Дисертації з теми "Transistor à haute mobilité électrique"
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Duszynski, Isabelle. "Réalisation et caractérisation électrique de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-346.pdf.
Повний текст джерелаElias, Caroline. "Étude d'héterostructures HEMT ScAlN/GaN élaborées par épitaxie sous jets moléculaires assistée ammoniac." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2023. http://www.theses.fr/2023COAZ4137.
Повний текст джерелаEl, Makoudi Ikram. "Étude et fabrication de transistors à enrichissement de la filière InAlAs/InGaAs pour applications millimétriques faible bruit." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10069/document.
Повний текст джерелаRennane, Abdelali. "Caractérisation et modélisation du bruit basse fréquence des composants bipolaires et à effet de champ pour applications micro-ondes." Toulouse 3, 2004. http://www.theses.fr/2004TOU30236.
Повний текст джерелаBassaler, Julien. "Propriétés de transport électronique et performances de HEMT à canal AlGaN pour l'électronique de puissance." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALY002.
Повний текст джерелаLocatelli, Marie-Laure. "Etude du comportement électrique du transistor bipolaire de puissance en haute température." Lyon, INSA, 1993. http://www.theses.fr/1993ISAL0036.
Повний текст джерелаLiu, Qiang. "Etude du comportement électrique de transistor de puissance pour l'automobile en haute température." Lyon, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAL0125.
Повний текст джерелаChikhaoui, Walf. "Etude des mécanismes physiques responsables des dysfonctionnements des transistors HEMTs à base d'hétérostructures AlGaN/GaN et AlInN/GaN." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679527.
Повний текст джерелаJuery, Lucie. "Communication térahertz sans fil à haut débit avec un transistor à haute mobilité électronique comme détecteur." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20115/document.
Повний текст джерелаAupetit-Berthelemot, Christelle. "Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques." Limoges, 1998. http://www.theses.fr/1998LIMO0042.
Повний текст джерелаWerquin, Matthieu. "Études théoriques et expérimentales de transistors HEMT's de la filière nitrure de gallium pour les applications de puissance hyperfréquences." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-274.pdf.
Повний текст джерелаAubry, Raphaël. "Étude des aspects électrothermiques de la filière HEMT AlGaN/GaN pour application de puissance hyperfréquence." Lille 1, 2004. https://ori-nuxeo.univ-lille1.fr/nuxeo/site/esupversions/6d4720ee-b249-4e1e-8872-4fa2c68170bf.
Повний текст джерелаOuro, Bodi Dissadama. "Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique : corrélation avec les aspects technologiques et la fiabilité." Bordeaux 1, 1992. http://www.theses.fr/1992BOR10643.
Повний текст джерелаBelhadj, Abdenabi. "Etude des effets parasites et des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique." Limoges, 1990. http://www.theses.fr/1990LIMO0092.
Повний текст джерелаLamrani, Younès. "Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium." Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30042.
Повний текст джерелаHamieh, Youness. "Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665817.
Повний текст джерелаCutivet, Adrien. "Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10194/document.
Повний текст джерелаLe, Coustre Gwenael. "Contribution au développement d’une filière de transistor de forte puissance à base de technologie HEMT GaN pour applications télécoms et radar." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10118/document.
Повний текст джерелаBelache, Areski. "Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs." Lille 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LIL10037.
Повний текст джерелаJoblot, Sylvain, and S. Joblot. "Croissance d'hétérostructures à base de GaN sur substrat de silicium orienté (001): applications aux transistors à haute mobilité d'électrons." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00396384.
Повний текст джерелаMedjdoub-El, Amraoui Mokhtaria. "Dépôts de nitrure de silicium assistés par plasma à couplage inductif ICP-PECVD : application à la passivation du transistor à haute mobilité électronique GaInAs/InP." Paris 7, 2001. http://www.theses.fr/2001PA077100.
Повний текст джерелаHerbecq, Nicolas. "Conception et réalisation de composants GaN innovants pour les applications de conversion de puissance au-delà du kilovolt." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10152.
Повний текст джерелаSarazin, Nicolas. "HEMTs à base de nitrure de gallium : évolution vers un nouveau système de matériaux, une nouvelle génération de composants." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2007/50376-2007-Sarazin.pdf.
Повний текст джерелаLucas, Tristan. "Vers la cryoélectronique ultra sensible : étude expérimentale des caractéristiques statiques et du bruit en 1/f du HEMT à 4,2K." Paris 7, 2003. http://www.theses.fr/2003PA077246.
Повний текст джерелаBaron, Nicolas. "Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00451937.
Повний текст джерелаTaurou, Eléonore. "Utilisation des transistors GaN dans les chargeurs de véhicule électrique." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLC076/document.
Повний текст джерелаBenbakhti, Brahim. "Analyses physique et thermique de transistors à effet de champ de la filière GaN : optimisation de structures pour l'amplification de puisssance hyperfréquence." Lille 1, 2006. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2006/50376_2006_294.pdf.
Повний текст джерелаRennesson, Stéphanie. "Développement de nouvelles hétérostructures HEMTs à base de nitrure de gallium pour des applications de puissance en gamme d'ondes millimétriques." Phd thesis, Université Nice Sophia Antipolis, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00943619.
Повний текст джерелаNiu, Shiqin. "Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document.
Повний текст джерелаSilva, Michel da. "Etude de la compatibilité entre les circuits récepteurs pin et les transistors à effet de champ. : extension aux transistors à haute mobilité et à confinement des porteurs du canal bi-dimensionnel." Toulouse 3, 1992. http://www.theses.fr/1992TOU30153.
Повний текст джерелаBoucherit, Mohamed. "Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10004/document.
Повний текст джерелаDefrance, Nicolas. "Caractérisation et modélisation de dispositifs de la filière nitrure pour la conception de circuits intégrés de puissance hyperfréquences." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2007/50376-2007-Defrance.pdf.
Повний текст джерелаAroulanda, Sébastien. "Co-intégration de HEMT GaN hyperfréquence normally-off avec des normally-on." Thesis, Lille, 2020. http://www.theses.fr/2020LILUI083.
Повний текст джерелаComyn, Rémi. "Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l’épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium." Thèse, Université de Sherbrooke, 2016. http://hdl.handle.net/11143/9891.
Повний текст джерелаAltuntas, Philippe. "Fabrication et caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10131/document.
Повний текст джерелаOlivier, Aurélien. "Fabrication et caractérisation des transistors à effet de champ de la filière III-V pour applications basse consommation." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10162/document.
Повний текст джерелаRamirez-garcia, Eloy. "Analyse expérimentale et modélisation du bruit haute fréquence des transistors bipolaires à hétérojonctions SiGe et InGaAs/InP pour les applications très hautes fréquences." Thesis, Paris 11, 2011. http://www.theses.fr/2011PA112082/document.
Повний текст джерелаRamirez-Garcia, Eloy. "Analyse expérimentale et modélisation du bruit haute fréquence des transistors bipolaires à hétérojonctions SiGe et InGaAs/InP pour les applications très hautes fréquences." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00604071.
Повний текст джерелаFleury, Dominique. "Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub 45nm." Phd thesis, Grenoble INPG, 2009. http://www.theses.fr/2009INPG0125.
Повний текст джерелаFleury, Dominique. "Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm." Phd thesis, Grenoble INPG, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00461948.
Повний текст джерелаEl, Falahi Khalil. "Contribution à la conception de driver en technologie CMOS SOI pour la commande de transistors JFET SiC pour un environnement de haute température." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00770657.
Повний текст джерелаFalahi, Khalil El. "Contribution à la conception de driver en technologie CMOS SOI pour la commande de transistors JFET SiC pour un environnement de haute température." Thesis, Lyon, INSA, 2012. http://www.theses.fr/2012ISAL0056/document.
Повний текст джерелаGrandpierron, François. "Design, fabrication and simulation of next generation robust GaN HEMTs for millimeter wave applications." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2024. http://www.theses.fr/2024ULILN045.
Повний текст джерелаLatrach, Soumaya. "Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018AZUR4243.
Повний текст джерелаMogniotte, Jean-François. "Conception d'un circuit intégré en SiC appliqué aux convertisseur de moyenne puissance." Thesis, Lyon, INSA, 2014. http://www.theses.fr/2014ISAL0004/document.
Повний текст джерелаComyn, Rémi. "Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016AZUR4098.
Повний текст джерелаLong, Sabine. "Etude du bruit dans les composants et circuits actifs aux fréquences millimétriques." Toulouse 3, 2002. http://www.theses.fr/2002TOU30164.
Повний текст джерелаZborowski, Charlotte. "Characterization of deeply buried interfaces by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEC025/document.
Повний текст джерелаEl, Bondry Nadia. "Epitaxie d’hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN." Thesis, Université Côte d'Azur, 2020. http://www.theses.fr/2020COAZ4080.
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