Добірка наукової літератури з теми "ZnxCd1-xS films"

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "ZnxCd1-xS films".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "ZnxCd1-xS films"

1

Reddy, K. T. Ramakrishna, and P. Jayarama Reddy. "Studies of ZnxCd1-xS films and ZnxCd1-xS/CuGaSe2heterojunction solar cells." Journal of Physics D: Applied Physics 25, no. 9 (1992): 1345–48. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/25/9/011.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Latif, Humaira, Rehana Zia, Muneeb Irshad, and Huma Latif. "OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF ZnxCd1-xS (X=0.2, 0.4, 0.6 AND 0.8)." International Journal for Innovation Education and Research 1, no. 4 (2013): 30–46. http://dx.doi.org/10.31686/ijier.vol1.iss4.124.

Повний текст джерела
Анотація:
Thin films of ZnxCd1-xS (x=0.2, 0.4, 0.6 and 0.8) were deposited on cleaned soda lime glass substrates at room temperature by thermal evaporation technique, having source current 50-65 Ampere, chamber pressure 10-5Torr and deposition rate 0.4 nm/sec. These conditions were same for all the thin films having different zinc concentrations. UV-VIS Spectrophotometry was used to study the optical properties of thin films of ZnxCd1-xS in room temperature. XRD was used to study the structure of the thin films of ZnxCd1-xS having various composition of „x‟. UV-VIS studies revealed that as the concentra
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Rasulov, D. T. "Electrical properties of ZnxCd1−xS films." Physica Status Solidi (a) 101, no. 2 (1987): K139—K142. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211010251.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Torres, J., and G. Gordillo. "Photoconductors based on ZnxCd1−xS thin films." Thin Solid Films 207, no. 1-2 (1992): 231–35. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(92)90129-y.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Shimaoka, G., and Y. Suzuki. "Preparation and optical properties of ZnxCd1 − xS films." Applied Surface Science 113-114 (April 1997): 528–33. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00935-x.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

El Akkad, F., H. F. Ragaie, and M. Abdel Naby. "Properties of RF sputtered ZnxCd1?xS thin films." Applied Physics A Solids and Surfaces 48, no. 5 (1989): 493–95. http://dx.doi.org/10.1007/bf00619724.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Abbas, Nada K., Ahlam M. Farhan, Naan F. Majeed, and Suaad A. Muhameed. "Structural and optical properties Investigation of ZnxCd1-xS thin films." JOURNAL OF ADVANCES IN CHEMISTRY 12, no. 3 (2016): 4265–73. http://dx.doi.org/10.24297/jac.v12i3.2167.

Повний текст джерела
Анотація:
CdZnXS1-X thin films with different composition have been deposited on glass substrate by by the spray pyrolysis method at RT using CdCl2 (0.1M),ZnCl2(0.1M)and H2NCSNH2(0.1M)solution and a substrate temperature of ( 400±20°C). X-ray diffraction studies reveal that the films are polycrystalline in nature with hexagonal structure and preferential orientation along (002) . The grain size of the films is found to increase form (37.397 to 46.902) nm with increasing Zinc concentration while the strain and the dislocation density of the films are found to decrease from (7.15 to 4.54) 10 4 rad and fro
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Rodriguez, J. A., and G. Gordillo. "Study of electrical properties in ZnxCd1−xS thin films." Solar Energy Materials 19, no. 6 (1989): 421–31. http://dx.doi.org/10.1016/0165-1633(89)90037-3.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Eleruja, M. A., A. V. Adedeji, I. A. O. Ojo, et al. "Optical characterization of pyrolytically deposited ZnxCd1−xS thin films." Optical Materials 10, no. 4 (1998): 257–63. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-3467(97)00178-x.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

Padam, G. K., G. L. Malhotra, and S. U. M. Rao. "Studies on solution‐grown thin films of ZnxCd1−xS." Journal of Applied Physics 63, no. 3 (1988): 770–74. http://dx.doi.org/10.1063/1.340069.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Більше джерел

Дисертації з теми "ZnxCd1-xS films"

1

Опанасюк, Анатолій Сергійович, Анатолий Сергеевич Опанасюк, Anatolii Serhiiovych Opanasiuk та ін. "Елементний склад та оптичні властивості плівок ZnxCd1–xS". Thesis, Сумський державний університет, 2018. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67920.

Повний текст джерела
Анотація:
Одним із перспективних матеріалів для використання в якості віконного шару гетероперехідних (ГП) фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) сонячної енергії є твердий розчин ZnхCd1 – хS. Плівки цього розчину мають властивості покращені порівняно з вихідними халькогенідами CdS та ZnS. Зокрема, введення цинку в традиційний для віконних шарів матеріал – CdS, дозволяє збільшити коефіцієнт пропускання світла плівкою та розширити спектральний діапазон її прозорості. При цьому, зміна вмісту цинку дає змогу регулювати період кристалічної гратки напівпровідника, що дозволяє мінімізувати кількість дефектів на
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Єрьоменко, Юрій Сергійович, Юрий Сергеевич Еременко, Yurii Serhiiovych Yeromenko та ін. "Оптичні властивості плівок ZnxCd1-xS, отриманих методом вакуумного випаровування". Thesis, ПП Щербатих О.В. (Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара), 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48023.

Повний текст джерела
Анотація:
В даній роботі досліджувався вплив концентрації цинку x на оптичні властивості (спектри пропускання, відбивання та ін.) плівок твердого розчину ZnxCd1-xS, отриманих методом вакуумного випаровування у КЗО.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Єрьоменко, Юрій Сергійович, Юрий Сергеевич Еременко, Yurii Serhiiovych Yeromenko та ін. "Фотоелектричний ефект в гетероперехідних структурах SnS/CdS та SnS/ZnxCd1-xS". Thesis, Львівський національний університет ім. І. Франка, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66341.

Повний текст джерела
Анотація:
В наш час обмеженість та вичерпність природніх ресурсів приводить до того, що стрімко зростає інтерес до відновлювальних джерел енергії. Серед них найбільш екологічно чистим та доступним являється енергія сонця. Уже декілька десятків років, як людство навчилося перетворювати сонячну енергію за рахунок масивних фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) на основі кремнію, арсеніду галію та деяких інших матеріалів.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Єременко, Юрій Сергійович, Юрий Сергеевич Еременко, Yurii Serhiiovych Yeremenko та ін. "Пленки ZnxCd1-xS, полученные методом спрей-пиролиза, для окон тонкопленочных фотопреобразователей". Thesis, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46210.

Повний текст джерела
Анотація:
Сегодня в сфере солнечной энергетики происходит активный поиск новых материалов для производства солнечных преобразователей (СП) третьего поколения. В последнее время рассматривают возможность замены традиционного оконного слоя СП на твёрдый раствор ZnxCd1-xS, использование которого позволяет увеличить ширину запрещенной зоны данного слоя и соответственно напряжение холостого хода фотопреобразователей, а также уменьшить количество рекомбинационных центров на границе раздела материалов благодаря лучшему согласованию их параметров решетки. В связи с этим ZnxCd1-xS имеют хорошие перспективы испол
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.

Тези доповідей конференцій з теми "ZnxCd1-xS films"

1

Reddy, K. T. R., and P. J. Reddy. "Photovoltaic properties of ZnxCd1-xS/CuGaSe2thin film solar cells." In Madras - DL tentative. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.57019.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Kumar, Bhaskar, Parag Vasekar, Neelkanth G. Dhere, and Galymzhan T. Koishiyev. "CuIn1-xGaxS2 thin film solar cells with ZnxCd1-xS as heterojunction partner." In 2008 33rd IEEE Photovolatic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2008.4922889.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Hirayama, M. "Synthesis of ZnxCd1−xS thin film by dip-coating method and its photocatalytic activity." In WATER DYANMICS: 3rd International Workshop on Water Dynamics. AIP, 2006. http://dx.doi.org/10.1063/1.2207063.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Hossain, Md Sharafat, Nowshad Amin, M. M. Aliyu, et al. "ZnxCd1−xS as prospective window layer in CdTe thin film solar cells from numerical analysis." In 2011 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2011.6186178.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Hossain, M. S., M. A. Islam, M. Aliyu, et al. "An analysis on structural and optical properties of ZnxCd1−XS thin film deposited by RF magnetron sputtering." In 2012 IEEE 38th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2012.6317590.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!