Добірка наукової літератури з теми "GaN. InN. InGaN"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "GaN. InN. InGaN".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "GaN. InN. InGaN"
SEO*, Hye-Won. "Enhanced InN Solid Solubility in Pseudo-Binary InN-GaN (InGaN) Nanostructures." New Physics: Sae Mulli 66, no. 11 (November 30, 2016): 1440–43. http://dx.doi.org/10.3938/npsm.66.1440.
Повний текст джерелаPopov, Maxim N., Jürgen Spitaler, Lorenz Romaner, Natalia Bedoya-Martínez, and René Hammer. "Bayesian Optimization of Hubbard U’s for Investigating InGaN Superlattices." Electronic Materials 2, no. 3 (August 5, 2021): 370–81. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat2030025.
Повний текст джерелаKangawa, Yoshihiro, Tomonori Ito, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu. "Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE." Applied Surface Science 216, no. 1-4 (June 2003): 453–57. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(03)00396-9.
Повний текст джерелаLai, Wei-Chih, Cheng-Hsiung Yen, and Shoou-Jinn Chang. "GaN-Based Green-Light-Emitting Diodes with InN/GaN Growth-Switched InGaN Wells." Applied Physics Express 6, no. 10 (October 1, 2013): 102101. http://dx.doi.org/10.7567/apex.6.102101.
Повний текст джерелаGeerts, Wim, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Thomas Schmiedel. "Electrical transport in p-GaN, n-InN and n-InGaN." Solid-State Electronics 39, no. 9 (September 1996): 1289–94. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(96)00047-0.
Повний текст джерелаKusakabe, Kazuhide, Daichi Imai, Ke Wang, and Akihiko Yoshikawa. "InN/GaN short-period superlattices as ordered InGaN ternary alloys." physica status solidi (c) 13, no. 5-6 (December 9, 2015): 205–8. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201510306.
Повний текст джерелаYu, Chun-Ta, Wei-Chih Lai, Cheng-Hsiung Yen, and Shoou-Jinn Chang. "InN/GaN alternative growth of thick InGaN wells on GaN-based light emitting diodes." Optical Materials Express 3, no. 11 (October 24, 2013): 1952. http://dx.doi.org/10.1364/ome.3.001952.
Повний текст джерелаHazari, Arnab, Md Zunaid Baten, Lifan Yan, Joanna M. Millunchick, and Pallab Bhattacharya. "An InN/InGaN/GaN nanowire array guided wave photodiode on silicon." Applied Physics Letters 109, no. 19 (November 7, 2016): 191102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4967439.
Повний текст джерелаLi, Yi, Bin Liu, Rong Zhang, Zili Xie, and Youdou Zheng. "Investigation of optical properties of InGaN–InN–InGaN/GaN quantum-well in the green spectral regime." Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, no. 4 (January 2012): 821–25. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2011.12.014.
Повний текст джерелаZhou, X. W., and R. E. Jones. "A Stillinger-Weber Potential for InGaN." Journal of Materials Science Research 6, no. 4 (September 27, 2017): 88. http://dx.doi.org/10.5539/jmsr.v6n4p88.
Повний текст джерелаДисертації з теми "GaN. InN. InGaN"
Liu, Ying. "Heteroepitaxial growth of InN and InGaN alloys on GaN(0001) by molecular beam epitaxy." Click to view the E-thesis via HKUTO, 2005. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record/B36363558.
Повний текст джерелаLiu, Ying, and 劉穎. "Heteroepitaxial growth of InN and InGaN alloys on GaN(0001) by molecular beam epitaxy." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2005. http://hub.hku.hk/bib/B36363558.
Повний текст джерелаJridi, Jihen. "Croissance par Epitaxie vapeur aux hydrures (HPVE) de nanofils (In,Ga)N pour les cellules solaires et les micro-LEDs." Electronic Thesis or Diss., Université Clermont Auvergne (2021-...), 2022. http://www.theses.fr/2022UCFAC121.
Повний текст джерелаGiven their very promising structural and optoelectronic physical properties, special attention has been given to III-V element semiconductors. The use of nitrides with 1D geometry, micro and nanowires, allows to address the challenges related to the difficulties encountered during the growth of 2D InGaN layers caused by the lattice mismatch between substrate and material to be grown, indium segregation and the lack of suitable and low cost substrates for epitaxial growth. In this context, this thesis presents for the first time a study of the growth of (In,Ga)N micro and nanowires by the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. The objective of this thesis is to control the composition, morphology and homogeneity of InGaN micro and nanowires grown by selective area growth (SAG). In order to achieve this objective, it is important to study the selective growth of the two InGaN binaries which are GaN and InN. As a first step, we then performed a vapor phase study in order to set the conditions optimized in my thesis for the selective growth of GaN and InN micro and nanowires. The selective growth of GaN nanowires is also shown for the first time by HVPE. The effect of experimental parameters on the selective growth of GaN and InN structures have been discussed. The second part of this thesis is devoted to the selective growth of InGaN micro and nanowires on GaN/sapphire substrate by HVPE. We have demonstrated that it is possible to control the indium composition in InGaN nanowires by modifying the experimental growth conditions and especially the partial pressures of the gases used. EDS analyses performed on HVPE grown nanowires under different vapor phase conditions showed compositions ranging from 0 to 100% indium. In order to study the optical properties of InGaN nanowires, PL measurements were performed
Tamiazzo, Gianluca. "Loss Mechanisms in InGaN/GaN Quantum Well Structures." Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2008. http://hdl.handle.net/11577/3425068.
Повний текст джерелаMonti, Desiree. "Study of the reliability of GaN-based optoelectronic devices: UV-LEDs and InGaN-based laser diodes." Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2018. http://hdl.handle.net/11577/3427320.
Повний текст джерелаQuesta tesi riporta i principali risultati ottenuti dal candidato durante la sua attività di ricerca. Il lavoro si è focalizzato sullo studio dei meccanismi fisici responsabili del degrado di diodi ad emissione di luce ultravioletta (UV-LED) e di diodi laser basati su InGaN (LDs), in particolare, si è cercato di capire il ruolo dei difetti nel degrado del dispositivo mediante tecniche avanzate come Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) e la spettroscopia di fotocorrente (PC). La prima parte della tesi sarà dedicata al lavoro svolto sui LED UV, in particolare su quattro gruppi di LED UV-A, ciascuno con una diversa lunghezza d'onda di emissione, e un altro gruppo di LED UV-B in (In)AlGaN. Da questo studio è stato possibile dimostrare che i LED UV sottoposti a stress a corrente costante mostrano un degrado graduale e tale degrado ha una forte dipendenza dalla lunghezza d'onda di emissione. Questo processo è dovuto alla generazione di difetti puntiformi all'interno della regione attiva del dispositivo, che causa un aumento della ricombinazione non-radiativa. Anche il livello di corrente e la temperatura di stress hanno un certo impatto sulla degradazione. Per quanto riguarda i LED UV-B, l'analisi del degrado della potenza ottica ha evidenziato che questo degrado è correlato ad un aumento della ricombinazione Shockley-Read-Hall (SRH). Le misure di analisi di DLTS e della fotocorrente hanno permesso di identificare una banda di difetti centrata intorno a 2,5 eV sotto la banda di conduzione, circa a metà band-gap, che può spiegare l'aumento della ricombinazione SRH. Inoltre, le misure di DLTS hanno permesso di identificare la presenza di trappole di tipo accettore relative al magnesio. Questi LED UV-B presentano tre bande parassite attribuite a diversi processi. Questa sezione si conclude con lo studio dei meccanismi di degrado coinvolti quando i dispositivi sono sottoposti a un livello di corrente di stress superiore al valore nominale. Si è dimostrata l'esistenza di due meccanismi di degrado, che presentano un impatto significativo sull'ampiezza relativa del picco principale, correlato all'emissione dalle buche quantiche, e del picco parassita a ~ 340 nm, correlato all’overflow di elettroni verso l'ultima barriera quantica. La seconda parte della tesi sarà incentrata sul lavoro svolto su un gruppo di diodi laser basati su InGaN con una lunghezza d'onda di emissione nominale intorno a 418 nm e un altro gruppo con lunghezza d'onda di emissione tra 422-426 nm. L'analisi effettuata sul primo gruppo di campioni ha lo scopo di studiare la relazione tra il degrado e la presenza di difetti in questi dispositivi quando sottoposti a stress a corrente costante. Si è dimostrato che lo stress induce un aumento della corrente di soglia dei dispositivi, invece, dalle misure di capacità-temperatura, è stato possibile identificare due difetti principali, la cui origine fisica, studiata per mezzo del DLTS, potrebbe essere correlata a difetti di tipo accettatore, associati a dislocazioni. Per concludere lo studio, si presenteranno i risultati ottenuti dall'analisi effettuata su tre gruppi di LED basati su InGaN con diversa densità di dislocazione, al fine di avere una migliore comprensione dell'impatto delle dislocazioni sul degrado e la generazione di difetti. L'analisi DLTS, effettuata prima e dopo lo stress, ha permesso di identificare la presenza di una trappola per lacune in ogni campione, la cui concentrazione aumenta con la densità di dislocazioni, insieme ad una trappola per elettroni generata dopo lo stress, probabilmente sempre correlata alla densità di dislocazioni. Inoltre, i dispositivi sottoposti a stress a corrente costante hanno mostrato una significativa riduzione della loro potenza ottica, non correlata esclusivamente alla densità di dislocazioni.
Watson-Parris, Duncan Thomas Stephens. "Carrier localization in InGaN/GaN quantum wells." Thesis, University of Manchester, 2011. https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/theses/carrier-localization-in-ingangan-quantum-wells(d1f06539-6fde-4ec4-beac-31689a571804).html.
Повний текст джерелаLa, Grassa Marco. "Defect-Related Processes and their Influence on the Efficiency and Degradation of InGaN-Based Leds." Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2017. http://hdl.handle.net/11577/3424678.
Повний текст джерелаLa seguente tesi riassume i risultati principali ottenuti durante lo svolgimento dell'attività di ricerca del Dottorando candidato. L'attività si è concentrata principalmente nello studio dei difetti e dei meccanismi fisici che limitano l'efficienza dei diodi emettitori di luce (LED) basati su nitruro di gallio (GaN). Nella prima parte della tesi, verranno brevemente discusse le proprietà fondamentali del nitruro di gallio, comprese le sue leghe principali, la struttura cristallina ed i campi di polarizzazione interni. Successivamente, verrà presentata una situazione aggiornata basata sulla letteratura dei difetti di punto e delle dislocazioni tipici del nitruro di gallio. Particolare attenzione verrà riservata al ruolo svolto delle dislocazioni e dalle vacanze di gallio e azoto, poiché essi sono difetti nativi del materiale che vengono comunemente introdotti durante l'accrescimento del cristallo. Tale discussione verrà supportata da risultati sia teorici sia sperimentali. La seconda parte della tesi sarà dedicata allo studio dell'efficienza quantica dei LED. Inizialmente verrà data una descrizione dei suoi parametri principali, dopodiché ci si concentrerà sui processi fisici che ne determinano eventuali limiti. In particolare, la ricombinazione non radiativa Shockley-Read-Hall (SRH) è nota per causare una riduzione dell'efficienza a basse densità di corrente. Contemporaneamente, ad alti livelli di iniezione l'efficienza dei LED basati su GaN risulta compromessa da un effetto noto come efficiency droop. Entrambi questi processi verranno analizzati, fornendo spiegazioni supportate da dati sia teorici che sperimentali. Nella terza parte del lavoro saranno introdotte alcune tecniche avanzate, utili per lo studio dei livelli profondi nei semiconduttori nonché per stimare i coefficienti di ricombinazione. Le tecniche analizzate sono capacitive deep level transient spectroscopy (DLTS), il tempo di vita differenziale dei portatori e il deep level optical spectroscopy (DLOS), e per ognuna di esse verrà fornita una descrizione teorica e verranno analizzati i principali vantaggi e svantaggi sia sotto un punto di vista teorico che sperimentale. Successivamente, nel quarto capitolo, sarà effettuata una trattazione approfondita e aggiornata allo stato dell'arte sui meccanismi di degrado della regione attiva dei LED moderni, focalizzandosi sulle cinetiche di degrado della potenza ottica e delle caratteristiche elettriche dei dispositivi. La discussione avrà come scopo l'identificazione dei meccanismi di degrado più comunemente osservati nei dispositivi reali e riportati in letteratura. Il quinto capitolo sarà dedicato alla presentazione dei risultati più rilevanti ottenuti durante lo svolgimento dell'attività di ricerca e sarà composto da tre sezioni. Nella prima sezione verrà descritta un'analisi dettagliata effettuata su dispositivi LED basati su InGaN. Lo studio aveva lo scopo di investigare la relazione tra il coefficiente di ricombinazione SRH A del modello ABC e la concentrazione dei difetti osservati tramite misure DLTS e DLOS. Infatti, sebbene la ricombinazione SRH sia ovviamente correlata con la difettosità del materiale, i vari difetti possono impattare in maniera diversa sul tasso di ricombinazione non radiativa complessivo, a seconda della loro posizione energetica nel diagramma a bande e di altri parametri. L'analisi ha rivelato la presenza di un livello profondo comune a tutti i campioni, denominato “e2” e avente energia di attivazione E_{C}-E_{T}\sim0.7 eV, la cui concentrazione risulta ben correlata con il coefficiente A stimato con misure di tempo di vita differenziale dei portatori. L'origine della ricombinazione SRH nei dispositivi analizzati è stata dunque ricondotta alla presenza di tale difetto. Successive analisi delle cinetiche di intrappolamento hanno poi rivelato che la trappola in questione si comportava come un difetto di tipo esteso. Contemporaneamente, da una approfondita ricerca in letteratura si è visto che livelli profondi simili a quello riportato erano stati già descritti in passato e associati a difetti nativi del GaN, probabilmente vacanze o complessi che esse formano con altre impurità. Per tali ragioni, l'origine del livello “e2” è stato associato a difetti nativi del GaN allineati lungo le dislocazioni del materiale. La seconda sezione del quinto capitolo presenterà due lavori svolti per studiare i meccanismi di degrado dei LED basati su InGaN. Nel primo di essi i dispositivi, appartenenti allo stesso set analizzati precedentemente, sono stati sottoposti a stress ad elevate temperature e corrente costante, che ha provocato un sensibile calo della potenza ottica emessa. Dall'analisi delle variazioni dell'efficienza quantica esterna, della fotoluminescenza e della fotocorrente, è stato dimostrato che in questi dispositivi il degrado è stato causato dall'incremento della ricombinazione SRH e non da un calo dell'efficienza di iniezione. Misure DLTS hanno poi dimostrato che lo stress ha indotto un aumento notevole della concentrazione dello stesso livello profondo “e2” individuato precedentemente, confermando il ruolo chiave di tale trappola nel determinare il tasso di ricombinazione non radiativa in questi LED. Il secondo lavoro si è più focalizzato nello studio delle cinetiche di degrado osservate durante lo stress di un altro set di campioni. In particolare, si è visto che lo stress ha provocato l'accumulo di carica in prossimità della regione attiva dei dispositivi e che l'ammontare di tale carica è risultato correlato linearmente con il coefficiente SRH A . Sia l'accumulazione della carica che l'incremento del coefficiente SRH hanno mostrato una dipendenza dalla radice quadrata del tempo di stress. Tale risultato ha suggerito che il degrado fosse causato da processi di tipo diffusivo, probabilmente diffusione di impurità verso la regione attiva. Inoltre, lo stress ha anche indotto la riduzione della concentrazione di un livello superficiale ( E_{C}-E_{T}\sim0.37 eV) e l'aumento della concentrazione di un livello più profondo ( E_{C}-E_{T}\sim0.9 eV). Queste variazioni nella difettosità del materiale si sono rivelate compatibili con le variazioni osservate nella capacità e nel coefficiente di ricombinazione SRH. In particolare, la maggiore concentrazione del difetto più profondo, che è più efficiente in termini di ricombinazione non radiativa, ha probabilmente causato l'aumento del coefficiente A , mentre la riduzione della concentrazione del livello più superficiale può aver portato all'aumento di capacità osservato. Sulla base di questi risultati sperimentali nonché su altri lavori pubblicati in letteratura, il degrado è stato imputato alla graduale diffusione di impurità, probabilmente magnesio e idrogeno, verso la regione attiva dei dispositivi. La terza ed ultima sezione del quinto capitolo verrà dedicata ad un'analisi dettagliata effettuata sul fenomeno noto come thermal droop. In particolare, è stata osservata una correlazione tra il calo di potenza ottica a seguito dell'aumento di temperatura e la concentrazione dei difetti. Per giustificare queste osservazioni, sono stati analizzati diversi meccanismi che generalmente vengono collegati all'efficienza dei dispositivi: la ricombinazione SRH, l'emissione termoionica dalla buca quantica, il tunneling assistito da fononi e l'emissione termoionica combinata al tunneling attraverso uno stato trappola. Nessuno di questi meccanismi si è rivelato in grado di riprodurre accuratamente i dati sperimentali, nel caso dei dispositivi in esame. Di conseguenza, è stato sviluppato un nuovo modello basato su una estensione del tunneling assistito da fononi a doppio step, dalla buca quantica allo stato trappola, che funge da riserva di elettroni, e da quest'ultimo al bordo della banda di conduzione. Tale modello verrà discusso e verrà in particolar modo mostrato come usando parametri estratti dalle simulazioni e dalle misure DLTS effettuate, sia stato possibile ottenere un'equazione in grado di riprodurre accuratamente i dati sperimentali su tutti i campioni analizzati. Utili informazioni sull’attività di ricerca possono essere trovate negli articoli in cui ha collaborato il candidato ed elencati nella successiva sezione.
Hatami, Fariba. "Indium phosphide quantum dots in GaP and in In 0.48 Ga 0.52 P." Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I, 2002. http://dx.doi.org/10.18452/14873.
Повний текст джерелаThe growth and structural properties of self-assembled InP quantum dots are presented and discussed, together with their optical properties and associated carrier dynamics. The QDs are grown using gas-source molecular-beam epitaxy in and on the two materials InGaP (lattice matched to GaAs) and GaP. Under the proper growth conditions, formation of InP dots via the Stranski-Krastanow mechanism is observed. The critical InP coverage for 2D-3D transition is found to be 3ML for the InP/ InGaP system and 1.8ML for the InP/GaP system. The structural characterization indicates that the InP/GaP QDs are larger and, consequently, less dense compared to the InP/ InGaP QDs; hence, InP dots on GaP tend to be strain-relaxed. The InP/ InGaP QDs tend to form ordered arrays when InP coverage is increased. Intense photoluminescence from InP quantum dots in both material systems is observed. The PL from InP/GaP QDs peaks between 1.9 and 2 eV and is by about 200 meV higher in energy than the PL line from InP/ InGaP QDs. The optical emission from dots is attributed to direct transitions between the electrons and heavy-holes confined in the InP dots, whereas the photoluminescence from a two-dimensional InP layer embedded in GaP is explained as resulting from the spatially indirect recombination of electrons from the GaP X valleys with holes in InP and their phonon replicas. The type-II band alignment of InP/GaP two-dimensional structures is further confirmed by the carrier lifetime above 19 ns, which is much higher than in type-I systems. The observed carrier lifetimes of 100-500 ps for InP/ InGaPQDs and 2 ns for InP/GaP QDs support our band alignment modeling. Pressure-dependent photoluminescence measurements provide further evidence for a type-I band alignment for InP/GaP QDs at normal pressure, but indicate that they become type-II under hydrostatic pressures of about 1.2 GPa and are consistent with an energy difference between the lowest InP and GaP states of about 31 meV. Exploiting the visible direct-bandgap transition in the GaP system could lead to an increased efficiency of light emission in GaP-based light emitters.
Chen, Chun-Jung, and 陳俊榮. "The study of simulation and kinetic analysis for GaN/InN/InGaN by metal organic chemical vapor deposition." Thesis, 2015. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/4h863v.
Повний текст джерела中原大學
化學工程研究所
103
A zero-dimension reactor model and the chemical mechanisms of GaN / InN / InGaN metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) have been investigated in this research. The influence of the process parameters is discussed by Rate-Of-Production analysis. It is found that GaN reaction mechanism from literature can be successfully reduced and the model predictions agree with the experimental data. The model shows that the optimal temperature range for GaN MOCVD is from 900K to 1300K at diffusion-limit regime. The results of InN model show that the growth rate increases as temperature increases at kinetic-limit regime. However, the profile of growth rate at diffusion-limit regime is different from GaN model because the decomposition of InN occurs. The results indicate that the resident time is responsible for the effect of pressure on the growth rate in addition to the change of the surface species coverage. Lastly, we combine both GaN and InN models to establish the InGaN model and investigate the effects of the inlet gas ratio, temperature and pressure to the InGaN growth rate and indium composition of the film. This research has successfully established the model to deal with the complex chemical mechanism in InGaN MOCVD. All models agree with the experimental data. Thus, it enables to reduce the complexity of 2-D and 3-D modeling calculation.
Chandan, Greeshma K. "InGaN Based 2D, 1D and 0D Heterostructures on Si(111) by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy." Thesis, 2017. http://etd.iisc.ac.in/handle/2005/4237.
Повний текст джерелаЧастини книг з теми "GaN. InN. InGaN"
Ghosh, Partha, Dominik Zietlow, Michael J. Black, Larry S. Davis, and Xiaochen Hu. "InvGAN: Invertible GANs." In Lecture Notes in Computer Science, 3–19. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-16788-1_1.
Повний текст джерелаvan der Laak, N. K., R. A. Oliver, M. J. Kappers, C. McAleese, and C. J. Humphreys. "Stranski-Krastanov growth for InGaN/GaN: wetting layer thickness changes." In Springer Proceedings in Physics, 13–16. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2005. http://dx.doi.org/10.1007/3-540-31915-8_2.
Повний текст джерелаOliver, Rachel A., Nicole K. van der Laak, Menno J. Kappers, and Colin J. Humphreys. "Evolution of InGaN/GaN nanostructures and wetting layers during annealing." In Springer Proceedings in Physics, 29–32. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2005. http://dx.doi.org/10.1007/3-540-31915-8_6.
Повний текст джерелаHarchouch, N., Abdelkader Aissat, A. Laidouci, and J. P. Vilcot. "Temperature Effect on InGaN/GaN Multiwell Quantum Solar Cells Performances." In Artificial Intelligence in Renewable Energetic Systems, 492–98. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-73192-6_52.
Повний текст джерелаChouchen, Bilel, Mohamed Hichem Gazzah, and Hafedh Belmbrouk. "Enhanced Efficiency of InGaN/GaN MQW Solar Cell by Applying Stress." In Lecture Notes in Mechanical Engineering, 795–803. Cham: Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-27146-6_87.
Повний текст джерелаGiannoccaro, Giovanni, and Vittorio M. N. Passaro. "Analysis and Simulation of Superlattice GaN/InGaN p-i-n Solar Cells." In Springer Proceedings in Physics, 99–105. Cham: Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-05521-3_13.
Повний текст джерелаSharma, Abhishek, Kamal Lohani, Pramod Kumar, and Alok Jain. "Optimization of Al Composition in EBL of InGaN/GaN Based Laser Diodes." In Springer Proceedings in Physics, 1089–93. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-97604-4_167.
Повний текст джерелаOkamoto, Koichi. "Highly Enhanced Light Emissions from InGaN/GaN Based on Nanophotonics and Plasmonics." In Progress in Nanophotonics 6, 1–35. Cham: Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-71516-8_1.
Повний текст джерелаLi, Jinmin, Junxi Wang, Xiaoyan Yi, Zhiqiang Liu, Tongbo Wei, Jianchang Yan, and Bin Xue. "InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Materials as Well as Blue and Green LEDs." In Springer Series in Materials Science, 75–92. Singapore: Springer Singapore, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-15-7949-3_5.
Повний текст джерелаShulika, Oleksiy V., Mykhailo V. Klymenko, and Igor A. Sukhoivanov. "Optical Properties of Ultrathin InGaN/GaN Quantum Wells Subject to Indium Surface Segregation." In Springer Series in Optical Sciences, 51–62. Dordrecht: Springer Netherlands, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-017-7315-7_3.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "GaN. InN. InGaN"
Lee, Sang-Tae, Hyo-Seok Choi, Byung-Guon Park, Kyung-Jin Kim, Moon-Deock Kim, Song-Gang Kim, and Woo-chul Yang. "Near Infrared light emitting from InN/InGaN/GaN Dot-in-a-Nanorod Heterostructure." In CLEO: QELS_Fundamental Science. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_qels.2013.jth2a.102.
Повний текст джерелаPolash, Md Mobarak Hossain, and M. Shah Alam. "Design analysis of InN/InGaN quantum well laser with GaN layers at 1320-1350 nm wavelength." In 2014 International Conference on Electrical Engineering and Information & Communication Technology (ICEEICT). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/iceeict.2014.6919093.
Повний текст джерелаWood, Michael G., Anthony Rice, Stephen R. Lee, Brendan P. Gunning, Mary H. Crawford, Ping Lu, Courtney L. H. Sovinec, et al. "Non-Planar Nano-Epitaxy of InGaN Quantum-Well Emitters for Green-Yellow Semiconductor Lasers." In Frontiers in Optics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 2023. http://dx.doi.org/10.1364/fio.2023.jtu5a.14.
Повний текст джерелаAbdullah, Rafid A., Kamarulazizi Ibrahim, A. K. Yahya, and Shah Alam. "Reducing Threshold of Multi Quantum Wells InGaN Laser Diode by Using InGaN∕GaN Waveguide." In PROGRESS OF PHYSICS RESEARCH IN MALAYSIA: PERFIK2009. AIP, 2010. http://dx.doi.org/10.1063/1.3469616.
Повний текст джерелаOkamoto, Koichi, Yoichi Kawakami, Masahide Terazima, and Axel Scherer. "Temporal and spatial-resolved nonlinear spectroscopy of InGaN/GaN." In Frontiers in Optics. Washington, D.C.: OSA, 2004. http://dx.doi.org/10.1364/fio.2004.fmn4.
Повний текст джерелаWatson, Scott, Amit Yadav, Szymon Stanczyk, Szymon Grzanka, Edik U. Rafailov, Piotr Perlin, Stephen P. Najda, et al. "Recent progress in distributed feedback InGaN/GaN laser diodes." In Novel In-Plane Semiconductor Lasers XVIII, edited by Alexey A. Belyanin and Peter M. Smowton. SPIE, 2019. http://dx.doi.org/10.1117/12.2507630.
Повний текст джерелаKhan, Asif Abdullah, Shimanto Mohammad, Md Fahim-Al-Fattah, Md Ashiqul Amin, and Chowdhury Zia-Ul Hasan. "Analytical demonstration of gate leakage current in AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMT." In 2017 2nd IEEE International Conference on Recent Trends in Electronics, Information & Communication Technology (RTEICT). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/rteict.2017.8256624.
Повний текст джерелаWu, G. M., and C. F. Hung. "Photo-luminescence in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on Silicon." In Frontiers in Optics. Washington, D.C.: OSA, 2005. http://dx.doi.org/10.1364/fio.2005.jwa67.
Повний текст джерелаYim, Sang-Youp, Joon Heon Kim, Mun Seok Jeong, and Seung-Han Park. "Spectral Imaging of Localized Luminescent Centers in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells." In Frontiers in Optics. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/fio.2013.jw3a.20.
Повний текст джерелаSahoo, Bijay Kumar. "Built in polarization effect on thermoelectric efficiency of InGaN/GaN heterostructure." In 2017 International Conference on Technological Advancements in Power and Energy (TAP Energy). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/tapenergy.2017.8397281.
Повний текст джерелаЗвіти організацій з теми "GaN. InN. InGaN"
Choquette, Gary. PR-000-18COMP-R01 Gas Engine Emissions Compendium. Chantilly, Virginia: Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), January 2019. http://dx.doi.org/10.55274/r0011546.
Повний текст джерелаRana, Arnav, Sanjay Tiku, and Aaron Dinovitzer. PR-214-203806-R01 Improve Dent-Cracking Assessment Methods. Chantilly, Virginia: Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), June 2022. http://dx.doi.org/10.55274/r0012227.
Повний текст джерелаMittelstadt. PR-430-153706-R01 Hydrostatic Test Guidelines for Integrity Management. Chantilly, Virginia: Pipeline Research Council International, Inc. (PRCI), July 2016. http://dx.doi.org/10.55274/r0010694.
Повний текст джерелаThor, Peter, Karin Olsson, Håkan Wennhage, Karl Lundström, Mattias Sköld, Andrea Belgrano, Matti Åhlund, et al. Marina miljön i 8+fjordar – nuvarande kunskap om ekosystemet och de mänskliga belastningarna. Department of Aquatic Resources, Swedish University of Agricultural Sciences, 2023. http://dx.doi.org/10.54612/a.utn1p1g09m.
Повний текст джерела