent sur la conception de circuits hyperfrequences en technologie monolithique (mmic) pour chaines de modulation en bande k. Dans une premiere partie, nous presentons les differentes missions et architectures des charges utiles des satellites de telecommunications. Apres avoir demontrer que la modulation numerique par deplacement de phase est la mieux adaptee aux forts debits d'informations, nous presentons les specifications des modulateurs par deplacement de phase a 2, 4 et 8 etats realises. La description des conceptions en technologie mmic

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Brunet, Laurent. "Caractérisation électrique et fiabilité des transistors intégrant des diélectriques High-k et des grilles métalliques pour les technologies FDSOI sub-32nm." Phd thesis, Aix-Marseille Université, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00847881.

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L'intégration de diélectriques High- k dans les empilements de grille des transistors a fait naître des problèmes de fiabilité complexes. A cela vient s'ajouter, en vue des technologies sub-32nm planaires, de nouvelles problématiques liées à l'utilisation de substrats silicium sur isolant complètement désertés FDSOI. En effet, l'intégration d'un oxyde enterré sous le film de silicium va modifier électrostatique de la structure et faire apparaître une nouvelle interface Si/SiO2 sujette à d'éventuelles dégradations. Ce manuscrit présente différentes méthodes de caractérisation électrique ainsi q

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Coulon, Pierre-Eugène. "Films minces d'oxydes à grande permittivité pour la nanoélectronique : organisation structurale et chimique et propriétés diélectriques." Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/514/.

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Malgré les gros efforts de recherche consacrés depuis dix ans à l'étude de nouveaux films minces d'oxyde à grande permittivité kappa pour remplacer la silice en microélectronique, les relations qui existent entre les propriétés structurales/chimiques et électriques de ces films restent encore peu explorées. Des films minces d'oxydes à base de zirconium et de lanthane, préparés par dépôt chimique de couches atomiques (ALD) sur substrats de silicium et/ou germanium, font l'objet de ce mémoire. Les paramètres quantitatifs relatifs à l'organisation à l'échelle nanométrique dans ces films et aux in

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Ceballos, Sanchez Oscar. "Stabilité thermique de structures de type TiN/ZrO2/InGaAs." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAY027/document.

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Les semiconducteurs composés III-V, et en particulier l’InGaAs, sont considéréscomme une alternative attractive pour remplacer le Silicium (Si) habituellement utilisépour former le canal dans les dispositifs Métal-Oxide-Semiconducteur (MOS). Sa hautemobilité électronique et sa bande interdite modulable, des paramètres clés pourl’ingénierie de dispositifs à haute performance, ont fait de l’InGaAs un candidatprometteur. Cependant, la stabilité thermique et la chimie des interfaces desdiélectriques high-k sur InGaAs est beaucoup plus complexe que sur Si. Tandis que laplupart des études se concent

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Devesa, Canicoba Noelia. "Development and characterization of perovskite based devices : field effect transistors and solar cells." Thesis, Rennes 1, 2018. http://www.theses.fr/2018REN1S117.

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L'objectif de cette thèse était l’étude de dispositifs électroniques à base de pérovskites hybrides. Dans ce cadre nous avons développé et fabriqué des transistors à effet de champ (FET) ainsi que des cellules solaires à base de perovskite. Dans le cas des transistors, en utilisant des couches minces de pérovskites hybride hautement cristallisées nous avons réalisé des transistors ambipolaires fonctionnant à la température ambiante et présentant une hystérésis faible, une transconductance élevée (pour ce type de matériau), et un rapport Ion / Ioff> 104. Dans le cadre de cette thèse l’utilis

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Pradas, Fernández David. "Conception et méthodologie cross-layer pour les réseaux satellite à haut débit." Toulouse, ISAE, 2011. http://www.theses.fr/2011ESAE0013.

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Les satellites de communication apparaissent comme une solution particulièrement intéressante pour fournir une connectivité à large bande à un grand nombre d'utilisateurs. La propriété de diffusion naturelle des satellites (et ses bandes de fréquence Ku/Ka) rend leur utilisation évidente pour les services de multidiffusion, multimédia, ainsi que pour l’interconnexion de réseaux à haut débit. Toutefois, les signaux de cette bande de fréquence sont beaucoup plus sensibles aux interférences atmosphériques. La principale innovation permettant de résoudre ces problèmes a été l'adoption du codage et

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Bertaud, Thomas. "Élaboration et caractérisation large bande de matériaux « high-K » en structure « MIM »." Phd thesis, Grenoble INPG, 2010. http://www.theses.fr/2010INPG0099.

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Afin d'améliorer les performances électriques des circuits intégrés (densité d'intégration, vitesse et fiabilité), des matériaux à permittivité élevée sont introduits dans les composants passifs, notamment les capacités « Métal-Isolant-Métal » (MIM). De nombreux diélectriques, allant d'une permittivité moyenne (SixNy, Ta2O5, HfO2, ZrO2) à très élevée (les pérovskites SrTiO3 et BaTiO3) en passant par les alliages de plusieurs éléments (HfTiO, TiTaO ou Pb (ZrxTi1-x) O3) sont largement étudiés comme candidats prometteurs. Ces composants et ces matériaux ont pour vocation de fonctionner à des fréq

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Vo, Thu Trang. "Caractérisation hyperfréquence et in-situ de diélectriques à permittivité élevée en vue de leur intégration dans des composants passifs en microélectronique avancée." Chambéry, 2009. http://www.theses.fr/2009CHAMS007.

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Les diélectriques jouent un rôle important dans le fonctionnement des composants en microélectronique. Ils sont omniprésents en tant que barrière diélectrique, isolant intermétallique entre les interconnexions, diélectrique de grille pour les transistors MOS ou isolant pour les composants passifs comme les condensateurs MIM. Cette intégration de composants passifs directement dans les puces est une vole très explorée parce qu'elle prolonge la course à la miniaturisation et à la réduction des coûts mais celle-ci doit s'effectuer avec des performances électriques des composants toujours plus éle

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Gourhant, Olivier. "Elaboration et caractérisation de matériaux à très faible constante diélectrique de type a-SiOCH élaborés par PECVD : application aux interconnexions des circuits intégrés." Grenoble 1, 2008. http://www.theses.fr/2008GRE10275.

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L'amélioration des performances des circuits intégrés nécessite le développement de nouveaux matériaux comme, par exemple, les diélectriques à très faible permittivité, appelés Ultra Low-K (K<=2,5). Cette étude se focalise sur les matériaux a-SiOCH poreux déposés en couche mince par PECVD suivant une approche dite « porogène ». Cette approche consiste en le dépôt d'une matrice de type a-SiOCH contenant des inclusions organiques qui sont dégradées dans un second temps, grâce à l'utilisation d'un post-traitement, afin de créer la porosité. La première partie de cette étude montre que l'extens

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Blaurock, Joachim [Verfasser], K. L. [Gutachter] Resch, M. [Gutachter] Pohl, and R. [Gutachter] Brenke. "Durchblutungsänderungen von Haut und Nasenschleimhaut durch Konditionierung mittels verschiedener gewohnheitsmäßiger hydrotherapeutischer Maßnahmen / Joachim Blaurock ; Gutachter: K.-L. Resch, M. Pohl, R. Brenke." Berlin : Humboldt-Universität zu Berlin, 2006. http://d-nb.info/1208079778/34.

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El, Hajjam Khalil. "Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique." Thèse, Université de Sherbrooke, 2016. http://hdl.handle.net/11143/8508.

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Résumé: Aujourd’hui plusieurs obstacles technologiques et limitations physiques s’opposent à la poursuite de la miniaturisation de la technologie CMOS : courants de fuite, effet de canal court, effet de porteurs chauds et fiabilité des oxydes de grille. Le transistor à un électron (SET) fait partie des composants émergents candidats pour remplacer les transistors CMOS ou pour constituer une technologie complémentaire à celle-ci. Ce travail de thèse traite de l’amélioration des caractéristiques électriques du transistor à un électron en optimisant ses jonctions tunnel. Cette optimisation commen

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Hajjam, Khalil El. "Ingénierie de jonctions tunnel pour améliorer les performances du transistor mono-électronique métallique." Thesis, Lyon, INSA, 2015. http://www.theses.fr/2015ISAL0111/document.

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Aujourd’hui plusieurs obstacles technologiques et limitations physiques s’opposent à la poursuite de la miniaturisation de la technologie CMOS : courants de fuite, effet de canal court, effet de porteurs chauds et fiabilité des oxydes de grille. Le transistor à un électron (SET) fait partie des composants émergents candidats pour remplacer les transistors CMOS ou pour constituer une technologie complémentaire à celle-ci. Ce travail de thèse traite de l’amélioration des caractéristiques électriques du transistor à un électron en optimisant ses jonctions tunnel. Cette optimisation commence tout

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Fontaine, Charly. "Analyse par XPS d'empilements High-K Metal Gate de transistors CMOS et corrélation des décalages d'énergie de liaison aux tensions de seuil." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAT011/document.

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Les dernières technologies microélectroniques embarquent des transistors dont les isolants de grille sont des isolants à forte constante diélectrique (high-k en anglais) associés à des grilles métalliques (on utilise l'abréviation HKMG pour high-k – metal gate). Si cet empilement permet de garder une quantité de charges suffisante dans le canal, il est plus difficile de contrôler les tensions de seuil des transistors à cause de la présence de charges et de dipôle dans ces couches ou aux interfaces. Deux études préliminaires ont établi qu'il existe une corrélation entre les énergies de liaisons

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Guiraud, Alexandre. "Intégration de matériaux à forte permittivité diélectrique dans les mémoires non volatile avancées." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4763/document.

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Ce travail de thèse porte sur l'intégration de matériaux de haute constante diélectrique (High-k) en tant que diélectrique interpoly dans les mémoires non volatiles de type Flash. L'objectif est de déterminer quel matériaux High-k seraient des candidats probables au remplacement de l'empilement ONO utilisé en tant que diélectrique interpoly. Une gamme de matériaux high-k ont été étudiés via des caractérisations électriques (I-V, C-V, statistique de claquage…) et physiques (TEM, EDX, XPS…) afin d'éliminer les matériaux ne répondant pas au cahier des charges d'un diélectrique interpoly. Les diff

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Bordas, Chloé. "Optimisation technologique de commutateurs MEMS RF à tenue en puissance améliorée : application à l'élaboration d'un synthétiseur d'impédance MEMS en bande K." Toulouse 3, 2008. http://thesesups.ups-tlse.fr/238/.

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Les commutateurs capacitifs MEMS RF présentent un intérêt connu dans le domaine des micro-ondes pour satisfaire de nombreuses applications (spatiales, téléphonie mobile). Ils permettent de rendre reconfigurable les modules hautes fréquences sans tous les inconvénients des composants actifs. Cependant, beaucoup de problèmes restent irrésolus: la fiabilité des diélectriques, la tenue en puissance et le rendement de fabrication. Le procédé technologique n'est pas assez optimisé pour obtenir des structures fonctionnelles avec de bonnes performances et reproductibilité. Le sujet de cette thèse trai

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Bouyssou, Régis. "Traitements plasmas post gravure pour l'intégration des matériaux SiOCH poreux dans les interconnexions en microélectronique." Phd thesis, Grenoble 1, 2009. http://www.theses.fr/2009GRE10277.

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La miniaturisation des circuits intégrés permet à la fois d'augmenter les performances mais aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la prépondérance du temps de transit dans les interconnexions devant le temps de commutation des transistors. Ainsi, un matériau diélectrique de plus faible permittivité de type SiOC poreux est intégré malgré une sensibilité plus élevée au plasma de gravure. Ce travail de recherche s'intéresse au développement de procédés plasmas in situ réalisés après la gravure de l'empreinte de la ligne métallique dans le diélectrique pore

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Bouyssou, Régis. "Traitements plasmas Post Gravure pour l'intégration des matériaux SiOCH poreux dans les interconnexions en microélectronique." Phd thesis, Université de Grenoble, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679654.

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La miniaturisation des circuits intégrés permet à la fois d'augmenter les performances mais aussi de réduire leur coût. Cependant, cette réduction des dimensions provoque la prépondérance du temps de transit dans les interconnexions devant le temps de commutation des transistors. Ainsi, un matériau diélectrique de plus faible permittivité de type SiOCH poreux est intégré malgré une sensibilité plus élevée au plasma de gravure. Ce travail de recherche s'intéresse au développement de procédés plasmas in situ réalisés après la gravure de l'empreinte de la ligne métallique dans le diélectrique por

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Rasoloniaina, Alphonse. "Études expérimentales de dispositifs intégrés à base de micro-résonateurs à mode de galerie en verres actifs." Phd thesis, Université Rennes 1, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01009345.

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Les microrésonateurs à mode de galerie passifs à base de cristal ou de verre fabriqués par la méthode de fusion possèdent un facteur de qualité limité à quelques 10E8. Ceci est généralement dû à la contamination de la surface du résonateur lors de sa fusion. Dans ces travaux, nous proposons de contourner cette limitation en utilisant des microrésonateurs actifs pour compenser les pertes. Afin de caractériser les microrésonateurs actifs de très haut facteur de qualité ainsi obtenu, nous nous appuyons sur la méthode CRDM (Cavity Ring Down Measurement). Cette méthode interférométrique est d'une p

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Benhadjala, Warda. "Fiabilité et miniaturisation des condensateurs pour l'aéronautique : de l'évaluation de composants céramique de puissance à l'étude de nanoparticules hybrides céramique / polymère pour technologies enterrées." Thesis, Bordeaux 1, 2013. http://www.theses.fr/2013BOR15271/document.

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L’amélioration des systèmes électroniques pour le déploiement de l'avion tout électrique dépend de la capacité des composants passifs, tels que les condensateurs, à réduire leur volume, leur masse et leur coût, et augmenter leurs performances et leur fiabilité, particulièrement dans l’environnement aéronautique. Dans ce contexte, cette thèse a eu pour objectif l’étude et le développement de nouvelles technologies de condensateurs pour des applications avioniques. Dans la première partie des travaux, nous abordons l’évaluation de condensateurs céramique de puissance. La technologie céramique co

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Monnier, D. "Etude des dépôts par plasma ALD de diélectriques à forte permittivité diélectrique (dits « High-K ») pour les applications capacités MIM." Phd thesis, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00520511.

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La miniaturisation des composants dans la micorélectronique touche maintenant les composants passifs comme les capacités MIM (Métal/Isolant/Métal). Pour augmenter la densité de capacité des capacités MIM, les diélectriques conventionnels (SiO2, ε = 3.9) sont remplacés par des diélectriques à haute permittivité diélectrique dits « high-k » comme ZrO2. Sa permittivité ε est égale à 47 lorsqu'il se trouve sous la phase tétragonale. Le procédé de dépôt de ZrO2 est la méthode PEALD. Nous avons étudié le procédé de dépôt de ZrO2 avec les précurseurs TEMAZ et ZyALD. Les propriétés thermodynamiques du

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Bertaud, Thomas. "Élaboration et caractérisation large bande de matériaux "high-k" en structure "MIM"." Phd thesis, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00555345.

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Afin d'améliorer les performances électriques des circuits intégrés (densité d'intégration, vitesse et fiabilité), des matériaux à permittivité élevée sont introduits dans les composants passifs, notamment les capacités " Métal-Isolant-Métal " (MIM). De nombreux diélectriques, allant d'une permittivité moyenne (SixNy, Ta2O5, HfO2, ZrO2) à très élevée (les pérovskites SrTiO3 et BaTiO3) en passant par les alliages de plusieurs éléments (HfTiO, TiTaO ou Pb(ZrxTi1-x)O3) sont largement étudiés comme candidats prometteurs. Ces composants et ces matériaux ont pour vocation de fonctionner à des fréque

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Busani, Tito. "ELABORATION ET CARACTERISATION DE QUELQUES DIELECTRIQUES AFORTE PERMITTIVITE AVEC APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE :INFLUENCE DE LA STRUCTURE DU RESEAU SUR LEs PROPRIETESELECTRIQUES." Phd thesis, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00173693.

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Le travail exposé dans cette thèse cible les nouveaux matériaux susceptibles d'être intégrés dans les mémoires et les applications à base de transistors MOS. Il est divisé en trois chapitres principaux. Le premier chapitre traite des contraintes de fabrication des dispositifs. Nous abordons aussi l'état de l'art ainsi que les objectifs industriels à courte échéance. Ce premier chapitre est important pour donner au lecteur les bases technologiques pour comprendre pourquoi des investissements gigantesques sur ces matériaux sont consentis dans l'industrie microélectronique et la recherche associé

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Leonard, Jean Marie. "Les filons à micas et tourmalines du Haut Himalaya au Népal central.Témoins des transferts magmatiques entre les migmatites du Haut Himalaya et les granites de type Manaslu." Phd thesis, 1997. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00642000.

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Au Népal central , les filons du Haut-Himalaya se sont formés dans un régime tectonique qui était tantôt compressif tantôt extensif selon 3 directions principales (N I20- N150°E, N80-N110°E et N10-N40°E). I s sont pour la plupart de composition leucogranitique. La classification des filons faite en fonction de K20 et des silicates ferromagnésiens permet d'identifier, à la lumière des éléments en trace et des isotopes du Sr, les roches source et leurs modes de fusion. Les quantités de fluides apportées pendant l'anatexie ont varié : un apport d'eau permet un taux élevé de fusion des différents

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