Добірка наукової літератури з теми "Fluid phase epitaxy"
Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями
Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Fluid phase epitaxy".
Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.
Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.
Статті в журналах з теми "Fluid phase epitaxy"
Schulte, Kevin L., John Simon, Abhra Roy, et al. "Computational fluid dynamics-aided analysis of a hydride vapor phase epitaxy reactor." Journal of Crystal Growth 434 (January 2016): 138–47. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.10.033.
Повний текст джерелаDeura, Momoko, Fumitaka Ichinohe, Yu Arai, Kenichi Shiohama, Akira Hirako, and Kazuhiro Ohkawa. "Investigation of Growth Mechanism for InGaN by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy Using Computational Fluid Simulation." Japanese Journal of Applied Physics 52, no. 8S (2013): 08JB13. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.52.08jb13.
Повний текст джерелаMatsumoto, Takashi, and Takahiro Nakamura. "Highly uniform InGaAsP growth by dual-fluid-layer structure metalorganic vapor phase epitaxy reactor with atmospheric pressure." Journal of Crystal Growth 145, no. 1-4 (1994): 622–29. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(94)91117-7.
Повний текст джерелаTokoi, Hirooki, Atsushi Ohtake, Kazutami Tago, Kazutoshi Watanabe, and Tomoyoshi Mishima. "Development of GaN Growth Reaction Model Using Ab Initio Molecular Orbital Calculation and Computational Fluid Dynamics of Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy." Journal of The Electrochemical Society 159, no. 5 (2012): D270—D275. http://dx.doi.org/10.1149/2.jes034205.
Повний текст джерелаHirako, Akira, Kazuhide Kusakabe, and Kazuhiro Ohkawa. "Modeling of Reaction Pathways of GaN Growth by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Using TMGa/NH3/H2System: A Computational Fluid Dynamics Simulation Study." Japanese Journal of Applied Physics 44, no. 2 (2005): 874–79. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.44.874.
Повний текст джерелаArmour, E. A., D. Byrnes, R. A. Arif, et al. "Effect of Growth Pressure and Gas-Phase Chemistry on the Optical Quality of InGaN/GaN Multi-Quantum Wells." MRS Proceedings 1538 (2013): 341–51. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.505.
Повний текст джерелаKuech, T. F., Shulin Gu, Ramchandra Wate, et al. "The Chemistry of GaN Growth." MRS Proceedings 639 (2000). http://dx.doi.org/10.1557/proc-639-g1.1.
Повний текст джерелаKim, Changsung Sean, Jongpa Hong, Jihye Shim, et al. "Numerical and Experimental Study on Metal Organic Vapor-Phase Epitaxy of InGaN∕GaN Multi-Quantum-Wells." Journal of Fluids Engineering 130, no. 8 (2008). http://dx.doi.org/10.1115/1.2956513.
Повний текст джерелаHanser, Andrew, Colin Wolden, William Perry та ін. "Diluent Gas Effects on Properties of Ain and GaN Thin Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on α(6H)-SiC Substrates". MRS Proceedings 482 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-482-149.
Повний текст джерелаДисертації з теми "Fluid phase epitaxy"
Цибуленко, В. В., та С. В. Шутов. "Критичні напруження в підкладці, що виникають при вирощуванні імпульсними методами рідиннофазної епітаксії". Thesis, Сумський державний університет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64309.
Повний текст джерелаGalindo, Virginie. "Synthèse par MOCVD (conventionnelle et à injection), caractérisations structurale et physique de films supraconducteurs d'YBa2Cu3O(7-(delta)) et de multicouches YBa2Cu3O(7-(delta))/PrBa2Cu3O(7-(delta)." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0167.
Повний текст джерелаТези доповідей конференцій з теми "Fluid phase epitaxy"
Cai, D., and L. L. Zheng. "Numerical Study of Transport and Reaction Phenomena in GaN Vapor Phase Epitaxy." In ASME 2005 Summer Heat Transfer Conference collocated with the ASME 2005 Pacific Rim Technical Conference and Exhibition on Integration and Packaging of MEMS, NEMS, and Electronic Systems. ASMEDC, 2005. http://dx.doi.org/10.1115/ht2005-72337.
Повний текст джерелаCai, D., B. Wu, L. L. Zheng, H. Zhang, W. J. Mecouch, and Z. Sitar. "Modeling of a Gallium Nitride Epitaxy Growth System." In ASME 2004 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/imece2004-59819.
Повний текст джерелаCai, D., L. L. Zheng, and H. Zhang. "Modeling of Multi-Species Transfer During Aluminum Nitride Vapor Growth." In ASME 2004 Heat Transfer/Fluids Engineering Summer Conference. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/ht-fed2004-56394.
Повний текст джерелаKim, Changsung Sean, Jongpa Hong, Jihye Shim, et al. "Numerical and Experimental Study on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy of InGaN/GaN Multi Quantum Wells." In ASME/JSME 2007 5th Joint Fluids Engineering Conference. ASMEDC, 2007. http://dx.doi.org/10.1115/fedsm2007-37115.
Повний текст джерела