Готові списки джерел за темами / CuInGaSe

Зміст

Статті в журналах
Дисертації
Книги
Частини книг
Тези доповідей конференцій
Звіти організацій

Добірка наукової літератури з теми "CuInGaSe"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 30 травня 2022

Оновлено: 31 липня 2025

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "CuInGaSe".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "CuInGaSe"

Lee, Ah-Reum, Hun-Soo Jeon, Gang-Suok Lee, et al. "Characterizations of CuInGaSe(CIGS) mixed-source and the thin film." Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology 20, no. 1 (2010): 1–6. http://dx.doi.org/10.6111/jkcgct.2010.20.1.001.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Yoshino, Kenji, Takahiro Tokuda, Akira Nagaoka, et al. "Growth of CuInGaSe₂ Films by RF Sputtering Using CuInGaSe₂ Single Phase Target." Applied Mechanics and Materials 372 (August 2013): 571–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.372.571.

Повний текст джерела

Анотація:

CuIn0.8Ga0.2Se2 thin film is grown at room temperature by RF sputtering using high quality of CuIn0.8Ga0.2Se2 single phase target. A (112) diffraction peak is dominant with no secondary phases such as selenide materials in the X-ray diffraction pattern. A flat and homogeneous surface can be obtained in the sample.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Chang, Jen-Chuan, Chia-Chih Chuang, Jhe-Wei Guo, et al. "An Investigation of CuInGaSe₂ Thin Film Solar Cells by Using CuInGa Precursor." Nanoscience and Nanotechnology Letters 3, no. 2 (2011): 200–203. http://dx.doi.org/10.1166/nnl.2011.1147.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

SONG, H., S. KIM, H. KIM, et al. "Preparation of CuInGaSe thin films by sputtering and selenization process." Solar Energy Materials and Solar Cells 75, no. 1-2 (2003): 145–53. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(02)00125-3.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Mendivil, M. I., L. V. García, B. Krishnan, D. Avellaneda, J. A. Martinez, and S. Shaji. "CuInGaSe 2 nanoparticles by pulsed laser ablation in liquid medium." Materials Research Bulletin 72 (December 2015): 106–15. http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2015.07.038.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Salem, A., K. Alshehri, J. A. Mohammed Abdulwahed, and S. A. Hussein. "Examination of Thermoelectric Power of the CuInGaSe₂ Crystals." Acta Physica Polonica A 142, no. 2 (2022): 211–15. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.142.211.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Jeon, Hunsoo, Ahreum Lee, Gang-Seok Lee, et al. "Fabrication of the CuInGaSe Pellet and Characterization of the Thin Film." Japanese Journal of Applied Physics 50, no. 1S1 (2011): 01AG01. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.50.01ag01.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Jeon, Hunsoo, Ahreum Lee, Gang-Seok Lee, et al. "Fabrication of the CuInGaSe Pellet and Characterization of the Thin Film." Japanese Journal of Applied Physics 50 (January 20, 2011): 01AG01. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.50.01ag01.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Kim, Hong Tak, Chang Duk Kim, Maeng Jun Kim, and Young‐Soo Sohn. "AC analysis of temperature effects on conversion efficiency of CuInGaSe 2 solar cells." Electronics Letters 51, no. 1 (2015): 86–88. http://dx.doi.org/10.1049/el.2014.3257.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Devaney, W. E., W. S. Chen, J. M. Stewart, and R. A. Mickelsen. "Structure and properties of high efficiency ZnO/CdZnS/CuInGaSe/sub 2/ solar cells." IEEE Transactions on Electron Devices 37, no. 2 (1990): 428–33. http://dx.doi.org/10.1109/16.46378.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Більше джерел

Дисертації з теми "CuInGaSe"

Натарова, Ю. В., та О. Б. Галат. "Исследование фотоэлектрического преобразователя на основе CuInGaSe". Thesis, Сумський державний університет, 2018. http://openarchive.nure.ua/handle/document/9010.

Повний текст джерела

Анотація:

Целью данной работы является исследование наиболее эффективных фоточувствительных материалов, сравнение их характеристик; расчёт поглощательной способности и выбор оптимального материала и размеров фотопреобразователя для эффективного преобразования энергии.

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Галат, А. Б., та Ю. В. Натарова. "Исследование фотоэлектрического преобразователя на основе CuInGaSe". Thesis, Сумський державний університет, 2018. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67886.

Повний текст джерела

Анотація:

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Tolan, Gavin James. "Electro-chemical development of CuInGaSe2-based photovoltaic solar cells." Thesis, Sheffield Hallam University, 2008. http://shura.shu.ac.uk/20444/.

Повний текст джерела

Анотація:

The aim of this work was to make low cost, high efficiency, graded bandgap, thin film CuInGaSe2 solar cells by electrodeposition, using novel device designs proposed by Dharmadasa et al. These new designs were first experimentally tested using well researched GaAs and AlxGa(1-x)As materials grown using MOCVD, these ideas were then transferred to electrodeposited CuInGaSe2.New designs of graded bandgap solar cells based on p-type window materials, using the well researched GaAs and AlxGa(1-x)As alloy system, have been experimentally tested. The size of the cell was gradually scaled up from 0.5

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Xu, Yan. "Fabrication et caractérisation des films CuInGase2 par pulvérisation cathodique : étude des défauts par la spectroscopie des pièges profonds par la charge." Nantes, 2014. http://archive.bu.univ-nantes.fr/pollux/show.action?id=832d9b8a-0f75-4de7-ab4a-836b5de21036.

Повний текст джерела

Анотація:

Dans ce travail, nous nous intéressons aux défauts qui peuvent exister dans les couches minces de CIGS préparés par pulvérisation RF à partir d’une cible quaternaire. Pour réaliser les dispositifs, nous avons mis au point un protocole de dépôt à quatre étapes qui a permis d’obtenir des films minces de façon fiable. Malgré une disproportion des atomes dans le dépôt orignal, les analyses spectroscopiques montrent que les caractéristiques correspondent aux CuInGaSe2 sous forme de chalcopyrite. Ensuite, nous avons déterminé les caractéristiques courant-tension. Nous mesurons les paramètres des piè

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Peng, Li-Huei, and 彭立暉. "Formation of CuInGaSe 2 by eletrodeposition." Thesis, 2010. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/85896487021470709214.

Повний текст джерела

Анотація:

碩士 雲林科技大學 材料科技研究所 98 In this study, the CuInGaSe 2 is prepared by electrodeposition. First of all, Cu is electrodeposited onto stainless steel and to find out the best condition to deposit Cu by changing different parameters. Second, Indium and Gallium were electrodeposited by using Orthogonal array of L 18 . Final, that the In/Cu/S.S. and In/Ga/Cu/S.S be selenized, and the selenized condition is heated at 500℃ for 1hour in Argon atmosphere. The CIGS should be characterized by XRD, FE-SEM and EDS. The results show the best parameters for the elec

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Chuang, Tsung-Yeh, and 莊宗曄. "Selenium treatment study of sputtered CuInGaSe thin film." Thesis, 2009. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/29594841024252516071.

Повний текст джерела

Анотація:

碩士 國立高雄大學 電機工程學系碩士班 97 In this dissertation, we study the deposition of Copper Indium Gallium Selenium ( CIGS ) thin-film on glass substrate by sputtering with followed selenium heat treatment. Deposition parameters such as power, temperature and gas flow were studied. Following heat treatment parameters such as temperature and gases were studied also. Film morphology, concentration and mobility for these films were analyzed. With controlled parameters, p-type CIGS thin-films can be achieved and p-n diode were fabricated by deposition the CIGS film on n-type Si substrate. The curre

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Chiang, Min-Yi, and 江旻益. "Synthesis of CuInGaSe2, CuInSSe, CuInGaSSe nanocrystals and their application on thin film solar cell." Thesis, 2010. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/65120142676117583406.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Jha, Shian-fei, and 查顯飛. "The study of characteristics of CuInGaSe (CIGS) thin films by RF-sputtering on single target and the different selenizations on thin films." Thesis, 2012. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/91578955307061688442.

Повний текст джерела

Анотація:

碩士 國立臺南大學 電機工程學系碩士班 100 CIGS thin film solar cells, has been recognized as one of the most promising absorber materials. For improving the absorber layer characteristics of solar cells, it is essential to followed selenization heat treatment process. The dissertation mainly uses Copper Indium Gallium Selenium (CIGS) single quaternary alloy target, which can simplify the process control. The power was kept at 100w and substrate temperature was 400 ℃ to deposit on the substrate, absorption precursor layer CIGS by RF-sputtering was obtained. By controlling different selenization heat

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Chen, Chiayin, and 陳佳吟. "Synthesis and Fabrication of CuInGaSe2." Thesis, 2011. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/07637430984112246594.

Повний текст джерела

Анотація:

碩士 國立中正大學 光機電整合工程研究所 99 In this study, we carriered out the ink by solvothermal method. The selenide compounds and the nitrate compound of copper, indium, and gallium were dissolved in alcohol then mix them well as a precursor. Then add the appropriate bonding agent and dispersing agent for viscosity adjustment, so that it can be uniform and completely coating on the glass substrate. By using this method, we have fabricated thin film of copper indium gallium selenide successfully. And we found that as annealing temperature increases, the intensity of X-ray diffraction peak increase

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Hsu, Hung Ru, and 許弘儒. "A study of Ga distribution and grain growth in a high efficient CuInGaSe2 solar cell prepared in a sputtering process using a single CuInGa precursor." Thesis, 2012. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/06157342137187098885.

Повний текст джерела

Анотація:

博士 國立清華大學 光電工程研究所 100 Chalcopyrite compounds of Cu(In,Ga)Se2 and related alloys are among the most promising materials for photovoltaic applications. Sputtering of Cu-In-Ga precursors followed by selenization has been a preferred industrial process for Cu(In,Ga)Se2 solar cell manufacturing. In a sputtering process, many studies using co-sputtering or sequential sputtering from CuGa and In magnetron targets for preparation of the metallic precursors. In this study, the metallic precursors were deposited by sputtering a single Cu-In-Ga ternary target and compared with the In/CuGa sto

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Більше джерел

Книги з теми "CuInGaSe"

Pern, F. J. Characterization of damp-heat degradation of CuInGaSe₂ solar cell components and devices by (electrochemical) impedance spectroscopy: Preprint. National Renewable Energy Laboratory, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Pern, F. J. Performance characterization and remedy of experimental CuInGaSe2 mini-modules: Preprint. National Renewable Energy Laboratory, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Pern, F. J. Thickness effect of Al-doped ZnO window layer on damp heat stability of CuInGaSe2 solar cells: Preprint. National Renewable Energy Laboratory, 2011.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

National Aeronautics and Space Administration (NASA) Staff. Theoretical and Experimental Research in Space Photovoltaics: Electrodeposition of CuinGaSe2 Thin Layers for Cds/Cigs Solar Cell Applications. Independently Published, 2019.

Знайти повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Частини книг з теми "CuInGaSe"

Romeo, Alessandro. "CdTe and CuInGaSe2 Thin-Film Solar Cells." In Solar Cells and Modules. Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-46487-5_8.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Cheng, Yu-Wen, Hong-Tao Xue, Fu-Ling Tang, and Jingbo Louise Liu. "First-Principles Simulations for CuInGaSe2 (CIGS) Solar Cells." In Nanostructured Materials for Next-Generation Energy Storage and Conversion. Springer Berlin Heidelberg, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-59594-7_2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Rzheutski, Mikalai V., E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, et al. "Investigation of GaN- and CuInGaSe2-Based Heterostructures for Optoelectronic Applications." In NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics. Springer Netherlands, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-5313-6_53.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Rizwan, M. "Introduction, Past and Present Scenario of Solar Cell Materials." In Materials Research Foundations. Materials Research Forum LLC, 2021. http://dx.doi.org/10.21741/9781644901410-1.

Повний текст джерела

Анотація:

Solar cells convert sunlight into electricity directly. It is a reliable, non-toxic and pollution free source of electricity. Since 19th century researchers have been trying to investigate different materials for solar cell devices. Commercially, Si based solar are predominate in this field, however, with passage of time different materials have been reported. Solar cell techniques are based on three different generations. 1st generation is based on Si and 2nd generation includes thin-films of CuInGaSe, GaAs, CdTe and GaInP etc. whereas 3rd generation is based on organic, hybrid perovskites, q

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Тези доповідей конференцій з теми "CuInGaSe"

Babu, B. J., S. Velumani, Arturo Morales-Acevedo, and R. Asomoza. "Properties of CuInGaSe thin films prepared by chemical spray pyrolysis." In 2010 7th International Conference on Electrical Engineering, Computing Science and Automatic Control (CCE 2010) (Formerly known as ICEEE). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/iceee.2010.5608628.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Hoque, Md Mayrazul, Md Zunaid Baten, Md Abdullah Zubair, and Redwan N. Sajjad. "Optimizing chemical bath deposition of cadmium sulfide for CuInGaSe based semi-transparent photovoltaics." In 2021 IEEE International Conference on Telecommunications and Photonics (ICTP). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/ictp53732.2021.9744213.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Pern, F. J. John, and Rommel Noufi. "Characterization of damp heat degradation of CuInGaSe 2 solar cell components and devices by (electrochemical) impedance spectroscopy." In SPIE Solar Energy + Technology, edited by Neelkanth G. Dhere, John H. Wohlgemuth, and Kevin W. Lynn. SPIE, 2011. http://dx.doi.org/10.1117/12.895918.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Hoque, Md Mayrazul, Md Abdullah Zubair, and Redwan N. Sajjad. "Enhancing average visible transmittance of CdS buffer layer for CuInGaSe based semi-transparent photovoltaics: metal ion substitution approach." In 2022 12th International Conference on Electrical and Computer Engineering (ICECE). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/icece57408.2022.10088712.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ramanathan, K., M. A. Contreras, J. R. Tuttle, et al. "Effect of heat treatments and window layer processing on the characteristics of CuInGaSe/sub 2/ thin film solar cells." In Conference Record of the Twenty Fifth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1996. IEEE, 1996. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.1996.564258.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Devaney, W. E., W. S. Chen, J. M. Stewart, and B. J. Stanbery. "Analysis of high efficiency CuInGaSe2 based solar cells." In Photovoltaic advanced research and development project. AIP, 1992. http://dx.doi.org/10.1063/1.42908.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Pern, F. J., F. Yan, L. Mansfield, S. Glynn, M. Rekow, and R. Murison. "Performance characterization and remedy of experimental CuInGaSe2 mini-modules." In 2011 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2011.6186526.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Biderman, N. J., Steven W. Novak, T. Laursen, et al. "Diffusion activation energy of cadmium in thin film CuInGaSe2." In 2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2013.6744499.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Eliasson, Blake, Garret Moddel, T. Hughes-Lampros, and W. N. Shafarman. "Optically Addressed SLM Incorporating a CuInGaSe2/a-Si:H Heterojunction." In Spatial Light Modulators and Integrated Optoelectronic Arrays. OSA, 1999. http://dx.doi.org/10.1364/slm.1999.swb2.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Hsieh, Tung-Po, Chia-Chih Chuang, Chung-Shin Wu, Jen-Chuan Chang, Jhe-Wei Guo, and Wei-Chien Chen. "Effects of residual copper selenide on CuInGaSe2 solar cells." In 2009 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2009.5411748.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Звіти організацій з теми "CuInGaSe"

Stanbery, B. J. Manufacturing technology development for CuInGaSe sub 2 solar cell modules. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1991. http://dx.doi.org/10.2172/5916144.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Stanbery, B. J. Manufacturing technology development for CuInGaSe{sub 2} solar cell modules. Final subcontract report, 9 January 1991--14 April 1991. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1991. http://dx.doi.org/10.2172/10114404.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Devaney, W. E., W. S. Chen, and J. M. Stewart. High-efficiency CuInSe/sub 2/ and CuInGaSe/sub 2/ based cells and materials research: Annual subcontract report, 1 November 1987--31 October 1988. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1989. http://dx.doi.org/10.2172/5921666.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Chen, W. S., J. M. Stewart, R. A. Mickelsen, W. E. Devaney, and B. J. Stanbery. Research on Polycrystalline Thin-Film CuInGaSe2 Solar Cells: Annual Subcontract Report, 3 May 1991 - 21 May 1993. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1993. http://dx.doi.org/10.2172/10185949.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!