Увійти

Готові списки джерел за темами / 5108 Quantum physics / Статті в журналах

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: 5108 Quantum physics.

Статті в журналах з теми "5108 Quantum physics"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 10 січня 2023

Оновлено: 28 січня 2023

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-50 статей у журналах для дослідження на тему "5108 Quantum physics".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте статті в журналах для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Fujita, Kazuue, Shinichi Furuta, Tatsuo Dougakiuchi, Atsushi Sugiyama, Tadataka Edamura та Masamichi Yamanishi. "Broad-gain (Δλ/λ_0~04), temperature-insensitive (T_0~510K) quantum cascade lasers". Optics Express 19, № 3 (27 січня 2011): 2694. http://dx.doi.org/10.1364/oe.19.002694.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Rullière, Claude, Alain Declemy, and Alexandru T. Balaban. "Corrélation entre possibilité d'effet laser et force oscillatrice de la transition fluorescente : cas des sels de pyrylium." Canadian Journal of Physics 63, no. 2 (February 1, 1985): 191–94. http://dx.doi.org/10.1139/p85-029.

Повний текст джерела

Анотація:

Laser action is demonstrated to occur in seven pyrylium salts between 4100 and 5100 Å with quantum yields extending from 4% to 12%. Theoretical calculations of the energy and oscillator strength of S0 → Sn transitions confirm band assignments deduced from experimental results. These results allow detection of a weak hidden transition in the 2,6-dimethyl-4-phenyl-pyrylium cation where laser action is not observed. This shows how important the magnitude of the oscillator strength of the first transition S0 → S1 is in selecting candidates to laser action. [Traduit par le journal]

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Tegafaw, Tirusew, Wenlong Xu, Sang Hyup Lee, Kwon Seok Chae, Yongmin Chang, and Gang Ho Lee. "Production of nearly monodisperse Fe3O4 and Fe@Fe3O4 nanoparticles in aqueous medium and their surface modification for biomedical applications." International Journal of Modern Physics B 31, no. 04 (February 6, 2017): 1750014. http://dx.doi.org/10.1142/s021797921750014x.

Повний текст джерела

Анотація:

Iron (Fe)-based nanoparticles are extremely valuable in biomedical applications owing to their low toxicity and high magnetization values at room temperature. In this study, we synthesized nearly monodisperse iron oxide (Fe3O4) and Fe@Fe3O4 (core: Fe, shell: Fe3O[Formula: see text] nanoparticles in aqueous medium under argon flow and then, coated them with various biocompatible ligands and silica. In this study, eight types of surface-modified nanoparticles were investigated, namely, Fe3O4@PAA (PAA = polyacrylic acid; [Formula: see text] of PAA = 5100 amu and 15,000 amu), Fe3O4@PAA–FA (FA = folic acid; [Formula: see text] of PAA = 5100 amu and 15,000 amu), Fe3O4@PEI–fluorescein (PEI = polyethylenimine; [Formula: see text] of PEI = 1300 amu), Fe@Fe3O4@PEI ([Formula: see text] of PEI = 10,000 amu), Fe3O4@SiO2 and Fe@Fe3O4@SiO2 nanoparticles. We characterized the prepared surface-modified nanoparticles using high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FT-IR) absorption spectroscopy, a superconducting quantum interference device (SQUID), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), photoluminescence (PL) spectroscopy and confocal microscopy. Finally, we measured the cytotoxicity of the samples. The results indicate that the surface-modified nanoparticles are biocompatible and are potential candidates for various biomedical applications.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Tidrow, Meimei Z. "Device physics and state-of-the-art of quantum well infrared photodetectors and arrays." Materials Science and Engineering: B 74, no. 1-3 (May 2000): 45–51. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00532-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Dargys, Adolfas. "Control of two-dimensional electron spin by an abrupt change of physical parameters of a quantum well." Lithuanian Journal of Physics 51, no. 1 (2011): 53–63. http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.51108.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Motta, Nunzio, Anna Sgarlata, Federico Rosei, P. D. Szkutnik, S. Nufris, M. Scarselli, and A. Balzarotti. "Controlling the quantum dot nucleation site." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 77–88. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00657-8.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Chichibu, S. F., A. C. Abare, M. P. Mack, M. S. Minsky, T. Deguchi, D. Cohen, P. Kozodoy, et al. "Optical properties of InGaN quantum wells." Materials Science and Engineering: B 59, no. 1-3 (May 1999): 298–306. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00359-6.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Renevier, H., M. G. Proietti, S. Grenier, G. Ciatto, L. González, J. M. Garcı́a, J. M. Gérard, and J. Garcı́a. "Glancing angle EXAFS of encapsulated self-assembled InAs/InP quantum wires and InAs/GaAs quantum dots." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 174–80. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00708-0.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Viale, Y., P. Gilliot, O. Crégut, J. P. Likforman, B. Hönerlage, R. Levy, L. Besombes, L. Marshal, K. Kheng, and H. Mariette. "Excitonic dynamics in CdTe/ZnTe quantum dots." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 55–59. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00649-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Hull, R., J. L. Gray, M. Kammler, T. Vandervelde, T. Kobayashi, P. Kumar, T. Pernell, J. C. Bean, J. A. Floro, and F. M. Ross. "Precision placement of heteroepitaxial semiconductor quantum dots." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 1–8. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00680-3.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Simon, A., J. Scriba, C. Gauer, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, C. R. Bolognesi, C. Nguyen, G. Tuttle, and H. Kroemer. "Intersubband transitions in InAs/AlSb quantum wells." Materials Science and Engineering: B 21, no. 2-3 (November 1993): 201–4. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90349-r.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Boucaud, P., V. Le Thanh, V. Yam, S. Sauvage, N. Meneceur, M. Elkurdi, D. Débarre, and D. Bouchier. "Aspects of Ge/Si self-assembled quantum dots." Materials Science and Engineering: B 89, no. 1-3 (February 2002): 36–44. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(01)00787-5.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Volpi, F., A. R. Peaker, I. D. Hawkins, M. P. Halsall, P. B. Kenway, A. Portavoce, A. Ronda, and I. Berbezier. "Hole trapping in self-assembled SiGe quantum nanostructures." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 338–44. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00755-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

Wüllner, D., A. Schlachetzki, P. Bönsch, H. H. Wehmann, T. Schrimpf, R. Lacmann, and S. Kipp. "Characterization of quantum structures by atomic-force microscopy." Materials Science and Engineering: B 51, no. 1-3 (February 1998): 178–87. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(97)00256-0.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Merz, J. L., and P. M. Petroff. "Making quantum wires and boxes for optoelectronic devices." Materials Science and Engineering: B 9, no. 1-3 (July 1991): 275–84. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(91)90186-y.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

16

Hamoudi, A., E. Ligeon, J. Cibert, Le Si Dang, and J. L. Pautrat. "Implantation-enhanced interdiffusion in CdTe/ZnTe quantum wells." Materials Science and Engineering: B 16, no. 1-3 (January 1993): 211–14. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90046-p.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

17

Kudrawiec, R., G. Sek, K. Ryczko, J. Misiewicz, and A. Forchel. "Infrared photoreflectance spectroscopy of AlGaAsSb-, InGaSb-based quantum wells." Materials Science and Engineering: B 102, no. 1-3 (September 2003): 331–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00648-7.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

18

Hipp, W., H. Karl, I. Großhans, and B. Stritzker. "Quantum confinement in CdSe-nanocrystallites synthesized by ion implantation." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 318–23. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00732-8.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

19

Lee, Jia-Ren, Yo-Yu Chen, Chien-Rong Lu, Wei-I. Lee, and Shih-Chang Lee. "Electrooptical properties of GaNAs/GaAs multiple quantum well structures." Materials Science and Engineering: B 100, no. 3 (July 2003): 248–51. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(03)00112-0.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

20

Zaanen, Jan, Louis Felix Feiner, and Andrzej M. Oleś. "Classical frustration and quantum disorder in spin-orbital models." Materials Science and Engineering: B 63, no. 1-2 (August 1999): 140–46. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00064-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

21

Ioannou-Sougleridis, V., V. Tsakiri, A. G. Nassiopoulou, F. Bassani, S. Menard, and F. Arnaud d’Avitaya. "Dielectric properties of nc-Si/CaF2 multi quantum wells." Materials Science and Engineering: B 69-70 (January 2000): 309–13. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(99)00293-7.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

22

Tönnies, D., G. Bacher, A. Forchel, A. Waag, and G. Landwehr. "Optical investigation of interdiffusion in CdTe/CdMnTe quantum wells." Materials Science and Engineering: B 21, no. 2-3 (November 1993): 274–76. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90365-t.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

23

Marsh, J. H., and A. C. Bryce. "Fabrication of photonic integrated circuits using quantum well intermixing." Materials Science and Engineering: B 28, no. 1-3 (December 1994): 272–78. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90063-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

24

Daudin, B., F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, J. L. Rouvière, and N. Pelekanos. "Self organization of nitride quantum dots by molecular beam epitaxy." Materials Science and Engineering: B 59, no. 1-3 (May 1999): 330–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00377-8.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

25

Evans, J. H., S. McQuaid, K. E. Singer, and B. Hamilton. "A study of strained InGaAs single quantum wells using photoreflectance." Materials Science and Engineering: B 5, no. 2 (January 1990): 211–15. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(90)90056-h.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

26

Amiotti, M., G. Guizzetti, M. Patrini, and G. Landgren. "Far-IR characterization of GaInAs/InP quantum wells and superlattices." Materials Science and Engineering: B 28, no. 1-3 (December 1994): 337–40. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90078-7.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

27

Yang, H. W., J. T. Hsieh, S. F. Hong, and H. L. Hwang. "Reduction of etching damage in the fabrication of quantum wires." Materials Science and Engineering: B 28, no. 1-3 (December 1994): 379–82. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90087-6.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

28

Faradjev, F. E. "Extremely narrow photoluminescence from the ensemble of InAsP/InP quantum dots." Materials Science and Engineering: B 95, no. 3 (September 2002): 279–82. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00267-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

29

Lim, Y. S., F. Bassani, A. Portavoce, A. Ronda, S. Nozaki, and I. Berbezier. "The effect of Sb on the oxidation of Ge quantum dots." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 190–93. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00716-x.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

30

Karavolas, V. C., and G. P. Triberis. "Thermopower of composite fermions in the fractional quantum Hall effect regime." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 329–33. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00734-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

31

Nomura, S., T. Iitaka, X. Zhao, T. Sugano, and Y. Aoyagi. "Electronic structure of nanocrystalline/amorphous silicon: a novel quantum size effect." Materials Science and Engineering: B 51, no. 1-3 (February 1998): 146–49. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(97)00248-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

32

Lefebvre, P., J. Allègre, and H. Mathieu. "Recombination dynamics of excitons in III-nitride layers and quantum wells." Materials Science and Engineering: B 59, no. 1-3 (May 1999): 307–14. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00360-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

33

Ghezzi, C., A. Parisini, L. Tarricone, J. Filipowicz, and F. Genova. "Exciton transitions and photovoltaic spectra in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells." Materials Science and Engineering: B 9, no. 1-3 (July 1991): 301–5. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(91)90191-w.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

34

Arena, C., A. Satka, and L. Tarricone. "Exciton transitions in InGaAs/InP quantum wells investigated by photocurrent spectroscopy." Materials Science and Engineering: B 28, no. 1-3 (December 1994): 327–31. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90076-0.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

35

Peyre, H., J. Camassel, W. P. Gillin, K. P. Homewood, and R. Grey. "Thermally induced change in the profile of GaAs/AlGaAs quantum wells." Materials Science and Engineering: B 28, no. 1-3 (December 1994): 332–36. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90077-9.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

36

Yu, Yongqin, Xiaoyang Zhang, Baibiao Huang, Duxiang Wang, Jiyong Wei, Hailong Zhou, Jiaoqing Pan, et al. "Strain effect and characteristics of GaInP/AlGaInP strain-compensated multiple quantum wells." Materials Science and Engineering: B 97, no. 3 (February 2003): 211–16. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00590-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

37

Vaya, P. R., and R. Srinivasan. "Simulation study of strained layer CdxZn1−xTe–ZnTe quantum well laser structures." Materials Science and Engineering: B 57, no. 1 (December 1998): 71–75. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(98)00262-1.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

38

Arena, C., L. Tarricone, F. Genova, and C. Rigo. "Absorption coefficient and exciton oscillator strengths in InGaAs/InP multi-quantum wells." Materials Science and Engineering: B 21, no. 2-3 (November 1993): 189–93. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90346-o.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

39

Moloney, M. H., J. Hegarty, L. Buydens, P. Demeester, R. Grey, and J. Woodhead. "Strain effects on carrier lifetimes in InGaAs/(Al)GaAs multiple quantum wells." Materials Science and Engineering: B 21, no. 2-3 (November 1993): 253–56. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90360-y.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

40

Camassel, J., K. Wolter, S. Juillaguet, R. Schwedler, E. Massone, B. Gallmann, and J. P. Laurenti. "Evidence for non-uniform interface thickness in strained InGaAs/InP quantum wells." Materials Science and Engineering: B 20, no. 1-2 (June 1993): 62–65. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90397-6.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

41

Nguyen, Lam H., V. Le Thanh, D. Débarre, V. Yam, and D. Bouchier. "Selective growth of Ge quantum dots on chemically prepared SiO2/Si(001) surfaces." Materials Science and Engineering: B 101, no. 1-3 (August 2003): 199–203. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00722-5.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

42

Shen, Mingrong, and Wenwu Cao. "Electronic band-structure engineering of GaAs/AlxGa1−xAs quantum well superlattices with substructures." Materials Science and Engineering: B 103, no. 2 (October 2003): 122–27. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(03)00159-4.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

43

Lawrence, I., G. Feuillet, H. Tuffigo, C. Bodin, J. Cibert, P. Peyla, and A. Wasiela. "Comparative reflectivity study of coupled and uncoupled CdTe/CdMnTe asymmetric double quantum wells." Materials Science and Engineering: B 16, no. 1-3 (January 1993): 235–38. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90051-n.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

44

Wang, Y., N. Herron, and J. Caspar. "Bucky ball and quantum dot doped polymers: A new class of optoelectronic materials." Materials Science and Engineering: B 19, no. 1-2 (April 1993): 61–66. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90166-k.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

45

Toivonen, Mika, Marko Jalonen, Markus Pessa, Kevin R. Lefebvre, and Neal G. Anderson. "Experimental and theoretical studies of multi-quantum well structures for unipolar avalanche multiplication." Materials Science and Engineering: B 21, no. 2-3 (November 1993): 237–40. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90356-r.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

46

Dunstan, David J., and Bernard Gil. "Electronic structure of (In,Ga) As(Ga, Al) As strained-layer quantum wells." Materials Science and Engineering: B 20, no. 1-2 (June 1993): 58–61. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(93)90396-5.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

47

Ghisoni, M., G. Parry, S. Lycett, A. Dewdney, L. Hart, R. Murray, C. Button, and J. S. Roberts. "Observation of blue shift in GaAs/InGaP quantum well p-i-n diodes." Materials Science and Engineering: B 28, no. 1-3 (December 1994): 323–26. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90075-2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

48

Dickey, S. A., Z. H. Lu, E. Mao, E. G. Oh, and A. Majerfeld. "Determination of carrier and impurity profiles in doped n-type quantum well structures." Materials Science and Engineering: B 28, no. 1-3 (December 1994): 341–45. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90079-5.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

49

Keller, O. "Quantum interference effects in the optical second-harmonic response tensor of a metal surface." Materials Science and Engineering: B 5, no. 2 (January 1990): 183–89. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(90)90052-d.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

50

Holt, D. B., C. E. Norman, G. Salviati, S. Franchi, and A. Bosacchi. "Type II indirect and type I direct recombinations in GaAs/A1As single quantum wells." Materials Science and Engineering: B 9, no. 1-3 (July 1991): 285–88. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(91)90187-z.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!