Готові списки джерел за темами / Напівпровідникові діоди

Зміст

  1. Статті в журналах
  2. Дисертації

Добірка наукової літератури з теми "Напівпровідникові діоди"

Автор: Grafiati
Опубліковано: 28 травня 2022
Оновлено: 31 липня 2025

Оформте джерело за APA, MLA, Chicago, Harvard та іншими стилями

Оберіть тип джерела:

Ознайомтеся зі списками актуальних статей, книг, дисертацій, тез та інших наукових джерел на тему "Напівпровідникові діоди".

Біля кожної праці в переліку літератури доступна кнопка «Додати до бібліографії». Скористайтеся нею – і ми автоматично оформимо бібліографічне посилання на обрану працю в потрібному вам стилі цитування: APA, MLA, «Гарвард», «Чикаго», «Ванкувер» тощо.

Також ви можете завантажити повний текст наукової публікації у форматі «.pdf» та прочитати онлайн анотацію до роботи, якщо відповідні параметри наявні в метаданих.

Статті в журналах з теми "Напівпровідникові діоди"

1

Литвиненко, В. М., та В. О. Зубенко. "ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ НАДВИСОКОЧАСТОТНОГО ДІОДА". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 524–30. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.54.

Повний текст джерела
Анотація:
Надвисокочастотний напівпровідниковий діод (НВЧ-діод) – це напівпровідниковий діод, призначений для перетворення і обробки надвисокочастотного сигналу. Напівпровідникові НВЧ-діоди застосовують в різній радіоелектронній апаратурі і вимірювальній техніці НВЧ-діапазону, тобто на частотах більше 300 МГц. Спочатку НВЧ-діоди використовували для детектування і змішування сигналів. Для цих цілей застосовували точкові діоди, випрямляючий електричний перехід в яких виникав між кристалом напівпровідника і притискним металевим електродом у вигляді загостреної пружинки. Створені останнім часом нові типи НВ
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Литвиненко, В. М. "РОЗРОБКА МЕТОДУ ГЕТЕРУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВЛАСНОГО ГЕТЕРА В ТЕХНОЛОГІЇ КРЕМНІЄВИХ ДІОДІВ". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 4 (5 грудня 2024): 307–13. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2024.4.31.

Повний текст джерела
Анотація:
Варикапи – напівпровідникові діоди, які широко використовуються в радіоелектроніці в якості змінної ємності, величина якої управляється напругою. Варикапи включені в схеми радіоприймачів і бездротових модулів для передачі даних, застосовуються в пристроях, де задіяні частотно-залежні ланцюги. Робота варикапа актуальна при перебудові частоти вузлів в електроапаратурі. Також варикапи використовуються в частотно-задавальних ланцюгах, оскільки дозволяють швидко і просто змінювати робочу частоту. Однак слід зазначити, що вартість варикапів залишається порівняно високою, що пов’язано з низьким виход
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Почерняєв, В. М., М. С. Магомедова та Н. В. Сивкова. "ОБМЕЖУВАЧ ПОТУЖНОСТІ НВЧ НА ЧАСТКОВО ЗАПОВНЕНОМУ ДІЕЛЕКТРИКОМ ПРЯМОКУТНОМУ ХВИЛЕВОДІ". Інфокомунікаційні та комп’ютерні технології 1, № 03 (2022): 90–101. http://dx.doi.org/10.36994/2788-5518-2022-01-03-06.

Повний текст джерела
Анотація:
У роботі розроблена конструкція обмежувача потужності НВЧ на частково заповненому діелектриком прямокутному хвилеводі. Такі обмежувачі потужності на частково заповнених діелектриком прямокутних хвилеводах дозволяють обмежувати великі потужності, у тому числі в тропосферній компоненті комбінованих станцій НВЧ, що не знижує електричної міцності пристрою. В роботі використовується відкрита нелінійна структура, яка є елементом з розподіленими параметрами та має електричну міцність практично таку ж, як частково заповнений діелектриком прямокутний хвилевод. Включення відкритої нелінійної структури у
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Литвиненко, В. М. "ПОКРАЩЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ДІОДА З БАР’ЄРОМ ШОТТКІ". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 516–23. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.53.

Повний текст джерела
Анотація:
Діод Шотткі – це напівпровідниковий діод, випрямні властивості якого засновані на взаємодії металу та збідненого шару напівпровідника. Для створення діодів Шотткі використовується перехід метал-напівпровідник. Робота цих діодів заснована на пере- несенні основних носіїв заряду і характеризується високою швидкодією, так як в них від- сутнє характерне для р-n переходів накопичення неосновних носіїв заряду. Діоди Шотткі використовують як елементи інтегральних мікросхем, а також як дискретні прилади.Найчастіше для виготовлення діодів з бар’єром Шотткі використовують підкладки з кремнію з низьким о
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Сівак, Вадим, Олег Воробйов та Юрій Середа. "ПОРІВНЯННЯ ЕНЕРГЕТИЧНИХ ПОКАЗНИКІВ ВПЛИВУ СУЧАСНОЇ ЕЛЕКТРОМАГНІТНОЇ ЗБРОЇ І КРИТЕРІЇВ СТІЙКОСТІ ЕЛЕКТРООБЛАДНАННЯ ТА РАДІОЕЛЕКТРОННОЇ АПАРАТУРИ ТЕХНІЧНИХ ЗАСОБІВ ЛОГІСТИЧНОГО ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ". Збірник наукових праць Національної академії Державної прикордонної служби України. Серія: військові та технічні науки 84, № 1 (2021): 254–71. http://dx.doi.org/10.32453/3.v84i1.814.

Повний текст джерела
Анотація:
Завдання підвищення рівня захисту технічних засобів логістичного забезпечення в сучасних умовах стає все більш актуальним. Це пов’язано з тим, що в останні роки, на основі зростання темпів науково-технічного прогресу, рівня економічної бази багатьох країн, упровадження нових технологій розширились межі розробки, виготовлення і застосування нових видів сучасної зброї. Насамперед, це зброя, що заснована на використанні альтернативних джерел енергії й на нетрадиційних фізичних принципах, до яких належить зброя електромагнітного імпульсу. Тому значно збільшується імовірність застосування противник
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Похлєбіна, Н. О. "ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЛАЗЕРІВ, ЙОГО ФУНКЦІОНУВАННЯ ЯК ОБ’ЄКТУ КЕРУВАННЯ". Вісник Херсонського національного технічного університету, № 2(81) (10 квітня 2023): 39–46. http://dx.doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2022.2.5.

Повний текст джерела
Анотація:
Дана робота присвячена дослідженню напівпровідникових лазерів. Вивченню лазерного DFB-модуля, мети його функціонування, формалізації процесу як об'єкту керування. В роботі розглянуто особливості технологічного процесу формування інфрачервоного випромінювання напівпровідниковими DFB лазерними діодами, системи автоматичного керування лазерним DFB-модулями які використовуються, як в якості джерел оптичного сигналу для передачі даних та оптичних вимірювань. Виявлено основні недоліки та розглянуті можливі шляхи для удосконалення структури і функцій систем автоматичного керування процесом. Напівпров
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Вернидуб, Р. М., О. І. Кириленко, Ю. Б. Мирошніченко, М. М. Філоненко та В. П. Тартачник. "ВИВЧЕННЯ ЯВИЩА ЕЛЕКТРОЛЮМІНІСЦЕНЦІЇ". Наукові записки, № 150 (26 квітня 2021): 49–57. http://dx.doi.org/10.31392/nz-npu-150.2021.04.

Повний текст джерела
Анотація:
Відсутність у студентів початкового етапу навчання (1-2 курс) необхідних знань із фізики напівпровідників та основ зонної теорії твердого тіла створює методичні труднощі при поясненні ефектів, дотичних до явища електролюмінесценції.
 У статті запропоновано спосіб пояснення ефекту електролюмінесценції студентам початкових курсів чи пізніших етапів навчання в університетах, де фізика – не профільна дисципліна. Розуміння студентами молодших курсів механізмів випромінювальної рекомбінації, що забезпечують ефективну електролюмінесценцію в складних напівпровідникових структурах, може бути сформ
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
8

Похлєбіна, Н. О., О. В. Мазур та Д. А. Ковальчук. "Стан розвитку та шляхи удосконалення систем автоматичного керування параметрами випромінювання DFB лазерів". Automation of technological and business processes 12, № 2 (2020): 34–40. http://dx.doi.org/10.15673/atbp.v12i2.1807.

Повний текст джерела
Анотація:
Робота присвячена дослідженню напівпровідникових лазерів, їх функціонуванню, формалізації процесу як об'єкту керування. Розглянуті системи автоматичного керування напівпровідниковими лазерними діодами з розподіленим зворотнім зв’язком, зокрема одночастотні DFB- (англ. Distributed feedbacklaser «з розподіленим зворотним зв'язком»)лазерні діоди, які використовуються, як в якості високостабільних джерел оптичного сигналу у системах передачі даних так і джерел випромінювання із змінною довжиною хвилі випромінювання. Приведені основні відомості про лазерні діоди, їх характеристики та класифікація з
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
9

Oksanich, А., М. Kogdas, V. Chebenko, M. Maschenko, and D. Ostrikovska. "MODELING AND INVESTIGATION OF SCHOTTKY DIODES BASED ON POROUS SEMICONDUCTORS." Transactions of Kremenchuk Mykhailo Ostrohradskyi National University 5 (November 15, 2019): 148–54. http://dx.doi.org/10.30929/1995-0519.2019.5.148-154.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
10

ВАХОНІНА, Л. В., В. А. МАРДЗЯВКО та А. Ю. РУДЕНКО. "РЕЗОНАНСНИЙ ГЕНЕРАТОР ІМПУЛЬСІВ НА ОСНОВІ ДІОДА". Вісник Херсонського національного технічного університету 1, № 1(92) (2025): 39–47. https://doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2025.1.1.5.

Повний текст джерела
Анотація:
Забезпечення якісного зберігання зерна є важливим завданням агропромислового комплексу, оскільки патогенні мікроорганізми, комахи та інші шкідники можуть значно впливати на його якість і спричиняти значні втрати. Традиційні методи знезараження, такі як хімічна обробка або термічний вплив, мають низку недоліків, зокрема можливість залишкових хімічних сполук або теплового пошкодження зерна. У зв’язку з цим перспективним напрямом є використання електромагнітних імпульсів високої частоти, що дозволяють ефективно знищувати патогени без шкоди для продукту. У цій роботі розглядається розробка резонан
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Більше джерел

Дисертації з теми "Напівпровідникові діоди"

1

Коломієць, С. В., Д. І. Павлюченко, Лариса Валентинівна Однодворець, Лариса Валентиновна Однодворец та Larysa Valentynivna Odnodvorets. "Дослідження вольт-амперних характеристик діодів різного функціонального призначення". Thesis, Видавництво СумДУ, 2012. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27686.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
2

Левченко, Є. О. "Напівпровідниковий діод". Thesis, Сумський державний університет, 2014. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38838.

Повний текст джерела
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
3

Левченко, М. О. "Напівпровідниковий діод". Thesis, Cумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49100.

Повний текст джерела
Анотація:
Напівпровідниковий діод - це елемент, який пропускає через себе електричний струм в одному напрямку і блокує його проходження в іншому. Вперше напівпровідникові діоди були створені в 1906 році. Для потреб детектування радіосигналів. Виявилося, що контакти різнорідних матеріалів володіють несиметричною провідністю залежно від напряму струму.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
4

Васюхно, М. В. "Напівпровідникові лазери". Thesis, Сумський державний університет, 2014. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38872.

Повний текст джерела
Анотація:
З розвитком оптичних технологій передачі даних, оптоелектроніки, метрології та інших областей науки дуже актуальним стало питання створення та вдосконалення дешевих джерел монохроматичного випромінювання - лазерів. Для даних цілей найбільш підійшли напівпровідникові лазери, що на даний момент стали самим вживаним та найбільш важливим типом лазерів.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
5

Гончаренко, О. М. "Напівпровідникові лазери як елементи сучасних електронних систем". Master's thesis, Сумський державний університет, 2021. https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85805.

Повний текст джерела
Анотація:
Мета кваліфікаційної роботи магістра полягала у вивченні фізичних та конструктивно-технологічних принципів функціонування лазерних діодів різного функціонального призначення та проведенні розрахунків параметрів діодного лазера. У кваліфікаційній роботі магістра розглянуті питання стосовно фізичних принципів функціонування, особливостей конструкції, параметрів і характеристик діодних лазерів як елементів сучасних електронних систем. Показано, що вплив лазерного випромінювання на фізичні та біологічні об’єкти заснований на використанні стимульованого електромагнітного випромінювання, отри
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
6

Фролов, А. Н., Н. А. Самойлов та А. И. Марончук. "Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния". Thesis, Сумский государственный университет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64519.

Повний текст джерела
Анотація:
Слои окисла кремния применятся в качестве защитных слоев над выходом p-n переходов на планарную поверхность полупроводниковых устройств, а также имеют хорошие маскирующие свойства при диффузии примесей. Существующие методы создания слоев окисла кремния обладают своими различными достоинствами и недостатками при применении в технологии производства полупроводниковых приборов.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
7

Деменский, А. Н., С. Ю. Ерохин та В. А. Краснов. "Определение температуры рабочего перегрева серийных быстродействующих выпрямительных диодов FES10G". Thesis, Сумский государственный университет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64591.

Повний текст джерела
Анотація:
Одним из актуальных направлений развития современной электроники является разработка и совершенствование неразрушающих способов определения температуры кристалла полупроводниковых приборов во время эксплуатации. Предложенный в работе способ определения температуры перегрева кристалла полупроводникового прибора обладает существенным недостатком, связанным со значительной погрешностью определения термочувствительности прибора s.
Стилі APA, Harvard, Vancouver, ISO та ін.
Також вас можуть зацікавити розширені добірки на тему "Напівпровідникові діоди" для конкретних типів джерел:
Статті в журналах
Ми пропонуємо знижки на всі преміум-плани для авторів, чиї праці увійшли до тематичних добірок літератури. Зв'яжіться з нами, щоб отримати унікальний промокод!

До бібліографії