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Дисертації з теми "Transistor à haute mobilité électrique"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 13 квітня 2024
Оновлено: 31 липня 2025

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Duszynski, Isabelle. "Réalisation et caractérisation électrique de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-346.pdf.

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Анотація:
"Les travaux de cette thèse ont porté sur l'étude, la réalisation et la caractérisation de transistors HEMTs de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat d'InP, pouvant répondre aux différentes applications dans le domaine millimétrique, voire sub-millimétrique. Nous avons pour cela, envisagé deux axes principaux. La première voie qui a été suivie, est passée par une réduction des dimensions des transistors, en particulier la longueur de grille en "T" à quelques dizaines de nanomètres. Cette réduction, nécessaire afin d'augmenter les performances, passe par une amélioration de certaines étapes tec
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Elias, Caroline. "Étude d'héterostructures HEMT ScAlN/GaN élaborées par épitaxie sous jets moléculaires assistée ammoniac." Electronic Thesis or Diss., Université Côte d'Azur, 2023. http://www.theses.fr/2023COAZ4137.

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Анотація:
L'alliage ScAlN est un semiconducteur III-N à large bande interdite connu pour ses propriétés piézoélectriques remarquables. Ses propriétés de polarisation spontanée et piézoélectrique sont également intéressantes pour la réalisation d'hétérojonctions avec le GaN en vue de fabriquer des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs). Dans ces hétérojonctions, remplacer le matériau barrière AlGaN habituellement utilisé par ScAlN présente plusieurs avantages, parmi lesquels la possibilité de générer des gaz bidimensionnels d'électrons (2DEGs) avec des densités bien plus importantes. En corola
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El, Makoudi Ikram. "Étude et fabrication de transistors à enrichissement de la filière InAlAs/InGaAs pour applications millimétriques faible bruit." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10069/document.

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Анотація:
Pour les applications électroniques analogiques, des composants fonctionnant en hautes fréquences avec un faible niveau de bruit sont nécessaires. Pour le développement de circuits numériques hauts débits de type DCFL, il faut utiliser des transistors à effet de champ à tensions de seuil positives. De plus, la tenue en tension est aussi une contrainte. La structure HEMT métamorphique à enrichissement AlInAs/GaInAs sur GaAs développée par la société OMMIC en 2007 répond à ces exigences et constitue le point de départ de cette étude. Le but de cette thèse est en effet de fournir une structure de
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Rennane, Abdelali. "Caractérisation et modélisation du bruit basse fréquence des composants bipolaires et à effet de champ pour applications micro-ondes." Toulouse 3, 2004. http://www.theses.fr/2004TOU30236.

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Анотація:
Le travail présenté dans ce mémoire a pour objet principal l’étude des phénomènes de bruit du fond électrique basse fréquence dans des transistors pour applications micro-ondes de type effet de champ (HEMT) sur SiGe et GaN ainsi que de type bipolaire à hétérojonction (TBH) à base de silicium-germanium (SiGe). Dans un premier chapitre nous rappelons les caractéristiques et propriétés essentielles des sources de bruit en excès que l’on rencontre généralement dans ce type de composants et proposons une description des bancs de mesure de bruit mis en oeuvre. Dans les deuxième et troisième chapitre
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Bassaler, Julien. "Propriétés de transport électronique et performances de HEMT à canal AlGaN pour l'électronique de puissance." Electronic Thesis or Diss., Université Grenoble Alpes, 2024. http://www.theses.fr/2024GRALY002.

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Анотація:
La demande croissante en énergie exige la création d'infrastructures nouvelles et adaptées, et le développement de l'électronique de puissance joue un rôle clé dans cette quête. L'utilisation de semi-conducteurs à large bande interdite, en raison de leurs propriétés physiques supérieures au silicium, s'avère être la voie la plus prometteuse pour concevoir des composants plus performants. Bien que les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de GaN sur silicium soient déjà commercialisés, leur tension de fonctionnement est limitée à 650 V et ils montrent une nette dégradation de
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Locatelli, Marie-Laure. "Etude du comportement électrique du transistor bipolaire de puissance en haute température." Lyon, INSA, 1993. http://www.theses.fr/1993ISAL0036.

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Анотація:
Le domaine des composantes de puissance haute température concerne à la fois les applications devant fonctionner en milieu à température ambiante élevée, et les applications en ambiance normale pour les quelles une augmentation de la puissance massique et volumineuse des équipements souhaitée. Dans ce contexte, nous nous sommes plus particulièrement attaché à l'étude du comportement électrique du transistor bipolaire de puissance dans la gamme de températures allant de 30°C à 260°C. Ont été successivement étudiées et analysées d'un point de vue physique les évolutions en température des princi
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Liu, Qiang. "Etude du comportement électrique de transistor de puissance pour l'automobile en haute température." Lyon, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAL0125.

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Анотація:
La connaissance du comportement électrique à température de boîtier de l'ordre de 200°C des composants de puissance à semi-conducteur est d'une grande importance pour les applications électroniques de l'automobile du futur. Dans ce contexte, notre travail s'est intéressé à deux aspects : une étude de fonctionnalité à haute température de trois types de transistors de puissance (Darlington, MOSFET et IGBT) intéressants pour l'automobile (en particulier pour les applications d'injection et d'allumage transistorisés) et une contribution à l'étude de la fiabilité de la fonction "allumage" à haute
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Chikhaoui, Walf. "Etude des mécanismes physiques responsables des dysfonctionnements des transistors HEMTs à base d'hétérostructures AlGaN/GaN et AlInN/GaN." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679527.

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Анотація:
La fabrication des composants semi-conducteurs à base de nitrure de gallium (GaN) connaît actuellement une grande expansion. Ce matériau, par ces propriétés physico-chimiques intéressantes, est un très bon candidat pour la fabrication des composants de puissance à haute fréquence de fonctionnement. Dans la pratique, avant d'intégrer ces composants dans un système électronique, l'analyse de leur fiabilité est une étape nécessaire pour valider la technologie de fabrication utilisée. L'objectif de ce travail est la détermination des mécanismes physiques responsables de la dégradation des performa
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Juery, Lucie. "Communication térahertz sans fil à haut débit avec un transistor à haute mobilité électronique comme détecteur." Thesis, Montpellier 2, 2014. http://www.theses.fr/2014MON20115/document.

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Анотація:
Un des objectifs majeurs des systèmes de communication est de pouvoir transmettre des données aux plus hauts débits possibles. La demande croissante des utilisateurs pour la communication sans fil à haut débit excède déjà les possibilités des réseaux actuels. Afin de répondre à cette problématique, nous présentons des systèmes de communication basés sur des fréquences porteuses térahertz (THz), fréquences suffisamment élevées pour supporter des débits supérieurs à la centaine de gigahertz. En particulier, nous nous intéressons au développement et à l'intégration d'un détecteur haut débit desti
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Aupetit-Berthelemot, Christelle. "Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques." Limoges, 1998. http://www.theses.fr/1998LIMO0042.

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Werquin, Matthieu. "Études théoriques et expérimentales de transistors HEMT's de la filière nitrure de gallium pour les applications de puissance hyperfréquences." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-274.pdf.

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Анотація:
Le développement des systèmes modernes requière la conception d'amplificateurs de puissances aux performances croissantes afin de répondre aux demandes toujours plus exigeantes du marché. Les matériaux à base de nitrure permettent d'améliorer les performances en puissance hyperfréquences de ces dispositifs. Les travaux réalisés dans ce mémoire portent sur l'étude des caractéristiques expérimentales et de la modélisation des transistors HEMT à base de GaN en vue de leur utilisation dans ces dispositifs. La première partie de ce travail situe la filière nitrure de gallium dans le contexte actuel
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Aubry, Raphaël. "Étude des aspects électrothermiques de la filière HEMT AlGaN/GaN pour application de puissance hyperfréquence." Lille 1, 2004. https://ori-nuxeo.univ-lille1.fr/nuxeo/site/esupversions/6d4720ee-b249-4e1e-8872-4fa2c68170bf.

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Анотація:
Les HEMT à base de nitrure de gallium sont développés pour les applications de puissance hyperfréquence et leurs performances sont limitées par l'élévation de température résultante des hautes densités d'énergie dissipées dans les dispositifs. La température diminue la mobilité des électrons dans le gaz bidimensionnel, l'efficacité des résistances de contact ohmique ainsi qu'une baisse de la fiabilité du contact Schottky de la grille. L'optimisation du management thermique, afin d'obtenir les performances optimales, nécessite une connaissance précise de la température de fonctionnement thermiq
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Ouro, Bodi Dissadama. "Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique : corrélation avec les aspects technologiques et la fiabilité." Bordeaux 1, 1992. http://www.theses.fr/1992BOR10643.

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Анотація:
Ce travail se rapporte a la caracterisation et a l'interpretation des effets parasites du transistor a haute mobilite electronique (hemt). Nous montrons que les limitations de ces performances sont liees aux proprietes intrinseques des couches algaas et gaas. La correlation avec le bruit bf du canal et la fiabilite de ces composants (evaluee par un vieillissement accelere) mettent en evidence des degradations dont les origines sont particulierement attribuees aux procedes technologiques des contacts. Les resultats obtenus font cependant apparaitre pour le hemt un niveau de fiabilite equivalent
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Belhadj, Abdenabi. "Etude des effets parasites et des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique." Limoges, 1990. http://www.theses.fr/1990LIMO0092.

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Анотація:
Les avantages en termes de performances microondes du transistor a effet de champ a haute mobilite electronique sont prealablement etudies. Puis une investigation des principaux effets parasites penalisant l'integration monolithique est menee et le role du residuel accepteur de la couche tampon de gaas est identifie. Une solution technologique attenuant les effets a basse temperature du piege dx est egalement validee. Enfin une etude de fiabilite montre que les durees de vie obtenues se situent au niveau de l'etat-de-l'art actuel du mesfet gaas
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Lamrani, Younès. "Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium." Toulouse 3, 2005. http://www.theses.fr/2005TOU30042.

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Hamieh, Youness. "Caractérisation et modélisation du transistor JFET en SiC à haute température." Phd thesis, INSA de Lyon, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665817.

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Анотація:
Dans le domaine de l'électronique de puissance, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieure à celles de silicium. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systèmes. Parmi les interrupteurs exista
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Cutivet, Adrien. "Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10194/document.

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Анотація:
Parmi les technologies du 21e siècle en pleine expansion, la télécommunication sans-fil constitue une dimension fondamentale pour les réseaux mobiles, l’aéronautique, les applications spatiales et les systèmes de positionnement par satellites. Dans ce sens, l’alternative de l’exploitation de bande de plus haute fréquence et la multiplication des canaux de transmission sont activement visées par les travaux de recherches actuels. Les technologies à l’étude reposent sur l’utilisation de systèmes intégrés pour répondre aux considérations de coûts de production et d’encombrement des dispositifs. L
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Le, Coustre Gwenael. "Contribution au développement d’une filière de transistor de forte puissance à base de technologie HEMT GaN pour applications télécoms et radar." Thesis, Lille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009LIL10118/document.

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Анотація:
L’utilisation de matériaux grand gap, et tout particulièrement l’emploi du nitrure de gallium est une solution pour la génération de puissance aux fréquences microondes. Les HEMTs réalisés à partir du matériau GaN présentent actuellement les meilleures performances mondiales pour la génération de puissance hyperfréquence. Cependant, les concepteurs ont besoin de connaître leurs limitations électriques : Plus précisément, ils ont besoin de connaître leurs caractéristiques électriques dans leurs zones de fonctionnement et d’en avoir des modèles mathématiques intégrables dans des outils de CAO. D
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Belache, Areski. "Etude des propriétés physiques et performances potentielles en basses températures du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique AlGaAs/GaAs." Lille 1, 1989. http://www.theses.fr/1989LIL10037.

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Анотація:
Mise en œuvre d'un modèle de simulation pseudo-bidimensionnelle au transistor a mobilité électronique élevée (HEMT) à grille submicronique permettant de prévoir ses performances potentielles à la température de l'azote liquide.
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Joblot, Sylvain, and S. Joblot. "Croissance d'hétérostructures à base de GaN sur substrat de silicium orienté (001): applications aux transistors à haute mobilité d'électrons." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00396384.

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Анотація:
L'hétéro-épitaxie de structures à base de GaN est réalisée, depuis les années 1990, principalement sur trois types de substrat : le carbure de silicium (SiC), le saphir (Al2O3) et le silicium (Si). Ce dernier possède les avantages d'une conductivité thermique identique à celle du GaN, d'une grande disponibilité, de tailles pouvant aller jusqu'à 12'' et de coûts très compétitifs induits par l'activité sans égale de la filière silicium. L'orientation (111) du silicium était préférée jusqu'alors pour l'hétéro-épitaxie de structures à base de GaN de par sa symétrie de surface hexagonale compatible
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Medjdoub-El, Amraoui Mokhtaria. "Dépôts de nitrure de silicium assistés par plasma à couplage inductif ICP-PECVD : application à la passivation du transistor à haute mobilité électronique GaInAs/InP." Paris 7, 2001. http://www.theses.fr/2001PA077100.

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Herbecq, Nicolas. "Conception et réalisation de composants GaN innovants pour les applications de conversion de puissance au-delà du kilovolt." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10152.

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Анотація:
Les transistors à haute mobilité électronique à base de Nitrure de Gallium sur substrat de silicium (GaN-sur-Si) sont des candidats prometteurs pour les futures générations de convertisseur de puissance. Aujourd’hui, plusieurs verrous techniques ralentissent la commercialisation de cette technologie au niveau industriel, en particulier pour les applications requérant de haute tension (≥ 600 V). Dans ce contexte, ces travaux constituent une contribution au développement de composants innovants à base de GaN-sur-Si fonctionnant au-delà de 1kV. Nous nous sommes principalement focalisés sur l’amél
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Sarazin, Nicolas. "HEMTs à base de nitrure de gallium : évolution vers un nouveau système de matériaux, une nouvelle génération de composants." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2007/50376-2007-Sarazin.pdf.

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Анотація:
Les semiconducteurs à grande largeur de bande interdite et particulièrement les composés III-N tels que le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages sont, par leurs propriétés physiques et chimiques, de bons candidats pour la réalisation de composants de puissance à haute fréquence d'utilisation tels que les Transistors à Haute Mobilité Electronique (HEMT). Dans la pratique, cette réalisation se heurte à des limitations technologiques et physiques. Ainsi, la problématique principale demeure la maîtrise des états de surface (pièges) qui dégradent les performances en fréquence des transistors. A
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Lucas, Tristan. "Vers la cryoélectronique ultra sensible : étude expérimentale des caractéristiques statiques et du bruit en 1/f du HEMT à 4,2K." Paris 7, 2003. http://www.theses.fr/2003PA077246.

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Baron, Nicolas. "Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00451937.

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Анотація:
Des avancées significatives dans la synthèse des matériaux semiconducteurs à large bande interdite de la famille de GaN permettent aujourd'hui la réalisation de dispositifs optoélectroniques (diodes, lasers) mais aussi celle de dispositifs électroniques (transistor). L'absence de substrat natif GaN ou AlN a pour conséquence le recours à l'hétéroépitaxie sur des substrats de nature différente comme le silicium qui présente un grand intérêt de par son prix très compétitif, la taille des substrats disponibles et sa conductivité thermique. L'orientation (111) du silicium est préférée en raison d'u
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Taurou, Eléonore. "Utilisation des transistors GaN dans les chargeurs de véhicule électrique." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLC076/document.

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Анотація:
Le but de cette thèse est de concevoirun chargeur de véhicule électrique avec une fortedensité de puissance car il doit être embarqué dansle véhicule. La thèse se focalise sur le deuxièmeétage du chargeur qui comporte un transformateur.Cet élément représente une part importante du volumetotal du convertisseur.Pour réaliser cela, une nouvelle technologie de transistorsest utilisée : les transistors GaN. Ces composantsinduisent des pertes par commutation plusfaibles que les transistors classiquement utilisés cequi permet d’augmenter la fréquence de découpage.Cette fréquence est un levier pour am
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Benbakhti, Brahim. "Analyses physique et thermique de transistors à effet de champ de la filière GaN : optimisation de structures pour l'amplification de puisssance hyperfréquence." Lille 1, 2006. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2006/50376_2006_294.pdf.

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Анотація:
Les performances en puissance hyperfréquence des composants à base de nitrures sont fortement affectées par certains phénomènes physiques. La thermique, le claquage et la présence de pièges constituent les principales causes limitatives de ces composants. L'augmentation de la température altère les propriétés de transport dans le matériau et par conséquent, réduit ses performances électriques et hyperfréquences. Dans le cadre de composants de cette filière ce phénomène est particulièrement important compte tenu des puissances mise en Jeu. Le GaN est un semiconducteur III - V à grand gap dont l
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Rennesson, Stéphanie. "Développement de nouvelles hétérostructures HEMTs à base de nitrure de gallium pour des applications de puissance en gamme d'ondes millimétriques." Phd thesis, Université Nice Sophia Antipolis, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00943619.

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Анотація:
Les matériaux III-N sont présents dans la vie quotidienne pour des applications optoélectroniques (diodes électroluminescentes, lasers). Les propriétés remarquables du GaN (grand gap, grand champ de claquage, champ de polarisation élevé, vitesse de saturation des électrons importante...) en font un candidat de choix pour des applications en électronique de puissance à basse fréquence, mais aussi à haute fréquence, par exemple en gamme d'ondes millimétriques. L'enjeu de ce travail de thèse consiste à augmenter la fréquence de travail des transistors tout en maintenant une puissance élevée. Pour
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Niu, Shiqin. "Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium." Thesis, Lyon, 2016. http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document.

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Анотація:
La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof. D. PLANSON. Des premiers démonstrateurs de JFET ont été réalisés. Le blocage du JFET n'est pas efficace, ceci étant lié aux difficultés de réalisation technologique. Le premier travail a consisté en leur caractérisation précise puis en leur simulation, en tenant compte des erreurs de processus de fabrication. Ensuite, un nouveau masque a été dessiné en tenan
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Silva, Michel da. "Etude de la compatibilité entre les circuits récepteurs pin et les transistors à effet de champ. : extension aux transistors à haute mobilité et à confinement des porteurs du canal bi-dimensionnel." Toulouse 3, 1992. http://www.theses.fr/1992TOU30153.

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Анотація:
Ce mémoire présente les résultats d'une étude sur la compatibilité structurelle entre les circuits photorécepteurs pin et les transistors à effet de champ a hétérojonction qui permet d'améliorer leur intégration monolithique sur des substrats semi-isolants gaas. L'analyse des propriétés du photorécepteur vise à définir les règles de conception et d'optimisation des paramètres électriques et technologiques : réponse spectrale, sensibilité et rapidité. Ces règles offrent un moyen d'élaborer un transistor à effet de champ adapte à la photodétection. Ce transistor se définit par une transconductan
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Boucherit, Mohamed. "Etude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap : diode à effet tunnel résonant AlxGa1-xN/GaN, transistor HEMT boré à base de nitrure de gallium." Thesis, Lille 1, 2012. http://www.theses.fr/2012LIL10004/document.

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Анотація:
Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport él
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Defrance, Nicolas. "Caractérisation et modélisation de dispositifs de la filière nitrure pour la conception de circuits intégrés de puissance hyperfréquences." Lille 1, 2007. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2007/50376-2007-Defrance.pdf.

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Анотація:
Basés sur l'hétérostructure AIGaN/GaN, les composants étudiés dans ce mémoire se voient dotés de propriétés physiques extrêmement attractives: tensions de claquage élevées, densités de puissance importantes. . . L'étude de ces dispositifs particuliers apparaît comme déterminante dans un contexte réclamant des montées en puissance et en fréquence perpétuelles. De même, la conception de systèmes complexes à base de transistors HEMTs AlGaN/GaN implique nécessairement la mise en œuvre de modèles non linéaires suffisamment représentatifs et cohérents. Le premier chapitre décrit les principales prop
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Aroulanda, Sébastien. "Co-intégration de HEMT GaN hyperfréquence normally-off avec des normally-on." Thesis, Lille, 2020. http://www.theses.fr/2020LILUI083.

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Анотація:
Dans le cadre de la fabrication de dispositifs hyperfréquences, la fonctionnalité normally-off présente deux avantages : elle permet d’une part de s’affranchir de la source de tension négative pour les circuits intégrés monolithiques hyperfréquences (Monolithic Microwave Integrated Circuit – MMIC) et, d’autre part, la co-intégration de transistors normally-on et normally-off permettrait de réaliser des circuits logiques.Ce manuscrit présente les travaux réalisés dans l’objectif de développer un procédé de fabrication de HEMT normally-off compatible avec la fabrication de normally-on, permettan
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Comyn, Rémi. "Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l’épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium." Thèse, Université de Sherbrooke, 2016. http://hdl.handle.net/11143/9891.

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Анотація:
Dans le domaine des semi-conducteurs, la technologie silicium (principalement l’architecture CMOS) répond à la majorité des besoins du marché et, de ce fait, elle est abondamment utilisée. Ce semi-conducteur profite d’une part, de son abondance dans la nature et par conséquent de son faible coût, et d’autre part de la grande maturité de sa technologie qui est étudiée depuis un demi-siècle. Cependant, le silicium (Si) souffre de plus en plus de ses propriétés électriques limitées qui l’excluent de certains domaines dans lesquels les technologies à base de matériaux III-V sont les plus utilisées
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Altuntas, Philippe. "Fabrication et caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10131/document.

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Анотація:
Les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) à base de nitrure de gallium constituent une filière prometteuse pour l’amplification de puissance hyperfréquence pour les applications en bande millimétrique. Les propriétés remarquables du GaN, tels que le champ de claquage , la vitesse de saturation et la densité des électrons élevés sont à l’origine des performances exceptionnelles obtenues avec les dispositifs à base de GaN. Les travaux de thèse ont été réalisés au sein du groupe Composants et Dispositifs Micro-ondes de Puissance à l’IEMN. Ce travail relate la fabrication et la caracté
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Olivier, Aurélien. "Fabrication et caractérisation des transistors à effet de champ de la filière III-V pour applications basse consommation." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10162/document.

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Анотація:
Un système autonome est composé d’une interface capteur, d’un contrôleur numérique, d’une interface de communication et d’une source d’énergie et sa consommation doit être inférieure à environ 100 microW. Pour réduire la consommation de puissance, des nouveaux composants, les Green Transistor ont fait leur apparition sous différentes topologies, modes de fonctionnement et matériaux alternatifs au silicium. L’interface de communication est composée d’un transistor possédant de grandes performances électriques sous faible alimentation. Les topologies retenues sont le transistor à haute mobilité
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Ramirez-garcia, Eloy. "Analyse expérimentale et modélisation du bruit haute fréquence des transistors bipolaires à hétérojonctions SiGe et InGaAs/InP pour les applications très hautes fréquences." Thesis, Paris 11, 2011. http://www.theses.fr/2011PA112082/document.

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Анотація:
Le développement des technologies de communication et de l’information nécessite des composants semi-conducteurs ultrarapides et à faible niveau de bruit. Les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) sont des dispositifs qui visent des applications à hautes fréquences et qui peuvent satisfaire ces conditions. L’objet de cette thèse est l’étude expérimentale et la modélisation du bruit haute fréquence des TBH Si/SiGe:C (technologie STMicroelectronics) et InP/InGaAs (III-V Lab Alcatel-Thales).Accompagné d’un état de l’art des performances dynamiques des différentes technologies de TBH, le c
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Ramirez-Garcia, Eloy. "Analyse expérimentale et modélisation du bruit haute fréquence des transistors bipolaires à hétérojonctions SiGe et InGaAs/InP pour les applications très hautes fréquences." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00604071.

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Анотація:
Le développement des technologies de communication et de l'information nécessite des composants semi-conducteurs ultrarapides et à faible niveau de bruit. Les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) sont des dispositifs qui visent des applications à hautes fréquences et qui peuvent satisfaire ces conditions. L'objet de cette thèse est l'étude expérimentale et la modélisation du bruit haute fréquence des TBH Si/SiGe:C (technologie STMicroelectronics) et InP/InGaAs (III-V Lab Alcatel-Thales).Accompagné d'un état de l'art des performances dynamiques des différentes technologies de TBH, le c
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Fleury, Dominique. "Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub 45nm." Phd thesis, Grenoble INPG, 2009. http://www.theses.fr/2009INPG0125.

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Анотація:
La miniaturisation des composants électroniques qui permet aujourd'hui une intégration à grande échelle a été possible grâce aux innovations des procédés de fabrication. Ces modifications affectent profondément le comportement électrique des transistors MOS lorsque la longueur de grille devient inférieure à 100nm, altérant notre compréhension physique de ce dispositif. Ce travail de thèse se situe dans le domaine de l'étude des performances des transistors fabriqués dans les filières avancées (technologies sub-45nm) et l'analyse de leur réponse électrique. Il propose d'améliorer les méthodolog
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Fleury, Dominique. "Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm." Phd thesis, Grenoble INPG, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00461948.

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Анотація:
La miniaturisation des composants électroniques qui permet aujourd'hui une intégration à grande échelle a été possible grâce aux innovations des procédés de fabrication. Ces modifications affectent profondément le comportement électrique des transistors MOS lorsque la longueur de grille devient inférieure à 100nm, altérant notre compréhension physique de ce dispositif. Ce travail de thèse se situe dans le domaine de l'étude des performances des transistors fabriqués dans les filières avancées (technologies sub-45nm) et l'analyse de leur réponse électrique. Il propose d'améliorer les méthodolog
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El, Falahi Khalil. "Contribution à la conception de driver en technologie CMOS SOI pour la commande de transistors JFET SiC pour un environnement de haute température." Phd thesis, INSA de Lyon, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00770657.

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Анотація:
Dans le domaine aéronautique, les systèmes électriques remplacement progressivement les systèmes de contrôle mécaniques ou hydrauliques. Les bénéfices immédiats sont la réduction de la masse embarquée et des performances accrues à condition que l'électronique supporte l'absence de système de refroidissement. Si la haute température de fonctionnement n'empêche pas d'atteindre une fiabilité suffisante, il y aura réduction des coûts opérationnels. Des étapes clefs ont été franchies en introduisant des systèmes à commande électriques dans les aéronefs en lieu et place de systèmes conventionnels :
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Falahi, Khalil El. "Contribution à la conception de driver en technologie CMOS SOI pour la commande de transistors JFET SiC pour un environnement de haute température." Thesis, Lyon, INSA, 2012. http://www.theses.fr/2012ISAL0056/document.

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Анотація:
Dans le domaine aéronautique, les systèmes électriques remplacement progressivement les systèmes de contrôle mécaniques ou hydrauliques. Les bénéfices immédiats sont la réduction de la masse embarquée et des performances accrues à condition que l’électronique supporte l’absence de système de refroidissement. Si la haute température de fonctionnement n’empêche pas d’atteindre une fiabilité suffisante, il y aura réduction des coûts opérationnels. Des étapes clefs ont été franchies en introduisant des systèmes à commande électriques dans les aéronefs en lieu et place de systèmes conventionnels :
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Grandpierron, François. "Design, fabrication and simulation of next generation robust GaN HEMTs for millimeter wave applications." Electronic Thesis or Diss., Université de Lille (2022-....), 2024. http://www.theses.fr/2024ULILN045.

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Анотація:
Ces dernières années, des avancées significatives ont été réalisées avec les transistors à haute mobilité électronique en GaN (HEMTs) contribuant à l'évolution de la prochaine génération de réseaux 5G, de systèmes radar et de communications par satellite. Cependant, pour améliorer davantage l'amplification de puissance et les performances à haute fréquence (>30 GHz), de nouvelles architectures ont été développées. Ces conceptions se caractérisent pardes structures repensées avec des longueurs de grille inférieures à 150 nm, des couches barrières réduites ou des couches épitaxiales optimisée
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Latrach, Soumaya. "Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018AZUR4243.

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Анотація:
Les matériaux III-N ont apporté un gain considérable au niveau des performances des composants pour les applications en électronique de puissance. Les potentialités majeures du GaN pour ces applications résident dans son grand champ de claquage qui résulte de sa large bande interdite, son champ de polarisation élevé et sa vitesse de saturation importante. Les hétérostructures AlGaN/GaN ont été jusqu’à maintenant le système de choix pour l’électronique de puissance. Les limites sont connues et des alternatives sont étudiées pour les surmonter. Ainsi, les hétérostructures InAlN/GaN en accord de
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Mogniotte, Jean-François. "Conception d'un circuit intégré en SiC appliqué aux convertisseur de moyenne puissance." Thesis, Lyon, INSA, 2014. http://www.theses.fr/2014ISAL0004/document.

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Анотація:
L’émergence d’interrupteurs de puissance en SiC permet d’envisager des convertisseurs de puissance capables de fonctionner au sein des environnements sévères tels que la haute tension (> 10 kV ) et la haute température (> 300 °C). Aucune solution de commande spécifique à ces environnements n’existe pour le moment. Le développement de fonctions élémentaires en SiC (comparateur, oscillateur) est une étape préliminaire à la réalisation d’un premier démonstrateur. Plusieurs laboratoires ont développé des fonctions basées sur des transistors bipolaires, MOSFETs ou JFETs. Cependant les recherc
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Comyn, Rémi. "Développement de briques technologiques pour la co-intégration par l'épitaxie de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur MOS silicium." Thesis, Université Côte d'Azur (ComUE), 2016. http://www.theses.fr/2016AZUR4098.

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Анотація:
L’intégration monolithique hétérogène de composants III-N sur silicium (Si) offre de nombreuses possibilités en termes d’applications. Cependant, gérer l’hétéroépitaxie de matériaux à paramètres de maille et coefficients de dilatation très différents, tout en évitant les contaminations, et concilier des températures optimales de procédé parfois très éloignées requière inévitablement certains compromis. Dans ce contexte, nous avons cherché à intégrer des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) à base de nitrure de Gallium (GaN) sur substrat Si par épitaxie sous jets moléculaires (EJM)
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Long, Sabine. "Etude du bruit dans les composants et circuits actifs aux fréquences millimétriques." Toulouse 3, 2002. http://www.theses.fr/2002TOU30164.

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Zborowski, Charlotte. "Characterization of deeply buried interfaces by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy." Thesis, Lyon, 2018. http://www.theses.fr/2018LYSEC025/document.

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Анотація:
Cette thèse vise à améliorer la méthode d'analyse du fond continu inélastique afin de l'appliquer à des cas qui présentent un intérêt technologique. En effet, ces améliorations sont cruciales car elles portent sur des critères de précision et de gain de temps, plus particulièrement pour l’étude de dispositifs présentant plusieurs couches profondément enterrées de matériaux bien distincts. Ainsi, l'analyse du fond continu inélastique associée à la spectroscopie de photoélectrons à rayons X durs (HAXPES) présente un grand intérêt car l’HAXPES permet de sonder plus profondément dans un échantillo
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El, Bondry Nadia. "Epitaxie d’hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN." Thesis, Université Côte d'Azur, 2020. http://www.theses.fr/2020COAZ4080.

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Анотація:
Les travaux de cette thèse portent sur le développement et l’étude de transistors à haute mobilité électronique à base de GaN comportant une approche innovante pour leur montée en fréquence de fonctionnement. Cette technologie repose sur l’épitaxie localisée de caissons de GaN fortement dopé de type n au niveau des contacts ohmiques. Ces caissons ont la particularité d’être en contact direct avec le gaz d’électrons du canal, ce qui doit permettre de réduire les résistances de contact. La conduction des électrons dans le contact et à l’interface avec le gaz d’électrons est facilitée si le dopag
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