Готові списки джерел за темами / Ionization Coefficients

Зміст

  1. Статті в журналах
  2. Дисертації
  3. Книги
  4. Частини книг
  5. Тези доповідей конференцій
  6. Звіти організацій

Добірка наукової літератури з теми "Ionization Coefficients"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 3 червня 2025
Оновлено: 31 липня 2025

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Ionization Coefficients".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Ionization Coefficients"

1

Yuan, Yuan, Jiyuan Zheng, Ann K. Rockwell, Stephen D. March, Seth R. Bank, and Joe C. Campbell. "AlInAsSb Impact Ionization Coefficients." IEEE Photonics Technology Letters 31, no. 4 (2019): 315–18. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2019.2894114.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Luquet, H., M. Pérotin, L. Gouskov, et al. "Ionization coefficients in Ga0.96Al0.04Sb." Journal of Applied Physics 68, no. 8 (1990): 3861–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.346272.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Jeng Shiuh Cheong, Majeed M. Hayat, Xinxin Zhou, and John P. R. David. "Relating the Experimental Ionization Coefficients in Semiconductors to the Nonlocal Ionization Coefficients." IEEE Transactions on Electron Devices 62, no. 6 (2015): 1946–52. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2015.2422789.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Marić, D., O. Šašić, J. Jovanović, M. Radmilović-Rađenović, and Z. Lj Petrović. "Ionization coefficients in gas mixtures." Radiation Physics and Chemistry 76, no. 3 (2007): 551–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.radphyschem.2006.01.022.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Ng, B. K., J. P. R. David, S. A. Plimmer, M. Hopkinson, R. C. Tozer, and G. J. Rees. "Impact ionization coefficients of Al0.8Ga0.2As." Applied Physics Letters 77, no. 26 (2000): 4374–76. http://dx.doi.org/10.1063/1.1336556.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Hatakeyama, Tetsuo, Takatoshi Watanabe, Kazutoshi Kojima, et al. "Impact Ionization Coefficients of 4H-SiC." Materials Science Forum 457-460 (June 2004): 673–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.673.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Lee, J., A. L. Gutierrez‐Aitken, S. H. Li, and P. K. Bhattacharya. "Impact ionization coefficients in Si1−xGex." Applied Physics Letters 66, no. 2 (1995): 204–5. http://dx.doi.org/10.1063/1.113134.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Tabatabaie, N., V. M. Robbins, N. Pan, and G. E. Stillman. "Impact ionization coefficients in (111) InP." Applied Physics Letters 46, no. 2 (1985): 182–84. http://dx.doi.org/10.1063/1.95676.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Loh, W. S., B. K. Ng, J. S. Ng, et al. "Impact Ionization Coefficients in 4H-SiC." IEEE Transactions on Electron Devices 55, no. 8 (2008): 1984–90. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2008.926679.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Kim, Sang-Nam. "Ionization and Attachment Coefficients in CF4." Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers 60, no. 1 (2011): 27–31. http://dx.doi.org/10.5370/kieep.2011.60.1.027.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Більше джерел

Дисертації з теми "Ionization Coefficients"

1

Driche, Khaled. "Diamond unipolar devices : towards impact ionization coefficients extraction." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAT115/document.

Повний текст джерела
Анотація:
97% des articles publiés sur les études climatiques racontent que le réchauffement climatique est entièrement causé par les activités humaines. Les gaz émis lors de la production d'énergie électrique ainsi que d'autres gaz rejetés par les voitures ont un réel impact sur l'atmosphère. Une solution consiste à mettre au point des composants présentant des pertes de conduction plus faibles et des caractéristiques de claquage plus élevées qui pourraient être utilisés dans des centrales nucléaires, des cellules de commutation à haute puissance, des voitures hybrides (électriques), etc.De nos jours,
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Serré, Luc. "Transfer of ionization chamber calibration coefficients in linac MV x-ray beams." Thesis, McGill University, 2008. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=21934.

Повний текст джерела
Анотація:
A clinical linear accelerator and a Cobalt-60 teletherapy unit were used in combination with five cylindrical cavity ionization chambers to explore the possibility of transferring calibration coefficients from a calibrated reference ionization chamber to a field ionization chamber using linac megavoltage x-ray beams. Five cross-calibration setup methods were explored in Solid Water™ and Lucite™ solid phantoms using 6 MV and 18 MV beams. The calibration coefficients obtained using Lucite™ phantoms were shown to have no statistical difference when compared to those obtained using Solid Water™ ph
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Niwa, Hiroki. "Breakdown Characteristics in SiC and Improvement of PiN Diodes toward Ultrahigh-Voltage Applications." 京都大学 (Kyoto University), 2016. http://hdl.handle.net/2433/215548.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Nguyen, Duy Minh. "Conception et caractérisation de diodes en SiC pour la détermination des coefficients d'ionisation." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679281.

Повний текст джерела
Анотація:
Le carbure de silicium (SiC) possède plusieurs propriétés exceptionnelles comme une large bande interdite, un champ électrique critique et une vitesse de saturation des porteurs élevée pour remplacer le silicium (Si) dans des domaines de fonctionnement jusque-là inaccessibles avec le Si. Un nombre important de démonstrateurs des composants de puissance en SiC faisant état de performances remarquables ainsi que la disponibilité commerciale des composants en SiC confirment la maturité de la filière SiC et montrent les progrès technologiques réalisés au cours des dernières années. Cependant, il e
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Tejwani, Ravindra Wadhumal. "EXPERIMENTAL AND MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION STUDIES OF PARTITIONING AND TRANSPORT ACROSS LIPID BILAYER MEMBRANES." UKnowledge, 2009. http://uknowledge.uky.edu/gradschool_diss/738.

Повний текст джерела
Анотація:
Most drugs undergo passive transport during absorption and distribution in the body. It is desirable to predict passive permeation of future drug candidates in order to increase the productivity of the drug discovery process. Unlike drug-receptor interactions, there is no receptor map for passive permeability because the process of transport across the lipid bilayer involves multiple mechanisms. This work intends to increase the understanding of permeation of drug-like molecules through lipid bilayers. Drug molecules in solution typically form various species due to ionization, complexation, e
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Lima, Iara Batista de. "Medidas do primeiro coeficiente Townsend de ionização em gases inibidores de descargas." Universidade de São Paulo, 2014. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-18062014-132035/.

Повний текст джерела
Анотація:
No presente trabalho são apresentados resultados referentes ao primeiro coeficiente Townsend de ionização (α) no isobutano puro, para a faixa de campo elétrico reduzido (E/N) de 145 até194 Td. A configuração do aparato experimental consiste de uma configuração semelhante a uma RPC, com o anodo constituído por um vidro de elevada resistividade (2 x 1012 Ωcm) e um catodo metálico, ligado diretamente a um eletrômetro, onde fotoelétrons são produzidos pela incidência de um feixe de laser pulsado. O coeficiente α é determinado por meio da medição da corrente elétrica em regime de
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Maeda, Takuya. "Study on Avalanche Breakdown in GaN." Doctoral thesis, Kyoto University, 2020. http://hdl.handle.net/2433/253283.

Повний текст джерела
Анотація:
京都大学<br>0048<br>新制・課程博士<br>博士(工学)<br>甲第22447号<br>工博第4708号<br>新制||工||1735(附属図書館)<br>京都大学大学院工学研究科電子工学専攻<br>(主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 船戸 充<br>学位規則第4条第1項該当<br>Doctor of Philosophy (Engineering)<br>Kyoto University<br>DFAM
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Petri, Anna Raquel. "Medidas do primeiro coeficiente de Townsend de ionização em misturas gasosas utilizadas em microdosimetria." Universidade de São Paulo, 2017. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-05052017-152207/.

Повний текст джерела
Анотація:
Microdosímetros gasosos geralmente empregam uma mistura gasosa equivalente ao tecido humano mole (Tissue-equivalent Gas TEG), composta de um hidrocarboneto, dióxido de carbono e nitrogênio, de forma que o poder de freamento na mistura e no tecido sejam semelhantes. Entretanto, independentemente do hidrocarboneto adotado, dados tanto teóricos como experimentais do primeiro coeficiente de Townsend de ionização (&alpha;) nestas misturas são raros, ainda que a primeira TEG, cujo metano é o gás majoritário, tenha sido proposta em 1956 por Rossi e Failla e continue sendo amplamente utilizada. Neste
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Malvezzi, Alberto. "Estudo comparativo de parâmetros hipidrofóbicos e, relacionados à ionização, de série de derivados da procaína com atividade bloqueadora neuromuscular." Universidade de São Paulo, 2003. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/46/46135/tde-12082008-140635/.

Повний текст джерела
Анотація:
O estudo das Relações Quantitativas entre Estrutura química e Atividade biológica (QSAR/QSAR-3D) utilizando diferentes estratégias metodológicas complementares, aplicadas iterativamente, se estende a diferentes áreas de aplicação. Dentre elas destaca-se o planejamento racional de novos fármacos e o estudo de seus mecanismos de ação. Moléculas candidatas a fármacos, geradas em estudos de QSAR-3D, freqüentemente, não se tomam fármacos por apresentarem inadequadas propriedades farmacocinéticas, ou seja, ADME (absorção, distribuição, metabolismo e excreção). Nota-se assim que o conhecimento das pr
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Nechmi, Houssem Eddine. "Recherche de gaz/mélange gazeux sans hexafluorure de soufre pour des applications haute tension." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEC051.

Повний текст джерела
Анотація:
Dans l’état actuel des techniques utilisées pour l’isolation gazeuse des systèmes d’énergie électrique à haute tension, l’hexafluorure de soufre (SF6) tient une place prépondérante en raison de ses performances diélectriques et chimiques (bonne tenue diélectrique, point d'ébullition bas, stabilité chimique, non toxicité, etc.) ; il est l’un des meilleurs isolants gazeux connus à ce jour. Il est principalement utilisé dans les appareils de coupure pour l’extinction de l’arc électrique, les lignes de transmission à isolation gazeuse et autres équipements de puissance. Cependant, de par sa taille
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Книги з теми "Ionization Coefficients"

1

Itikawa, Yukikazu. Rate coefficients for the electron-impact excitations of C-like ions. Institute of Plasma Physics, Nagoya University, 1985.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Linköping, Universitetet i., ed. Calibration of ionization chambers for measuring air kerma integrated over beam area in diagnostic radiology: Factors influencing the uncertainty in calibration coefficients. 2006.

Знайти повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Частини книг з теми "Ionization Coefficients"

1

Fernandes da Silva, E. C. "GaAs: impact ionization coefficients." In New Data and Updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-VI Compounds. Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-48529-2_99.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

da Silva, E. C. F. "GaAs: impact ionization coefficients." In New Data and Updates for IV-IV, III-V, II-VI and I-VII Compounds, their Mixed Crystals and Diluted Magnetic Semiconductors. Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14148-5_99.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

da Silva, E. C. F. "GaxIn1-xAs: impact ionization coefficients." In New Data and Updates for IV-IV, III-V, II-VI and I-VII Compounds, their Mixed Crystals and Diluted Magnetic Semiconductors. Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14148-5_113.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

da Silva, E. C. F. "AlxIn1-xAs: impact ionization coefficients." In New Data and Updates for IV-IV, III-V, II-VI and I-VII Compounds, their Mixed Crystals and Diluted Magnetic Semiconductors. Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14148-5_51.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Fernandes da Silva, E. C. "Al x Ga1−x As: impact ionization coefficients." In New Data and Updates for I-VII, III-V, III-VI and IV-VI Compounds. Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-48529-2_80.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Pitchford, L. C. "Electron Ionization Rate Coefficients at Very High E/N." In Physics and Applications of Pseudosparks. Springer US, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3786-1_18.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Davies, D. Kenneth. "Measurements of Attachment Coefficients in the Presence of Ionization." In Nonequilibrium Effects in Ion and Electron Transport. Springer US, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-0661-0_11.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

de Urquijo, J., E. Basurto, and J. L. Hernández-Ávila. "Electron Mobility and Effective Ionization Coefficients in SF6-CO2 Mixtures." In Gaseous Dielectrics IX. Springer US, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-0583-9_4.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Leonhardt, Ulf. "Ionization and Recombination Coefficients of Excited States in Nonideal Hydrogen Plasmas." In TEUBNER-TEXTE zur Physik. Vieweg+Teubner Verlag, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-322-99736-4_21.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Goyette, A. N., J. de Urquijo, Yicheng Wang, L. G. Christophorou, and J. K. Olthoff. "Electron Transport, Ionization, and Attachment Coefficients in C2F4 and C2F4 /AR Mixtures." In Gaseous Dielectrics IX. Springer US, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-0583-9_5.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Тези доповідей конференцій з теми "Ionization Coefficients"

1

Bhargav, P. N. S., and Vijaya Kumar Gurugubelli. "On the Need for Accurate Experimental Determination of the Impact Ionization Coefficients Along <1120> Direction in 4H-SiC." In 2024 IEEE 11th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA). IEEE, 2024. https://doi.org/10.1109/wipda62103.2024.10773036.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Pang, Xuexia. "Photo-ionization rate coefficients for the rare gases." In Photonics Asia 2004, edited by Guoguang Mu, Francis T. S. Yu, and Suganda Jutamulia. SPIE, 2005. http://dx.doi.org/10.1117/12.570843.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Abou El‐Ela, F. M. "Electron Lucky Drift Impact Ionization Coefficients of ZnS: Mn." In MODERN TRENDS IN PHYSICS RESEARCH: First International Conference on Modern Trends in Physics Research; MTPR-04. American Institute of Physics, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.1896484.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Liu, Xueli, Jiantao Sun, and Jianyi Wang. "Electron Ionization, Attachment and Effective Ionization Coefficients, Drift Velocity in CF3I." In 2021 International Conference on Advanced Electrical Equipment and Reliable Operation (AEERO). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/aeero52475.2021.9708402.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Sun, C. C., A. H. You, and E. K. Wong. "Impact Ionization Coefficients of Electrons and Holes in 4H-SiC." In MALAYSIA ANNUAL PHYSICS CONFERENCE 2010 (PERFIK-2010). AIP, 2011. http://dx.doi.org/10.1063/1.3573753.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Rabbani, Mamun, Dipta Majumder, and Farseem Mannan Mohammedy. "Numerical fitting of Ionization coefficients for APDs based on ternary materials." In 2012 Photonics Global Conference (PGC). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/pgc.2012.6458101.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Driche, K., H. Umezawa, G. Chicot, N. Rouger, and E. Gheeraert. "Characterization of Breakdown Behavior of Diamond SBDs using Impact Ionization Coefficients." In 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2016. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2016.ps-14-19l.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Dickson, William J., H. P. Summers, N. R. Badnell, and J. Lang. "Metastable resolved recombination, ionization and emission coefficients of impurity ions in thermal plasmas." In 6th International conference on the physics of highly charged ions. AIP, 1993. http://dx.doi.org/10.1063/1.43696.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Abou El‐Ela, F. M., and I. M. Hamada. "Impact Ionization Coefficients of Electron and Hole at Very High Fields in Semiconductors." In MODERN TRENDS IN PHYSICS RESEARCH: First International Conference on Modern Trends in Physics Research; MTPR-04. American Institute of Physics, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.1896481.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Capecchi, G., and L. d'Agostino. "Numerical model of equilibrium composition and transport coefficients of hydrazine under dissociation and ionization." In 30th Joint Propulsion Conference and Exhibit. American Institute of Aeronautics and Astronautics, 1994. http://dx.doi.org/10.2514/6.1994-2868.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Звіти організацій з теми "Ionization Coefficients"

1

Alman, D. A., J. N. Brooks, D. N. Ruzic, and Z. Wang. Hydrocarbon rate coefficients for proton and electron impact ionization, dissociation, and recombination in a hydrogen plasma. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 1999. http://dx.doi.org/10.2172/12063.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Warne, Larry Kevin, Roy Eberhardt Jorgenson, and Scott D. Nicolaysen. Ionization coefficient approach to modeling breakdown in nonuniform geometries. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), 2003. http://dx.doi.org/10.2172/918222.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Також вас можуть зацікавити розширені добірки на тему "Ionization Coefficients" для конкретних типів джерел:
Статті в журналах
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії