Добірка наукової літератури з теми "Fluid phase epitaxy"

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Fluid phase epitaxy".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Fluid phase epitaxy"

1

Schulte, Kevin L., John Simon, Abhra Roy, et al. "Computational fluid dynamics-aided analysis of a hydride vapor phase epitaxy reactor." Journal of Crystal Growth 434 (January 2016): 138–47. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.10.033.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Deura, Momoko, Fumitaka Ichinohe, Yu Arai, Kenichi Shiohama, Akira Hirako, and Kazuhiro Ohkawa. "Investigation of Growth Mechanism for InGaN by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy Using Computational Fluid Simulation." Japanese Journal of Applied Physics 52, no. 8S (2013): 08JB13. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.52.08jb13.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Matsumoto, Takashi, and Takahiro Nakamura. "Highly uniform InGaAsP growth by dual-fluid-layer structure metalorganic vapor phase epitaxy reactor with atmospheric pressure." Journal of Crystal Growth 145, no. 1-4 (1994): 622–29. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(94)91117-7.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Tokoi, Hirooki, Atsushi Ohtake, Kazutami Tago, Kazutoshi Watanabe, and Tomoyoshi Mishima. "Development of GaN Growth Reaction Model Using Ab Initio Molecular Orbital Calculation and Computational Fluid Dynamics of Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 159, no. 5 (2012): D270—D275. http://dx.doi.org/10.1149/2.jes034205.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Hirako, Akira, Kazuhide Kusakabe, and Kazuhiro Ohkawa. "Modeling of Reaction Pathways of GaN Growth by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Using TMGa/NH3/H2System: A Computational Fluid Dynamics Simulation Study." Japanese Journal of Applied Physics 44, no. 2 (2005): 874–79. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.44.874.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Armour, E. A., D. Byrnes, R. A. Arif, et al. "Effect of Growth Pressure and Gas-Phase Chemistry on the Optical Quality of InGaN/GaN Multi-Quantum Wells." MRS Proceedings 1538 (2013): 341–51. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.505.

Повний текст джерела
Анотація:
ABSTRACTBlue light-emitting diodes (LED's), utilizing InGaN-based multi-quantum well (MQW) active regions deposited by organometallic chemical vapor epitaxy (OMVPE), are one of the fundamental building-blocks for current solid-state lighting applications. Studies [1,2] have previously been conducted to explore the optical and physical properties of the active MQW's over a variety of different OMVPE growth conditions. However, the conclusions of these papers have often been contradictory, possibly due to a limited data set or lack of understanding of the fundamental fluid dynamics and gas-phase
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Kuech, T. F., Shulin Gu, Ramchandra Wate, et al. "The Chemistry of GaN Growth." MRS Proceedings 639 (2000). http://dx.doi.org/10.1557/proc-639-g1.1.

Повний текст джерела
Анотація:
ABSTRACTThe development of new chemically based growth techniques has opened the range of possible GaN applications. This paper reviews some of the challenges in the chemically based growth of GaN and related materials. Ammonothermal-based growth, hydride vapor phase epitaxy and metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) are chemically complex systems wherein the underlying mechanisms of growth are not well understood at present. All these systems require substantial experimental and theoretical efforts to determine the nature and kinetics of GaN growth. In the case of metal organic vapor phase
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Kim, Changsung Sean, Jongpa Hong, Jihye Shim, et al. "Numerical and Experimental Study on Metal Organic Vapor-Phase Epitaxy of InGaN∕GaN Multi-Quantum-Wells." Journal of Fluids Engineering 130, no. 8 (2008). http://dx.doi.org/10.1115/1.2956513.

Повний текст джерела
Анотація:
A numerical and experimental study has been performed to characterize the metal organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) growth of InGaN∕GaN multi-quantum-wells. One of the major objectives of the present study is to predict the optimal operating conditions that would be suitable for the fabrication of GaN-based light-emitting diodes using three different reactors, vertical, horizontal, and planetary. Computational fluid dynamics (CFD) simulations considering gas-phase chemical reactions and surface chemistry were carried out and compared with experimental measurements. Through a lot of CFD simulat
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Hanser, Andrew, Colin Wolden, William Perry та ін. "Diluent Gas Effects on Properties of Ain and GaN Thin Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on α(6H)-SiC Substrates". MRS Proceedings 482 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-482-149.

Повний текст джерела
Анотація:
AbstractThin films of AIN and GaN were deposited on α(6H)-SiC(0001) wafers using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) and H2 and N2 diluents. A computational fluid dynamic model of the deposition process was used to analyze the film growth conditions for both diluents. Low temperature (12 K) photoluminescence of the GaN films grown in N2 had peak intensities and full widths at half maximum of ∼7 meV which were equal to or better than those films grown in H2. Cross-sectional and plan-view transmission electron microscopy of films grown in both diluents showed similar microstructures with a
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Дисертації з теми "Fluid phase epitaxy"

1

Цибуленко, В. В., та С. В. Шутов. "Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64309.

Повний текст джерела
Анотація:
При використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії контакт охолодженої підкладки з розчином-розплавом призводить до виникнення градієнту температури по її товщині. При цьому формуються механічні напруження, які можуть призвести до руйнування підкладки. Метою роботи є дослідження напружень, що виникають по товщині підкладки, при використанні імпульсних методів рідиннофазної епітаксії. Моделювання проведено для системи Gе-GaAs в діапазоні температур 450÷850 оС. Товщина підкладки – 380 мкм, її початкова температура – 27 оС, товщина Ga-Ge розчину-розплаву – 3500 мкм.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Galindo, Virginie. "Synthèse par MOCVD (conventionnelle et à injection), caractérisations structurale et physique de films supraconducteurs d'YBa2Cu3O(7-(delta)) et de multicouches YBa2Cu3O(7-(delta))/PrBa2Cu3O(7-(delta)." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0167.

Повний текст джерела
Анотація:
Deux types de reacteurs de depot chimique en phase vapeur ont ete utilises pour la realisation de films minces d'yba#2cu#3o#7## et prba#2cu#3o#7# ## #, ainsi que de multicouches alternant ces deux composes. La source du premier reacteur est constituee de quatre fours contenant chacun un des precurseurs organometallique (m-tetramethyl-heptane-dionate) sous forme de poudre. La source du second reacteur est constituee d'un reservoir contenant un melange liquide solvant - precurseur, sous pression, a temperature ambiante, relie a une micro-vanne ou injecteur. Cette derniere source permet de contro
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Тези доповідей конференцій з теми "Fluid phase epitaxy"

1

Cai, D., and L. L. Zheng. "Numerical Study of Transport and Reaction Phenomena in GaN Vapor Phase Epitaxy." In ASME 2005 Summer Heat Transfer Conference collocated with the ASME 2005 Pacific Rim Technical Conference and Exhibition on Integration and Packaging of MEMS, NEMS, and Electronic Systems. ASMEDC, 2005. http://dx.doi.org/10.1115/ht2005-72337.

Повний текст джерела
Анотація:
A vapor phase epitaxy (VPE) system has been designed to grow high quality gallium nitride layers under the deposition temperature of 990°C and the pressure range of 200–800 Torr. For the better understanding of the deposition mechanism of GaN layers, a numerical model that is capable of describing multi-component fluid flow, gas/surface chemistry, conjugate heat transfer, thermal radiation, and species transport, has been developed to help in design and optimization of the epitaxy growth system. The vacuum area between heaters and reactor tube is simulated as a solid body with small thermal co
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Cai, D., B. Wu, L. L. Zheng, H. Zhang, W. J. Mecouch, and Z. Sitar. "Modeling of a Gallium Nitride Epitaxy Growth System." In ASME 2004 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/imece2004-59819.

Повний текст джерела
Анотація:
An iodine vapor phase epitaxy (IVPE) system has been designed and built at North Carolina State University to grow high quality thick gallium nitride layer at the growth rate up to 80 μm/h with the deposition temperature of 1010 °C and the pressure of 200 Torr. In order to optimize the growth process, a numerical model, which is capable of describing multi-component fluid flow, gas/surface chemistry, conjugate heat transfer, radiation heat transfer and multi-species transport, has been developed to help in design and optimization of the IVPE reactor. The gallium source weight reduce rate is co
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Cai, D., L. L. Zheng, and H. Zhang. "Modeling of Multi-Species Transfer During Aluminum Nitride Vapor Growth." In ASME 2004 Heat Transfer/Fluids Engineering Summer Conference. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/ht-fed2004-56394.

Повний текст джерела
Анотація:
AlN has attracted much attention in the past few years as a highly promising material for electronic and opto-electronic device applications. A halide vapor phase epitaxy (HVPE) system has been designed to grow high quality aluminum nitride layers at the growth rate up to 60 μm/h with the deposition temperature of 1000–1100°C and the pressure ranging of 5.5–760 Torr [1]. A 3-D numerical model that is capable of describing multi-component fluid flow, surface chemistry, conjugate heat transfer, and species transport has been developed to help in design and optimization of the epitaxy growth syst
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Kim, Changsung Sean, Jongpa Hong, Jihye Shim, et al. "Numerical and Experimental Study on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy of InGaN/GaN Multi Quantum Wells." In ASME/JSME 2007 5th Joint Fluids Engineering Conference. ASMEDC, 2007. http://dx.doi.org/10.1115/fedsm2007-37115.

Повний текст джерела
Анотація:
A numerical and experimental study has been performed to characterize the metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) growth of InGaN/GaN multi-quantum wells (MQW). One of the major objectives of the present study is to predict the optimal operating conditions that would be suitable for the fabrication of GaN-based light-emitting diodes (LED) using three different reactors, vertical, horizontal and planetary. Computational fluids dynamic (CFD) simulations considering gas phase chemical reactions and surface chemistry were carried out and compared with experimental measurements. Through a lot of
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!