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Bibliografias temáticas / Recombinaison de défauts

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Teses / dissertações

Literatura científica selecionada sobre o tema "Recombinaison de défauts"

Autor: Grafiati

Publicado: 21 de dezembro de 2024

Última modificação: 31 de julho de 2025

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Artigos de revistas sobre o assunto "Recombinaison de défauts"

1

Salaün, Hélène, Mathilde Saint-Ghislain, Audrey Bellesoeur, et al. "Défauts de la recombinaison homologue et inhibiteurs de PARP en thérapeutique." Bulletin du Cancer 109, no. 1 (2022): 76–82. http://dx.doi.org/10.1016/j.bulcan.2021.09.015.

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Teses / dissertações sobre o assunto "Recombinaison de défauts"

1

Ait, Saada Anissia. "Mécanismes par lesquels la recombinaison homologue prévient les défauts mitotiques induits par le stress réplicatif." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS167/document.

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Resumo:

Des stress réplicatifs sont rencontrés à chaque phase S du cycle cellulaire et différents mécanismes permettent leur prise en charge. La recombinaison homologue (RH) tient un rôle important dans le maintien de la stabilité du génome au cours de la réplication. En effet, la RH escorte la progression des fourches et prévient les défauts mitotiques. Toutefois, le lien moléculaire entre le stress réplicatif et les défauts mitotiques n’est pas élucidé. De façon générale, les fourches de réplication bloquées peuvent être sauvées grâce à leur fusion avec la fourche convergente ou au redémarrage de fo

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2

Alabert, Constance. "Étude des liens entre les défauts de réplication et la recombinaison chez la levure S. Cerevisiae." Montpellier 1, 2008. http://www.theses.fr/2008MON1T045.

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Resumo:

La voie Rad52 jour un rôle central dans la réparation des cassures chromosomiques et dans la survie après un stress réplicatif. La tolérance aux stress réplicatifs dépend aussi de la kinase Mec1 qui active le checkpoint de réplication de manière Mrc1 dépendante en réponse à un arrêt de fourche. Bien que les voies Mec1 et Rad52 soient initiées par le même intermédiaire simple brin d'ADN, leur interaction au niveau des fourches de réplication bloquées restent largement inconnue. Au cours de ce travai, nous avons pu montrer que le checkpoint de réplication supprime la formation des foyers Rad52 v

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3

Réaux, David. "Cellules photovoltaïques à hétérojonctions de silicium (a-Si˸H/c-Si) : modélisation des défauts et de la recombinaison à l'interface." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS174/document.

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Resumo:

Les cellules à hétérojonctions de silicium (HET-Si) sont basées sur un substrat de silicium cristallin (c-Si) dopé n (p), une couche très fine de passivation (en général du silicium amorphe (a-Si:H) non dopé), et une couche d’une dizaine de nanomètres de silicium amorphe dopé p (n). Ces cellules atteignent aujourd’hui des rendements de l’ordre de 26% (record de 26,6% par l’entreprise Kaneka en 2017). Un des axes importants de recherche sur les cellules HET-Si porte sur l’étude de l’interface c-Si/a-Si:H qui est un élément clé dans le rendement des cellules. Ce rendement dépend en particulier d

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4

Nemar, Noureddine. "Génération-recombinaison en régime de porteurs chauds dans le silicium de type P." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20151.

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Resumo:

Dans la premiere partie de ce travail, nous avons etudie l'effet de prendre un modele inelastique d'interaction avec les phonons acoustiques (a temperature basse (77 k et 110 k) sur la fonction de distribution et les parametres de transport dans le silicium dope au bore (si-p). Une comparaison a ete faite avec des resultats theoriques (utilisant un modele elastique) et experimentaux (obtenus au laboratoire). Dans la seconde partie, nous avons introduit les termes de generation-recombinaison dans l'equation de boltzmann et formule une equation supplementaire donnant l'evolution du nombre de por

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5

Sibille, Alain. "Etude des défauts créés par irradiation électronique dans InP." Paris 7, 1985. http://www.theses.fr/1985PA077083.

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Resumo:

Cette thèse concerne l'étude des défauts produits par irra¬diation électronique dans InP. Nous montrons que les défauts stables à 300 K sont produits dans InP de type p en concentration proche de la valeur maximale théorique, mais en concentration beaucoup plus faible dans InP de type n, et que l'essentiel des centres profonds créés par l'irra¬diation sont dûs à des collisions sur le sous-réseau phosphore. Par ailleurs de l'étude des réactions subies par ces défauts en dessous et au-dessus de la température ambiante, et avec ou sans stimu-lation électronique par recombinaison électron-trou, no

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6

Darga, Arouna. "Etude des défauts électriquement actifs et des mécanismes de recombinaison des cellules solaires à base de Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2 co-évaporé ou électrodéposé." Paris 6, 2007. http://www.theses.fr/2007PA066413.

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Le marché mondial de l’énergie photovoltaïque, connaît depuis ces vingt dernières années une forte croissance de production annuelle. Les cellules solaires à base de chalcopyrites de formule générale CuIn1-x,Gax (Se1-y Sy)2 constituent une des voies les plus avancées pour la production de cellules solaires performantes en couches minces. Toutefois, les propriétés électriques de ces dispositifs restent encore insuffisamment connues. Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés du transport électronique ainsi que les défauts électriquement actifs des dispositifs photovoltaïques en couche mi

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7

Fekecs, André. "Élaboration de photoconducteurs d’InGaAsP par implantation d'ions de fer pour des applications en imagerie proche-infrarouge et spectroscopie térahertz." Thèse, Université de Sherbrooke, 2015. http://hdl.handle.net/11143/6840.

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Cette thèse décrit l’incorporation de fer dans l’hétérostructure InGaAsP/InP par implantation ionique à haute énergie (MeV) suivi d’un recuit thermique rapide. L’alliage quaternaire InGaAsP est tout indiqué pour fabriquer des couches photoconductrices qui peuvent absorber dans le proche-infrarouge, à 1.3 µm ou 1.55 µm. Ce procédé vise à développer de nouveaux matériaux de forte résistivité pour l’holographie photoréfractive et la spectroscopie térahertz pulsée. À notre connaissance, cette investigation représente les premiers essais détaillés de l’implantation de fer dans le matériau InGaAsP/I

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8

Vera, Gabriella. "Défauts de la réparation de l’ADN et développement lymphoïde : Analyse de situations pathologiques chez l’homme et la souris." Thesis, Paris 5, 2012. http://www.theses.fr/2012PA05T028/document.

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Au cours de leur développement, les cellules du système hématopoïétique sont très exposées aux dommages à l’ADN qui peuvent avoir une origine exogène ou endogène. Les organismes vivants ont développé de nombreux mécanismes de réparation pour y faire face, et leur dysfonctionnement est responsable de maladies rares mais sévères chez l’Homme. Un des deux mécanismes de réparation des cassures double-brin (CDB) de l’ADN joue un rôle prépondérant dans le développement du système immunitaire (SI) des mammifères. Il s’agit de la voie de réparation des extrémités non-homologues (NHEJ) qui est absolume

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9

Oulmane, Mohamed. "Transport dans les composants en présence de centres profonds : modélisation numérique et analytique." Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20210.

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Les materiaux iii-v, et plus particulierement le gaas ou l'inp, presentent lors de leur fabrication un certain nombre d'impuretes dont les niveaux d'energie sont profonds. Quelques unes de ces impuretes ont des concentrations importantes. C'est le cas du centre el2 bien connu dans le gaas ou bien du niveau du fer introduit dans l'inp pour le rendre semi-isolant. Ces concentrations importantes influent grandement sur les proprietes de conduction du materiau de deux manieres : par (i) le stockage (piegeage d'electrons et de trous) d'une importante charge d'espace et aussi par (ii) une contributi

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10

Chapelon, Olivier. "Transport en régime de porteurs chauds dans le silicium de type n." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20066.

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Resumo:

Il a ete mis au point un programme permettant de calculer les parametres de transport par resolution de l'equation de boltzmann dans le si-n. Une etude de l'influence de la degenerescence a montre que celle-ci jouait un role negligeable pour les dopages utilises au cours de cette etude. L'introduction de la generation recombinaison dans le programme a permis de calculer l'evolution de la fraction ionisee en regime de porteurs chauds et de mettre en evidence que le regime transitoire est fortement modifie. Dans une derniere partie, l'equation de boltzmann a ete resolue en tenant compte d'une di

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