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Добірка наукової літератури з теми "Nanoélectronique – Matériaux"

Автор: Grafiati

Опубліковано: 21 грудня 2024

Оновлено: 31 липня 2025

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Дисертації з теми "Nanoélectronique – Matériaux"

1

Rafhay, Quentin. "Modélisation des MOSFET nanométrique de type n aux matériaux de canal alternatifs dans le régime totalement ou quasi balistique." Grenoble INPG, 2008. http://www.theses.fr/2008INPG0167.

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Анотація:

La réduction des dimensions des transistors MOS, brique de base des circuits intégrés, ne permet plus d'augmenter efficacement leurs performances. Une des solutions envisagées actuellement consiste à remplacer le silicium par d'autres semi-conducteurs à haute mobilité (Ge, III-V) comme matériau de canal. A partir de modèles analytiques originaux, calibrés sur des simulations avancées (quantique, Monte Carlo), cette thèse démontre que, à des dimensions nanométriques, les performances attendues de ces nouvelles technologies sont en fait inférieures à celles des composants silicium conventionnels

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2

Nayak, Goutham. "Amélioration des propriétés physiques de matériaux de basse-dimensionnalité par couplage dans des hétérostructures Van der Waals." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY084/document.

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Анотація:

Les propriétés intrinsèques extraordinaires de ces matériaux de faible dimension dépendent fortement de l'environnement auquel ils sont soumis. Par conséquent, ils doivent être préparés, traités et caractérisés sans défauts. Dans cette thèse, je discute de la manière de contrôler l'environnement des nanomatériaux de faible dimension tels que le graphène, le MoS$_{2}$ et les nanotubes de carbone afin de préserver leurs propriétés physiques intrinsèques. De nouvelles solutions pour l'amélioration des propriétés sont discutées en profondeur. Dans la première partie, nous fabriquons des dispositif

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3

Dutta, Tapas. "Modélisation et simulation des composants MOSFETs à matériaux de canal alternatifs." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT122.

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Анотація:

Les technologies CMOS à base de silicium approchants les limites fondamentales de la miniaturisation, de nouvelles options sont nécessaires pour continuer la feuille de route de l'industrie de semi-conducteurs. Les matériaux III-V et le germanium sont actuellement très étudiés à ces fins, pour remplacer le silicium en tant que matériau canal des transistors MOSFETs. Bien que les propriétés de transports de charges de ces matériaux soient très fortes dans les substrats massifs, les performances des composants à base de III-V présentent actuellement de fortes dégradations par rapport à ce qui po

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4

Roumanille, Pierre. "Matériaux d'assemblage basse température pour applications électroniques : de l'intérêt des oxalates et formiates de métaux." Thesis, Toulouse 3, 2018. http://www.theses.fr/2018TOU30106/document.

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Анотація:

Dans le domaine de la microélectronique, les préoccupations environnementales et sanitaires et l'évolution de la législation ont contraint l'industrie à limiter son utilisation du plomb. Les matériaux (à base d'étain, d'argent, de cuivre, de bismuth...) destinés au brasage de composants électroniques font l'objet de nombreux développements pour être conformes aux exigences réglementaires et techniques. Le potentiel des carboxylates de métaux en électronique a déjà été démontré dans le cadre du développement de procédés de décomposition métal-organique. La décomposition thermique sous atmosphèr

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5

François, Terry. "Caractérisation électrique et analyse de mémoires non-volatiles embarquées à base de matériaux ferroélectriques." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0390.

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Анотація:

Les matériaux ferroélectriques présentent un regain d’intérêt pour de multiples applications en microélectronique. En particulier, en 2011, il a été découvert que l'oxyde d'hafnium présente un comportement ferroélectrique. Cela ouvre la voie vers des dispositifs de mémoire de faibles dimensions et compatibles CMOS. Le CEA-LETI étudie de nouveaux matériaux ferroélectriques à base d’oxyde d’hafnium pour des applications mémoire non-volatile. Il est nécessaire d’évaluer leur comportement ferroélectrique au travers de mesures électriques dédiées, et notamment d’extraire la polarisation ferroélectr

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6

Bonvalot, Cyrille. "Contribution à la compréhension du courant d'obscurité dans les détecteurs infrarouges matriciels à base de matériaux III-V." Thesis, université Paris-Saclay, 2020. http://www.theses.fr/2020UPAST016.

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Анотація:

Lynred est l’un des principaux acteurs mondiaux sur le marché des détecteurs infrarouge refroidis haute performance, historiquement basés sur des matériaux II-VI (HgCdTe), et plus récemment sur des matériaux III-V (QWIP, InSb, InGaAs). Les détecteurs InSb et InGaAs sont constitués de diodes organisées en matrices pour obtenir un imageur bidimensionnel. L’étude présentée dans ce manuscrit porte sur la compréhension du courant d’obscurité de ces diodes. La problématique est abordée en trois étapes : une étude du profil de la jonction, une analyse des phénomènes générant du courant d’obscurité da

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7

Lefter, Constantin. "Etudes des propriétés électriques des matériaux à transition de spin : vers des dispositifs pour la nano-électronique." Thesis, Toulouse 3, 2016. http://www.theses.fr/2016TOU30003/document.

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Анотація:

L'objectif central de cette thèse est l'évaluation de la possibilité d'utilisation de complexes moléculaires à transitions de spin pour des applications en nano-électronique. Dans un premier temps, les propriétés électriques du complexe [Fe(Htrz)2(trz)](BF4) et de ces analogues [Fe1-xZnx(Htrz)2(trz)](BF4) ont été analysées sous forme de poudres au moyen de la spectroscopie diélectrique. Il a été montré que les conductivités AC et DC aussi bien que la constante diélectrique et que la fréquence de relaxation diélectrique subissent une baisse importante lors de la transition de l'état bas spin (B

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8

Franck, Pierre. "Mesoscopic electromagnetic model of carbon-nanotube arrays and scalable technological processes : Application to the fabrication of novel antennasCo-dirigée par Beng Kang Tay." Limoges, 2013. http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/6358938e-2b7f-488e-a1d0-6bd8f7e045e6/blobholder:0/2013LIMO4043.pdf.

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Анотація:

We report the efforts lead in the design and fabrication of novel antennas from carbon nanotubes (CNTs) to assess their practicality in diverse usage scenarios. CNT-based antennas could help improve the performance of electrically-small antennas but may also allow the development of novel structures such as optically-controlled reflectarrays. They also represent an interesting technology for millimeter-wave and THz applications. Significant progress has been made on each of the four intertwined axes pertaining to these special antennas, modeling, analysis, fabrication and characterization. Thi

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9

Ottapilakkal, Vishnu. "2D Hexagonal boron nitride epitaxy on epigraphene for electronics." Electronic Thesis or Diss., Université de Lorraine, 2024. http://www.theses.fr/2024LORR0122.

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Анотація:

Au cours des dernières années, l'importance de nanoélectronique a augmenté avec la demande pour des dispositifs plus petits et plus efficaces. Les technologies traditionnelles basées sur le silicium rencontrent des défis, notamment pour la réduction de la taille des transistors tout en maintenant leur performance. Les longueurs de canal plus courtes améliorent la vitesse et la densité des dispositifs, mais entraînent des problèmes tels que l'électromigration, les fuites et la charge thermique. Le graphène, un matériau bidimensionnel, offre une solution grâce à sa haute mobilité des porteurs, s

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10

Hayes, Maxim. "Intégration de collecteurs de charges avancés dans les cellules solaires bifaciales à haut rendement : vers un procédé générique pour les nouveaux matériaux silicium." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2020. http://www.theses.fr/2020AIXM0519.

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Анотація:

L'industrie PV connaît un fort engouement pour les cellules PERC. Néanmoins leurs performances sont limitées par deux sources de recombinaison des porteurs de charge: au niveau de l'émetteur obtenu par diffusion de P, et en face arrière aux interfaces Al-Si. L'objectif principal de cette thèse vise à limiter ces pertes en intégrant deux nouveaux collecteurs. Le premier est un émetteur sélectif (ES) obtenu par implantation ionique à immersion plasma (PIII) de P. Le second concerne un contact passivé (CP) constitué d'un film de silicium polycristallin (poly-Si) dopé au B sur un oxyde mince. Dans

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Більше джерел

Книги з теми "Nanoélectronique – Matériaux"

1

1955-, Bozhevolnyi Sergey I., ed. Plasmonic nanoguides and circuits. Pan Stanford, 2009.

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2

1955-, Bozhevolnyi Sergey I., ed. Plasmonic nanoguides and circuits. Distributed by World Scientific Pub., 2009.

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3

1955-, Bozhevolnyi Sergey I., ed. Plasmonic nanoguides and circuits. Distributed by World Scientific Pub., 2009.

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4

Nanoplasmonics Advanced Device Applications. CRC Press, 2013.

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5

Tanaka, Toshikatsu, and Takahiro Imai. Advanced Nanodielectrics: Fundamentals and Applications. Jenny Stanford Publishing, 2017.

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6

Advanced Nanodielectrics: Fundamentals and Applications. Taylor & Francis Group, 2017.

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7

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

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8

Nano-CMOS gate dielectric engineering. CRC Press, 2012.

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9

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2013.

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10

Wong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.

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Частини книг з теми "Nanoélectronique – Matériaux"

1

Lévy, Didier, and François Martin. "Chapitre 11 : Les matériaux en nanoélectronique industrielle." In Chimie, nanomatériaux, nanotechnologies. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-2399-4-013.

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Lévy, Didier, and François Martin. "Chapitre 11 : Les matériaux en nanoélectronique industrielle." In Chimie, nanomatériaux, nanotechnologies. EDP Sciences, 2020. http://dx.doi.org/10.1051/978-2-7598-2399-4.c013.

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3

Lévy, Didier, and François Martin. "Chapitre 11 : Les matériaux en nanoélectronique industrielle." In Chimie, nanomatériaux, nanotechnologies. EDP Sciences, 2020. https://doi.org/10.1051/978-2-7598-2376-5.c013.

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