Добірка наукової літератури з теми "Convertisseurs simples à différentiel"

La participation du système nerveux autonome dans la maladie de Parkinson est un exemple du caractère multisystémique qui dépasse le système extrapyramidal de cette maladie. Les symptômes qui sont provoqués par celle-ci apparaissent chez 40 à 60% des patients et provoquent une diminution importante de la qualité de vie. La cause en est principalement une lésion postganglionnaire du système nerveux autonome. La scintigraphie avec metaiodebenzylguanidine (MIBG) met en évidence une atteinte précoce du système nerveux et peut être utilisée pour le diagnostic différentiel entre la maladie de Parkinson et d'autres maladies neurodégénératives déjà durant la phase précoce. Cet examen a une sensibilité d'au moins 89.7% et une spécificité de 94.6% pour la différentiation d'une atrophie multisystémique. Un symptôme trop souvent négligé d'une insuffisance autonome est l'hypotension orthostatique. La vérification du diagnostic et l'investigation des causes peuvent être effectuées avec des méthodes cliniques simples; des options physiothérapeutiques et médicamenteuses sont à disposition pour le traitement.

Cette publication aborde quelques questions-clés liées à la robustesse (la capacité d’un animal à s’adapter aux perturbations liées à l’environnement) qu’il convient de considérer quand on en recherche des définitions opérationnelles. Le plus souvent les définitions simples (facile à mesurer) de la robustesse ne correspondent pas à l’intégralité du phénomène biologique sous-jacent. Une méta-analyse des réponses sécrétoires des composants énergétique du lait (lactose, protéine, lipides) à l’apport d’énergie montre que la réponse zootechnique (à partir de laquelle on souhaite définir la robustesse) à un challenge donné comprend des composantes qui ne répondent pas de la même façon. Ainsi, pour aboutir à une meilleure compréhension, la réponse de la sécrétion d’énergie doit être décomposée en ses composantes biologiques explicatives. Dans ce contexte, la distinction entre caractère biologique et critère mesuré est importante. Il est possible de fournir une définition opérationnelle de la robustesse à partir de cinétiques de mesures multicritères. Pour ceci, il faut extraire, pour chaque critère mesuré, la « trace » du phénomène biologique sous-jacent (par exemple un décrochage de production laitière comme témoin d’un aspect du phénomène d’infection de la mamelle), et puis combiner les différentes traces qui reflètent les différents aspects du phénomène biologique sous-jacent (infection de la mamelle). L’approche est illustrée à partir deux exemples : 1) Un lissage différentiel pour extraire le décrochage de production laitière ; 2) La construction d’une cinétique de degré d’infection en partant des cinétiques d’un jeu d’indicateurs. Dans cette exemple, la méthode est appliquée à ces indicateurs, mais l’approche est censée être générique et utilisable pour d’autres phénomènes biologiques et d’autres indicateurs. Il apparaît ainsi possible de mettre en avant des définitions opérationnelles de la robustesse et de mettre au point des méthodes pour la quantifier sur le terrain.

L'objectif de cette thèse est de présenter des topologies à large bande, agiles et efficaces en termes de surface occupée, dans un processus SiGe BiCMOS à faible coût de 0,35µm. Ces objectifs ont été atteints grâce à l'utilisation des convoyeurs de courant contrôlé comme élément de base. Ce faisant, nous espérons avoir ajouté une nouvelle catégorie de solutions qui réalisent les fonctions RF suivantes : adaptation d'impédance, conversion de signaux simples en signaux différentiels, conversion de signaux différentiels en signaux simples, amplification à faible bruit et amplification différentielle à faible bruit. Le circuit d'adaptation d'impédance tout-transistor est la première solution active observée. Il s'est avéré efficace : adaptation d'impédances aléatoires aux valeurs souhaitées entre 50Ω et 250Ω sur des bandes de fréquences allant du DC à plus de 5GHz ; n'introduisant aucune distorsion dans le signal ; et modifiant de manière très négligeable les performances de l'amplificateur central lui-même. Les convertisseurs simple-différentiel offrent des réponses en fréquence plates de 0Hz à au moins 3GHz. Ils se caractérisent par des performances constantes pour des impédances de port de 50Ω à 200Ω ; une réjection de plus de 26dB des composantes en mode commun ; un fonctionnement linéaire pour des puissances d'entrée allant jusqu'à -3,5dBm ; une distorsion négligeable ; un fonctionnement stable pour une plage de température de 120°C (-60°C à +60°C) ; et une consommation de 10mA à partir d'une alimentation de ±2,5V. Ce sont deux des rares solutions à base de transistors dans un domaine dominé par les circuits à éléments passifs. Les topologies des amplificateurs à faible bruit partagent les caractéristiques suivantes : contrôle du gain sur de larges plages (0 - 20dB) obtenu en faisant varier le courant continu ; bandes passantes supérieures à 1GHz pour tous les gains ; adaptation large bande jusqu'à 4GHz indépendante du gain ; proportionnalité inverse entre le gain et la consommation ; proportionnalité inverse entre le gain et le facteur de bruit ; et performances stables en température. Les circuits ont été fabriqués en technologie SiGe BiCMOS 0,35µm de STMicroelectronics et des mesures utilisant des micro-sondes ont permis la caractérisation directement sur le wafer. Tous les circuits sont les plus petits de leur catégorie respective ; ces petites tailles peuvent être attribuées à l'absence d'éléments passifs. Les circuits partagent les performances suivantes : adaptation d'impédance à large bande aux ports d'entrée et de sortie ; performances reproductibles, démontrées après des mesures effectuées sur plusieurs prototypes ; et performances stables entre -25°C et +75°C. Le convertisseur semi-différentiel et l'amplificateur à faible bruit entièrement différentiel n'ont pu être caractérisés qu'à l'aide de paramètres S simples, car les appareils de mesure ne permettaient pas de réaliser des mesures en mode différentiel. Les mesures effectuées sur les différents circuits et la comparaison de leurs performances avec les autres solutions existantes nous ont permis de valider les topologies proposées dans cette thèse. Nous avons pu constater que tous nos circuits possèdent des performances qui rivalisent avec celles des meilleures solutions existantes, et présentent aussi d’importants avantages. Nous espérons ainsi avoir fait progresser l’état de l’art en conception de circuits radiofréquences pour les récepteurs de communications sans fil en ayant conçu des structures de faible surface, à faible consommation et à performances contrôlées. Ceci a été obtenu par l’utilisation du convoyeur de courant contrôlé de seconde génération. Les bonnes performances de nos circuits pour une technologie à faible coût nous conduisent à conclure qu’avec une technologie plus performante, les résultats seraient très certainement largement supérieurs. La conception de sous-systèmes entiers sans éléments passifs peut également être envisagée
The aim of this thesis is to present topologies which are wideband, versatile and area-efficient, in a low-cost 0. 35µm SiGe BiCMOS process. These objectives were fulfilled thanks to the use of the controlled current conveyor as the building block. In doing so, we hope to have added a new category of solutions which realise the following RF functions: impedance matching, single-ended to differential signal conversion, differential to single-ended signal conversion, single-ended low-noise amplification and differential low-noise amplification. The all-transistor impedance matching circuit is the first active solution for impedance matching observed. It proved to be efficient: adapting random impedances to desired values between 50Ω and 250Ω over frequency bands ranging from DC to over 5GHz; introducing no distortion to the signal; and very negligibly modifying the performance of the core amplifier itself. The baluns provide flat frequency responses from 0Hz to at least 3GHz. They are characterised by constant performance for port impedances from 50Ω to 200Ω; more then 26dB rejection of common-mode components; linear operation for input powers of up to -3. 5dBm; negligible distortion; stable operation for a 120°C temperature range (-60°C to +60°C); and consumption of 10mA from a ±2. 5V supply. These are two of the rare transistor-based solutions in an area dominated by passive-element circuits. The topologies for the low-noise amplifiers share the following characteristics: gain control over wide ranges (0 – 20dB) obtained by varying DC current; bandwidths greater than 1GHz for all gains; wideband matching up to 4GHz independent of the gain; inverse proportionality between gain and consumption; inverse proportionality between the gain and noise figure; and stable temperature performances. The circuits were fabricated in a 0. 35µm SiGe BiCMOS technology from STMicroelectronics and measurements using micro-probes enabled the characterisation directly on the wafer. All the circuits are the smallest in their respective categories; these small sizes could be attributed to the absence of passive elements. The circuits shared the following performances: wideband impedance matching at the input and output ports; reproducible performances, shown after measurements carried out on several prototypes; and stable performance for temperatures from -25°C to +75°C. The semi-differential balun, and the fully-differential low-noise amplifier could only be characterised using single-ended S-parameters because the measurement apparatus were single-ended. The measurements conducted on the different circuits and the comparison of these results with pertinent literature validated the new topologies and showed that the new circuits provide more than competitive performances, while offering some excellent advantages. Thus, we hope to have advanced the state of the art in the design of the RF components in today’s wireless communications receivers. We hope, moreover, to have opened new vistas in the design of wideband radio-frequency circuits which take up small form factors and provide excellent versatility of performance, by the application of current conveyors to this domain. The performances obtained using the moderate-performance low-cost technology lead us to believe that the same new topologies would evince vastly improved characteristics were they designed in more performant processes. The design of entire subsystems which forego passive elements can also be envisaged

La gestion des versions permet de tracer l'évolution d'un objet a travers le temps. Le modèle de gestion de versions que nous proposons permet de prendre en compte aussi bien l'évolution des instances que celle des classes. Chacune des versions est reliée à sa version prédécesseur par des liens de dérivation permettant d'expliciter les modifications apportées par rapport à la version antérieure. Ce procèdé de versioning permet aux différents utilisateurs: 1) de suivre facilement l'évolution de leur version; 2) d'éviter la redondance d'informations; 3) d'accélérer le processus de stockage des versions. Par ailleurs, la plupart des objets ont des structures complexes c'est à dire qu'ils sont composes d'autres objets. Pour ce faire, nous proposons également un gestionnaire de versions d'objets composites. Enfin, une propagation sélective de versions est proposée afin d'éviter une prolifération excessive de versions a chaque création d'une version composite ou composante

Les commutations au sein des convertisseurs statiques, base même du transfert d'énergie sont à l'origine des perturbations électromagnétiques. En effet des fronts raides engendrent des signaux en mode commun qui excitent les câblages, les structures métalliques ou encore les composants passifs. Ces éléments, de par leurs dimensions importantes jouent alors le rôle d'antennes émettrices rayonnant l'énergie perturbatrice dans l'environnement immédiat du produit et susceptible de produire des dysfonctionnements au sein d'autres équipements. L'objet de cette travail de thèse est de quantifier et de modéliser les différentes sources d'énergie en fonction de leur intensité vis-à-vis d'une gamme de fréquences donnée dans un premier temps, puis dans un second temps de montrer que des actions astucieuses et peu onéreuses notamment sur les câblages ou les routage astucieux peuvent permettre de diminuer grandement les perturbations engendrées par l'écoulement des courants de mode commun en mode conduit mais surtout en mode rayonné. L'impact des blindages est aussi étudié en tout dernier ressort quand l'effort de réduction à la base n'est pas suffisant compte tenu des contraintes technologiques.

Actuellement, le développement de semiconducteurs et la demande croissante de convertisseurs en électronique de puissance dans les différents domaines de l’énergie électrique, notamment pour des applications dans l’aéronautique et les réseaux de transport et de distribution, imposent de nouvelles spécifications comme le fonctionnement à hautes fréquences de commutation, densités de puissance élevées, hautes températures et hauts rendements. Tout ceci contribue au fort développement des composants en SiC (Carbure de Silicium). Cependant, ces composants créent de nouvelles contraintes en Compatibilité Electromagnétique (CEM) à cause des conditions de haute fréquence de commutation et fortes vitesses de commutation (forts di/dt et dv/dt) en comparaison à d’autres composants conventionnels de l'électronique de puissance. Une étude des perturbations générées par les composants SiC est donc nécessaire. L'objectif de ce travail est de donner aux ingénieurs amenés à concevoir des convertisseurs une méthode capable de prédire les niveaux d'émissions conduites générées par un convertisseur électronique de puissance qui intègre des composants en SiC. La nouveauté du travail présenté dans cette thèse est l’intégration de différents modèles de type circuit pour tous les constituants d’un convertisseur (un hacheur série est pris comme exemple). Le modèle est valable pour une gamme de fréquences de 40Hz à 30MHz. Des approches de modélisation des parties passives du convertisseur sont présentées. Ces approches sont différentes selon que les composants modélisés soient disponibles ou à concevoir : elles sont basées sur des mesures pour la charge et les capacités ; elles sont basées sur des simulations prédictives pour routage du convertisseur. Le modèle complet du convertisseur (éléments passifs et actifs) est utilisé en simulation pour prédire les émissions conduites reçues dans le réseau stabilisateur d’impédance de ligne. Le modèle est capable de prédire l'impact de différents paramètres comme le routage, les paramètres de contrôle comme les différents rapports cycliques et les résistances de grille avec des résultats satisfaisants dans les domaines temporels et fréquentiels. Les résultats obtenus montrent que le modèle peut prédire les perturbations en mode conduit pour les différents cas jusqu'à une fréquence de 15MHz. Finalement, une étude paramétrique du convertisseur a été élaborée. Cette étude a permis de voir l’influence de la qualité des différents modèles comme les éléments parasites du routage, des composants passifs et actifs et d'identifier les éléments qui ont besoin d’un modèle précis pour avoir des résultats valides dans la prédiction des perturbations conduites
The recent technological progress of semiconductors and increasing demand for power electronic converters in the different domains of electric energy particularly for applications in aeronautics and networks of transport and distribution impose new specifications such as high frequencies, high voltages, high temperatures and high current densities. All of this contributes in the strong development of SiC (Silicon Carbide) components. However these components create new issues in Electromagnetic Compatibility (EMC) because of the conditions of high frequency switching and high commutation speeds (high di/dt and dv/dt) compared to other conventional components in power electronics. A precise study of the emissions generated by SiC components is therefore necessary. The aim of this work is to give a method able to predict levels of conducted emissions generated by a power electronics converter with SiC components to engineers which design power converters. The novelty of the work presented in this thesis is the integration of different modeling approaches to form a circuit model of a SiC-based converter (a buck dc–dc converter is considered as an example). The modeling approach is validated in the frequency range from 40Hz to 30MHz. Modeling approaches of the passive parts of the converter are presented. Theses approaches differs according to whether the component is existing or to be designed : they are based on measurements for the load and capacitors; they are based on numerical computation and analytical formulations for PCB. The complete model obtained (passive and active components) is used in simulations to predict the conducted emissions received by the line impedance stabilization network. The model is able to predict the impact of various parameters such as PCB routing, the control parameters like duty cycles and different gate resistors in the time and frequency domains. A good agreement is obtained in all cases up to a frequency of 15MHz. Finally, a parametric study of the converter has been elaborated. This study allowed to see the influence of different models such as parasitic elements of the PCB, passive and active components and to identify the elements that need a precise model to obtain valid results in the prediction of conducted EMI

Dans les domaines industriels et en particulier celui du transport, le nombre et la puissance des équipements électriques et électroniques embarqués est en constante augmentation. L’alimentation des équipements électriques et la commande de ces actionneurs nécessitent l’utilisation de convertisseurs d’électronique de puissance à découpage dont la nature perturbatrice n’est plus à démontrer. Afin de prendre en compte la CEM dès la phase de conception d’un produit, les constructeurs doivent disposer d’outils dédiés à la CEM ou à défaut de règles ou techniques de conception spécifiques. C’est dans l’optique de répondre à ces besoins que se sont orientés ces travaux de thèse.La première partie des travaux traite de la modélisation des perturbations conduites des organes de puissance d’une chaîne de traction : un ensemble convertisseur / machine synchrone à rotor bobiné. Cette étude a conduit à un modèle CEM générique d’une structure non isolée quelconque d’électronique de puissance. La deuxième partie a permis de développer une nouvelle méthode de calcul qui ouvre de réelles perspectives quant à la réduction des temps de calcul. Par l’observation et l’étude de signaux sur différents horizons temporels, une technique de reconstitution des perturbations de mode commun par convolution a été proposée. Une troisième partie, consiste à synthétiser les sources de perturbations grâce à l’élaboration de fonctions de transfert décrivant le comportement haute fréquence d’une cellule de commutation. Cette approche immédiatement exploitable en simulation numérique se distingue dans la mesure où elle permet de s’affranchir des non linéarités intrinsèques des composants semi-conducteurs
In the transport field, whether road, rail, marine or aeronautic, the number and power of embedded electric or electronic devices are constantly increasing. New features, often developed for passengers comfort, are responsible for this increase. Moreover, many actuators which were previously mechanical, thermal or hydraulic are replaced by electrical ones. Those new actuators need an electrical power supply which most of the time rely on power electronics. It is well known that this kind of device generate high levels of disturbances. In order to take into account the electromagnetic compatibility (EMC) at the design stage of a product, builders need tools adapted to EMC or specific conception rules. The work performed during this thesis is geared in order to meet these needs.The first part deals with the modeling of conducted electromagnetic interferences (EMI) of an electrical power train mainly composed by power electronics converter and a wound rotor synchronous machine. Thanks to this study, a generic model of any non-insulated structure of power electronics was developed. The second part consists in developing a new computing method which allows to reduce the time of computing. Based on the observation of signals on different time intervals, a reconstruction technique by convolution product is proposed and applied for a common mode current. The third part deals with the elaboration of sources of disturbances by transfer functions which describe the high frequency behavior of a switching cell. This modeling is directly implementable in a circuit simulation software as it allows to linearize the intrinsic non linear behavior of the semiconductor components

L’hémangioendothéliome intravasculaire végétant ou tumeur de Masson est une pathologie tumorale bénigne secondaire à la prolifération réactive de cellules endothéliales papillomateuses liées à un thrombus (Masson P., 1923). Il s’agit d’une tumeur vasculaire relativement rare qui représente 2% des tumeurs vasculaires des tissus cutanés et sous cutanés. Peu d’études rapportent sa localisation endobuccale, cependant il existe de nombreux cas dans la littérature décrivant sa prédilection pour la région cervicocranio- faciale (Lancaster et al, 1998). Un patient âgé de 71 ans, sans antécédents médico-chirurgicaux notables, était adressé à la consultation spécialisée de pathologie de la muqueuse buccale pour une tuméfaction de la face dorsale de la langue de découverte fortuite. Il s’agissait d’une lésion nodulaire d’un centimètre de grand axe, de coloration violacé et indolore. AU la palpation on ne retrouvait pas de battement. Une exérèse chirurgicale au laser diode a été réalisée sous anesthésie locale. Une incision jusqu’aux plans musculaires au niveau desquels s’insinuait la tumeur a été réalisée. Les suites opératoires ont été simples. Le patient a été revu à 3 mois sans signe de récidive. L’analyse anatomopathologique mettait en évidence un hémangioendothéliome intravasculaire végétant. La cicatrisation à 1 mois post-opératoire était satisfaisante. L’hémangioendothéliome intravasculaire végétant est une tumeur vasculaire bénigne dont l’étiopathogénie reste encore discutée. Trois formes sont décrites ; la forme primaire apparaissant dans des vaisseaux distendus, la forme secondaire à des lésions vasculaire préexistantes, et la forme extravasculaire (Bologna-Molina et al, 2010). Cependant, il a été observé que la majorité des cas d’hémangioendothéliome intravasculaire végétant, quel que soit leur type, sont associés à un thrombus (Korkolis et al, 2005). L’hémangioendothéliome intravasculaire végétant est une pathologie rare souvent confondue avec une malformation vasculaire ou une lésion maligne telle que l’angiosarcome. L’établissement d’un diagnostic positif est essentiel pour écarter le diagnostic différentiel d’angiosarcome et éviter toute chirurgie inutilement invasive pour le patient. La prise en charge de l’hémangioendothéliome intravasculaire végétant repose sur son exérèse.

Les tumeurs des glandes salivaires sont rares et représentent 2 à 6.5 % des néoplasies de la tête et du cou. L’atteinte des glandes salivaires accessoires représente moins de 25% de l’ensemble des tumeurs des glandes salivaires [Auclair et al. 1991]. Les localisations les plus fréquentes sont : le palais, la joue et la région linguale postérieure [Tijoe et al., 2015]. La grande variabilité de l’expression clinique de ces tumeurs rend difficile l’établissement d’un diagnostic précis, d’où l’importance de l’analyse histologique. Le cas d’une tumeur bénigne des glandes salivaires accessoires de la joue est rapporté. Il s’agit d’une femme de 68 ans adressée initialement pour l’exérèse d’une lésion kystique maxillaire. Elle ne présente aucun antécédent médico-chirurgical. L’examen endobuccal révèle la découverte fortuite de plusieurs lésions nodulaires indépendantes et de tailles variables (de 0,5 à 1,5 cm de longueur dans leur grand axe) situées sur la face interne des lèvres et des joues, passées inaperçues par la patiente. La muqueuse de recouvrement est d’aspect normal. L’hygiène bucco-dentaire est défectueuse (PI>50%) et les édentements sont compensés par prothèses amovibles. A la palpation, aucune symptomatologie douloureuse n’est mise en évidence, ni d’adhésion avec les plans profonds. Ces nodules sont fermes, et pour le nodule ayant fait l’objet de l’exérèse, une suppuration apparaît. L’examen exobuccal est sans particularité, les aires ganglionnaires sont libres. L’examen radiographique est sans particularité exceptée la lésion motivant la consultation au niveau du site de 12. Les caractéristiques cliniques peuvent faire évoquer une pseudo-tumeur de glandes salivaires accessoires de type mucocèle ou une hyperplasie épithéliale (diapneusie). L’exérèse complète de la lésion de plus grande taille présentant une suppuration a été pratiquée sous anesthésie locale. Les suites opératoires ont été simples et asymptomatiques. L’examen anatomopathologique de la pièce opératoire conclut à un cystadénome papillaire d’une glande salivaire accessoire. Le cystadénome papillaire est une tumeur épithéliale bénigne rare des glandes salivaires [OMS, 2017]. Il intéresse spécialement les glandes salivaires principales, notamment la glande parotide (45%), et dans seulement 0.6 à 4% des cas une glande salivaire accessoire [Tijoe et al., 2015]. L’âge moyen de découverte se situe entre 50 et 70 ans. Le traitement de cette lésion réside dans sa simple exérèse et les récidives sont exceptionnelles. Histologiquement, la lésion est multiloculaire et du tissu conjonctif sépare les kystes, la littérature souligne la possibilité de lésions uniloculaires dans 20% des cas. Une seconde forme muqueuse moins fréquente est décrite. Le diagnostic différentiel du cystadénome papillaire comprend principalement le kyste muqueux de rétention. L’absence d’une composante lymphöde écarte le diagnostic de tumeur de Warthin. Dans ce contexte, le carcinome mucoépidermöde de bas grade doit être écarté [Stojanov et al., 2017].