Дисертації з теми "Dépôt par voie chimique"
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Berjonneau, Jérôme. "Mécanismes de dépôt par voie gazeuse de céramiques base Si-B-C." Bordeaux 1, 2006. http://www.theses.fr/2006BOR13146.
Анотація:
Des dépôts de céramiques B-C et Si-B-C ont été réalisés par CVD respectivement à partir de mélanges CH4/BC3/H2 et MTS/BC3/H2 dans une gamme de températures 800-1050 °C et sous pression réduite (2 à 12 kPa). Les lois cinétiques de dépôt ont été déterminées dans des régimes contrôlés par les réactions chimiques. Les espèces gazeuses ont été analysées in situ par spectroscopie IRTF. Cette étude a notamment établi que l'intermédiaire réactionnel HBCI2 joue le rôle de précurseur effectif de bore lors du dépôt de céramique B-C et Si-B-C. Enfin, les conditions de synthèse ont été corrélées avec la composition chimique et la structure des dépôts. Les céramiques B-C demeurent amorphes pour l'ensemble des conditions et sont plus riches en carbone que B4C. Les dépôts Si-B-C sont également amorphes et riches en carbone à basse température. La teneur en silicium augmente avec la température conjointement à l'apparition de nanocristaux de SiC. L'ensemble de ces approches a permis l'établissement des lois cinétiques de dépôt dans une large gamme de conditions expérimentales et de mieux comprendre les mécanismes de formation de céramiques dans ces systèmes chimiques particulièrement complexes.
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Khalil, Aziza. "Dépôt de cuivre par voie chimique : analyse électrochimique et application à la connectique en microélectronique." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0042.
Анотація:
Le depot chimique de cuivre par le methanal en milieu basique est etudie en comparant l'influence de deux complexants : l'edta et les ions tartrate. Les diagrammes d'equilibres tension-ph correspondant aux milieux etudies ont ete etablis sur la base des donnees thermodynamiques ; le vieillissement des solutions de methanal a ete suivi par spectrometrie infra-rouge. En couplant mesures electrochimiques et microgravimetriques in situ, on analyse individuellement la cinetique des deux reactions mises en jeu dans le processus global : oxydation du methanal et reduction du cuivre sur electrode cuivre. On montre que cette reduction passe par une espece soluble du cuivre monovalent. En outre, en bain tartrate comme en bain edta contenant des especes chlorure ou cyanure, il apparait un autre intermediaire reactionnel, de type cux, en phase solide ou adsorbee. Cette derniere espece est responsable de la vitesse de reduction elevee caracteristique de ces bains comparativement au bain edta sans additif. La validite du modele d'evans, qui permet en principe de prevoir la vitesse de depot chimique de cuivre a partir des donnees cinetiques des reactions individuelles, est alors discutee. Enfin, on determine les conditions optimales d'obtention de pistes de cuivre localisees, de dimensions microniques, sur plaquettes de silicium ; elles portent notamment sur le choix du bain, puis de la preparation des substrats par caracterisation electrochimique de leur activite catalytique. Cette etude a ete realisee sans traitement prealable d'activation au palladium.
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Joulaud, Mickaël. "Nouveaux schémas d'intégration pour les interconnexions cuivre inférieures à 90 nm : apport des dépôts chimiques : dépôt de cuivre par CVD comme couche d'accroche : dépôt de NiMo-P par voie chimique autocatalytique comme couche d'encapsulation." Paris 12, 2004. https://athena.u-pec.fr/primo-explore/search?query=any,exact,990003948120204611&vid=upec.
Анотація:
Des problèmes liés à l'intégration du cuivre sont attendus pour les interconnexions inférieures à 90 nm comme la conformité et la continuité de la couche d'accroche de cuivre ou encore la formation de cavités par électromigration à l'interface cuivre/barrière d'encapsulation. Cette thèse porte sur le développement de procédés de dépôts chimiques afin de résoudre ces problématiques. La faisabilité du dépôt industriel de couche d'accroche par CVD à partir de (hfac)Cu(MHY) a été démontrée. L'optimisation des conditions a permis d'obtenir un film continu et conforme de 50 ru-n d'épaisseur dans des interconnexions étroites. Un procédé de dépôt sélectif par voie chimique autocatalytique de NiMo-P comme couche d'encapsulation a été développé et transféré sur un équipement industriel. L'influence des paramètres réactionnels et la qualité de barrière à la diffusion du cuivre ont été établies. Un dépôt sélectif de NiMo-P a été obtenu avec un bain sans alcalin sur des motifs d'espacement 0,12 micronBy scaling down microchips, critical issues with copper integration are expected for the future interconnect generation (65 nm). First, the conforrnal deposition of a thin copper film (seedlayer), necessary to initiate the copper plating, could not be obtained using the current PVD techniques. Second, holes are generated at the copper/capping interface due to electromigration. This thesis is focused on new processes based on chemical deposition techniques as J solutions to the presented limitations. The feasibility of copper seedlayer CVD with an industriai tool using (hfac)Cu(MHY) was demonstrated. By developing a specific recipe, a 50 nm conformai seedlayer was deposited in narrow features. The selective electroless deposition ofNiMo-P as a capping layer to limit electromigration was investigated. The influence of experimental parameters and barrier efficiency ofNiMo-P were evaluated. A selective deposit was obtained on 0,12 micron spacing lines with an alkali free deposition bath
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Delettrez, Sophie. "Élaboration par voie gazeuse et caractérisation de céramiques alvéolaires base pyrocarbone ou carbure de silicium." Thesis, Bordeaux 1, 2008. http://www.theses.fr/2008BOR13723/document.
Анотація:
Les mousses de carbone vitreux à très forte porosité, qui résultent de la pyrolyse de mousses polymères, ont des propriétés mécaniques et thermiques inadaptées pour certaines applications structurales (absorption de choc, piles à combustible...). Lors de cette étude, des revêtements de pyrocarbone (PyC, à partir de propane) et de carbure de silicium (SiC, issu du mélange CH3SiCl3/H2) ont été mis en oeuvre par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et les conditions expérimentales ont été optimisées afin d’améliorer les propriétés des mousses. Les caractéristiques mécaniques, thermiques et de transport gazeux ont été évaluées respectivement grâce à des tests de compression uniaxiale et des mesures sur bancs de diffusivité flash et de perméabilité. Les propriétés physiques varient dans une grande proportion avec la densité relative. Grâce au contrôle de la composition, de la structure, de l’homogénéité d’épaisseur des dépôts et de la densité relative des mousses, le procédé de CVD permet d’adapter précisément leurs propriétés à une application préciseHigh porosity open cell carbon foams, resulting from the pyrolysis polymeric foams, have inadequate properties for structural applications such as shock absorbers or fuel cells. In this study, pyrocarbon (PyC derived from propane) and silicon carbide (SiC from CH3SiCl3/H2 mixtures) coatings were prepared by Chemical Vapour Deposition (CVD) and the experimental conditions were optimized to improve the properties of the foams. The mechanical, thermal and gas transport properties were respectively assessed by uniaxial crushing tests, flash diffusivity and gas permeability measurements. The physical properties vary significantly with the relative density. The CVD process allows the tailoring of the foam properties, for a specific application, through an accurate control of the structure, the composition, the thickness uniformity of the coatings and the relative density of the foams
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Tartivel, Ronan. "Renforcement mécanique du verre : nouvelles compositions chimiques et dépôt de films minces élaborés par voie sol-gel." Rennes 1, 2007. http://www.theses.fr/2007REN1S183.
Анотація:
Ce travail, articulé en deux parties, s’inscrit dans une démarche exploratoire visant à améliorer la résistance mécanique du verre. Tout d’abord, nous avons abordé la recherche de nouvelles compositions vitreuses à hautes propriétés mécaniques. Les compositions ont été synthétisées à l’aide d’un dispositif original développé au laboratoire opérant sous atmosphère contrôlée. Les verres ont été caractérisés en termes de propriétés mécaniques et de structure pour d’identifier les paramètres gouvernant les propriétés mécaniques macroscopiques. Nous nous sommes intéressés dans la deuxième partie au dépôt sur la surface de films minces inorganiques élaborés par voie sol-gel (silice, alumine et zircone amorphes). Les échantillons ont été caractérisés par micro-indentation et micro-rayage. Des observations ont également été réalisées par microscopie à force atomique, dans le but de déterminer l’influence du traitement thermique et de la composition sur ces propriétésThis work aims at improving mechanical resistance of glass. Two aspects of reinforcement have been studied. First, we focused on the research of new glassy compositions exhibiting high mechanical properties. The compositions were synthesized using an original home-made device. The mechanical characteristics were then determined, and an exploratory study of the structure was conducted in order to establish the role of the reticulation of the network. The second part deals with the mechanical reinforcement of the surface. Indeed, small defects existing on the surface often affect the strength of the whole piece of glass. To minimize this effect, we deposited inorganic thin films obtained via sol-gel process by a dip-coating method. This way, ordinary soda-lime silicate glass substrates were coated and then characterized both mechanically and morphologically, to determine the influence of thermal treatment, as well as composition, on mechanical properties
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Vitiello, Julien. "Etude des matériaux diélectriques à très faible permittivité déposés par voie chimique en phase vapeur développés pour l'isolation des interconnexions cuivre des circuits intégrés pour les générations technologiques 45 nm et 32 nm." Lyon, INSA, 2006. http://theses.insa-lyon.fr/publication/2006ISAL0097/these.pdf.
Анотація:
Les besoins en performance des générations sub-65 nm impliquent l'utilisation de films diélectriques à très faible permittivité relative dans les interconnexions. Avec l'introduction du cuivre, deux films diélectriques interviennent dans l'architecture : un isolant entre les lignes métalliques et une barrière diélectrique recouvrant le dessus de ces lignes. Pour la génération 45 nm, le film isolant interligne de très faible permittivité relative est obtenu en introduisant de la porosité dans une matrice SiOC. Ces films poreux sont un véritable saut technologique pour l'ensemble de la chaîne de réalisation des interconnexions. Les barrières diélectriques doivent aussi présenter une permittivité relative faible. Dans ce but, le film SiCN, utilisé pour la génération 65 nm, doit être remplacé par un matériau présentant les mêmes caractéristiques barrière mais une densité moindre pour satisfaire les besoins en performances électriques. Le film isolant interligne présenté dans cette étude est basé sur une approche non porogène, dite de restructuration. L’étude du procédé de dépôt et des caractéristiques du film a permis de mettre en évidence les phénomènes physiques à l’origine de la structure à gradient du film. Les propriétés mécaniques ont pu être déterminées par nanoindentation à partir d’une méthode de mesure sur multicouches. L’amélioration de la tenue mécanique de ce film poreux a été étudiée avec un traitement thermique assisté par rayonnement ultraviolet. Son efficacité dépend du temps d’exposition et de l’atmosphère dans la chambre de traitement. De plus, la cinétique de réticulation de la structure SiOC est liée à la densité du film. Enfin, la faisabilité de l’intégration de ce film a été démontrée. En ce qui concerne les barrières diélectriques, deux solutions pour la génération 45 nm ont été comparées : une barrière SiC stabilisée par plasma et une bicouche SiCN. L’efficacité en tant que barrière à la diffusion a été mesurée grâce à deux méthodes développées dans cette étude. Cela a permis de mettre en évidence les performances de ces nouvelles couchesThe performance requirements for sub-65 nm generations imply the use of dielectric films with ultra low k-value in interconnects. With the introduction of copper, two dielectric films play a major role in the architecture: an insulator in between the metal lines and a dielectric barrier capping the top of these lines. For the 45 nm node, ultra low k-value insulators are obtained by introducing porosity into a SiOC matrix. These porous films are a true technological jump for the whole interconnect module integration. The dielectric barriers must also have a low k-value. To this purpose, the SiCN film, used for the 65 nm generation, must be replaced by a material showing the same barrier properties but less dense to satisfy the requirements in electric performances. The ultra low k-value insulator is based on a non porogen approach, called restructuring. The study of the process of deposit and the characteristics of film allow highlighting the physical phenomena at the origin of the graded structure in depth of the film. The mechanical properties were determined by nanoindentation, using a method based on multilayers. The improvement of the mechanical resistance of this porous film was obtained using a thermally assisted ultraviolet treatment. Its effectiveness depends on exposure duration and purge gas in the chamber. Moreover, the kinetics of cross-linking in the SiOC structure is related to the film density. Lastly, the feasibility of the integration of this film was evidenced. With regard to the dielectric barriers, two solutions for the 45 nm generation were evaluated: a plasma stabilized SiC layer and a SiCN bilayer. Their barrier efficiency was evaluated thanks to two methods developed in this study. That made it possible to qualify the performances of these new layers
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Jakab, Sandrine. "Cinétique de précipitation par voie électrochimique et de dissolution de solides mixtes de type molybdates ou hydroxydes/oxydes de lanthanide : étude de gravimétrie." Paris 6, 2009. http://www.theses.fr/2009PA066774.
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Diers, Mathieu. "Conception, étude et optimisation de nouvelles sources plasma à la résonance cyclotronique électronique. Application aux dépôts par voie chimique et par pulvérisation." Phd thesis, Université de Grenoble, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00782845.
Анотація:
Le groupe HEF (Hydromécanique Et Frottements), premier équipementier et façonnier français en traitements de surface par plasmas hors microélectronique, utilise dans ses procédés industriels des sources plasma micro-onde multi-dipolaires fonctionnant sur le principe de la résonance cyclotronique électronique pour la réalisation de dépôts de type DLC par PACVD, et pour l'assistance ionique à la croissance de couches CrN par pulvérisation magnétron réactive. Suite à la présentation de l'utilisation de ces sources pour des dépôts de DLC et des ajustements nécessaires pour leur mise en œuvre industrielle, les travaux de cette thèse portent sur le développement de nouvelles sources plasma micro-onde en vue d'améliorer l'uniformité des traitements de surface dans le volume du réacteur ainsi que la productivité des réacteurs plasma pour le dépôt de ces couches. Les résultats obtenus sont intéressants puisque le développement d'une source étendue a permis d'augmenter la vitesse de dépôt des couches DLC sans dégradation des propriétés mécaniques et d'obtenir une uniformité similaire à celle obtenue avec les sources multi-dipolaires en utilisant deux fois moins d'applicateurs micro-onde. Les réflexions portant sur l'amorçage du plasma ont permis d'identifier les voies d'amélioration de cette source pour valider son utilisation en milieu industriel. L'utilisation de cette source étendue pour l'assistance ionique à la croissance de couches telles que le nitrure de chrome CrN par pulvérisation magnétron réactive a démontré un potentiel intéressant en termes de propriétés mécaniques obtenues et a permis d'identifier des axes de développement de cette configuration.
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Liu, Chia-Erh. "Synthèse et caractérisation de nano-cristallites de TiO² à basse température : stabilisation de solutions colloïdales et dépôts par voie chimique." Nantes, 2008. http://www.theses.fr/2008NANT2049.
Анотація:
Parmi les propriétés physico-chimiques des oxydes de titane, la photoactivité est sans doute la plus attractive en raison de ses nombreuses applications dans le domaine de la protection de l’environnement : purification de l’air et décontamination de l’eau, photo-électrolyse de l’eau, photo-superhydrophilicité et production d’énergie avec le photovoltaïque. La mise en œuvre de ce matériau dans les cellules photovoltaїques de IIIème génération nécessite la réalisation d’un film mince et dense de TiO2 permettant d’éviter les court-circuits, surmonté d’un dépôt nanostructuré et poreux afin d’optimiser la collecte des porteurs de charge photogénérés, dans un gel photosensible à base d’oxyde de titane. Afin d’obtenir ces deux dépôts qui possèdent les caractéristiques souhaitées, il importe de mieux comprendre les mécanismes de la polycondensation des oxydes de titane à l’échelle atomique et de caractériser leurs propriétés; ensuite, il faut préparer des suspensions stables pour réaliser les dépôts par voie humide. Les études précédemment menées au sein de l’Institut des Matériaux Jean Rouxel, ont permis de synthétiser différentes variétés d’oxyde de titane par l’hydrolyse du précurseur [Ti8O12(H2O)24]Cl8. HCl. 7H2O en présence de l’hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAOH) en milieu aqueux, dans des conditions thermiques douces(≤120°C) en ajustant le rapport de Ti/TMAOH donc le pH. Pour un rapport R = Ti/OH = 0. 47, la structure lamellaire (TMA)2Ti2O4(OH)2 obtenue est caractérisée principalement par diffraction des rayons X et MET. Si la détermination de la structure n’a pas pu être complètement résolue, la modélisation par DFT a permis de confirmer un jeu de paramètres de maille dont la validité a été, par la suite, confirmée par affinement du diagramme de diffraction des rayons X. Par ailleurs, les distances interfeuillets ont été modulées par ajout de surfactants qui peuvent être photo-dégradés sous irradiation UV et conduire à des dépôts de TiO2 présentant une morphologie poreuse. Les rapports R = 0. 6 et R = 0. 8 permettent sélectivement de synthétiser à T<100°C, des nanocristallites d’oxydes de titane de structure brookite et anatase, respectivement. Leurs formules sont TiO1. 89(CO3)0. 05(OH)0. 13(H2O)0. 02 pour R = 0. 6 et TiO1. 88(CO3)0. 03(OH)0. 18(H2O)0. 09 pour R = 0. 8. Les carbonates adsorbés peuvent être liés au cation métallique sous deux formes : bidentate et monodentate La présence de ces groupements carbonates serait responsable des déformations du réseau observées par microscopie électronique sur les formes basse température de TiO2. Afin de vérifier l’influence des carboxylates, l’ajout d’acide malonique a été effectué dans ce système pour R = Ti/OH = 0. 4 et pH 8~9. Les particules d’anatase croissent préférentiellement selon [101] sous forme de bâtonnets. Les poudres avec R = 0. 8 et R = 0. 4 contenant l’acide malonique s’auto-arrangent en plaquettes denses et plates, de dimensions micrométriques. Les conditions de préparations de dépôts ont été étudiées : la stabilité des suspensions, les paramètres de trempage-retrait et tournette, le traitement de substrat SnO2/F. Un dépôt dense d’anatase avec une épaisseur de 50/80 nm et un dépôt poreux non cristallisé ont été obtenus. Les recherches visant à améliorer l’épaisseur des dépôts et la cristallinité sont en cours pour le développement de cellules photovoltaïques de IIIème génération
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Ocampo, Moreno Maricela. "Étude de l'effet de l'introduction de l'acide silicotungstique sur les dépôts de CdS et CdTe déposés par voie chimique et électrochimique et de leurs propriétés physico-chimiques." Mémoire, Université de Sherbrooke, 2006. http://savoirs.usherbrooke.ca/handle/11143/4737.
Анотація:
Les cellules solaires sont des dispositifs qui servent à transformer l'énergie solaire en énergie électrique. Ces dispositifs sont à base de semiconducteurs qui, par leurs propriétés optoélectroniques, présentent un grand intérêt pour d'autres applications que l'énergie solaire comme, par exemple, la photo-détection ou la photo-émission. Parmi les semiconducteurs, un des plus utilisés, en dehors du silicium, est le CdTe dont le rendement théorique est d'environ 25%. La largeur de la bande interdite de transition directe du CdTe est 1,5 eV. Il est donc plus efficace que le silicium. Le CdTe a aussi l'avantage de pouvoir être obtenu sous forme de couche mince par différentes techniques peu coûteuses. Le CdS est un autre semiconducteur, avec une largeur de bande interdite de transition directe de 2,45 eV qui, uni au CdTe, forme une jonction pn idéale pour fabriquer des cellules solaires. Le CdS peut être obtenu sous forme de couche mince par plusieurs techniques comme le dépôt par voie chimique. Malgré ces propriétés intéressantes, les couches peuvent présenter des défauts qu'il est nécessaire de corriger comme, par exemple, une mauvaise adhérence, une taille de grain trop petite, ainsi qu'une inhomogénéité et une résistivité élevée. L'acide silicotungstique (STA) a été utilisé comme catalyseur dans certains semiconducteurs afin d'améliorer leurs propriétés opto-électroniques comme la stabilité du dispositif. L'amélioration observée serait une conséquence de l'effet du STA sur d'autres caractéristiques telles que la taille de grain et l'homogénéité des couches. Le STA a été déjà utilisé sur le CdS pour étudier l'influence de ces couches sur les dispositifs photovoltaïques CdTe/CdS. L'utilisation du STA dans les systèmes d'élaboration de couches de CdS et de CdTe permettra d'améliorer la cinétique de réaction des couches minces plus homogènes de CdS et CdTe. L'objectif de ce travail est l'étude systématique de l'influence d'un ajout de STA dans les solutions de réaction sur les propriétés physiques, chimiques et optoélectroniques des couches minces de CdTe et CE en vue de leur possible utilisation dans les systèmes photovoltaïques. Différentes concentrations de STA ont été utilisées afin d'étudier l'influence de ce dernier sur les propriétés physico-chimiques de ces couches. Le dépôt des couches de CdS a été obtenu par déposition chimique en solution tandis que celui des couches de CdTe a été réalisé par électrodéposition en mode potentiostatique. Les couches de CdS ont été produites à différents temps de dépôt et elles ont subi des recuits à différentes températures et durées variables afin de déterminer les conditions optimales de dépôt.Les couches de CdTe ont surtout été élaborées à différents potentiels et temps de dépôt et à plusieurs concentrations de STA. La transmission optique a servi à étudier les propriétés optiques des couches obtenues. A partir des courbes de transmission, le calcul de la largeur de bande interdite et de l'épaisseur optique de couches donne, respectivement, des valeurs d'environ 2,3 eV et jusqu'à 500 nm pour les couches de CdS. Pour les couches de CdTe, les épaisseurs calculées ont atteint 1100 nm pour des couches sans STA et 1537 nm pour des couches avec STA. La largeur de bande interdite obtenue, pour le CdTe, sont comprises entre 1,47 eV et 1,5 eV. La technique Auger a permis de mesurer des épaisseurs de 220 nm pour le CdS sans STA et de 298 mn avec STA. L'analyse de la composition chimique a montré l'existence des éléments Cd et S et de traces de W pour le CdS et de Cd, Te, S et W pour le CdTe. Pour les couches de CdTe, les épaisseurs calculées par cette technique ont montrer des épaisseurs allant d'environ 600 nm à 1100 mn. Le rapport Cd: S dans la plupart des cas était inférieur à 1 et le rapport Cd: Te était majoritairement supérieur à 1. Par la technique de caractérisation XPS, on a trouvé que les couches de CdS étaient de type n. Cette technique a indiqué aussi que les énergies de liaison de Cd: S et de Cd: Te correspondaient au CdS et CdTe respectivement. Des analyses par diffraction de rayons X ont montré des pics de diffraction caractéristiques de la structure cubique pour les semiconducteurs étudiés, c'est-à-dire CdS et CdTe. L'homogénéité de couches, trouvée en utilisant la technique de microscopie à force atomique (AFM), variait entre 70 nm et 300 nm pour le CdS et entre 90 nm et 110 mn pour le CdTe. La caractérisation électrique des couches a révélé un courant de court circuit de -1,86 X 10[indice supérieur]-5 A et une tension de circuit ouvert de 5,97 X 10[indice supérieur -3] V dans l'obscurité. L'introduction de STA dans les solutions de dépôt a modifié les propriétés des semiconducteurs étudiés. Ces propriétés seraient améliorées si le STA était ajouté en faibles concentrations comme proposé au début du projet.
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Guillemin, Sophie. "Mécanismes de croissance de nanostructures de ZnO par voie chimie liquide et caractérisation avancée." Thesis, Lyon, INSA, 2014. http://www.theses.fr/2014ISAL0143/document.
Анотація:
Les travaux présentés dans ce manuscrit traitent des mécanismes de croissance associés au dépôt de nanofils d’oxyde de zinc (ZnO) en bain chimique. Cette technique de croissance, attractive de par sa facilité de mise en œuvre et son coût limité, consiste à immerger un substrat dans une solution de précurseurs portée à basse température (typiquement 90°) pendant quelques heures. Le dépôt préalable d’une fine couche de ZnO fortement texturée est nécessaire à l’obtention de la morphologie nanofils et il est donc nécessaire de maîtriser le processus de croissance associé. Dans un souci de cohérence, la méthode sol-gel dite de trempage consistant à immerger le substrat dans une solution de précurseurs avant de recuire la couche ainsi déposée est ici adoptée. Le ZnO, sous sa morphologie nanofils, est actuellement fortement étudié du fait de son fort potentiel applicatif. Typiquement, il peut être utilisé en tant que brique de basse dans la réalisation de cellules solaires de types Grätzel ou à absorbeur extrêmement fin. Dans ce contexte, il est nécessaire que les nanostructures élaborées présentent des propriétés physiques attractives et ces dernières doivent donc être finement caractérisées. Dans un premier temps, l’influence des paramètres expérimentaux associés au processus de trempage sur les propriétés morphologiques et structurales de films minces de ZnO déposés via ce processus est quantifiée. Il est montré à cette occasion que dans des conditions extrêmes de recuits, les couches évoluent vers une morphologie de type fil. Fort des conclusions obtenues, les mécanismes régissant la croissance de nanofils de ZnO en bain chimique, et plus particulièrement l’influence de la surface de nucléation sur ces derniers, sont étudiés. La possibilité d’obtenir des nanofils localisés et parfaitement alignés à travers la réalisation de masques est démontrée. L’ensemble des nanostructures élaborées (couches et nanofils) sont caractérisées par photoluminescence afin de pouvoir estimer leur qualité structurelle et d’étudier les défauts en présence. Pour finir, une étude plus fondamentale consistant à suivre in situ l’évolution des nanofils au cours de la croissance par rayonnement synchrotron est proposée avec une attention toute particulière aux phénomènes de polaritéZnO nanowires are of strong interest in the realization of solar cells based on type-II band alignment. They can be grown by chemical bath deposition, a technique in which the substrate is seeded with ZnO nanoparticles by dip-coating and then placed in a precursor solution heated at 90°C for a couple of hours. In this document, we will discuss the nucleation and growth mechanisms associated with this low cost technique. In particular, we will see how the seed layer morphology can drive the one of the nanowires. Also, advanced characterization by photoluminescence and synchrotron radiation will be performed on the grown nanostructures
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Hammadi, Zoubida. "Etude des propriétés de films minces de cuivre élaborés par la technique de dépôts par voie chimique en phase gazeuse à partir d'un composé organométallique." Aix-Marseille 2, 1993. http://www.theses.fr/1993AIX22021.
Анотація:
Nous avons entrepris l'etude des proprietes de films minces de cuivre elabores par la technique de depots par voie chimique en phase gazeuse en utilisant comme precurseur l'acetylacetonate de cuivre(ii). Les films ont ete realises dans un reacteur horizontal couple a une enceinte d'analyse. Ils ont ete caracterises in situ par une mesure de la reflectivite associee a la spectroscopie auger, et ex situ par des mesures de resistivite, par diffraction de rayons x et par microscopie electronique a balayage. Nous montrons qu'a 300c, il se forme sur silicium un film de cuivre et non pas un siliciure. Nous suggerons la formation d'une interface stable durant les premiers stades de la nucleation, bloquant l'interdiffusion des 2 especes. Le carbone et l'oxygene provenant d'une condensation ou d'une decomposition partielle des ligands sont responsables de ce blocage. Le carbone ne constitue pas un contaminant majeur, il se situe principalement en surface et a l'interface. Les proprietes des depots, en particulier la resistivite, sont comparables a celles obtenues pour des films evapores sous ultra-vide. La mesure de la reflexion speculaire permet de caracteriser la cinetique de croissance et d'analyser in situ par spectroscopie auger, a differentes etapes de la croissance, la composition chimique de la surface. La selectivite a ete obtenue a partir de ce precurseur sur un systeme metal/isolant. On peut obtenir des depots selectifs d'epaisseur maximale: 1 m sur le nitrure de chrome et non pas sur le polyphenylquinoxaline
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Grente, Karine. "Amélioration de la résistance à la corrosion à haute température de composites à matrice céramique élaborés par voie gazeuse." Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12784.
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Blévin, Thomas. "Élaboration et caractérisation de solutions dopantes au bore innovantes par voie PECVD : application à la fabrication de cellules solaires à homojonction." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10137/document.
Анотація:
Cette thèse explore deux voies alternatives d’élaboration de l’émetteur bore des cellules à base de silicium cristallin de type n, afin de simplifier leur procédé de fabrication, d’une part, et d’améliorer leur rendement de conversion, d’autre part. La première voie, orientée transfert industriel, propose l’utilisation d’une couche diélectrique dopante (SiOx:B) déposée par PECVD-LF, recuite par diffusion thermique. Des paramètres d’émetteur similaires à ceux obtenus dans le cas d’une diffusion gazeuse BCl3 sont recherchés. La seconde approche, plus amont, envisage quant à elle l’élaboration d’un hétéro-émetteur en silicium microcristallin dopé bore (µc-Si:B), obtenu par cristallisation thermique d’une couche de silicium amorphe dopée bore, déposée par PECVD-RF. La formation d’un hétéro-émetteur bore à haute température vise l’obtention de Vco plus élevées sur cellules n-PERT. L’élaboration et le suivi des propriétés des couches SiOx:B ont permis de mettre en évidence différents phénomènes ayant lieu lors de la diffusion. La qualification du dopage et de la passivation de l’émetteur bore a montré de bonnes performances. L’utilisation du SiOx:B lors d’une étape de codiffusion a permis de réaliser des cellules de type n-PERT (239 cm²) selon deux procédés simplifiés (3 étapes de moins) avec les rendements les plus hauts atteints à notre connaissance (20%) sur la structure considérée. D’autre part, les couches µc-Si:B ont été développées puis caractérisées. Le potentiel électrique des hétéro-émetteurs associés a été évalué sur structure symétrique indiquant que des iVco supérieures à 700mV peuvent être atteintes. L’évaluation de la prise de contact sur ce nouvel émetteur a été réalisée par sérigraphie. A ce jour, un phénomène de cloquage limite néanmoins l’intégration de cet émetteur en cellule complèteThis thesis focuses on two alternative boron emitter elaboration routes for n-type crystalline silicon solar cells in order to simplify fabrication processes on one hand, and to improve conversion efficiencies on the other hand. The first route, driven by industrial integration concern, proposes the use of PECVD-LF boron-doped dielectric layers (SiOx:B), annealed by thermal diffusion. Emitter parameters similar to those made by BCl3 gaseous diffusion are obtained on n-type substrates. The second approach, which is more exploratory, considers a boron-doped microcrystalline silicon layers (µc-Si:B) made by boron-doped amorphous silicon crystallization. The elaboration of this high temperature hetero-emitter targets higher open-circuit voltages than standard n-PERT cells.SiOx:B layers elaboration and structural properties study highlighted several phenomena occurring during diffusion annealing. Doping and passivation qualification of associated boron emitters showed good performances. The use of SiOx:B layers during a dopant codiffusion step led to industrial size (239 cm²) n-PERT solar cells fabrication according to two simplified processes (3 steps suppression) with, what is to our knowledge, the highest published efficiencies (20%) on the considered structure. On the other hand, µc-Si:B layers were developed and characterized. The electrical potential of associated hetero-emitters was assessed on symmetrical devices showing that iVoc higher than 700mV can be reached. Contacting on this new emitter was evaluated by metal screen-printing. However, to date, blistering issues limit emitter integration into solar cells
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Fraccaroli, Mathias. "Synthèse par CVD/ALD sur grandes surfaces d'un sulfure de vanadium transparent et conducteur." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALT006.
Анотація:
Dans un contexte de diversification des fonctionnalités sur silicium (more than Moore), les sulfures de transition sont actuellement activement étudiés pour la réalisation de dispositifs optiques originaux. Dans cette famille, certains matériaux présentent une structure lamellaire structurellement semblables au graphène. C'est le cas de certains sulfures de vanadium. La synthèse de ces films lamellaires reste activement dominée par les procédés CVD à haute température (>550°C). Cependant, pour espérer le développement d'une synthèse fiable, il est important de diminuer cette température de dépôt qui conduit à des films souvent peu uniforme et conforme. Dans ce travail nous avons étudié la potentialité d'une approche de dépôt par voie chimique en phase vapeur à basse température (200°C). Cette synthèse a permis l'obtention d'un film de sulfure de vanadium amorphe sur un substrat de 300mm et a montré la capacité de ce film à se réorganiser pour obtenir un film lamellaire de V7S8 après recuit thermique. Un film de 5,2nm présente des propriétés optiques et électriques intéressantes ; ce film est conducteur il possède une densité de porteur de 1,1.1023 cm-3, les porteurs majoritaires sont les trous (type p), une mobilité de 0,2 cm2.(V.s) -1, une conductivité de 1063 S.cm-1, un travail de sortie de 4,8 eV tout en préservant une bonne transparence (transmittance de 75% pour une longueur d’onde de 550nm)In the context of functional diversification (“More than Moore”), transition sulfides are currently being actively studied for original optical devices production. Some materials in this family have a lamellar structure, similar to graphene like vanadium sulfides. The synthesis of these lamellar films remains actively dominated by high-temperature CVD processes (> 550 ° C). However, in order to hope the development of a reliable synthesis methods, it's important to reduce this deposition temperature which leads to a poor uniformity and a poor conformity. In this work we have studied the potential of a chemical vapor deposition approach at low temperature (200 ° C). This method allow us to obtain an amorphous vanadium sulfide film on a 300 mm wafer and point out theirability to self-reorganize in order to obtain a lamellar film of V7S8 after thermal annealing. A 5.2nm film has interesting optical and electrical properties; this film is conductive with a carrier density of 1.1.1023 cm-3, the holes are the main charges carriers (type p), a mobility of 0.2 cm2. (Vs) -1, a conductivity of 1063 S.cm -1, an output work of 4.8 eV while preserving good transparency (transmittance of 75% for a wavelength of 550nm)
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Bouhouch, Lahoussine. "Élaboration des couches d'alliages NI-FE par voie électrolytique : Études électrique, magnétique et structurale." Nancy 1, 1988. http://www.theses.fr/1988NAN10089.
Анотація:
Mécanismes, caractéristiques et facteurs influant le dépôt électrolytique. Techniques d'élaboration et de dosage du fer dans les alliages NI-FE déposés. Influence des conditions opératoires sur la nature et composition des alliages élaborés. Étude des propriétés électriques magnétiques et de l'influence des traitements thermiques sur la structure des alliages
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Defforge, Thomas. "Optimisation de la gravure de macropores ordonnés dans le silicium et de leur remplissage de cuivre par voie électrochimique : application aux via traversants conducteurs." Thesis, Tours, 2012. http://www.theses.fr/2012TOUR4033/document.
Анотація:
Ces travaux de thèse portent sur la fabrication de via traversants conducteurs, brique technologique indispensable pour l’intégration des composants microélectroniques en 3 dimensions. Pour ce faire, une voie « tout-électrochimique » a été explorée en raison de son faible coût de fabrication par rapport aux techniques par voie chimique sèche. Ainsi, la gravure de macropores ordonnés traversants a été réalisée par anodisation du silicium en présence d’acide fluorhydrique puis leur remplissage de cuivre par dépôt électrochimique. L’objectif est de faire du silicium macroporeux une alternative crédible à la gravure sèche (DRIE) pour la structuration du silicium.Les conditions de gravure de matrices de macropores ordonnés traversants ont été étudiées à la fois dans des substrats silicium de type n et p faiblement dopés. La composition de l’électrolyte ainsi que le motif des matrices ont été optimisés afin de garantir la gravure de via traversants de forte densité et à facteur de forme élevé. Une fois gravés, les via traversant ont été remplis de cuivre. En optimisant ces paramètres une résistance minimale égale à 32 mΩ/via (soit 1,06 fois la résistivité théorique du cuivre à 20°C) a été mesuréeThese thesis works deal with the achievement of Through Silicon Via (TSV) essential technological issue for microelectronic device 3D integration. For this purpose, we opted for a “full-electrochemical” way of TSV production because of lower fabrication costs as compared to dry etching and deposition techniques. Indeed, ordered through silicon macropores were carried out by silicon anodization in hydrofluoric acid-containing solution and then filled by copper electrochemical deposition. The main objective is to determine if the macroporous silicon arrays can be a viable alternative as Deep Reactive Ion Etching (DRIE).The etching parameters of through silicon macropore arrays were studied both in low-doped n- and p-type silicon. The electrolyte composition as well as the density of the initiation sites was optimized to enable the growth of high aspect ratio, high density through silicon ordered macropores. After silicon anodization, through via were filled with copper. By optimizing the copper deposition parameters (bath composition and applied potential), the resistance per via was measured equal to 32 mΩ (i.e. 1.06 times higher than the theoretical copper bulk resistivity)
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Le, Febvrier Arnaud. "Couches minces et multicouches d'oxydes ferroélectrique (KTN) et diélectrique (BZN) pour applications en hyperfréquences." Phd thesis, Université Rennes 1, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00795542.
Анотація:
Ces travaux de thèse avaient pour but de proposer et d'étudier des hétérostructures multicouches originales, associant un matériau ferroélectrique et un diélectrique à faibles pertes, en vue de les intégrer dans des dispositifs hyperfréquences. Ces dispositifs électroniques nécessitent des matériaux avec une agilité élevée en tension accompagnée de pertes diélectriques faibles. L'étude s'est focalisée sur le matériau ferroélectrique KTa1-xNbxO3 (KTN) qui a récemment montré de fortes potentialités dans des dispositifs agiles et le matériau diélectrique relaxeur Bi1,5-xZn0,9-yNb1,5O7-d (BZN). Ces deux matériaux ont tout d'abord été étudiés séparément (caractérisations structurales, microstructurales et physiques). Les propriétés diélectriques ont été mesurées à basses fréquences (100 kHz) et à hautes fréquences (1 à 67 GHz) sur des films de KTN non-dopés et dopés par MgO. Une étude poussée du matériau BZN a montré une forte dépendance des propriétés optiques et diélectriques avec la microstructure des films. Finalement, l'association des deux matériaux, proposée pour la première fois, a été développée par deux méthodes de dépôt (PLD et CSD). Les mesures diélectriques des multicouches BZN/KTN/substrat ont montré une forte réduction des pertes diélectriques de 76% à basses fréquences et de 21% à hautes fréquences. Ces multicouches présentent une accordabilité d'environ 3% sous 22 kV/cm, supérieure à ce qui a pu être mesuré sur des couches minces ou multicouches à base d'autres matériaux ferroélectriques à champ électrique équivalent.
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Hildebrandt, Thibaud. "Optimisation des interfaces absorbeur/couche tampon/fenêtre avant dans les cellules solaires à base de Cu(In,Ga)Se2." Thesis, Paris 6, 2014. http://www.theses.fr/2014PA066720.
Анотація:
Le remplacement du CdS dans les cellules solaires à base de Cu(In,Ga)Se2 est un des défis majeurs de la communauté. À ce jour un des matériaux les plus prometteurs est le Zn(S,O,OH) déposée par voie chimique en solution. En raison de la faible vitesse de dépôt du matériau et des phénomènes de métastabilités présents dans les dispositifs formés, il apparaît nécessaire d’optimiser les conditions expérimentales et les interfaces. La 1ère partie de ces travaux a été consacré à l’optimisation des conditions de dépôt des couches minces de Zn(S,O,OH) grâce à l’introduction d’additifs. Il a été possible de souligner l’effet des additifs sur la composition des couches déposées et sur les vitesses de réaction. La 2ème partie de ces travaux a été consacrée à l’optimisation des conditions de dépôt par pulvérisation cathodique de la fenêtre avant (Zn,Mg)O/ZnO :Al permettant une diminution des phénomènes de métastabilité et une limitation de la migration de sodium jusqu’au Zn(S,O,OH). Ces conditions combinées à une variation de la composition de la surface du CIGSe a permis d’obtenir des rendements de photo-conversion supérieurs à ceux des références à base de CdSThe replacement of CdS-based buffer layer in Cu(In,Ga)Se2 solar cells has been one of the main challenges of the research community for the last decade. Today, one of the most promising alternative material is the chemically bath deposited Zn(S,O,OH). Because of its low deposition rate and of metastable behavior, it becomes necessary to proceed to an optimization of experimental conditions and of the various interfaces. The first part of this work has been dedicated to the optimization of the deposition bath thanks to the introduction of new additives. It has been possible to underline the additive effects on both the deposition rate and on the chemical composition of the deposited layers. The second part of this work has been dedicated to the optimization of the (Zn,Mg)O/ZnO:Al window layer. Thanks to an improvement of the sputtering conditions, it has been possible to reduce metastability of the solar cells, and to limit sodium migration up to the Zn(S,O,OH) layer. These optimized conditions combined to the variation of the CIGSe surface composition have allowed us to outperform CdS-based references solar cells
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Bou, Pierre. "Dépôt de diamant par CVD assistée par plasma micro-onde." Orléans, 1991. http://www.theses.fr/1991ORLE2061.
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Laduye, Guillaume. "CVD du carbure de silicium à partir du système SiHxCl4-x/CyHz/H2 : étude expérimentale et modélisation." Thesis, Bordeaux, 2016. http://www.theses.fr/2016BORD0116/document.
Анотація:
Le carbure de silicium est un matériau souvent employé comme matrice dans les composites thermostructuraux. Le précurseur classiquement utilisé pour son élaboration par dépôt/infiltration par voie gazeuse est CH3SiCl3. La thèse vise à évaluer le remplacement de ce précurseur par des précurseurs gazeux bi-sourcés de SiC où carbone et silicium sont apportés séparément.A partir du système SiHCl3/C3H8/H2, l’influence du débit total, de la température, de la pression totale et de (C/Si)gaz sont évaluées et comparées aux résultats obtenus avec le système CH3SiCl3/H2. La mesure in situ de la vitesse de dépôt permet de définir des lois cinétiques apparentes. L’analyse IRTF de la phase gazeuse indique que les évolutions des pressions partielles des différents produits stables sont corrélées avec les transitions cinétiques et les changements de composition du solide. Les simulations numériques de l’évolution de la phase gazeuse montrent une bonne corrélation avec les résultats expérimentaux et permettent de proposer des mécanismes homogènes et hétérogènes qui pourraient expliquer les écarts à la stoechiométrie du dépôt.L’étude de six précurseurs supplémentaires permet de mieux identifier le rôle des principales espèces en phase homogène et hétérogène, et notamment les précurseurs effectifs de dépôt. Enfin, l’étude de l’infiltration de matériaux poreux modèles révèle des améliorations significatives en termes d’homogénéité de vitesse de dépôt.Ainsi, des conditions propices à l’infiltration de carbure de silicium peuvent être obtenues en adaptant la réactivité de la phase gazeuse par la sélection de précurseurs initiaux et des chemins réactionnels qui en découlentSilicon carbide (SiC) is material of choice for the matrix of Ceramic Matrix Composites (CMC).CH3SiCl3/H2 mixtures are currently used as gas precursor for the synthesis of the CVI-SiC matrices.The present work considers the dual-source approach with two separate carbon and silicon precursorsmolecules.In the case of SiHCl3/C3H8/H2 mixture, systematic studies of total flow rate, temperature, total pressureand C/Si ratio of initial gaseous phase are realized. Kinetics obtained with growth rate measurements and solid composition are compared with results from CH3SiCl3/H2 mixture. On the basis of the apparent reaction orders and activation energies, experimental kinetic laws are derived. Through IRTF analysis of the gas phase, the partial pressures of the different stable products are correlated with deposition kinetic and solid composition. Results obtained in gas-phase kinetic simulation show a good correlation with the experimental results and a mechanism of homogeneous decomposition is proposed. A better understanding of the role of the principal species in homogenous and heterogeneous phase is obtained through the study of six other gas systems and the roles of some effective precursors are discussed. Finally, infiltration results of porous material models with different precursor systems reveal significant improvements as homogeneity of kinetic deposit.Hence, favourable conditions to silicon carbide infiltration can be obtained by adapting the reactivity of the gas phase, with the choice of initial precursors and homogeneous chemistry associated. Asystematic study of the process evidences promising working windows for the infiltration of pure SiCin porous performs
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Henrot, Serge. "Synthèse stéréo et énantiosélective de béta-hydroxy-esters fonctionnalisés par voie chimique et par voie microbiologique." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37605889c.
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Dannoux, Morgane. "Recyclage chimique des polyesters par la voie extrusion réactive." Lyon 1, 2001. http://www.theses.fr/2001LYO10100.
Анотація:
L'étude fournit les bases d'un nouveau procédé de valorisation chimique de déchets de PET au cours d'une opération d'extrusion. Le procédé se décompose en deux étapes : la conversion du PET en oligomères α, ω-difonctionnels et l'intégration de ces oligomères dans une nouvelle réaction chmique. Un grand nombre de travaux concernant le recyclage chimique du PET porte sur l'alcoolyse du PET en présence d'éthylène glècol : le PET réagit avec un large excès d'éthylène glycol conduisant au monomère et au dimère du PET au bout de plusieurs heures de réaction. L'alcoolyse du PET en présence d'oxyde de dibutylétain et d'un α, ω-diol est menée au sein d'une extrudeuse bi-vis sur des temps de séjour de l'ordre de la minute. La réaction est donc conduite dans un réacteur continu à l'état fondu sans solvant. La réaction entraîne des coupures au sein de la chaîne de PET et transforme le polymère en oigoesters téréphatalate α, ω-diols de masses molaires moyennes en nombre de l'ordre de 1000g. Mol-1 et de températures de fusion variables selon la nature de l'α,ω-diol réactif initialement introduit. Cette réaction est réalisée avec des quantités relativement faibles de reéactifs et de catalyseur. Les oligomères ainsi synthétisés sont analysés à l'aide de techniques classiques d'analyse des polyesters. Une méthode permettant de suivre la viscosité du mélange réactif au cours du temps à l'aide d'un spectromètre mécanique donne une bonne estimation de la cinétique de la réaction d'alcoolyse du PET et montre que les temps de réacion sont bien compatibles avec les temps de séjour au sein d'une extrudeuse. La deuxième étape envisagée est la réaction de ces oligomères avec un anhydride ou un dianhydride à l'état fondu afin de synthétiser un nouveau polymère ou prépolymère, et d'autres réactions peuvent être envisagées. Le but de ce procédé de valorisation du PET est le couplage de deux extrudeuses en cascade
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MARTINEAU, LAURE. "Valorisation du lactose par voie chimique : synthese du lactulose." Rennes 1, 1989. http://www.theses.fr/1989REN10033.
Анотація:
Synthese du lactalose par isomerisation du lactose en milieu basique. Un procede de cristallisation du lactalose a ete mis au point. Apres isomerisation d'une partie lactospe contenue dans les permeats de lait, il est possible de reconstituer le lait par ajout des retentats d'ultrafiltration. Des essais en quart de grand, apres demineralisation partielle, permettent de penser que ces laits supporteront les traitements thermiques habituels
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Pantiru, Magdalena. "Copolymérisation cationique d'acétals cycliques par voie chimique et photochimique." Montpellier 2, 2000. http://www.theses.fr/2000MON20081.
Анотація:
La polymerisation cationique des acetals cycliques par ouverture de cycle represente un processus complexe, du principalement a la reversibilite des reactions de transfert. On a copolymerise quatre monomeres entre eux - 1,3-dioxolane (dxl) ; 1,3-dioxepane (dh) ; 1,3-dioxane (dox) et 1,3,6-trioxocane (toc) - en presence de bf 3. Obu 2. Les rapports de reactivite pour ces quatre paires de monomeres etudiees prouvent une reactivite similaire pour le dh et toc et une grande difference pour les systemes dxl - dh, dxl - dox, dxl - toc, ce qui ne donne pas naissance aux copolymeres a blocs (comportement du a l'existence de la reaction de transacetalisation). Les sels de diaryliodonium et triarylsulfonium representent des amorceurs efficaces dans la photopolymerisation de dxl, dh et toc (dox ne homopolymerise pas, a cause de sa faible tension de cycle). Le veritable amorceur est le proton forme par la dissociation du photoamorceur en presence des radiations uv. Les valeurs obtenues pour les coefficients de propagation sont similaires a celles presentees dans la litterature. L'energie d'activation ne depasse pas la valeur de 16 kcal/mole. L'analyse rmn 1h met en evidence la structure de copolymere a distribution aleatoire pour ces copolymeres. L'existence du transfert avec le polymere (transacetalisation) conduit a cette structure, meme pour des monomeres ayant une grande difference de reactivite.
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Freiman, Gabriel. "Dépôt séquentiel de monocouches d'oxyde par voie humide pour la microélectronique." Phd thesis, Ecole Polytechnique X, 2006. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00002566.
Анотація:
La méthode de dépôt séquentiel par voie humide est une méthode adéquate pour obtenir des films denses et de bonne qualité aussi bien pour des applications aux diélectriques que pour des composés hybrides. En utilisant un automate programmable dans une atmosphère contrôlée d'azote, un échantillon de silicium est alternativement trempé dans des solutions diluées d'alkoxydes, d'acide phosphorique et d'eau (hydrolyse). Chaque séquence est suivie d'un rinçage à l'éthanol afin de greffer seulement une monocouche et dans de l'eau afin d'activer le substrat pour le cycle suivant. Un meilleur control de la densité des films par rapport au dépôt sol-gel classique est obtenue en travaillant avec des solutions très diluées (< 10-3 mol / L) et des vitesses de retrait lentes ! (< 2 cm/min). Des films de phosphate de titane (ou zirconium) bidimensionnels, des dépôts alternés de couches d'oxydes (ZrO2)n et des couches de phosphate de lanthane dopées par de l'europium (Eu3+) ont été élaborés sur du silicium grâce à cette méthode.
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Guillain, Frédéric. "Dépôt par voie liquide de couches interfaciales pour cellules photovoltaïques organiques." Thesis, Bordeaux, 2014. http://www.theses.fr/2014BORD0198/document.
Анотація:
L’industrialisation des cellules photovoltaïques organiques implique le développement de plusieurs aspects. Une augmentation des rendements de conversion, une amélioration de la stabilité et la mise au point de procédés de dépôt en ligne. Ce dernier point va passer par le développement de dépôt par voie liquide des différentes couches composant les dispositifs. Dans ma thèse je vais m’intéresser à un type de couche, les couches de transport de charges. Ces couches sont disposées entre la couche photo-active et les électrodes afin d’améliorer l’extraction des charges générées au sein de la première vers ces dernières. Je vais focaliser mon étude sur les couches de transport de trous. Afin de remplacer le matériau couramment utilisé (PEDOT:PSS), on utilise souvent les oxydes de métaux de transition.Ces matériaux habituellement évaporés, sont déposables en voie liquide à partir de suspensions de nanoparticules, ou de précurseurs (ex: sol-gel). J’ai développé 3 approches au cours de ma thèse. Dans la première, un dépôt par voie sol-gel d’oxyde de tungstène ou de vanadium a permis d’obtenir des rendements similaires à ce qui est obtenu avec les mêmes matériaux évaporés. Dans la deuxième approche un dépôt d’oxyde de cobalt (II, III),m’a permis d’améliorer l’extraction des charges. Néanmoins le matériau présente des difficultés de mise en forme ne permettant pas d’atteindre des rendements à l’état de l’art.Finalement une approche plus originale a été développée, une diffusion induite thermiquement d’un dopant, déposé par voie liquide à l’interface organique/métal m’a permis d’obtenir des rendements similaires à ce qui est obtenu avec des structures classiquesIn order to allow the industrialisation of organic photovoltaic cells, power conversion efficiency must be increased, stability must be improved, and in-line deposition processing (solution processing of each layer) must be developed. This work presents the development of solution-processed interlayers, layers inserted between the photoactive organic layer and electrodes in order to enhance charge extraction. This study is focused on the hole transport layer and, in particular, the replacement of the commonly used material PEDOT:PSS. A frequent approach to achieve this is the use of transition metal oxide layers such as MoO3 orV2O5. These oxides are usually deposited by evaporation but can be solution-processed from precursor solutions (e.g. sol-gel) or nanoparticle suspensions. This work considers three approaches. In the first, the use of sol-gel deposited tungsten or vanadium oxide led to an enhancement of hole extraction, allowing efficiencies in the range of what is expected for state of the art materials to be reached. The second approach involved the use of solution processed cobalt oxide. Although the use of this material enhanced charge extraction, due to a deposition issue, efficiency did not reach expected value. Finally, thermally induced diffusion of a solution-processed dopant was utilised, which is a novel approach. The dopant deposited at the organic/metal interface enhances hole extraction and leads to power conversion efficiencies similar to reference cells incorporating an evaporated metal oxide interlayer
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Ricci, Martine. "Carbonitrures hydrogénés obtenus par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma réactif." Bordeaux 1, 1991. http://www.theses.fr/1991BOR10568.
Анотація:
Grace a un dispositif de depot chimique en phase vapeur assiste par un plasma reactif, nous avons pu elaborer des materiaux dans des etats metastables. Une analyse des contraintes experimentales et plus particulierement une etude de l'influence des melanges gazeux precurseurs a permis de mette en evidence l'existence de trois types de depots: un carbone amorphe hydrogene, un pyrocarbone basse temperature et un carbonitrure hydrogene qui a montre la reactivite de l'azote et du methane des la temperature ambiante. Nous avons alors developpe la chimie sous plasma et l'aspect mecanismes reactionnels. Ensuite la structure et les proprietes physiques de ces carbonitrures hydrogenes ont ete etudiees grace a l'utilisation de techniques de caracterisation physico-chimiques. L'etude de la stabilite thermique a montre que la presence d'azote dans le film rend celui-ci infusible, thermostable et dur. Une modelisation de l'evolution structurale est faite en fonction des traitements thermiques permettant d'etablir une relation entre structure et proprietes
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Nugier-Chauvin, Caroline. "Modifications regioselectives du saccharose par voie chimique et/ou enzymatique." Rennes 1, 1991. http://www.theses.fr/1991REN10071.
Анотація:
La possibilite de modifier selectivement le saccharose, produit naturel tres abondant et peu couteux, sans protection prealable des hydroxyles, constitue un probleme fondamental au plan scientifique et au niveau economique. Les travaux decrits dans ce memoire, ont ete consacres a la recherche de methodes d'acylations selectives de ce disaccharide, les esters et les carbamates correspondants, etant des derives interessants en tant qu'intermediaires de synthese d'une part et du fait de leur interet propre d'autre part. Nous avons developpe une synthese tres selective de 2-o-acylsaccharoses (esters et carbamates). A notre connaissance, une telle selectivite vers un hydroxyle secondaire, n'avait pas ete mise en evidence par d'autres equipes. Les 6-o-acylsaccharoses ont ete obtenus soit par isomerisation intramoleculaire controlee des 2-o-acylsaccharoses correspondants, soit par acylation directe de l'hydroxyle le plus nucleophile. En faisant intervenir une acylation par voie chimique suivie d'une hydrolyse enzymatique partielle, nous avons abouti aux 6-o-acylsaccharoses. La plupart des derives precedents sont des composes originaux. La determination des structures des divers regioisomeres a necessite notamment l'utilisation de techniques nouvelles en spectrometrie de masse (lc-isp/ms et lc-isp/ms/ms). Les 6-o-acylsaccharoses ont ete utilises pour synthetiser des diesters mixtes qui pourraient constituer des tensioactifs bicatenaires, destines a preparer des vesicules
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IGNATIOUS, FRANCIS-XAVIER. "Insertion de cations organiques dans le polyacetylene par voie chimique." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1989. http://www.theses.fr/1989STR13035.
Анотація:
Mecanisme du dopage par des cations organiques et cinetique d'insertion des cations dans le film. Pour un meme taux de dopage, la conductivite diminue lorsque la taille du cation insere augmente. La stabilite intrinseque des complexe (ch)::(x)/r::(4)n**(+), bonne a temperature ordinaire, est fortement activee a 100**(o)c (mecanisme de degradation du type hofman)
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Sanchez, Cadena Lorena Eugenia. "Valorisation par voie chimique de déchets de tôles d'aluminium laquées." Châtenay-Malabry, Ecole centrale de Paris, 2007. http://www.theses.fr/2007ECAP1056.
Анотація:
"La valorisation de complexes métal polymère où l’objectif est de récupérer le métal, et dans quelques cas recycler le polymère, pose toujours problème Par exemple, dans le cas des tôles d’aluminium laquées, l’incinération qui est la valorisation la plus utilisée, ne reste pas sans reproche. Le polymère est perdu, le dégagement de composés organiques volatils (COV) est considérable, et au final il reste des "crasses" de carbone dans l’aluminium. L’objet de cette thèse est de montrer en quoi la solvolyse peut, dans certains cas, se révéler être une méthode efficace pour résoudre ces problèmes. Elle nous permettra d’obtenir d’un coté l’aluminium nu et propre et de l’autre la résine dépolymérisée. Deux types de polymères réticulés ont été étudiés : des feuilles d’aluminium revêtues par des résines époxy et des feuilles d’aluminium revêtues par une résine acrylate durcie sous rayonnement UV ou par faisceau d’électrons (FE). Les différents essais de décapage (désadhésion de la laque) que la littérature propose se sont montrés négatifs. Par contre la glycolyse de ces feuilles revêtues a donné des résultats positifs pour chaque résine. Nous avons étudié dans les deux cas la glycolyse tout d’abord sur des résines modèles puis sur des résines commerciales. Différents paramètres ont été modifiés afin de trouver les meilleures conditions pour obtenir, d'une part une feuille d’aluminium propre, et d'autre part les résines dépolymérisées dissoutes dans le solvant. Les conditions choisies finalement sont :Pour les résines époxy : DEG, KOH, 200°C, 2h, agitation magnétique. "
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Labatut, Christine. "Contribution à l'étude des revêtements d'alumine par dépôt chimique en phase gazeuse." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20158.
Анотація:
Des depots d'alumine pure et contenant une quantite variable de fer ont ete elabores par depot chimique en phase gazeuse sous pression reduite a partir de deux melanges gazeux et dans le cas de dopage au fer a partir d'un systeme plus complexe. Les conditions de depot ont ete choisies a partir des resultats de l'etude thermodynamique des deux premiers systemes gazeux. Dans le cas de revetements d'alumine pure, l'influence de la temperature a tout particulierement retenu notre attention. Un parallele entre la croissance cristalline theorique et les differentes morphologies obtenues a mis en evidence l'importance de l'adsorption des molecules du type hcl. L'adherence des couches d'alumine a ete amelioree en intercalant une couche de nitrure d'aluminium. Par le biais d'une analyse de l'alumine dopee par spectroscopie mossbauer et par microscopie electronique a transmission, trois phenomenes ont pu etre observes: la multiplicite des etats d'oxydation du fer dans les depots, la presence d'une solution solide ainsi qu'une heterogeneite marquee. Des essais de comportement thermique de nos depots soumis a des flux radiatifs intenses a l'aide d'un concentrateur solaire montre que les depots d'alumine pure presentent des fissurations alors que ceux contenant du fer ont une bonne tenue au choc thermique
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Mouchon, Arnaud. "Mécanismes de pyrolyse des hydrocarbures et dépôt de pyrocarbone par CVD/CVI." Bordeaux 1, 2004. http://www.theses.fr/2004BOR12916.
Анотація:
"Une étude des mécanismes de pyrolyse des hydrocarbures, conduisant au dépôt de pyrocarbone par CVD/CVI, a été menée suivant une double approche expérimentale/numérique. A partir du précurseur propane, la phase gazeuse a été analysée in-situ (spectroscopie IRTF) en cours d'infiltration et en ligne (CPG) en CVD ou CVI : le rôle des espèces en C2 dans la formation du pyrocarbone dit " faiblement anisotrope" et celui des espèces en C3 dans celle du pyrocarbone dit "laminaire colonnaire" ont été identifiés. Les caractérisations micro -et nano-texturales (MOLP, MET et spectroscopie Raman) des dépôts réalisés ont permis d'établir des mécanismes de croissance distincts pour chacune des formes de pyrocarbone laminaire. Des mécanismes homogènes détaillés décrivant la pyrolyse du propane et du méthane ont été introduits dans diverses modélisations numériques de réacteurs 0D et 1D. Ils ont été validés par confrontation avec différentes analyses expérimentales de la phase gazeuse. Des corrélations ont été établies entre la composition de la phase gazeuses déterminée par les modèles et le dépôt des microtextures principales. Les précurseurs effectifs à nombre impair de carbone semblent ainsi favoriser l'anisotropie du pyrocarbone, tandis qu'à l'inverse un précurseur effectif à nombre pair de carbone conduit à la formation de défauts et donc à une chute d'anisotropie. Sur cette base, des schémas réactionnels ont été pjroposés pour décrire la formation des microtextures principales déposées à partir de propane et de méthane. "
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Remondière, Fabien. "Utilisation de la voie chimique pour le dépôt de films minces de matériaux ferroélectriques de structure perovskite." Limoges, 2006. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/4c046d36-8668-4c14-ac8c-bc6dc58e1074/blobholder:0/2006LIMO0024.pdf.
Анотація:
Les oxydes de structure perovskite Na0,5Bi0,5TiO3 (NBT) ou dérivés tels que les phases d'Aurivillius, MBi4Ti4O15 (M=Ba ou Sr) sont des candidats à l'élaboration de mémoires ferroélectriques non-volatiles exemptes de plomb. Le dépôt de films minces de MBi4Ti401S par décomposition d'organométalliques est étudié en fonction de la température de recuit, de la rampe de chauffe et de l'excès de bismuth introduit en excès dans le sol. Deux points sont mis en exergue : un effet de texture (00l)//(400)Si qui se justifie par l'anisotropie de la maille et l'utilisation d'une rampe de chauffe rapide RTA, un fort degré de texture est obtenu par l'ajout d'une couche de nucléation orientée à l'interface interne. Le procédé sol-gel appliqué à NBT a permis de cristalliser des films monophasés à basse température (T<500°C) au sein desquels une activité piézoélectrique a été mise en évidence par - microscopie à force atomique (piézo-réponse). Des modifications sur le procédé sont réaliséesPerovskite based-oxides e. G. Na0,5Bi0,5TiO3 (NBT) or Bi-layered perovskites, called Aurivillius phases, MBi4Ti4O15 (M=Ba or Sr) are lead-free candidates for the fabrication of non- volatile ferroelectric memories. The chemical solution deposition of MBi4Ti4O15 thin films is studied as a function of annealing temperature, heating rate and bismuth exc. Ess, contained into the sol. Two specific points are extracted : a texturation along (OOl)//(400)Sijustified by the anisotropy of the unit cell and the use of a rapid heating rate (RTA), a strong texture is obtained with the addition of an oriented seeding layer at the internaI interface. The sol-gel method applied to NBT system permits to crystallize single phase thin films at low temperature (T<500°C). Such films are piezoelectric view to the atomic force microscope - (piezoresponse) analysis. Nevertheless some modifications have been undertaken
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Levesque, Olivier. "Matériaux composites carbonés obtenus par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma réactif." Bordeaux 1, 1989. http://www.theses.fr/1989BOR10574.
Анотація:
Le depot chimique en phase vapeur est un procede qui utilise le craquage thermique d'hydrocarbures pour l'elaboration des composites carbone/carbone. L'ajout d'un plasma reactif permet d'accroitre la dissociation du gaz et d'operer a plus basse temperature. Le role des principales contraintes experimentales (temperature, pression, debit, puissance du plasma. . . ) sur la dissociation de l'hydrocarbure (methane) et sur la quantite de depots carbones formes a ete etudie dans le but d'optimiser le procede et d'effectuer une correlation avec les caracteristiques chimiques et structurales de ces materiaux. L'infiltration utilisant cette technique est comparee a celle d'une decomposition thermique. Un modele mathematique traduisant la competition entre la reactivite chimique et le transport de matiere a ete developpe pour rendre compte des resultats obtenus
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Hellala, Nesrine. "Synthèse et caractérisation chimique de cristaux et films de diamant par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes." Thesis, Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 2006. http://www.theses.fr/2006INPL075N/document.
Анотація:
L’objectif de cette étude était la caractérisation chimique de cristaux et films de diamant élaborés par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes sur silicium. Il s’agit d’une approche pluritechnique fondée essentiellement sur les techniques spectroscopiques. La spectroscopie Raman, la spectroscopie XPS, la diffraction des rayons X et la microscopie électronique à balayage ont fournis des informations essentielles et complémentaires sur les propriétés physico-chimiques et structurales des dépôts de diamant en fonction de différents paramètres de synthèse. A titre d’illustration, une nouvelle transition électronique a été observée pour les films présentant des surfaces hydrogénées. Cette transition présente un gap de surface voisin de 2,7 eV mise en évidence par un effet Raman de résonance. Des contraintes internes anisotropes sont observées pour les films présentant un axe de fibre <110> et pour des cristaux multimaclés isolés présentant une germination secondaireThe aim of this work was to investigate chemical characterization of diamond crystals and films elaborated by microwave plasma assisted chemical vapour deposition on silicon. This study was focused on a pluri-technique approach founded on the spectroscopic techniques. Raman spectroscopy, XPS spectroscopy, X-ray diffraction and scanning electron microscopy have provided essential and additional information about physico-chemical and structural properties of diamond deposits according to a various synthesis parameters. As examples, a new electronic transition was observed for hydrogen-terminated diamond surface films. This transition presents a surface gap at 2,7 eV provided by a resonant Raman. Anisotropic internal stresses were observed for films presenting a fiber axis <110> and for isolated twinned crystals presenting a secondary nucleation
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Longo, Maria Asuncion. "Modification d'enzymes par voie chimique et enzymatique : étude de leurs propriétés." Toulouse, INSA, 1995. http://www.theses.fr/1995ISAT0006.
Анотація:
Les effets des modifications de la surface de trois enzymes (lysozyme, -chymotrypsine et lipase de candida rugosa) sur leurs proprietes a ete etudie. Deux types de molecules ont ete utilises pour la modification: des glycosides, a caractere nettement hydrophile, et un polymere amphiphile, le polyethylene glycol. La liaison des glycosides a ete effectuee en deux etapes, le greffage preliminaire d'un certain nombre de molecules de saccharose par voie chimique suivi de l'elongation par voie enzymatique des chaines glycosidiques. Le polyethylene glycol a ete fixe chimiquement. Les reactions ont ete optimisees, afin d'obtenir divers degres de derivatisation dans tous les cas. Les proprietes de surface (hydrophobicite, charge), les activites hydrolytiques et synthetiques, la stabilite thermique et les parametres cinetiques des enzymes ainsi modifiees ont ete etudies
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JACCON, THIERRY. "Poudres ultra-fines de zircone : syntheses par voie chimique en solution." Limoges, 1990. http://www.theses.fr/1990LIMO0082.
Анотація:
Des poudres ultra-fines de zircone ont ete realisees par deux methodes: 1) sol gel/aerogel. Des gels polymeriques sont prepares dans le systeme zr(oc#3h#7)#4-ch#3cooh-c#3h#7oh-h#2o. L'utilisation de l'acide acetique permet de controler le mecanisme d'hydrolyse-condensation durant la gelification. Wles mecanismes chimiques intervenant ont ete etudies par spectrometrie infrarouge (ftir). Nous pouvons decrire la formation d'un gel par un mecanisme a deux etapes: premierement, une reaction de carboxylation donne tres rapidement un precurseur modifie zr(opr)#4##x(ch#3coo)#x; deuxiemement, une reaction de condensation, entre les ligands acetates et propyles directement lies au zr, forme un oxyacetate. Les aerogels sont obtenus par une evacuation hypercritique du solvant des gels. Les aerogels, dont la surface specifique superieure a 400. 13#3 m#2/kg et une masse volumique de 100 a 1000 kg/m#3, peuvent etre consideres comme des poudres ceramiques ultra-fines. La microstructure determinee par diffusion centrale des rayons x depend de la concentration en zirconium de la solution gelifiante. L'aerogel amorphe cristallise en phase tetragonale. L'aerogel calcine consiste en un assemblage de particules spheriques formant des chaines interconnectees. 2) cristallisation hydrothermale. Des solutions colloidales de zircone cristallisee ont ete synthetisees par thermohydrolyse d'une solution d'acetate de zirconium. La formation peut etre decrite par un mecanisme a trois etapes: premierement, une gelification par agregation physique; deuxiemement l'hydrolyse instantanee des groupements acetates menant a une nucleation explosive; et une etape de croissance des cristallites
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Bocquet, Pascal. "Etude numérique et expérimentale d'un réacteur de dépôt sur fibre par voie PVD." Paris 11, 2001. http://www.theses.fr/2001PA112324.
Анотація:
Cette thèse est centrée sur l'étude d'un réacteur tubulaire de pulvérisation cathodique triode à confinement magnétique. Ce dispositif conçu à l'ONERA, est utilisé pour la production en continu de dépôt d'alliage de titane sur des fibres en carbure de silicium (SiC) destinées à la fabrication de composites à matrice métallique (CMM). Le travail exposé dans ce mémoire est axé sur l'étude du plasma d'argon utilisé dans ce dispositif. Il a pour objet de comprendre le fonctionnement du réacteur de dépôt PVD afin d'optimiser le procédé de fabrication. Parallèlement aux travaux expérimentaux réalisés, les difficultés de mise en oeuvre de diagnostic local du plasma, ont nécessitées le développement et l'utilisation d'un code de modélisation particulaire (MCC-PIC) de l'enceinte de dépôt. Les comparaisons entre les dépôts réalisés sur fibres fixes ou défilantes, les mesures par spectroscopie et les résultats numériques permettent d'interpréter les phénomènes majeurs observés dans la décharge. .This thesis is devoted to the study of a triode cathodic tubular sputtering device with a magnetic confinement. This facility, designed by the ONERA, is used for the online production of titanium alloy coat on silicon carbide (SiC) fibres for the industrial manufacture of metal matrix composites (MMC). The work reported in this thesis is based on the study of the argon plasma used in the reactor. It aims at answering the two following questions: how this production tool is working? and what is about its limitations? Concurrently with the experimental studies, we developed and used a particles simulation code (MCC-PIC) of the coating chamber. It gives access to some plasma parameters hardly measurable because of the tubular geometry of the device. The comparison between the coatings produced with static and running fibres, the spectroscopy measurements and the numerical results allow us to understand the major part of the physical phenomena observed in the discharge. .
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Bachelet, Romain. "Couches minces d'oxydes élaborées par voie sol-gel, épitaxiées et nanostructurées par traitements thermiques post-dépôt." Limoges, 2006. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/4cc09354-efa8-4f34-bdf3-4f9197e96005/blobholder:0/2006LIMO0044.pdf.
Анотація:
Ce travail concerne l’élaboration par voie sol-gel de couches minces d’oxydes épitaxiées par traitements thermiques post-dépôt. Ces traitements thermiques induisent la formation de nanostructures constituées d’îlots nanométriques. Différentes nanostructures ont été réalisées sur différentes surfaces monocristallines préparées spécifiquement. Nous avons obtenu des îlots plats sur des substrats lisses, des îlots en forme de dôme sur des surfaces rugueuses et des îlots plats inclinés sur des surfaces vicinales. Nous avons montré que, lorsque le diamètre des îlots est inférieur à la largeur moyenne des terrasses d’une surface vicinale nanostructurée, il est possible d’élaborer des rangées auto-organisées de nano-îlots. Ces couches nanostructurées ont été étudiées par microscopie à force atomique et par diffraction de rayons X à haute résolution en utilisant la cartographie du réseau réciproqueThis work deals with elaboration of epitaxial oxide thin films by post-deposition thermal treatments from sol-gel method. The thermal treatments induce the formation of nanostructures made of nano-islands. Different nanostructures have been realized on different pre-patterned monocrystalline surfaces. Flat-top islands have been obtained on smooth substrates, dome-shaped islands on rough substrates and tilted flat-top islands on vicinal surfaces. When the island diameter is smaller than the mean terrace length of step-bunched vicinal surface, self-organized arrays of nano-islands can be encountered. The nanostructured thin films have been studied by atomic force microscopy and x-ray diffraction using reciprocal space mapping
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Prestigiacomo, Morgane. "Fabrication et étude de structures sub-microniques déposées par faisceau d'ions focalisés (FIB)." Aix-Marseille 2, 2005. http://www.theses.fr/2005AIX22051.
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Lajzerowicz, Pierre. "Modélisation de l'élaboration de composites carbone-carbone par dépôt chimique en phase vapeur." Grenoble INPG, 1987. http://www.theses.fr/1987INPG0144.
Анотація:
L'elaboration industrielle de composites carbone-carbone par depot chimique en phase vapeur se revele tres sensible aux conditions operatoires (temperature, pression. . . ). La modelisation des transferts de matiere dans un pore cylindrique fournit des indications pertinentes permettant d'optimiser les conditions de densification de substrats aleatoires. On a d'abord caracterise le substrat de fibres de carbones, realise une etude cinetique sur le depot de pyrocarbone par pyrolyse du methane et quantifie le transfert de matiere dans pore. A partir des resultats, on a elabore un modele mathematique original rendant compte de la densification de pores droits cylindriques. En considerant le substrat apres rigidification comme un ensemble de pores de meme tortuosite sans interconnexion, le modeler permet de decrire de facon satisfaisante la densification de divers substats dans des conditions operatoires variees
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Brinza, Ovidiu. "Stratégies pour la croissance de cristaux de diamant par CVD assisté par plasma micro-onde." Paris 13, 2009. http://www.theses.fr/2009PA132005.
Анотація:
L’objectif de ce travail était d’optimiser un procédé de croissance CVD de films de diamant monocristallin et de développer des outils permettant d’établir des stratégies de croissance. Dans un premier temps, l’observation de faces {113} à l’état stationnaire sur nos cristaux de diamant, nous a incité à développer un modèle de croissance géométrique 3D dont les paramètres d’entrée sont les vitesses de déplacement des plans {111}, {110} et {113} normalisées par rapport à celles du plan {100} (respectivement α, β et γ). La validation de ce modèle par la détermination expérimentale des vitesses de croissance dans les différentes directions cristallographiques {100}, {111}, {110} et {113} en fonction des conditions de croissance a été démontrée. Un outil était alors disponible pour élaborer des stratégies de croissance en vue d’obtenir une morphologie particulière ou d’augmenter la surface des plateaux des cristaux en croissance. Le substrat de diamant utilisé jouant un rôle primordial sur la qualité de la croissance, une étude de son prétraitement et de sa provenance a été menée. Ainsi, il a été montré que pour l’obtention de films épais de diamant CVD, même lorsqu’une forte densité de puissance est utilisée, il est indispensable de faire subir préalablement au substrat un plasma d’attaque en milieu H2/O2. Il a également été démontré que les substrats synthétiques HPHT Ib sont, bien que contenant une forte teneur en azote, très bien adaptés pour réaliser des films épais car ils présentent relativement peu de dislocations et des caractéristiques de polissage meilleures que les substrats CVD disponibles à l’heure actuelle. Enfin, des solutions sont proposées pour limiter le coût de production de ce matériau qui est élevé. L’une d’elles consiste à utiliser une décharge pulsée permettant d’augmenter les vitesses de dépôt de près de 25% tout en réduisant la puissance micro-onde moyenne injectée de 15%, et en conservant une qualité de matériau équivalente. La deuxième solution consiste à introduire de l’azote en phase gazeuse, composant bien connu pour augmenter fortement les vitesses de croissance. Cette étude a mis en évidence que, à haute densité de puissance, un fort couplage entre la température de dépôt et la teneur en azote existe. En particulier, lorsque la concentration d’azote est augmentée, le mode de croissance évolue d’un mode de croissance par écoulement de marches vers un mode de croissance par germination bi-dimensionnelleThis study aims to optimize a CVD growth process for mono-crystalline diamond films and to develop tools suitable for the development of growth strategies. In a first stage, the observation of stabile {113} faces on our diamond crystals has motivated us to develop a 3D geometric growth model whose input parameters are the displacement speeds of {111}, {110} and {113} respectively, which are normalized to those of one the {100}faces ( denoted α, β and γ respectively). The validation of the proposed model was demonstrated through the experimental measurement of the growth speeds of {100}, {111}, {110} and {113} crystallographic orientations respectively, which depend on the growth conditions. However, with this tool a particular growth strategy can be developed, in order to obtain a specific morphology, or to increase particular surface planes of the growing crystals. As the diamond substrate used played an important role in the growth quality, a study concerning its pre-treatment and origin was carried out. It has been demonstrated that in order to obtain thick CVD diamond films, using high microwave power density, it is essential that the substrate be etched by a H2/O2 plasma. Furthermore, it has been proven that synthetic HPHT Ib substrates, despite having a high concentration of nitrogen, are well-suited to obtaining thick films as they have relatively few dislocations, including theirpolishing characteristics which are better than the currently available CVD substrates. Finally, solutions are proposed to limit the production cost of this material which is quite high. The first refers to using a pulsed-discharge which allows an increased deposition speed by almost 25%, reducing at the same time the average injected microwave power by 15%, as well as preserving a material quality equivalent to that obtained before. The second solution refers to introducing nitrogen in the gas phase, a well-known component for its capacity to considerably increase the growth speed. Moreover, the highlight of this study is that, at a high power density, there is a strong link between the deposition temperature and the nitrogen concentration; when the nitrogen concentration is increased, the growth mode evolves from a step-flow to a bi-dimensional mode
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Ponsart, Stéphanie. "Modification chimique de polyesters aliphatiques biorésorbables par voie anionique : une nouvelle voie d'accès à des copolyesters fonctionnalisés." Montpellier 1, 2000. http://www.theses.fr/2000MON13504.
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Loubat, Anais. "Croissance par voie chimique et propriétés de transport électronique de nanofils d'or." Phd thesis, INSA de Toulouse, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01037878.
Анотація:
Les nanofils d'or ultrafins sont des objets fascinants présentant une morphologie quasi 1D, leur diamètre n'excédant par 2 nm pour une longueur micrométrique. Les quelques 30 atomes qui composent la section de ses fils sont principalement des atomes de surface, permettant d'envisager des applications de type capteurs. De plus, l'anisotropie de forme unique pourrait permettre un confinement électronique unidimensionnel, menant à de nouvelles propriétés physiques. Nous avons réalisé une étude fondamentale de la synthèse et réaliser une première étude de transport sur une assemblée de nanofils.La première partie du manuscrit, divisée en quatre chapitres, consiste en l'étude du mécanisme de croissance de ces nanofils ultrafins. Suite à une analyse détaillée des modèles proposés, nous introduisons la technique de diffusion des rayons X aux petits angles (SAXS) utilisée pour nos études mécanistiques. Le chapitre 3 est consacré à l'étude de la synthèse de nanofils en milieu confiné. Contrairement aux postulats précédents, un suivi cinétique in-situ par SAXS nous a permis de montrer que la phase lamellaire n'intervenait pas dans la croissance des objets, voir même qu'elle était détrimentaire à leur formation. Le dernier chapitre présente la synthèse en milieu isotrope. Un mécanisme de croissance efficace où les sphères jouent le rôle de germe est avancé. L'auto-organisation des fils en solution suivant une phase hexagonale appuie l'hypothèse d'une stabilisation des fils par une double couche d'oleylamine et de chlorure d'ammonium. Un mécanisme de croissance analogue aux mécanismes proposés pour les bâtonnets d'or dans l'eau est donc proposé.La deuxième partie du manuscrit, divisée en trois chapitres, consiste en une caractérisation des propriétés de transport électronique dans ces nanofils d'or ultrafins. Nous dressons, dans un premier temps, un bilan des différents régimes de transport observés au sein de nano-objets de basse dimensionnalité. Suite aux étapes indispensables de dépôt et de connexion, le troisième chapitre présente les premières mesures de transport effectuées sur des assemblées de nanofils d'or faiblement couplées. Nous mettons ainsi en évidence, grâce à une étude sur une large gamme de températures et de tensions de polarisation, un transport de charge coopératif dans le cadre d'un régime de blocage de Coulomb.
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Bernard, Pascale. "Synthèse par voie enzymatique : étude comparative de milieux réactionnels." Vandoeuvre-les-Nancy, INPL, 1995. http://www.theses.fr/1995INPL002N.
Анотація:
Depuis le milieu des années 1980, les fluides supercritiques apparaissent comme milieu réactionnel dans le cadre des synthèses enzymatiques. L’intérêt nouveau que suscite ces fluides est semblable à celui des solvants organiques, à savoir la stabilité des enzymes, la solubilisation de substrat hydrophobique, la possibilité de modifier l’équilibre thermodynamique. De plus, ils ont des propriétés de transport qui peuvent s’avérer supérieures à celles des liquides tels que la diffusivité. L’immobilisation des enzymes entraîne une baisse de leur activité intrinsèque. L’utilisation du dioxyde de carbone supercritique plutôt qu’un solvant organique, l’hexane, permettrait de palier à celle-ci en diminuant les limitations dues au transfert de matière interne. L’influence de ces milieux sur les propriétés de transport des substrats a été étudiée. Les triglycérides d’acides gras polyinsaturés n-3 tel que l’acide eicosapentaènoique suscitent un intérêt grandissant dans la lutte des maladies cardio-vasculaires. L’utilisation de lipase comme catalyseur a permis la synthèse de glycérides d’acide eico-sapentaènoique. Cette synthèse a été réalisée conjointement en milieu supercritique et milieu fondu
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Pottier, Yves. "Hydroformylation asymétrique du styren catalysée par des complexes rhodies générés par voie chimique et électrochimique." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37617680d.
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Pottier, Yves. "Hydroformylation asymétrique du styrène catalysée par des complexes rhodiés générés par voie chimique et électrochimique." Lille 1, 1988. http://www.theses.fr/1988LIL10013.
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Ghanem, Frida. "Elaboration et caractérisation de films de cuivre par la méthode de dépôt chimique dynamique." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2003. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/TH_T1931_fghanem.pdf.
Анотація:
Les techniques de dépôts métalliques par voie humide notamment celles qui sont appliquées pour la métallisation des polymères prennent de plus en plus d'intérêts industriels, en particulier la conduction électrique en vue du blindage électromagnétique. Les normes environnementales devenant de plus en plus sévères, le développement s'oriente vers des procédés qui respectent l'environnement, surtout, au niveau du rejet des effluents. D'autre part, les techniques de métallisation présentent des gammes de traitement longues et coûteuses. En partant de ces constatations, M. Stremsdoerfer et son équi^pe ont entrepris la mise au point d'un nouveau procédé de métallisation directe en mode dynamique. Cette nouvelle technique est basée sur la projection séquentielle et simultanée de deux solutions aqueuses sur un substrat. Le but est de réduire le nombre d'étapes intermédiaires que l'on trouve dans le cas d'une gamme classique de métallisation, en particulier, l'activation des polymères. La préparation de la surface du polymère est une étape qui conditionne l'adhérence du film métallique. Le traitement de surface que nous avons utilisé est le couplage mécanique-physique qui permet à la fois, de s'affranchir des attaques chimiques et d'obtenir des dépôts épais et homogènes. Le traitement mécanique crée une rugosité de surface quant au traitement physique par décharge corona, favorise la mouillabilité de la surface, rendant les dépôts plus homogènesDeposit weting technicals which used more particulary for metallisation of polymers, take more and more industrial interested, especially electrical resistance for electromagnetic shielding. Environnementally norm became so strict, new process have been developped whose respect environnement, especially in case of rejecting effluents. In another side, metallisation technicals present a range of long and expensive treatments. M. Stremsdoerfer and col have developped a new process of dynamic metallisation. This technical based on projection of simultaneous aqueous solutions onto substrate. The aim is to reduce the number of intermediate steps which we can find in case of classical metallisation, namely activation of polymers. The preparation of the surface of polymer is a step which determine the adhesion of the metallic film. The treatment which we used to treat the surface is the couple mechanical/physical. This couple prevents chemical attacks and permit to obtain an homogenous and thick deposit. The mechanical treatment led to roughness surface and the physical treatment (corona discharge) increase the mouillability of the surface of polymers. On the occasion of this study, a copper dynamic deposit was elaborated by dynamic chemical deposition
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Aspar, Bernard. "Contribution à l'étude du système Al-O-N par dépôt chimique en phase gazeuse." Montpellier 2, 1991. http://www.theses.fr/1991MON20186.
Анотація:
Le systeme al-o-n est etudie, par depot chimique en phase gazeuse, a partir des vecteurs gazeux suivants: nh#3, n#2o, al(ch#3)#3 ou bien alcl#3. Pour les systemes formes a partir des deux precurseurs d'aluminium, une etude thermodynamique previsionnelle a mis en evidence l'influence des parametres preponderants sur l'equilibre. L'etude experimentale a permis d'obtenir le nitrure d'aluminium, l'oxynitrure d'aluminium spinelle et l'alumine corindon. L'examen approfondi de la morphologie des depots d'aln a montre l'influence de l'hydrogene sur la croissance cristalline et par consequent sur la compacite. L'interface aln-sic a fait l'objet d'une analyse particuliere par spectrometrie auger. Par introduction progressive de n#2o dans le melange gazeux, nous avons mis en evidence la possibilite d'obtenir du nitrure d'aluminium cristallise contenant une quantite importante d'oxygene. Des depots d'oxynitrure d'aluminium sont egalement synthetises. L'analyse par microdiffraction electronique a revele un depot constitue de microcristaux de structure spinelle. La stabilite de ces depots elabores a 1000c est confirmee par recuit. A partir d'un melange sans nh#3, des revetements d'al#2o#3, sont obtenus