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Дисертації з теми "Recombinaison des porteurs"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 11 січня 2025

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Ознайомтеся з топ-20 дисертацій для дослідження на тему "Recombinaison des porteurs".

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Nemar, Noureddine. "Génération-recombinaison en régime de porteurs chauds dans le silicium de type P." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20151.

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Анотація:
Dans la premiere partie de ce travail, nous avons etudie l'effet de prendre un modele inelastique d'interaction avec les phonons acoustiques (a temperature basse (77 k et 110 k) sur la fonction de distribution et les parametres de transport dans le silicium dope au bore (si-p). Une comparaison a ete faite avec des resultats theoriques (utilisant un modele elastique) et experimentaux (obtenus au laboratoire). Dans la seconde partie, nous avons introduit les termes de generation-recombinaison dans l'equation de boltzmann et formule une equation supplementaire donnant l'evolution du nombre de por
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LIU, HONG WU. "Etude optique des puits quantiques gaas/gaalas : transport vertical et recombinaison en presence de porteurs." Paris 6, 1990. http://www.theses.fr/1990PA066214.

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Анотація:
Les etudes optiques de transport vertical dans un systeme de double puits quantiques asymetrique sous champ electrique ga#0#. #7al#0#. #3as/gaas ont permis de mettre en evidence les resonances de transfert d'electrons, de trous et d'excitons a basse temperature. Ces resultats sont compares a des calculs des temps tunnel assistes par les defauts du systeme ou les phonons. Les etudes de puits quantiques a modulation de dopage ont montre la levee partielle des regles de selection en presence de porteurs ainsi que l'augmentation de la duree de vie radiative due aux effets a n corps
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3

Bensaid, Bachir. "Contribution à l'étude de l'influence des phénomènes d'auto-absorption sur la recombinaison des porteurs dans les semiconducteurs." Nice, 1989. http://www.theses.fr/1989NICE4329.

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Анотація:
Dans les semiconducteurs à largeur de bande interdite directe, les processus de réabsorption du photon émis, sont connus pour leur contribution à l'augmentation de la durée de vie et de la diffusion des porteurs minoritaires dans le cas d'une cellule solaire puisqu'ils contrôlent le rendement photovoltaïque. La réabsorption est liée à la structure de bande du semiconducteur de base utilisé dans la fabrication de photopiles. La mesure du déclin de photoluminescence est un des moyens qui permet d'évaluer la durée de vie des porteurs minoritaires. Il en résulte qu'une bonne modélisation du déclin
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4

Merk, Eric. "Etude des cinétiques de piègeage et de recombinaison des porteurs photogénérés par analyse de la photoluminescence dans le silicium amorphe hydrogène /." [S.l.] : [s.n.], 1986. http://library.epfl.ch/theses/?nr=620.

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5

Choueib, Nargess. "Matrices de commutation par effets d'injection de porteurs sur InP." Thesis, Lille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008LIL10017/document.

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Анотація:
Partant d'une structure de commutateur électro-optique sur InP de type DOS (Digital Optical Switch) fonctionnant par injection des porteurs, de faible diaphotie (-40dB) à la longueur d'onde 1.55µm, le but de ce travail de thèse a été d'étudier la possibilité de réaliser en optique intégrée sur InP des matrices de commutation à 2 entrées et 2 sorties conservant les mêmes performances en diaphotie. Pour atteindre cet objectif, nous avons tout d'abord optimisé la géométrie d'une matrice purement passive à l'aide de la méthode des faisceaux propagés (BPM) 2D ou 3D. Nous avons ainsi défini sept mat
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Chapelon, Olivier. "Transport en régime de porteurs chauds dans le silicium de type n." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20066.

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Анотація:
Il a ete mis au point un programme permettant de calculer les parametres de transport par resolution de l'equation de boltzmann dans le si-n. Une etude de l'influence de la degenerescence a montre que celle-ci jouait un role negligeable pour les dopages utilises au cours de cette etude. L'introduction de la generation recombinaison dans le programme a permis de calculer l'evolution de la fraction ionisee en regime de porteurs chauds et de mettre en evidence que le regime transitoire est fortement modifie. Dans une derniere partie, l'equation de boltzmann a ete resolue en tenant compte d'une di
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Affour, Bachar. "Mesure de la durée de vie des porteurs et de la vitesse de recombinaison à l'interface arrière métal-semiconducteur dans des photopiles en silicium." Perpignan, 1997. http://www.theses.fr/1997PERP0296.

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Анотація:
L'amelioration du rendement des photopiles industrielles necessite la maitrise des procedes technologiques conduisant a leur realisation. L'evaluation globale de l'impact de ces procedes sur le dispositif final passe par la mesure de la duree de vie des porteurs minoritaires dans la base et de leur vitesse de recombinaison sur la surface arriere. Nous avons developpe une nouvelle methode experimentale qui permet la mesure simultanee de ces deux grandeurs dans les conditions reelles de fonctionnement et pour n'importe quel niveau d'injection. Elle consiste en l'exploitation de la courbe de tens
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Bejar, Moez. "Cartographie de la vitesse de recombinaison en surface et de la durée de vie des porteurs dans les semi-conducteurs III-V et le silicium par imagerie de photoluminescence à température ambiante." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1998. http://www.theses.fr/1998ECDL0026.

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Анотація:
La recherche sur l'optimisation et le developpement de nouvelles technologies iii-v et si semble s'accelerer considerablement depuis quelques annees. En consequence, il apparait un besoin urgent de nouvelles techniques permettant l'expertise et le controle de ces materiaux d'une maniere rapide et non-destructive. Dans ce contexte, les objectifs de ce travail ont ete les suivants : - proposer des nouvelles techniques d'analyse quantitative et non-destructives de l'uniformite de la distribution de la duree de vie des porteurs, de la vitesse de recombinaison en surface et du dopage a partir de l'
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Zhao, Yunhai. "Interface engineering and absorber with composition gradient for high-efficiency Kesterite solar cells." Electronic Thesis or Diss., Université de Rennes (2023-....), 2024. http://www.theses.fr/2024URENS048.

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Анотація:
Dans cette thèse, les propriétés de transport des porteurs de charge, le processus de croissance des grains, le mécanisme de perte de VOC et les possibilités d'amélioration du rendement des cellules solaires de CZTSSe ont été étudiés. L'importante perte de VOC et le faible facteur de remplissage des cellules solaires CZTSSe sont les principaux défis pour l'amélioration du rendement. Cela est principalement dû à la mauvaise qualité de l'interface arrière, à l'alignement non optimisé des bandes et à la présence des phases secondaires dans l'absorbeur. Trois approaches ont été utilisées dans ce t
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Katoudi, Ruben Antonin. "Permittivités complexes dans certains charbons bruts et pyrolysés : utilisation d'un modèle fondé sur la notion de sites localisés." Montpellier 2, 1990. http://www.theses.fr/1990MON20078.

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Анотація:
Des mesures de transport de courant realisees sur des cokes d'anthracene ont montre qu'il apparait une conductivite de polarisation lorsque les echantillons sont soumis a une tension alternative variable. Cette loi d'evolution en #s a permis de rapprocher le concept d'etats localises utilise pour interpreter le comportement des cokes d'anthracene de la notion d'unites structurales de base (u. S. B. ). Des lors, l'energie potentielle des sites localises pouvait etre reliee au degre d'aromaticite des u. S. B. , donc a leur proche environnement. L'interpretation du comportement de la permittivite
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Fernandez, Garrillo Pablo Arturo. "Développement de techniques de microscopie Kelvin hautement résolues et photomodulées pour l'étude de systèmes photovoltaïques." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY031/document.

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Анотація:
Cette thèse propose, décrit et utilise un ensemble de techniques basées sur la microscopie à force atomique sous ultravide pour la cartographie simultanée, à l'échelle nanométrique, de la topographie de surface et des dynamiques temporelles des photo-porteurs. Ainsi, en contrôlant la dépendance du photo-potentiel de surface moyen mesuré par microscopie à force de sonde Kelvin en fonction de la fréquence de répétition d'une source lumineuse externe d'excitation, le dispositif expérimental permet d’accéder aux dynamiques temporelles du photo-potentiel de surface qui, à leur tour, permettent d'ét
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Vaillant, Frédéric. "Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10058.

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Анотація:
Effet de l'introduction de diborane et de phosphine dans le melange gazeux depose par decharge electroluminescente a 50 h::(3). Caracterisation par methode optique dans le visible et l'ir, deflexion photothermique, conductivite et photoconductivite stationnaire. Variation avec le dopage de proprietes electriques. Proposition d'un nouveau modele de recombinaison
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Duval, Caroline. "Etude du récepteur nucléaire peroxisome proliferator-activated receptor alpha (PPARα) in vivo par recombinaison homologue : création et caractérisation de souris humanisées pour PPARα, création de souris porteuses de l'inactivation conditionnelle de PPARα". Lille 2, 2005. http://www.theses.fr/2005LIL2S004.

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Анотація:
L’athérosclérose est une pathologie inflammatoire chronique de la paroi vasculaire, caractérisée par l’accumulation graduelle de lipides dans la paroi interne des artères. PPARα est un récepteur nucléaire activé par les médicaments hypolipémiants de la classe des fibrates, utilisés dans le traitement de désordres métaboliques prédisposant à l’athérosclérose. PPARα joue un rôle majeur dans l’homéostasie lipidique et glucidique, mais aussi dans le contrôle de l’inflammation vasculaire et apparaît donc comme une cible thérapeutique très intéressante. Le but de nos travaux était de préciser le rôl
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Ihlal, Ahmed. "Analyses quantitatives par sem/ebic des defauts recombinants dans les semiconducteurs polycristallins : influence des traitements thermiques sur l'activite electrique des bicristaux de silicium." Caen, 1988. http://www.theses.fr/1988CAEN2007.

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Анотація:
Etude quantitative , par la methode ebic, de la recombinaison des porteurs minoritaires dans des bicristaux de silicium en fonction des traitements thermiques, entre 450 et 950**(o)c. Un developpement des phenomenes physiques regissant la creation de differentes theories conduisant au traitement quantitatif du signal ebic est presente. Selon le traitement thermique, le contraste des deux types de joints de grains evolue avec la temperature: vitese de recombinaison et longueur de diffusion varient avec la temperature de recuit
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Benazzouz, Tewfik. "Modélisation numérique de plasmas en écoulements turbulents : application au cas de l'argon." Rouen, 1999. http://www.theses.fr/2000ROUES029.

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Анотація:
Cette thèse a pour thème la modélisation de gaz ionisés en écoulement turbulent avec comme application le développement d'un modèle adapté pour la prédiction des concentrations des espèces chargées et de leurs fluctuations. L'application concrète de cette thèse est donc relative à la rentrée atmosphérique d'engins spatiaux et plus particulièrement à la signature électromagnétique du sillage de ces engins. Le travail peut être découpé en trois parties : la première regroupant les chapitres 2 à 4 donne les bases de la modélisation, la deuxième (chapitres 5 à 7) développe les différents aspects n
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Walz, Dieter. "Caractérisation de la contamination métallique dans le silicium par des méthodes de durée de vie : application au cas du fer dans le silicium de type P." Grenoble INPG, 1995. http://www.theses.fr/1995INPG0048.

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Анотація:
La caracterisation de la micro contamination metallique dans le silicium par des methodes de duree de vie joue un role de plus en plus important. Dans cette etude nous comparons differentes techniques de mesure de duree de vie (spv, sca-spv, -pcd, elymat et duree de vie de generation dans une structure mos). Nous avons entrepris une analyse critique des modeles utilises pour l'exploitation des mesures et nous avons compare ensuite les sensibilites et les valeurs de duree de vie obtenues par chaque technique en utilisant des echantillons de silicium type p contamines volontairement avec du fer.
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Brum, José Antonio. "Etude theorique des proprietes electroniques des heterostructures de semiconducteurs." Paris 7, 1987. http://www.theses.fr/1987PA077006.

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Анотація:
Relations de dispersion des porteurs dans le plan des couches, avec attention particuliere aux sous-bandes de valence issues des extrema gamma ::(8) des materiaux hotes; etude des problemes coulombiens avec resolution du probleme de l'exciton et etude de la raie d'emission associee aux recombinaisons electron-trou piege dans les puits quantiques gaas/algaas. Effets d'un champ electrique longitudinal sur les niveaux d'energie a une et deux particules; interpretations de la stabilite de l'exciton et etude des niveaux d'energie d'impurete et des super reseaux "dents de scie". Etude de la capture
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Moroni, Didier. "Etude des proprietes optiques de semi-conducteurs composes iii-v et de puits quantiques par photoluminescence et excitation de la photoluminescence." Paris 6, 1987. http://www.theses.fr/1987PA066540.

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Анотація:
Identification des types de recombinaison entre 2 et 300k dans les couches epaisses de gainas et gainp epitaxiees sur leur support respectif inp et gaas. Etude de l'origine de la luminescence et variation en fonction de l'epaisseur du taux de capture des porteurs de la barriere dans les puits quantiques ingaas/inp. Determination du coefficient d'interdiffusion de al et ga aux interfaces dans les puits quantiques gaas/gaalas
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Chastaingt, Bruno. "Spectroscopie d'hétérostructures ultra-minces appliquée à l'étude de l'interface GaAa/AlAs." Nice, 1993. http://www.theses.fr/1993NICE4694.

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Анотація:
L'objectif des travaux décrits dans ce mémoire est de rechercher le lien entre les propriétés de recombinaisons dans les hétérostructures de type GaAs/AlAs et la structure de l'interface. L'observation de variations des énergies de confinement dans les puits quantiques directs GaAs/(al,ga)as lies aux choix des températures de croissance amène une interrogation sur la nature des processus qui entrainent l'introduction d'un désordre aux interfaces (ségrégation verticale ou démixtion d'alliage) et conduise à approfondir l'étude de puits quantiques à double barrière GaAs/AlAs/(al,ga)as ou les épai
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Benjelloun, Nadia. "Caracterisation des niveaux profonds dans le materiau photorefractif bi : :(12) geo::(20) par analyse de transitoires de courant photo-induit." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1988. http://www.theses.fr/1988STR13183.

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Анотація:
La methode est utilisee pour l'etude de la densite d'etats dans la bande interdite du silicium amorphe hydrogene et sur cdin::(2)s::(4). La caracterisation des niveaux ayant des energies d'ionisation thermique entre 0,1 ev et 0,9 ev, le modele de transfert de charge decrivant l'effet photorefractif et l'evaluation du niveau de recombinaison, sont faits dans le materiau photorefractif. Les effets du dopage (fer) et du codopage (fer, vanadium) sur les niveaux sont consideres. Le centre responsable de la capture d'electrons est aussi etudie par absorption optique et photoconductivite photoinduite
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