Увійти

Готові списки джерел за темами / Lateral heterostructures / Дисертації

Щоб переглянути інші типи публікацій з цієї теми, перейдіть за посиланням: Lateral heterostructures.

Дисертації з теми "Lateral heterostructures"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 11 січня 2025

Оновлено: 27 липня 2025

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся з топ-15 дисертацій для дослідження на тему "Lateral heterostructures".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Переглядайте дисертації для різних дисциплін та оформлюйте правильно вашу бібліографію.

1

Vallis, Stuart Lawrie. "Lateral and longitudinal surface superlattices on shallow GaAs heterostructures." Thesis, University of Glasgow, 1996. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.320844.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

2

Lai, Andrew P. (Andrew Pan). "Investigation of lateral gated quantum devices in Si/SiGe heterostructures." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2013. http://hdl.handle.net/1721.1/83775.

Повний текст джерела

Анотація:

Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Physics, 2013.<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (pages 73-75).<br>Quantum dots in Si/SiGe have long spin decoherence times, due to the low density of nuclear spins and weak coupling between nuclear and electronic spins. Because of this, they are excellent candidates for use as solid state qubits. The initial approach towards creating controllable Si/SiGe quantum dots was to fabricate them in delta doped heterostructures. We provide evidence that the delta doping layer in these heterost

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

3

Deborde, Jean-Laurent. "Lateral electron tunneling spectroscopy between low-dimensional electron systems in GaAs,AlGaAs heterostructures." Tönning Lübeck Marburg Der Andere Verl, 2009. http://d-nb.info/995773491/04.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

4

Maharjan, Nikesh. "Electronic band engineering of Transition metal dichalcogenides: First Principles Calculation." OpenSIUC, 2015. https://opensiuc.lib.siu.edu/theses/1661.

Повний текст джерела

Анотація:

Based on first principles Density Functional Theory calculations, we have investigated for possible paths for engineering electronic band structure of Transition Metal Dichalco- genides (TMDs). We have considered two approaches which have shown to be promising for engineering electronic bands of TMDs: substitutional chemical doping and heterostruc- turing. All the calculations are done using first principles Density Functional Theory as it is implemented in Quantum Espresso package. Two possible substitutional doping meth- ods for MoS2 are considered in our calculations; cation doping where Mo

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

5

Graf, Davy. "Electrons in reduced dimensions : from finite lateral superlattices in AlGaAs heterostructures to few-layer graphene /." Zürich : ETH, 2007. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/show?type=diss&nr=17241.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

6

Bradford, Jonathan. "Growth and characterisation of two-dimensional materials and their heterostructures on sic." Thesis, Queensland University of Technology, 2019. https://eprints.qut.edu.au/134400/1/Jonathan_Bradford_Thesis.pdf.

Повний текст джерела

Анотація:

Atomically thin two-dimensional materials and their hybrids represent an elegant approach to designing and synthesizing functional nanomaterials and are expected to find applications across a broad range of new technologies. This project explored scalable synthesis of various two-dimensional layered materials and their hybrid counterparts on silicon carbide, an industrially relevant device substrate. It demonstrates the integration of graphene, hexagonal boron nitride and transition metal dichalcogenide layers which were characterised by high resolution scanning probe microscopy and electron s

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

7

Serrano, richaud Elisa. "Modelling electronic and optical properties of 2D heterostructures." Electronic Thesis or Diss., université Paris-Saclay, 2024. http://www.theses.fr/2024UPASP121.

Повний текст джерела

Анотація:

Le graphène (Gr) et le nitrure de bore hexagonal (hBN) ont un paramètre de réseau similaire (décalage de ~1,5 %) et des propriétés différentes : le Gr est un métal connu pour sa conductivité élevée et le hBN est un isolant à grand écart (~6eV) avec une forte émission d'UV. En raison de ces deux remarques, ils sont des candidats parfaits pour être empilés côte à côte dans une hétérostructure latérale au lieu d'être empilés l'un sur l'autre dans une hétérostructure verticale plus courante. Dans cette thèse, je m'intéresserai à la modélisation des propriétés électroniques et optiques des hétérost

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

8

Soucail, Bernard. "Contributions a l'etude des changements de dimensionnalite induits par des champs exterieurs ou par un confinement lateral dans les heterostructures de semiconducteurs iii-v." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066693.

Повний текст джерела

Анотація:

Nos travaux recents ont montre l'interet des superreseaux de semiconducteurs pour etudier le mouvement des electrons dans une structure periodique en presence de champ electrique. En effet, contrairement aux materiaux massifs, les superreseaux ont des parametres structuraux (periode, largeur de bande electronique) qui permettent une observation des phenomenes prevus theoriquement en appliquant des champs electriques relativement faibles: les etats propres devienne localises (echelle de wannier-stark), ce qui se manifeste par un decalage vers le bleu du seuil d'absorption du superreseau. L'adjo

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

9

Lee, Sunyoung. "Distributed effects in power transistors and the optimization of the layouts of AlGaN/GaN HFETs." Columbus, Ohio : Ohio State University, 2006. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=osu1149095133.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

10

Piotrowicz, Pawel Jan Andrzej. "Fabrication and measurement of laterally confined double barrier heterostructures with wide wells." Thesis, University of Cambridge, 1997. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.627421.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

11

Lee, Cheng-Han, and 李承翰. "Synthesis and Characterization of Monolayer WS2-WSe2 Lateral Heterostructures." Thesis, 2018. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/gdc58n.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

12

Wang, Dean, and 王鼎. "Strain-induced band evolution in lateral transition metal dichalcogenides heterostructures." Thesis, 2016. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/32268349752817149661.

Повний текст джерела

Анотація:

碩士<br>國立交通大學<br>電子物理系所<br>105<br>Semiconductor heterostructures based on two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDs) have attracted great interests recently. These two-dimensional heterostructures were given hopes for the future flexible optoelectronic devices due to their unique structural and optical properties. In these heterostructrues, the outer material usually exhibits serious strain variation caused by large lattice mismatch, i.e., ~1.59% variation has been observed in the MoS2-WSe2 system. In this work, the spatial inhomogeneity in lateral MoS2-WSe2 and WSe2-MoSe2 heterost

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

13

Hsieh, Meng-Hsun, and 謝孟勳. "Charge transport mechanisms in vertical and lateral Gr/MoS2/Gr heterostructures." Thesis, 2017. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/06116151491275209479.

Повний текст джерела

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

14

"Growth of Novel Semiconducting Nano and Heterostructures." Doctoral diss., 2014. http://hdl.handle.net/2286/R.I.25789.

Повний текст джерела

Анотація:

abstract: This dissertation presents research findings on the three materials systems: lateral Si nanowires (SiNW), In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> heterostructures and graphene. The first part of the thesis was focused on the growth and characterization of lateral SiNW. Lateral here refers to wires growing along the plane of substrate; vertical NW on the other hand grow out of the plane of substrate. It was found, using the Au-seeded vapor – liquid – solid technique, that epitaxial single-crystal SiNW can be grown laterally along Si(111) substrates that h

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

15

Lee, Kuo-Chih, and 李國誌. "Investigation of Lateral Electric Field Distribution of Depletion Regions in MoTe2 Nano-flake and MoTe2/SnS2 Heterostructure Devices by Scanning Photocurrent Microscopy." Thesis, 2017. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/3f5y9b.

Повний текст джерела

Анотація:

博士<br>國立中興大學<br>物理學系所<br>106<br>In this study, we investigate the properties of the depletion region in MoTe2 nano-flake and MoTe2/SnS2 heterostructure devices by scanning photocurrent microscopy (SPCM). We fabricated the multi-layer MoTe2 transistor devices and MoTe2/SnS2 vertical heterostructure transistor devices by the standard mechanically exfoliation method from MoTe2 and SnS2 flakes. The MoTe2 bulk material is obtained from natural mineral, and SnS2 flakes are grown by CVD method. The thickness of the MoTe2 and SnS2 are of the order of 10 nm. The 10-nm-Ti/90-nm-Au metal contacts are def

Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!