Книги з теми "Detectors de silici"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся з топ-40 книг для дослідження на тему "Detectors de silici".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Переглядайте книги для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.
Napoli, Marzio De. Silicon carbide radiation detectors. Nova Science Publishers, 2011.
Знайти повний текст джерелаNeuharth, Clark R. Ultra-high-purity silicon for infrared detectors: A materials perspective. Dept. of the Interior, 1989.
Знайти повний текст джерелаNeuharth, Clark R. Ultra-high-purity silicon for infrared detectors: A materials perspective. U.S. Dept. of the Interior, Bureau of Mines, 1989.
Знайти повний текст джерелаLeinonen, Kari. Fabrication and characterization of silicon position sensitive particle detectors. Lappeenranta University of Technology, 2006.
Знайти повний текст джерелаMontero Álvarez, Daniel. Near Infrared Detectors Based on Silicon Supersaturated with Transition Metals. Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-63826-9.
Повний текст джерелаMontero Álvarez, Daniel. Near Infrared Detectors Based on Silicon Supersaturated with Transition Metals. Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-63826-9.
Повний текст джерелаMahmoud, Kamal-Eldin Mohamed. Non-linear A/D converters for integrated silicon smart sensors =: Niet-lineaire A/D omzetters voor smart geïntegreerde silicium sensoren. Delft University Press, 1994.
Знайти повний текст джерелаMahan, John E. Narrow bandgap semiconducting silicides: Intrinsic infrared detectors on a silicon chip : final report. National Aeronautics and Space Administration, 1990.
Знайти повний текст джерелаThomas, Richard E. Long wave infrared research in the Soviet Union: Silicon- and germanium-based detectors. Center for Strategic Technology, the Texas Engineering Experiment Station Texas A&M University System, 1986.
Знайти повний текст джерелаSeller, P. Investigation of a low-energy x-ray spectrometer based on pixellated hybrid silicon detectors. Rutherford Appleton Laboratory, 2004.
Знайти повний текст джерелаOrias, G. Development of 30 [micrometer] extrinsic silicon multiplexed infrared detector array: Final report. National Aeronautics and Space Administration, Ames Research Center, 1986.
Знайти повний текст джерелаIEEE Hong Kong Electron Devices Meeting (1996 Hong Kong Polytechnic University). 1996 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting: Proceedings, 29 June 1996, the Hong Kong Polytechnic University. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1996.
Знайти повний текст джерелаM, Meijer G. C., ed. The piezojunction effect in silicon integrated circuits and sensors. Kluwer Academic Publishers, 2002.
Знайти повний текст джерелаEvolution of silicon sensor technology in particle physics. Springer, 2009.
Знайти повний текст джерелаInternational Conference on Large Scale Applications and Radiation Hardness of Semiconductor Detectors (1st 1993 Firenze, Italy). 1st International Conference on Large Scale Applications and Radiation Hardness of Semiconductor Detectors, Istituto SS Annunziata, Firenze, 7-9 July, 1993. Italian Physical Society, 1993.
Знайти повний текст джерелаCulurciello, Eugenio. Silicon-on-sapphire circuits and systems: Sensor and biosensor interfaces. McGraw Hill, 2010.
Знайти повний текст джерелаSilicon-on-sapphire circuits and systems: Sensor and biosensor interfaces. McGraw Hill, 2010.
Знайти повний текст джерелаWright, A. G. Why photomultipliers? Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780199565092.003.0001.
Повний текст джерелаValk, Hein. Development of Advanced Silicon Drift Detectors. Delft Univ Pr, 1999.
Знайти повний текст джерелаWittam, E. M., and D. H. J. Totterdell. Defects in Detector Grade Silicon (Reports). AEA Technology Plc, 1988.
Знайти повний текст джерелаHartmann, Frank. Evolution of Silicon Sensor Technology in Particle Physics. Springer, 2018.
Знайти повний текст джерелаHartmann, Frank. Evolution of Silicon Sensor Technology in Particle Physics. Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаHartmann, Frank. Evolution of Silicon Sensor Technology in Particle Physics. Springer, 2017.
Знайти повний текст джерелаFruett, Fabiano, and Gerard C. M. Meijer. The Piezojunction Effect in Silicon Integrated Circuits and. Springer, 2002.
Знайти повний текст джерелаUnited States. National Aeronautics and Space Administration., ed. Narrow bandgap semiconducting silicides: Intrinsic infrared detectors on a silicon chip, final report. Colorado Research Development Corporation, 1990.
Знайти повний текст джерелаShape and Functional Elements of the Bulk Silicon Microtechnique: A Manual of Wet-Etched Silicon Structures. Springer, 2004.
Знайти повний текст джерелаScott, Hubbard G., and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Multi-line gamma-ray spectrometer performance of a Si(Li) detector stack. National Aeronautics and Space Administration, 1995.
Знайти повний текст джерелаP, Wefel J., and United States. National Aeornautics and Space Administration. Space Physics Division., eds. Cosmic ray positron research and silicon track detector development: Final technical report. National Aeronautics and Space Administration, Space Physics Division, 1990.
Знайти повний текст джерелаCosmic ray positron research and silicon track detector development: Final technical report. National Aeronautics and Space Administration, Space Physics Division, 1990.
Знайти повний текст джерелаJean-Pierre, Chatard, Dennis P. N. J, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., European Optical Society, Groupement des industries française d'optique., and Société française d'optique, eds. Detectors and associated signal processing: 1-2 October 2003, St. Etienne, France. SPIE, 2004.
Знайти повний текст джерелаYu, Chen Liang, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. SiC-based gas sensors. National Aeronautics and Space Administration, 1997.
Знайти повний текст джерелаSPIE. Detectors and Associated Signal Processing II: 13-14 September 2005, Jena, Germany (SPIE Conference Proceedings). SPIE-International Society for Optical Engine, 2005.
Знайти повний текст джерелаFruett, Fabiano. The Piezojunction Effect in Silicon Integrated Circuits and Sensors. Springer, 2010.
Знайти повний текст джерелаHartmann, Frank. Evolution of Silicon Sensor Technology in Particle Physics. Springer, 2008.
Знайти повний текст джерелаMoss, T. S. Progress in Quantum Electronics, No 3, 1984: Properties of Doped Silicon and Germanium Infrared Detectors (3rd of 4 Pts). Pergamon Pr, 1985.
Знайти повний текст джерелаYu, Chen Liang, and United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Electronic and interfacial properties of Pd/6H-SiC Schottky diode gas sensors. National Aeronautics and Space Administration, 1996.
Знайти повний текст джерелаMacheta, P. The properties of teh lithium drifted silicon detector and its use in proton induced x-ray emission(PIXE). 1994.
Знайти повний текст джерелаPorous Silicon - From Formation to Application Vol. 3: Optoelectronics, Microelectronics, and Energy Technology Applications. CRC Press LLC, 2016.
Знайти повний текст джерелаElwenspoek, M., and R. Wiegerink. Mechanical Microsensors. Springer, 2010.
Знайти повний текст джерела