Log in

Relevant bibliographies by topics / Гетероперехід / Journal articles

To see the other types of publications on this topic, follow the link: Гетероперехід.

Journal articles on the topic 'Гетероперехід'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 30 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 38 journal articles for your research on the topic 'Гетероперехід.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Алекперов, А. С., А. О. Дашдемиров, Н. А. Исмайылова та С. Г. Джабаров. "Получение гетероперехода Ge-GeS : Nd и исследование спектральной характеристики". Физика и техника полупроводников 54, № 11 (2020): 1193. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.11.50085.9401.

Full text

Abstract:

Исследованы технология получения гетероперехода Ge-GeS : Nd, а также относительные спектральные характеристики квантовой эффективности полученного гетероперехода при разных дозах &gamma;-облучения. Установлено, что при дозе облучения 30 крад фоточувствительность увеличивается в спектральном диапазоне 0.4-2.0 мкм. С увеличением дозы облучения до 100 крад фоточувствительность гетероперехода значительно уменьшается. Ключевые слова: слоистый монокристалл, гетеропереход, фоточувствительность, &gamma;-излучение, квантовая эффективность, спектральная характеристика.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Чирчик, Сергей Васильевич. "Уменьшение поверхностной рекомбинации в монокристаллическом кремнии путем импульсного лазерного осаждения пленок с кремниевыми квантовыми точками". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника 65, № 3 (2022): 167–74. http://dx.doi.org/10.20535/s0021347022030037.

Full text

Abstract:

У роботі запропоновано спосіб пригнічення поверхневої рекомбінації c-Si шляхом модифікації його поверхні наночастинками. Нанокомпозити кремнію, що містять Si квантоворозмірні частинки в SiO2 матриці, характеризуються збільшеною шириною заборонених станів, при нанесенні на c-Si підкладку, вони формують гетероперехід nc-Si/c-Si, потенційний бар’єр якого сприяє збільшенню поверхневого часу життя носіїв заряду. Наведено експериментальні результати досліджень. Метод тестовано у виробничих умовах на технологічних пластинах кремнію. Підтверджена можливість зменшення поверхневої рекомбінації в монокри

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Юсупов, А., К. Адамбаев, З. З. Тураев, С. Р. Алиев та А. Кутлимратов. "Создание и электрические свойства гетеропереходов p-Cu-=SUB=-2-=/SUB=-ZnSnS-=SUB=-4-=/SUB=-/n-Si". Письма в журнал технической физики 43, № 2 (2017): 98. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.02.44193.16474.

Full text

Abstract:

Впервые получены анизотипные гетеропереходы p-Cu2ZnSnS4/n-Si методом сульфиризации базовых металлических слоев, предварительно напыленных на подложку из поликристаллического кремния. Анализируются вольт-амперные характеристики и обсуждаются механизмы токопрохождения в созданных структурах. Показано, что для прямого смешения характерны туннельно-рекомбинационные процессы и токи, ограниченные пространственным зарядом. При обратных смещениях в гетеропереходе преобладают токи, ограниченные пространственным зарядом. DOI: 10.21883/PJTF.2017.02.44193.16474

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Моисеев, К. Д., та В. В. Романов. "Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs-=SUB=-1-y-=/SUB=-Sb-=SUB=-y-=/SUB=-/InAsSbP в интервале составов y<0.2". Физика твердого тела 63, № 4 (2021): 475. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2021.04.50712.260.

Full text

Abstract:

Гетероструктуры n+-InAs/n0-InAs1-ySby/p-InAsSbP с асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках InAs. В прямой ветви вольтамперных характеристик полученных гетероструктур при низких температурах наблюдались участки с туннельной проводимостью. Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs/InAs1-ySby/InAsSbP в диапазоне составов (y&lt;0.2) узкозонной активной области. Было показано, что гетеропереход InAs1-ySby/InAsSbP является гетеропереходом II типа в д

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Моисеев, К. Д., та В. В. Романов. "Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs-=SUB=-1-y-=/SUB=-Sb-=SUB=-y-=/SUB=-/InAsSbP в интервале составов y<0.2". Физика твердого тела 63, № 4 (2021): 475. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2021.04.50712.260.

Full text

Abstract:

Гетероструктуры n+-InAs/n0-InAs1-ySby/p-InAsSbP с асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках InAs. В прямой ветви вольтамперных характеристик полученных гетероструктур при низких температурах наблюдались участки с туннельной проводимостью. Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs/InAs1-ySby/InAsSbP в диапазоне составов (y&lt;0.2) узкозонной активной области. Было показано, что гетеропереход InAs1-ySby/InAsSbP является гетеропереходом II типа в д

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Соболева, О. С., С. О. Слипченко та Н. А. Пихтин. "Изотипные гетероструктуры n-AlGaAs/n-GaAs, оптимизированные для эффективной межзонной излучательной рекомбинации при накачке электрическим током". Физика и техника полупроводников 55, № 5 (2021): 427. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.05.50831.9598.

Full text

Abstract:

Проведен анализ транспорта носителей заряда при накачке током изотипной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, оптимизированной для эффективной межзонной излучательной рекомбинации. Для анализа особенностей транспорта носителей заряда использовались модели: дрейф-диффузионная, дрейф-диффузионная с полевой зависимостью подвижности, а также энергетического баланса. Показано, что при низких токах уровень излучательной рекомбинации в активной области выше в модели энергетического баланса из-за более эффективного накопления носителей, генерируемых посредством ударной ионизации. Это объясняется наличием на ге

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Белоусов, С., М. А. Бобылев, В. И. Ковалев, Е. В. Каевицер та В. Е. Любченко. "ГЕТЕРОПЕРЕХОД GAAS-SNAS-SN". Nanoindustry Russia 14, № 7s (2021): 343–44. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.343.344.

Full text

Abstract:

Авторами исследовалась возможность создания эпитаксиальных структур GaAs-SnAs на подложках n+-GaAs и i-GaAs, обладающих важным достоинством, имеющим металлический тип проводимости и постоянную решетки, близкую друг к другу. Данные гетероструктуры могут использоваться в качестве базового элемента генераторов и приемников электромагнитного излучения СВЧ- и КВЧ-диапазонов волн.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Ачилов, А. С., та Р. Р. Кабулов. "Влияние γ-облучения на механизм переноса тока в прямой ветви вольтамперной характеристики Al–p-CdTe–Mo структуры". «Узбекский физический журнал» 24, № 2 (2022): 133–38. http://dx.doi.org/10.52304/.v24i2.333.

Full text

Abstract:

Рассматривается влияние облучения γ-квантами на механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo с протяженной базой (w = 120 μm). Показано, что прямая ветвь ВАХ структуры Al-p-CdTe-Mo до и после облучения описывается степенной зависимостью J ~ Vβ с двумя участками: на участке D β = 1.2, a на участке F β = 3.45. Определенная из прямой ветви ВАХ величина удельного сопротивления ρ 2.1×107 Ωcm слоя p-CdTe хорошо соответствует величине удельного сопротивления исходной пленки p-CdTe. Экспериментально наблюдаемый на втором участке (F) прямой ветви ВАХ резкий рост тока также подтверждает, что фронталь

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Orlets’kyi, I. G., M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, H. P. Parkhomenko та P. D. Maryanchuk. "Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe". Ukrainian Journal of Physics 66, № 9 (2021): 792. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe66.9.792.

Full text

Abstract:

Дослiджено умови виготовлення фотодiодних iзотипних гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe методом спрей-пiролiзу тонких плiвок бiксбiту a-Mn2O3 на кристалiчнi пiд-кладинки n-CdZnTe. За температурними залежностями I-V -характеристик проаналiзовано механiзми тунелювання електронiв крiзь енергетичний бар’єр гетеропереходу при прямому та зворотному струмах. З’ясована роль енергетичних станiв на межi n-Mn2O3/n-CdZnTe у формуваннi параметрiв бар’єра. На основi C-V –характеристик встановлено динамiку змiни i взаємозв’язок ємнiсних параметрiв тонкої плiвки n-Mn2O3 та iнверсiйного шару n-CdZnTe. Представлено

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

БИСТИ, В. Е. "КВАЗИДЫРКИ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ MGZNO/ZNO КАК ВАКАНСИОНЫ". ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ 109, № 1-2 (2019): 105–7. http://dx.doi.org/10.1134/s0370274x19020073.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

11

Нуриев, И. Р., А. М. Назаров, Р. М. Садыгов та М. Б. Гаджиев. "Изопериодические эпитаксиальные гетеропереходы Pb1 –хMnхSe/PbSe1 –хSх". Неорганические материалы 50, № 5 (2014): 482–85. http://dx.doi.org/10.7868/s0002337x14050133.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

12

Пархоменко, Г. П., М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий та П. Д. Марьянчук. "Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe". Физика и техника полупроводников 51, № 3 (2017): 358. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44207.8360.

Full text

Abstract:

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных --- туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода Voc=0.26 В и ток короткого замыкания Isc=58.7 мкА/см2 при интенсивности освещения 80 мВт/см2. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44207.8360

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

13

Никифоров, В. Е., Д. С. Абрамкин та Т. С. Шамирзаев. "Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs". Физика и техника полупроводников 51, № 11 (2017): 1565. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45112.26.

Full text

Abstract:

Высокая реакционная способность алюминия приводит к тому, что поверхность гетероструктур на основе AlAs необходимо защищать от окисления слоем GaAs. В результате в приповерхностной области таких гетероструктур всегда есть гетеропереход GaAs/AlAs. В работе показано, что при нерезонансном оптическом возбуждении структур с этим гетеропереходом связана полоса фотолюминесценции, интенсивность которой определяется толщиной и типом легирования защитного слоя GaAs. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45112.26

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

14

Баранов, Г. В., А. О. Беляев, А. А. Дорофеев, Е. И. Леоненков, П. В. Панасенко та М. С. Ромодин. "АНАЛИЗ ПРИБОРНЫХ ТРЕБОВАНИЙ К ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СТРУКТУРАМ AlGaN/GaN НА Si ДЛЯ СИЛОВОЙ И СВЧ ЭКБ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"". Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, № 4 (2022): 5–17. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993222040017.

Full text

Abstract:

Проведен системный анализ требований, предъявляемых к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на Si-подложке, для реализации на их основе силовой и СВЧ ЭКБ по HEMT технологии: требования к структуре гетероперехода AlGaN/GaN, пассивирующему слою, конструкции буферного слоя и проводимости кремниевой подложки.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

15

Романов, В. В., Э. В. Иванов та К. Д. Моисеев. "Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP". Физика твердого тела 62, № 11 (2020): 1822. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2020.11.50055.139.

Full text

Abstract:

The results of studying the electroluminescent and current-voltage characteristics of the n-InAs/n-InAsSb/p-InAsSbP heterostructure grown by gas-phase epitaxy from organometallic compounds are presented. Intense electroluminescence was detected in the spectral range 0.23–0.29 eV at the temperature T = 77 K. The position of the maximum of the main emission band (h ~ 0.24 eV) showed a noticeable “blue” shift with increasing applied forward bias. Based on the performed studies, it was concluded that there is a staggered type II heterojunction at the InAs0.84Sb0.16/InAs0.32Sb0.28P0.40 heterointer

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

16

Ковалюк, З. Д., В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, et al. "Annealing effect on I—V characteristic of n-ZnO—p-InSe heterojunction." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, no. 5-6 (December 2015): 50–54. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2015.5-6.50.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

17

Гращенко, А. С., Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина та С. А. Кукушкин. "Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния". Физика и техника полупроводников 51, № 5 (2017): 651. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.05.44423.8458.

Full text

Abstract:

Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремний-карбид кремния (карбид кремния-кремний) составила 5.4&#37;. С использованием теории образования дилатационных диполей при синтезе методом замещения атомов объяснен механизм формирования электрического барьера на границе раздела кремний-карбид кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44423.8458

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

18

Каримов, Абдулазиз Вахитович, та Дильбара Мустафаевна Ёдгорова. "Инжекционно-полевой фотодиод". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника 49, № 2 (2006): 76–80. http://dx.doi.org/10.20535/s0021347006020117.

Full text

Abstract:

Предложен фотодиод на основе pAlInGaAs–nGaAs–m-переходов. Высокая фоточувствительность в нем достигается в режиме прямого смещения p–n-гетероперехода и запирания n–m перехода. В этом режиме освещение структуры из собственной или примесной области спектра приводит к уменьшению сопротивления базовой области за счет генерированных фотоносителей, что приводит к последующему увеличению инжекционного тока через прямо смещаемый р–n-переход. При этом с увеличением приложенного напряжения поле на запираемом n–m-переходе возрастает. Такие фотодиоды могут использоваться для регистрации оптического и лазе

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

19

Жигунов, Д. М., А. С. Ильин, П. А. Форш та ін. "Люминесценция солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si". Письма в журнал технической физики 43, № 10 (2017): 95. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2017.10.44626.16626.

Full text

Abstract:

Исследованы электролюминесценция и фотолюминесценция солнечных элементов, содержащих гетеропереходы a-Si : H/c-Si. Установлено, что как электролюминесценция, так и фотолюминесценция исследованных элементов определяются излучательной рекомбинацией неравновесных носителей заряда в кристаллическом кремнии. Продемонстрировано, что внешний энергетический выход (КПД) электролюминесценции солнечных элементов с гетеропереходом a-Si : H/c-Si составляет при комнатной температуре значение 2.1&#37;, что превосходит имеющиеся на данный момент значения для кремниевых диодных структур. Столь значительные

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

20

ХИСАМЕЕВА, А. Р., А. В. ЩЕПЕТИЛЬНИКОВ, Ю. А. НЕФЕДОВ та И. В. КУКУШКИН. "НАБЛЮДЕНИЕ ИНДУЦИРОВАННЫХ МИКРОВОЛНОВЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ ОСЦИЛЛЯЦИЙ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЯ В ZNO/MGXZN1-XO ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ БЕСКОНТАКТНОЙ МЕТОДИКОЙ". ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ 114, № 5-6(9) (2021): 328–32. http://dx.doi.org/10.31857/s1234567821170079.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

21

Мирсагатов, Ш. А., И. Б. Сапаев та Ж. Т. Назаров. "Ультразвуковой отжиг поверхностных состояний в гетеропереходе инжекционного фотодиодаp-Si/n-CdS/n+-CdS". Неорганические материалы 51, № 1 (2015): 3–6. http://dx.doi.org/10.7868/s0002337x15010145.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

22

Davletkildeev, N. A. "Study of the charge transfer process in the polyaniline/graphite heterojunction by conductive atomic force microscopy." Omsk Scientific Bulletin, no. 173 (2020): 94–98. http://dx.doi.org/10.25206/1813-8225-2020-173-94-98.

Full text

Abstract:

Thin layers of polyaniline on the surface of highly oriented pyrolytic graphite are obtained by in-situ chemical oxidative polymerization of aniline. The current-voltage characteristics of the tip/polyaniline/graphite contact, which have a form characteristic of tunnel contacts, have been measured by the method of conducting atomic force microscopy. By modeling the current-voltage characteristics using the Simmons model, the width of the potential barrier is determined, which for the investigated heterojunction is 0,5 nm

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

23

Пархоменко, Я. А., Э. В. Иванов та К. Д. Моисеев. "Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе". Физика твердого тела 65, № 4 (2023): 645. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2023.04.55304.11.

Full text

Abstract:

The electroluminescent properties of narrow-gap type II InAs/InSb/InAs heterostructures containing a single layer of InSb quantum dots placed at the interface of the p-n junction in InAs were studied. The features of the electroluminescence spectra depending on the surface density of nanoobjects at a broken-gap type II heterointerface were investigated both at forward and reverse bias. When applying a reverse bias to the heterostructures under study, the suppression of negative interband luminescence and the dominance of interface recombination transitions at the InSb/InAs type II heterojuncti

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

24

Сресели, О. М., М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев та ін. "Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур alpha-Si/SiO-=SUB=-2-=/SUB=- и alpha-Ge/SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на подложках p-Si, отожженных при разных температурах". Физика и техника полупроводников 54, № 10 (2020): 1112. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.10.49953.9468.

Full text

Abstract:

Исследованы свойства многослойных наноструктур alpha-Si(Ge)/SiO2, осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой--подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое п

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

25

Алексеев, А. М., A. Ал-Афееф, Г. Д. Хедли та ін. "Исследование структуры объемного гетероперехода в полимерных солнечных элементах с помощью комбинации ультрамикротомирования и атомно-силовой микроскопии". Физика и техника полупроводников 52, № 1 (2018): 110. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.01.45328.8545.

Full text

Abstract:

AbstractA method for visualization via atomic-force microscopy of the internal structure of photoactive layers of polymer solar cells using an ultramicrotome for photoactive layer cutting is proposed and applied. The method creates an opportunity to take advantage of atomic-force microscopy in structural investigations of the bulk of soft samples. Such advantages of atomic-force microscopy include a high contrast and the ability to measure various surface properties at nanometer resolution. Using the proposed method, samples of the photoactive layer of polymer solar cells based on a mixture of

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

26

Опра, Д. П., И. А. Ткаченко, А. М. Зиатдинов та ін. "МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ НАНОТРУБЧАТОГО ТРИТИТАНАТА НАТРИЯ". Фундаментальные проблемы современного материаловедения 22, № 1 (2025): 9–20. https://doi.org/10.25712/astu.1811-1416.2025.01.001.

Full text

Abstract:

В последнее время наноструктурированный Na2Ti3O7привлекает все большее внимание исследователей в качестве перспективного материала для газовых датчиков, фотокатализаторов, ортопедических приспособлений, аккумуляторов, суперконденсаторов и пр. В ряде случаев специфика использования таких материалов требует наличия у них магнитных свойств, например, для сепарации наночастиц из водных сред или для адресной доставки лекарств. В рамках настоящей работы разработана методика получения композиционных наноматериалов на основе многостенных нанотрубок Na2Ti3O7 и Fe2O3 (α-фаза). Внешний диаметр многостенн

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

27

Гармаш, В. И., В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. В. Ковальчук та С. Ю. Шаповал. "Исследование влияния атомарного состава на скорость плазмохимического травления нитрида кремния в силовых транзисторах на основе AlGaN/GaN-гетероперехода". Физика и техника полупроводников 54, № 8 (2020): 748. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.08.49646.9398.

Full text

Abstract:

The effect of atomic composition on the rate of plasma chemical etching of silicon nitride in power transistors based on an AlGaN / GaN heterojunction is studied. It is shown how the subsequent process of its plasma-chemical etching depends on the configuration of the incorporation of hydrogen impurity atoms into the molecular structure of the silicon nitride deposited in the plasma. The dependence of the etching rate on the parameters of the process (the working pressure in the chamber, the power of the plasma generator, the flow of working gases, the deposition temperature) is investigated.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

28

ЯВОРСЬКИЙ, Ростислав, Андрій КАШУБА, Лілія ЯВОРСЬКА та Оксана ЗАМУРУЄВА. "МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ НАНОВОЛОКОН CdS НА ВЛАСТИВОСТІ ФОТОЕЛЕКТРИЧНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА II ПОКОЛІННЯ". Physics and educational technology, № 2 (30 грудня 2024): 79–89. https://doi.org/10.32782/pet-2024-2-11.

Full text

Abstract:

Робота присвячена дослідженню впливу нановолокон CdS на характеристики тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів другого покоління з гетероструктурою ITO/SnO₂/nw-CdS/CdTe. Проведено моделювання за допомогою програмного забезпечення SCAPS, що дозволило визначити оптимальні параметри структури для досягнення максимальної ефективності. Розглянуто використання шару нановолокон CdS як буферного (віконного) шару, що забезпечує покращені оптичні властивості та підвищує коефіцієнт заповнення й ефективність перетворення. Моделювання показало, що оптимальна товщина поглинаючого шару CdTe складає 3 м

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

29

Дауренбек, Мурат. "О ЗАРУБЕЖНЫХ ИССЛЕДОВАНИЯХ КОМПЛЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СУЛЬФИДОВ В РАМКАХ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ТЕХНОЛОГИЯХ ОЧИСТКИ СТОЧНЫХ ВОД (состояние и тенденции)". Reports 347, № 3 (2023): 94–105. https://doi.org/10.32014/2023.2518-1483.228.

Full text

Abstract:

Аннотация. Обоснована важность решения глобальной проблемы очистки сточных вод. Выяснены место и роль комплексных соединений сульфидов в производстве фотокатализаторов, применяемых в технологиях очистки. Выявлена сложность осуществления очистки сточных вод из-за наличия в них большого количества разнородных загрязнителей. Приведён обзор наиболее значимых зарубежных исследований в области создания фотокатализаторов, используемых в технологиях при очистке сточных вод. Приведены примеры. Рассмотрены cшитый композитный фотокатализатор ZnIn2S4/rGO для фотокаталитической нейтрализации 4-нитрофенола

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

30

"Вакансионы в двумерном вигнеровском кристалле / Бисти В.Е." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 216. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-216.

Full text

Abstract:

Интерес к двумерным сильно коррелированным системам многие годы держится на высоком уровне. Экспериментальные методы исследования все время расширяются. В работе [1] для изучения эффектов перенормировки энергии не только на уровне Ферми, но и во всей области спектра двумерных электронов использовался метод анализа спектров излучательной рекомбинации электронов. Изучались спектры низкотемпературной люминесценции двумерного электронного газа в гетеропереходе MgZnO/ZnO, в которых 2D электроны рекомбинируют с локализованными фотовозбужденными дырками валентной зоны. Ширина полосы люминесценции свя

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

31

Феклистов, К. В., А. Г. Лемзяков та А. А. Шкляев. "Барьеры для инжекции носителей в ВЧ-магнетронно напыленные пленки In2O3:Er на кремнии". ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ, 27 вересня 2021, 61. http://dx.doi.org/10.34077/rcsp2021-61.

Full text

Abstract:

Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами оксиды. Эта работа посвящена исследованию структуры и нахождению барьеров для и

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

32

"Электронный спиновый резонанс в GaN/AlGaN гетеропереходе / Щепетильников А.В., Соловьёв В.В., Нефёдов Ю.А., Кукушкин И.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 254. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-254.

Full text

Abstract:

Объёмный нитрид галлия и основанные на данном материале гетероструктуры обладают целым рядом уникальных свойств, а именно: большая величина запрещённой зоны, выдающиеся диэлектрические свойства, повышенная стабильность температурных характеристик, нетоксичность и т.д. Именно эти свойства делают такие материальные системы особенно интересными с практической точки зрения. Основной целью данной работы было применить одну из наиболее эффективных экспериментальных методик – методику электронного спинового резонанса – для изучения физических свойств GaN/AlGaN гетеропереходов, содержащих высококачест

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

33

"Определение величины разрыва валентной зоны в ZnSe/BeTe / Филатов Е.В., Максимов А.А., Тартаковский И.И." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 186. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-186.

Full text

Abstract:

Важным параметром для моделирования гетеро- и наноструктур 2-го типа является величина разрыва валентной зоны Ev гетероперехода ZnSe/BeTe при низких температурах. В литературе имеются определенные разногласия по значению этой величины. Наиболее достоверным представляется значение разрыва валентной зоны в ZnSe/BeTe Ev ≈ 0.9 эВ, которое было получено путем измерения энергии фотолюминесценции пространственно непрямого оптического перехода, однако, эти результаты были получены при низкой плотности оптической накачки. При этом необходимо учесть, что фотолюминесценция в области ~ 1.8÷2.0 эВ может

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

34

"Нанокристаллическая структура и излучательные свойства островковых 3С-SiС пленок, выращиваемых на Si(100) / Орлов Л.К., Вдовин В.И., Орлов М.Л." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 171. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-171.

Full text

Abstract:

Гетерокомпозиции карбида кремния вызывают повышенный интерес вследствие многообразия образуемых кристаллических форм, а также благодаря своеобразию механизмов их формирования и наблюдаемых характеристик. В связи с попытками наблюдения в нанокристаллитах карбида кремния эффектов размерного квантования в литературе разрабатываются разные способы формирования SiC гетерокомпозиций с нанокристаллитами, встраиваемыми в матрицы SiO2 и Al2O3. Наиболее обсуждаемыми при этом являются причины наблюдаемой высокой эффективности излучательной рекомбинации и сдвиг основной полосы излучения в ультрафиолетовую

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

35

"Исследование эффекта перемешивания и релаксации напряжений в структурах Ge/Si с массивами низкотемпературных квантовых точек / Сторожевых М.С., Арапкина Л.В., Новиков С.М., Уваров О.В., Юрьев В.А." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 181. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-181.

Full text

Abstract:

Гетероструктуры Ge/Si с плотными массивами эпитаксиальных квантовых точек (КТ) Ge были исследованы методами комбинационного рассеяния света (КРС) и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (ПЭМ ВР). Предметом исследования является механизм релаксации напряжений в структурах Ge/Si с КТ, выращенными методом МЛЭ при температурах ~ 360ºС, а также влияние параметров роста КТ (толщина напыляемого слоя Ge и количество слоев) и разделительных слоев Si (толщина и температура роста) на состав квантовых точек и прилегающих к ним слоев Si. ПЭМ-изображения структур с КТ были проанализиров

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

36

"Новый масштаб обменной энергии квантово-холловских ферромагнетиков / Ваньков А.Б., Кукушкин И.В." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 202. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-202.

Full text

Abstract:

Некоторые секреты физики конденсированного состояния раскрываются на примере определенных модельных задач. Так, эффекты, связанные с обменным взаимодействием двумерных электронов в квантующем магнитном поле, изучают в простейшем случае квантово-холловского ферромагнетика (QHF) с   1. Это состояние устойчиво даже в системах со сколь угодно малым Зеемановским взаимодействием, что объясняется значительным выигрышем в обменной энергии. Сведенный до минимума набор встроенных корреляций делает это состояние наиболее пригодным для теоретического анализа, хотя последовательный учет многочастичных эф

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

37

"Спин-резонансный магнитотранспорт в двумерной полуметаллической системе / Моисеев К.Д., Березовец В.А., Голеницкий К.Ю., Аверкиев Н.С." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 232. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-232.

Full text

Abstract:

В одиночном разъединенном гетеропереходе II типа на интерфейсе формируется 2Dполуметаллический канал для электронов и дырок, локализованных в самосогласованных квантовых ямах по разные стороны границы раздела. Поскольку энергии локализованных электронов и дырок совпадают, то проникновение волновых функций носителей заряда через гетерограницу приводит к гибридизации состояний вблизи интерфейса и невозможности разделить электронную и дырочную подзоны [1]. В результате перекрытия подзон возникает гибридизационная щель [2]. В квантующих магнитных полях при условии одновременного заполнения первых

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

38

"Узкозонные гетероструктуры InAs1-xSbx/InAsSbP (x = 0.07-0.14) для спектрального диапазона 4-5 мкм, полученные методом МОГФЭ / Романов В.В., Иванов Э.В., Моисеев К.Д." Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019», 20 серпня 2019, 451. http://dx.doi.org/10.34077/semicond2019-451.

Full text

Abstract:

Высокоэффективные светодиоды, излучающие в диапазоне длин волн 4–5 мкм, представляют большой интерес для экологического мониторинга, промышленного газоанализа и медицинских приложений, поскольку в данной области спектра расположены интенсивные полосы поглощения таких веществ, как углекислый и угарный газы (СО2 и СО), закись азота (N2O) и др. Наиболее привлекательным материалом для создания оптоэлектронных приборов, работающих в указанном спектральном диапазоне при комнатной температуре, является система твердых растворов InAsSbP [1,2]. Технология газофазной эпитаксии из металлоорганических сое

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!