Готові списки джерел за темами / Carbure de silcium - SiC

Зміст

  1. Статті в журналах
  2. Дисертації
  3. Частини книг

Добірка наукової літератури з теми "Carbure de silcium - SiC"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 19 травня 2022

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Статті в журналах з теми "Carbure de silcium - SiC"

1

Nguyen, Denis, Hossein Davarzani, and Frederik Maldan. "Conductivité thermique du carbure de silicium (SiC) et de l’alumine (Al2O3) sous forme granulaire sèche." Matériaux & Techniques 104, no. 3 (2016): 301. http://dx.doi.org/10.1051/mattech/2016016.

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2

Mengeot, C., B. Guizard, S. Poissonnet, et al. "Frittage par compression isostatique à chaud (CIC) et spark plasma sintering (SPS) de nanoparticules en carbure de silicium (SiC) synthétisées à échelle pilote par pyrolyse laser." Matériaux & Techniques 95, no. 4-5 (2007): 289–96. http://dx.doi.org/10.1051/mattech:2008013.

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3

RAYNAUD, Christophe. "Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)." Conversion de l'énergie électrique, May 2007. http://dx.doi.org/10.51257/a-v1-d3119.

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4

Camassel, Jean, and Sylvie Contreras. "Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)." Électronique, August 2012. http://dx.doi.org/10.51257/a-v2-e1990.

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Дисертації з теми "Carbure de silcium - SiC"

1

Abou, Hamad Valdemar. "Elaboration et caractérisation de contacts électriques à base de phases MAX sur SiC pour l'électronique haute température." Thesis, Lyon, 2020. http://www.theses.fr/2020LYSEI079.

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Анотація:
Les applications de puissance dans lesquelles la température ambiante est élevée, provoquent l’augmentation de la température dans les dispositifs électroniques. De ce fait, il est important de développer les dispositifs électroniques pour pouvoir supporter des densités de courant et de puissance plus élevées. Dans cette thèse, nous avons pour objectif de jeter les bases d’une technologie en totale rupture avec celles existantes pour la fabrication d’une nouvelle génération de contacts électriques à base de Ti3SiC2, stables, fiables et reproductibles sur le Carbure de Silicium pour les applica
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2

Boutry, Arthur. "Theoretical and experimental evaluation of the Integrated gate-commutated thyristor (IGCT) as a switch for Modular Multi Level Converters (MMC)." Thesis, Lyon, 2021. http://www.theses.fr/2021LYSEI095.

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Анотація:
Une étude sur la réduction/suppression de l'inductance de limitation di/dt pour IGCTs et du clamp RCD en utilisant des diodes rapides en silicium (Si) et des diodes en carbure de silicium (SiC) dans les convertisseurs multiniveaux modulaires (MMC). Cette thèse contient :- Analyse des sous-modules de MMC HVDC existants.- Évaluation de l'intérêt des IGCTs dans les sous-modules MMC HVDC et comparaison des pertes avec les IGBT, en utilisant des facteurs de mérite spécifiques aux MMC créés dans cette thèse.- Test de double pulse avec diode à récupération rapide dans un module plastique pour tenter
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3

Song, Xi. "Activation des dopants implantés dans le carbure de silicium (3C-SiC et 4H-SiC)." Thesis, Tours, 2012. http://www.theses.fr/2012TOUR4019/document.

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Анотація:
Ces travaux de thèse sont consacrés à l’étude de l’activation des dopants implantés dans le carbure de silicium. L’objectif est de proposer des conditions d’implantation optimisées pour réaliser le dopage de type n dans le 3C-SiC et de type p dans le 4H-SiC.Nous avons tout d’abord étudié les implantations de type n dans le 3C-SiC. Pour cela, des implantations de N, de P et une co-implantation N&P avec les recuits d’activation associés ont été étudiés. L’implantation d’azote suivie d’un recuit à 1400°C-30min a permis une activation proche de 100% tout en conservant une bonne qualité cristal
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4

Balloud, Carole. "Méthodes de caractérisation optique de SiC." Montpellier 2, 2005. http://www.theses.fr/2005MON20193.

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5

Berdoyes, Inès. "Interactions entre le silicium liquide et le carbure de silicium, application au composite SiC/SiC." Thesis, Bordeaux, 2018. http://www.theses.fr/2018BORD0113/document.

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Анотація:
Dans un contexte de développement du trafic aérien, et en vue de répondre aux nouvelles normes environnementales, il est désormais impératif de diminuer la consommation de carburant et les émissions de gaz des moteurs, ainsi que d’en améliorer le rendement. Pour ce faire, la conception des dispositifs, mais aussi leur fabrication et les matériaux employés sont repensés.Plus légers, inertes chimiquement et capables de conserver leurs propriétés mécaniques même à haute température, les matériaux composites à matrice céramique SiC/SiC sont des matériaux prometteurs pour remplacer certaines pièces
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Ferro, Gabriel. "CROISSANCE EPITAXIALE DU CARBURE DESILICIUM A BASSE TEMPERATURE." Habilitation à diriger des recherches, Université Claude Bernard - Lyon I, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00136241.

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Анотація:
Le carbure de silicium est en théorie un des meilleurs candidats pour les applications aussi stratégiques que sont l'électronique forte puissance, haute température, haute fréquence ou encore fonctionnant en environnement hostile. Cependant, les difficultés de cristallogenèse de ce matériau ralentissent le développement de cette filière. Par exemple, l'épitaxie en phase vapeur (EPV) de couches minces de SiC nécessite des températures élevées, supérieures à 1400°C, ce qui compliquent la mise en oeuvre et le contrôle du procédé de croissance. Faire<br />croître SiC en dessous de cette températur
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7

Soueidan, Maher. "Croissance hétéroépitaxiale du SiC-3C sur substats SiC hexagonaux : analyses par faisceaux d'ions accélérés des impuretés incorporées." Lyon 1, 2006. http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/13/62/31/PDF/these_soueidan.pdf.

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Анотація:
L’utilisation de germes Si pour l’épitaxie du SiC-3C génère de nombreux défauts dans les couches en raison du désaccord de maille et de la dilatation thermique. Le SiC-3C peut aussi être déposé sur substrats SiC-α(0001) en s’affranchissant des problèmes rencontré sur substrat Si. La difficulté de contrôler la germination initiale génère cependant des macles qui sont difficiles à éviter ou éliminer ensuite. L'utilisation de l'épitaxie en phase vapeur comme technique de croissance n'a pas permis de s'affranchir de ces macles malgré l'optimisation de la préparation de surface des germes SiC- α. E
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Nguyen, Le Minh. "Caractérisation mécanique de jonctions brasées SiC / BraSiC® / SiC et critère de dimensionnement à la rupture." Paris 6, 2011. http://www.theses.fr/2011PA066169.

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Анотація:
Les structures à base de Carbure de Silicium sont très employées dans l’industrie spatiale, la conversion d’énergie et les réacteurs chimiques grâce aux propriétés mécaniques et thermiques de ce matériau et à sa stabilité chimique. L’assemblage par brasage semble le plus approprié pour réaliser de très grandes pièces. La technique appelée BraSiC®, réalisée à chaud, fait appel à du Silicium allié à un composant métallique, l’imprégnation est obtenue par capillarité. Dans le présent travail, les propriétés élastiques et la ténacité des différents constituants (substrats et brasure) ont été carac
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9

Conchin, Frédéric. "Etude du comportement thermomécanique en relation avec la microstructure de matériaux à renfort fibreux SiC/C/SiC 2D." Lyon, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAL0006.

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Анотація:
L'étude des mécanismes d'endommagement et du comportement à la rupture de deux nuances, d'un composite céramique-céramique (SiC/C/SiC 2D), est faite au moyen d'essais mécaniques. Ces derniers sont réalisés à température ambiante (T. A. ) ainsi qu'à chaud, et à T. A. Après vieillissement sous différents types d'environnements (vide, argon et air). Dans l'hypothèse d'un comportement linéaire élastique, les courbes R montrent une différence de comportement à la rupture entre les deux nuances à T. A. : propagation quasi statique de la zone endommagée (de grande taille) avec la fissure principale p
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10

Georges, Annick. "Oxydation sèche des réfractaires : Alumine, graphite, SiC." Nancy 1, 1986. http://www.theses.fr/1986NAN10352.

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Анотація:
Caractérisation physico-chimique des réfractaires à base d'alumine, de graphite et de carbure de silicium. Aspects cinétiques et morphologiques de leur oxydation par les gaz (O::(2),CO::(2),CO/CO::(2)). Étude cinétique de l'oxydation du silicium et du carbure de silicium
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Частини книг з теми "Carbure de silcium - SiC"

1

Vincent, H., C. Vincent, J. L. Ponthenier, H. Mourichoux, and J. Bouix. "Elaboration en Continu d’un Depot Mince de Carbure Refractaire en Surface des Fibres de Carbone: Caracterisation de la Fibre C/SiC." In Developments in the Science and Technology of Composite Materials. Springer Netherlands, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-1123-9_35.

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