Relevant bibliographies by topics / Квантові точки / Journal articles
To see the other types of publications on this topic, follow the link: Квантові точки.

Journal articles on the topic 'Квантові точки'

Author: Grafiati
Published: 28 May 2022
Last updated: 31 May 2022

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 50 journal articles for your research on the topic 'Квантові точки.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Платонов, А. В., В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев, Д. В. Авдошина, A. Delga, L. Besombes, and H. Mariette. "Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1675. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43898.44.

Full text
Abstract:
-1 Исследовались спектры фотолюминесценции одиночных квантовых точек, заключенных в квантовую нить. Из поведения спектров в магнитном поле удалось оценить энергию связи экситона в квантовой точке, заключенной в квантовую нить. Обнаружено, что сигнал экситонной фотолюминесценции из квантовой точки, излучаемый в направлении оси нанонити, поляризован линейно. В то же время сигнал фотолюминесценции, распространяющийся в направлении, перпендикулярном оси нанонити, практически не был поляризован. Наблюдаемый эффект объяснен неаксиальным расположением точки относительно оси нити в условиях гигантского увеличения энергии связи экситона, связанного с влиянием на экситон потенциала изображения.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Samarin, Alexey Yur'evich. "Quantum evolution in terms of mechanical motion." Вестник Самарского государственного технического университета. Серия «Физико-математические науки» 25, no. 2 (2021): 393–401. http://dx.doi.org/10.14498/vsgtu1851.

Full text
Abstract:
Туннельный эффект рассматривается с точки зрения локального реализма. Сделан вывод о том, что квантовый объект, туннелирующий через потенциальный барьер, нельзя интерпретировать как материальную точку, потому что такая интерпретация противоречит невозможности движения быстрее скорости света в вакууме. Такого противоречия не возникает, если квантовый объект рассматривать как сплошную среду, образованную материальными полями. Показано, что закон динамики механического движения этих полей материи может быть выведен из закона квантовой эволюции в форме интеграла по траекториям. Анализ процесса туннелирования показывает, что этот закон динамики имеет форму принципа наименьшего действия с комплексной временной переменной. Используемый здесь подход позволяет не только придать физическую интерпретацию туннельному эффекту, согласующуюся со специальной теорией относительности, но также описать широкий круг квантовых явлений, для которых традиционные методы исследования неосуществимы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Сокура, Л. А., Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, and Н. А. Берт. "Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb." Физика и техника полупроводников 51, no. 8 (2017): 1146. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.08.44804.8533.

Full text
Abstract:
Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур T=450-467oC. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания ~30-50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In0.25GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1·1010 см-2) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44804.8533
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Mitsai, V. P., A. G. Misyura, S. V. Kryvets, and Ya P. Lazorenko. "Fluorescenсе Properties of Complexes of Coumarin Derivatives/CdTe Quantum Dots under Interaction with Ammonia Molecules in Microconcentrations." Journal of Nano- and Electronic Physics 8, no. 4(1) (2016): 04032–1. http://dx.doi.org/10.21272/jnep.8(4(1)).04032.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Жуков, Н. Д., Т. Д. Смирнова, А. А. Хазанов, О. Ю. Цветкова, and С. Н. Штыков. "Свойства полупроводниковых коллоидных квантовых точек, полученных в условиях управляемого синтеза." Физика и техника полупроводников 55, no. 12 (2021): 1203. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.12.51706.9704.

Full text
Abstract:
Исследовано влияние технологических параметров синтеза на структурно-физические свойства коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца, антимонида индия и селенида кадмия. Использование несольватирующего для прекурсора неметалла растворителя позволяет получить медленный, управляемый процесс и детально проследить все стадии кристаллизации наночастиц --- нуклеацию и рост, оствальдовское созревание, неконтролируемое разрастание. Удается получать кристаллиты совершенной структуры и размеров с минимальными разбросами --- не более ±10%. Установлено при этом, что максимальные размеры наночастиц ограничены термодинамическими условиями роста и имеют величину ~ 5 нм. Кроме того, квантовые точки проявляют ряд специфических свойств --- аномальную температурную зависимость фотолюминесценции и нестабильность вольт-амперной характеристики, которым дано объяснение в модели размерного квантования энергии и импульса неравновесных электронов. Для разных вариантов полупроводников особенности проявляются значительней с увеличением параметров размерного квантования. Ключевые слова: коллоидный синтез, коллоидная квантовая точка, кинетическая и термодинамическая модели, сольватирующий растворитель, быстрая и медленная кристаллизация, кристаллическая и зонная структура, параметры размерного квантования, фотолюминесцентные и вольт-амперные характеристики.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Сидоров, А. И., А. А. Ефимов, and В. П. Цепич. "Формирование наночастиц серебра и углеродных квантовых точек при лазерном фотолизе нитрата серебра в поливиниловом спирте." Журнал технической физики 91, no. 8 (2021): 1258. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.08.51101.40-21.

Full text
Abstract:
Представлены результаты исследования фотолиза нитрата серебра в растворе поливинилового спирта под действием непрерывного лазерного излучения с длиной волны 405 nm. Показано, что при лазерном воздействии на поверхности подложки формируются наночастицы серебра, обладающие плазмонным резонансом, и углеродные квантовые точки, обладающие люминесценцией. Средний размер наночастиц серебра составлял 10-50 nm. При высокой дозе облучения они образуют трехмерные фрактальные кластеры. Ключевые слова: фотолиз, лазерное облучение, наночастица, квантовая точка, серебро, углерод.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Горшков, А. П., Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, and С. Б. Левичев. "Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs." Физика и техника полупроводников 51, no. 11 (2017): 1447. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45088.02.

Full text
Abstract:
Заращивание массива самоорганизованных квантовых точек InAs/GaAs слоем квантовой ямы InGaAs приводит к увеличению их размера за счет обогащения области вблизи вершины квантовых точек индием, что уменьшает энергию основного оптического перехода в квантовых точках на 50 мэВ и смещает волновую функцию дырки по направлению к вершине квантовой точки. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45088.02
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Гайнутдинов, Р. Х., М. А. Хамадеев, М. Р. Мохебби Фар, and А. А. Мутыгуллина. "Влияние окружения на квантовые флуктуации квантовой точки." Известия Российской академии наук. Серия физическая 80, no. 7 (2016): 892–95. http://dx.doi.org/10.7868/s0367676516070103.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Клюев, Виктор Григорьевич, Юлия Сергеевна Бездетко, and Анастасия Алексеевна Седых. "ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК CdS–Ag2S." Конденсированные среды и межфазные границы 19, no. 2 (November 6, 2017): 173. http://dx.doi.org/10.17308/kcmf.2017.19/189.

Full text
Abstract:
В работе приведены результаты исследования систем, состоящих из двух типов квантовых точек: CdS и Ag2S, имеющих разный тип кристаллических решеток. Синтезированы квантовые точки сульфида кадмия в желатиновой матрице с помощью золь-гель технологии. Средний размер квантовых точек CdS с кристаллической решеткой кубической модификации составил 2-4 нм. В процессе синтеза квантовых точек CdS в реактор добавлялись ионы серебра в концентрациях с соотношением мольных долей относительно ионов кадмия равных СAg = 10-2, 2.2 ∙ 10-2, 4.6 ∙ 10-2, 10-1, 2.2 ∙ 10-1, 4.6 ∙ 10-1, 1 : 1. Начиная с концентрации СAg = 10-2, образуются квантовые точки Ag2S, имеющие моноклинную кристаллическую решетку и люминесценцию в области спектра 1100-1300 нм, интенсивность которой увеличивается при увеличении СAg. В диапазоне СAg = 10-2 - 2.2 ∙ 10-1 часть ионов серебра входит легирующей добавкой в квантовые точки CdS, образует центры люминесценции, увеличивая интенсивность общей полосы люминесценции в области спектра 550-650 нм. Сделан вывод о том, что в результате присутствия в реакторе во время синтеза ионов серы, кадмия и серебра образуются квантовые точки двух типов: CdS и Ag2S. Данная система имеет две полосы люминесценции в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. Такие материалы могут найти применение в качестве излучающих приборов, имеющих полосы люминесценции в двух разных областях спектра. Спектры поглощения, изображения квантовых точек, полученные с помощью ПЭМ, и рентгеновские дифрактограммы измерены на оборудовании ЦКП НО ВГУ.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Салий, Р. А., С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц, and Н. А. Калюжный. "Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In-=SUB=-0.8-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.2-=/SUB=-As и фотоэлектрических преобразователей на их основе." Физика и техника полупроводников 54, no. 10 (2020): 1079. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.10.49946.9418.

Full text
Abstract:
Методом металлоорганической газофазной эпитаксии получены квантовые точки InAs и In0.8Ga0.2As в матрице GaAs, а также GaAs-фотопреобразователи с квантовыми точками обоих типов в i-области. В результате исследования методами фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ансамбль квантовых точек In0.8Ga0.2As имеет высокую однородность, содержит меньшее число дефектных квантовых точек большого размера, а также обеспечивает снижение механических напряжений в структуре. Анализ спектральных зависимостей внутреннего квантового выхода показал сохранение качества матрицы фотоэлектрического преобразователя с квантовыми точками In0.8Ga0.2As на уровне, близком к качеству реперного GaAs-фотопреобразователя при встраивании до 20 рядов квантовых точек. При этом обеспечивается линейный прирост добавочного фототока, генерированного за счет поглощения подзонных фотонов в квантовых точках In0.8Ga0.2As, с увеличением количества рядов квантовых точек, так как сохраняется величина прироста фототока в пересчете на один ряд. Ключевые слова: фототок, квантовые точки, фотоэлектрические преобразователи.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
11

Королев, Станислав Анатольевич, and Дмитрий Владимирович Майков. "Квантовая модификация алгоритма пресноводных гидр для решения задачи оптимизации." Вестник ВГУ. Серия: Системный анализ и информационные технологии, no. 2 (June 15, 2020): 37–48. http://dx.doi.org/10.17308/sait.2020.2/2914.

Full text
Abstract:
Одним из этапов решения ряда задач математического моделирования является поиск точки, в которой некоторая функция нескольких переменных достигает наибольшего или наименьшего значения. Эта функция, как правило, имеет высокую размерность и множество локальных экстремумов. Подобная задача успешно решается популяционными алгоритмами оптимизации, например, алгоритмом роя частиц, алгоритмом пресноводных гидр и другими. Целью работы являлось совершенствование алгоритма пресноводных гидр (Н-алгоритма) с учетом представлений квантовой механики. Разработанные квантовые модификации данного алгоритма основаны на методе анализа иерархий (QH-AHP) и байесовском подходе (QH-B). Скорость сходимости квантовых модификаций выше, чем у исходного Н-алгоритма в связи с тем, что положение особей определяется напрямую, не оперируя их скоростями (в соответствии с представлениями квантовой механики). Вследствие этого, в течение одной итерации особи могут перемещаться на значительное расстояние, в результате чего увеличивается охват пространства поиска. Кроме того, данный подход позволяет особям успешнее преодолевать области притяжения локальных экстремумов, что препятствует преждевременной сходимости алгоритма. Найдены оптимальные значения параметров разработанных алгоритмов в результате решения задачи метаоптимизации. Сравнение скорости сходимости предложенных алгоритмов оптимизации выполнялось на примере различных многоэкстремальных тестовых функций: Розенброка, Дэвиса, Экли, Растригина. Предложенные квантовые модификации Н-алгоритма (QH-AHP и QH-B) для различных тестовых функций показали различную, но в среднем одинаковую скорость сходимости. Скорость сходимости квантовых модификаций алгоритмов для различных тестовых функций выше, чем у исходного алгоритма пресноводных гидр и алгоритма роя частиц. Разработанные алгоритмы решения задачи оптимизации могут быть использованы при обучении нейронных сетей, при математическом моделировании процессов и систем в различных предметных областях на этапе идентификации параметров модели, оптимизации характеристик и построения оптимального управления такими системами и т. д.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
12

Деребезов, И. А., В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, S. Fischbach, A. Schlehahn, et al. "Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора." Физика и техника полупроводников 51, no. 11 (2017): 1451. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45089.03.

Full text
Abstract:
Представлены результаты численного моделирования и исследования гибридного микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и селективно позиционированной над одиночной (111) In(Ga)As-квантовой точкой микролинзы. Излучатели на основе гибридного микрорезонатора демонстрируют эффективную накачку одиночной квантовой точки и высокую эффективность вывода излучения. Дизайн микрорезонатора может быть использован для реализации излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45089.03
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
13

Цуканов, А. В. "Квантовые точки в фотонных молекулах и квантовая информатика. Часть I." Микроэлектроника 42, no. 6 (2013): 403–26. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126913050098.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
14

Цуканов, А. В. "Квантовые точки в фотонных молекулах и квантовая информатика. Часть II." Микроэлектроника 43, no. 3 (2014): 163–79. http://dx.doi.org/10.7868/s0544126914010086.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
15

Цырлин, Г. Э., И. В. Штром, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, and И. П. Сошников. "XX Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/ AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния." Физика и техника полупроводников 50, no. 11 (2016): 1441. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.11.43769.1.

Full text
Abstract:
Приведены данные по росту и исследованию свойств наноструктур типа "вставка GaAs, внедренная в AlGaAs нитевидный нанокристалл", выращенных на поверхности Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Показано, что, варьируя условия эпитаксиального роста, можно получать квантово-размерные структуры типа квантовой точки, излучающие в широком интервале длин волн как для активной, так и барьерной областей. Предлагаемая технология открывает новые возможности по интеграции прямозонных соединений АIIIВV и кремния.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
16

Гладышев, А. Г., А. В. Бабичев, В. В. Андрюшкин, Д. В. Денисов, В. Н. Неведомский, Е. С. Колодезный, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, and А. Ю. Егоров. "Исследование оптических и структурных свойств трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы." Журнал технической физики 90, no. 12 (2020): 2139. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.12.50133.129-20.

Full text
Abstract:
Предложен новый метод формирования трехмерных квантово-размерных островков InGaP(As), заключающийся в замещении фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Показано, что при замещении фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP формируются трехмерные островки, излучающие в спектральном диапазоне 0.95-0.97 μm при комнатной температуре. Оценочная плотность островков составила 1.3·1010 cm-2. Ключевые слова: эпитаксия, квантовые точки, арсенид галлия, замещение фосфора, просвечивающая электронная микроскопия.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
17

Аржанов, А. И., А. О. Савостьянов, К. А. Магарян, К. Р. Каримуллин, and А. В. Наумов. "Фотоника полупроводниковых квантовых точек: прикладные аспекты." PHOTONICS Russia 16, no. 2 (March 21, 2022): 96–112. http://dx.doi.org/10.22184/1993-7296.fros.2022.16.2.96.112.

Full text
Abstract:
Полупроводниковые нанокристаллы (квантовые точки, КТ) обладают уникальными фотофизическими свой­ствами, что открывает широкие возможности их прикладного использования в методах и инструментах современной фотоники. В данной статье рассматриваются возможные приложения КТ. Обсуждаются как существующие устройства, так и перспективы разработки новых методов и приборов фотоники. Рассмотрены инновационные подходы применения КТ в различных областях современных фотонных технологий: оптоэлектронике, биофизике, квантовой оптике, сенсорике, фотовольтаике.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
18

Овчинников, О. В., М. С. Смирнов, and С. В. Асланов. "Квантовый выход люминесценции и константы рекомбинации в коллоидных core/shell квантовых точках Ag-=SUB=-2-=/SUB=-S/AnS и Ag-=SUB=-2-=/SUB=-S/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-." Журнал технической физики 128, no. 12 (2020): 1926. http://dx.doi.org/10.21883/os.2020.12.50331.206-20.

Full text
Abstract:
Выполнен сравнительный анализ люминесцентных свойств коллоидных квантовых точек Ag2S, покрытых тиогликолевой кислотой или 2-меркаптопропионовой кислотой c оболочками из ZnS или SiO2. Продемонстрировано увеличение квантового выхода рекомбинационной ИК люминесценции коллоидных квантовых точек Ag2S до 35 раз в результате формирования оболочек ZnS, SiO2 при одновременном увеличении среднего времени жизни люминесценции. Для квантовых ядро/оболочка Ag2S/ZnS покрытых тиогликолевой кислотой показано уменьшение излучательной и безызлучательной констант рекомбинации, которое объяснено локализацией электронов в оболочке, а дырок в ядре. Для квантовых точек ядро/оболочка Ag2S/SiO2 покрытых 2-меркаптопропионовой кислотой наблюдалось увеличение констант излучательной и уменьшение безызлучательной рекомбинации. В этом случае рост константы излучательной рекомбинации обусловлен локализацией электронов и дырок в ядре. Уменьшение константы безызлучательной рекомбинации объяснено пассивацией интерфейсных дефектов квантовых точек при формировании оболочки. Ключевые слова: квантовые точки, люминесценция, константы рекомбинации, core/shell.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
19

Румянцев, В. В., С. А. Федоров, and К. В. Гуменник. "Поляритонные возбуждения в неидеальной цепочке микрорезонаторов с квантовыми точками." Физика твердого тела 59, no. 4 (2017): 741. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.04.44277.340.

Full text
Abstract:
Исследован поляритонный спектр неидеальной одномерной решетки связанных микрорезонаторов, содержащих квантовые точки. С помощью численного моделирования в рамках приближения виртуального кристалла изучены особенности дисперсии электромагнитных возбуждений такой системы, вызванные как вариацией расстояний между ближайшими резонаторами, так и вариацией квантовых точек по составу. Получена плотность состояний исследуемых квазичастиц. Работа выполнена в рамках Европейской программы FP7-PEOPLE-2013-IRSES (грант N 612600 "LIMACONA"). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44277.340
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
20

Минтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, С. С. Рувимов, and А. Е. Жуков. "Оптические свойства гибридных наноструктур "квантовая яма-точки", полученных методом МОС-гидридной эпитаксии." Физика и техника полупроводников 51, no. 3 (2017): 372. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44210.8394.

Full text
Abstract:
Показано, что осаждение InxGa1-xAs с концентрацией индия от 0.3 до 0.5 и средней толщиной от 3 до 27 монослоев на подложку GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженных температурах роста приводит к возникновению модуляций толщины и концентрации атомов индия в формирующихся слоях. В силу их свойств, полученные наноструктуры могут быть отнесены к промежуточному типу между идеальными квантовыми ямами и квантовыми точками. В зависимости от толщины и состава InGaAs, длина волны максимума линии фотолюминесценции гибридных наноструктур квантовая яма-точки меняется от 950 до 1100 нм. Определены оптимальные толщины и составы осажденного InxGa1-xAs, обеспечивающие максимальную длину волны излучения при сохранении высокой квантовой эффективности. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44210.8394
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
21

Хомицкий, Д. В., Е. А. Лаврухина, А. А. Чубанов, and Н. Нжийа. "Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора." Физика и техника полупроводников 51, no. 11 (2017): 1557. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.11.45111.25.

Full text
Abstract:
Выполнен расчeт скорости релаксации энергии для переходов с участием фононов в квантовых точках различного размера, созданных магнитными барьерами на краe двумерного топологического изолятора на базе квантовой ямы HgTe/CdTe. Рассматривается релаксация как в дискретный, так и в непрерывный спектр краевых состояний, а также в состояния непрерывного спектра объeмного образца. Полученные результаты свидетельствуют о существовании области параметров структуры, обеспечивающей сравнительно медленную релаксацию энергии, что говорит о перспективности данных объектов, в том числе для создания новых типов твердотельных кубитов. DOI: 10.21883/FTP.2017.11.45111.25
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
22

Плохотников, К. Э., and K. E. Plokhotnikov. "Об одном численном методе нахождения позиций ядер водорода и кислорода в кластере воды." Математическое моделирование 34, no. 4 (March 29, 2022): 43–58. http://dx.doi.org/10.20948/mm-2022-04-03.

Full text
Abstract:
Изложены итоги моделирования пространственных позиций ядер водорода и кислорода в кластере воды с точки зрения прямого вычислительного эксперимента. Привлекается ранее разработанный автором способ численного решения уравнения Шредингера, который основан на методе Монте-Карло. Указанный способ решения зарекомендовал себя в качестве весьма эффективного с точки зрения затрат машинного времени. Входными данными рассматриваемого метода выступают средние позиции частиц, входящих в квантовую систему, для расчета которых был разработан другой метод. В рамках метода построения средних позиций квантовых частиц построено несколько энергетических изомеров кластеров воды. Именно эта множественность вызывает основной теоретический интерес. Для целей проверки методики была построена модель отдельной молекулы воды с общепринятой геометрией расположения частиц, а также так называемая геометрия развернутой молекулы воды. Приведенные в работе энергетические изомеры димера, тримера и гексамера воды рассматриваются в качестве возможных геометрических конструкций кластеров воды и выступают в качестве иллюстрации использования предлагаемой методики расчета квантовых систем. Модель димера воды построена в виде трех геометрических конструкций расположения ядер водорода и кислорода, условно названных квазидвумерная, в форме октаэдра и квазиодномерная. Модель тримера воды свелась к обсуждению двух геометрий: трехмерной и квазидвумерной. Наконец, рассмотрена геометрия гексамера воды в форме октаэдра, в вершинах которого находятся ядра кислорода, а в центре размещены все двенадцать протонов. Под моделями кластеров воды понимается построение облаков рассеяния всех входящих в кластер квантовых частиц.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
23

Кравцова, А. Н., К. А. Ломаченко, С. А. Сучкова, И. А. Панкин, М. Б. Файн, А. Л. Бугаев, and А. В. Солдатов. "Допированные квантовые точки семейства CdTe." Известия Российской академии наук. Серия физическая 79, no. 11 (2015): 1612–16. http://dx.doi.org/10.7868/s0367676515110150.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
24

Беляев, В. "КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ: СВОЙ­СТВА, ТЕХНОЛОГИИ, РЫНОК." ELECTRONICS: SCIENCE, TECHNOLOGY, BUSINESS 198, no. 7 (August 3, 2020): 152–61. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2020.198.7.152.161.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
25

Гревцева, И. Г., О. В. Овчинников, М. С. Смирнов, Т. С. Кондратенко, А. С. Перепелица, and А. М. Х. Хуссейн. "Люминесценция коллоидных квантовых точек Ag-=SUB=-2-=/SUB=-S/SiO-=SUB=-2-=/SUB=-, декорированных малыми наночастицами Au." Оптика и спектроскопия 130, no. 3 (2022): 455. http://dx.doi.org/10.21883/os.2022.03.52177.2850-21.

Full text
Abstract:
Установлено десятикратное увеличение квантового выхода дефектной люминесценции в области 750 nm при одновременном росте времени ее затухания с 4 до 200 ns, обусловленные декорированием поверхности квантовых точек (КТ) Ag2S/SiO2 (5.0±1.5 nm) наночастицами (НЧ) Au (2.0±0.5 nm). На основе анализа кинетики люминесценции при температурах 77 и 300 K сделано заключение о том, что такое неспецифичное проявление плазмон-экситонного взаимодействия вызвано влиянием поляризационных эффектов от НЧ Au на свойства мелких ловушек, участвующих в формировании кинетики дефектной люминесценции КТ Ag2S/SiO2. Ключевые слова: ИК люминесценция; кинетика затухания люминесценции; квантовые точки, плазмонные наночастицы, плазмон-экситонное взаимодействие.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
26

Кац, В. Н., А. В. Платонов, Г. Э. Цырлин, A. Д. Буравлев, A. Delga, L. Besombes, H. Mariette, and В. П. Кочерешко. "Поляризационная спектроскопия одиночной квантовой точки и одиночной квантовой нити." Журнал технической физики 60, no. 12 (2018): 2574. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.12.46737.136.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
27

Надточий, Виктор, Ирина Воронова, and Егор Сыпчук. "КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ И КВАНТОВЫЕ НИТИ ДЛЯ СОВРЕМЕННОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ." Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, no. 10 (June 28, 2020): 59–64. http://dx.doi.org/10.31865/2413-26672415-3079102020207121.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
28

Резник, И. А., Д. А. Куршанов, А. Ю. Дубовик, М. А. Баранов, С. А. Мошкалев, A. O. Орлова, and А. В. Баранов. "Фотостабильность и фотоиндуцированные процессы в квантовых точках CuInS-=SUB=-2-=/SUB=-/ZnS и их гибридных структурах с многослойными нанолентами графена." Журнал технической физики 128, no. 11 (2020): 1767. http://dx.doi.org/10.21883/os.2020.11.50183.198-20.

Full text
Abstract:
Исследованы фотостабильность люминесцентных свойств CuInS2/ZnS квантовых точек (CIS/ZnS КТ) в виде монослоя на диэлектрической подложке и в составе гибридной структуры с многослойными нанолентами графена (МНГ). Анализ кинетики люминесценции КТ выявил наличие трeх основных компонент затухания люминесценции, характеризующихся временами порядка 20, 100 и 300 ns. Показано, что эффективность взаимодействия CIS/ZnS КТ и МНГ имеет аналогичную CdSe КТ зависимость от количества монослоeв графена. Произведена оценка фотостабильности CIS/ZnS КТ на диэлектрической подложке и в составе структур с МНГ, позволившая оценить скорости переноса энергии/заряда от КТ к МНГ как 106-107 s-1. Ключевые слова: квантовые точки CuInS2/ZnS, многослойные графеновые наноленты, дефектная люминесценция, перенос энергии/заряда, фотоиндуцированные процессы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
29

Цуканов, А. В., and И. Ю. Катеев. "Квантовый чип с оптимизированной туннельной структурой для измерения зарядового кубита на двойной квантовой точке." Микроэлектроника 49, no. 2 (2020): 83–100. http://dx.doi.org/10.31857/s0544126920020088.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
30

Щипунов, Ю. А., О. Н. Хлебников, and В. Е. Силантьев. "Углеродные квантовые точки, синтезируемые гидротермально из хитина." Высокомолекулярные соединения Б 57, no. 1 (2015): 18–25. http://dx.doi.org/10.7868/s230811391501012x.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
31

Абрамова, А. М., О. А. Горячева, Д. Д. Дрозд, А. С. Новикова, Т. С. Пономарева, П. Д. Строкин, and И. Ю. Горячева. "Люминесцентные полупроводниковые квантовые точки в химическом анализе." Журнал аналитической химии 76, no. 3 (2021): 195–207. http://dx.doi.org/10.31857/s0044450221030026.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
32

Barachevsky, V. A. "Photochromic quantum dots." Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Fizika, no. 11 (2021): 30–44. http://dx.doi.org/10.17223/00213411/64/11/30.

Full text
Abstract:
The analysis of the results of fundamental and applied research in the field of creation of photochromic nanoparticles of the "core-shell" type, in which semiconductor nanocrystals - quantum dots were used as a core, and the shell included physically or chemically sorbed molecules of photochromic thermally relaxing (spiropyrans, spirooxazines , chromenes, azo compounds) or thermally irreversible (diarylethenes, fulgimides) compounds. It has been shown that such nanoparticles provide reversible modulation of the QD radiation intensity, which can be used in information and biomedical technologies.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
33

Румянцев, В. В., С. А. Федоров, К. В. Гуменник, and Ю. А. Паладян. "Поляритонные возбуждения в неидеальной двухподрешеточной цепочке микропор." Журнал технической физики 90, no. 5 (2020): 850. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.05.49189.168-19.

Full text
Abstract:
Исследована зависимость дисперсионных характеристик поляритонных возбуждений в неидеальной 1D-решетке микропор от концентрации дефектов структуры, связанных с вариацией положений микропор, содержащих в одной из подрешеток квантовые точки. Показано, что в результате наличия данных структурных дефектов в 1D-двухподрешеточном массиве микропор можно добиться необходимого изменения энергетической структуры поляритонных возбуждений и, следовательно, оптических свойств исследуемой системы, обусловленных перестройкой электромагнитного спектра. Ключевые слова: неидеальная 1D-решетка микропор-резонаторов, поляритонные возбуждения, квантовые точки, приближение виртуального кристалла.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
34

Колесова, Е. П., Ф. М. Сафин, В. Г. Маслов, Ю. К. Гунько, and А. О. Орлова. "Влияние фотоиндуцированных процессов на поверхности квантовых точек на эффективность переноса электрона в структурах "Наночастицы TiO-=SUB=-2-=/SUB=-/Квантовые Точки"." Журнал технической физики 127, no. 9 (2019): 490. http://dx.doi.org/10.21883/os.2019.09.48208.138-19.

Full text
Abstract:
The effect of photoinduced processes on the CdSe/ZnS quantum dots surface on the functionality of TiO2 nanoparticles/quantum dots hybrid structures has been studied. We demonstrate that pre-irradiation of QDs layers allows for a threefold increase in the photoinduced electron transfer efficiency in the structures. It was shown that photoinduced processes affect both the efficiency of nonradiative processes in QDs and electron transfer conditions in hybrid structures.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
35

Маслов, Виктор Павлович, and Victor Pavlovich Maslov. "Методы квантовой статистики с точки зрения теории вероятностей. I." Teoriya Veroyatnostei i ee Primeneniya 47, no. 4 (2002): 686–709. http://dx.doi.org/10.4213/tvp3775.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
36

Минтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, and А. Е. Жуков. "Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In-=SUB=-0.25-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.75-=/SUB=-As методом МОС-гидридной эпитаксии." Физика и техника полупроводников 51, no. 5 (2017): 704. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.05.44415.8459.

Full text
Abstract:
Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены квантовые точки InAs в метаморфной матрице InGaAs, излучающие в диапазоне длин волн 1380-1400 нм при комнатной температуре. Структуры выращивались на многослойном метаморфном буфере, состоящем из девяти подслоев InxGa1-xAs, каждый из которых имел толщину 200 нм. В первых семи слоях концентрация индия x последовательно увеличивалась на величину ~3.5%, достигая 24.5%. Затем выращивался компенсирующий слой с концентрацией x=28% и финальный бездислокационный слой с x=24.5%. Показано, что релаксация упругих напряжений с загибом дислокаций на интерфейсах происходит в третьем от поверхности слое, а верхний слой свободен от дислокаций на обоих интерфейсах. Квантовые точки формировались в метаморфной матрице посредством осаждения 2-2.5 монослоев InAs при 520oC с последующим заращиванием тонким слоем InGaAs при той же температуре роста. Установлено, что для улучшения структурного и оптического качества образцов необходимо увеличивать скорость роста и уменьшать концентрацию индия в покрывающем квантовые точки слое InGaAs, по отношению к соответствующим параметрам роста последнего подслоя метаморфного буфера. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44415.8459
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
37

Копанев, Э. В., E. V. Kopanev, С. В. Крюков, S. V. Kryukov, М. А. Сухоручкин, and M. A. Suhoruchkin. "Сохраняющиеся токи в квантовых интегрируемых моделях." Teoreticheskaya i Matematicheskaya Fizika 113, no. 1 (1997): 34–44. http://dx.doi.org/10.4213/tmf1063.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
38

Цуканов, А. В., and В. Г. Чекмачев. "Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе." Физика и техника полупроводников 51, no. 9 (2017): 1249. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44890.8485.

Full text
Abstract:
Приведена схема оптического квантового сенсора внешнего электрического поля на основе двойной квантовой точки, помещенной в высокодобротный полупроводниковый микрорезистор. Разработана модель динамических процессов, происходящих в данной системе, исследованы ее спектральные характеристики, а также проведено изучение шумовой устойчивости сенсора. Показано, что благодаря особенностям дизайна подобное устройство обладает некоторыми преимуществами, такими, как высокая чувствительность, наличие различных каналов для возбуждения и измерения, возможность точного определения пространственного распределения поля. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44890.8485
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
39

Некоркин, С. М., Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, А. А. Афоненко, and Д. В. Ушаков. "Влияние "объема" активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку." Физика и техника полупроводников 51, no. 1 (2017): 75. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43999.8258.

Full text
Abstract:
Исследованы излучательные свойства лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP с вытеканием излучения через подложку в зависимости от числа квантовых ям в активной области и лазерных диодов на их основе. Установлено, что наличие 6-8 квантовых ям в активной области является оптимальным с точки зрения наблюдаемых значений порогового тока и выходной оптической мощности лазеров. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8258
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
40

Гайслер, А. В., И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, and А. Л. Асеев. "Квантовые точки AlInAs, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"." Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, no. 1-2 (2017): 93–99. http://dx.doi.org/10.7868/s0370274x17020072.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
41

Алешкин, В. Я., Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, and Д. Г. Реунов. "Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии." Физика и техника полупроводников 53, no. 8 (2019): 1159. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.08.48011.9124.

Full text
Abstract:
AbstractThe mode of the growth of InGaAs quantum dots by MOS-hydride epitaxy on GaAs substrates without a deviation and with a deviation of 2° is selected for laser structures emitting at wavelengths above 1.2 μm at room temperature. As a result, a quantum-dot density of 4 × 10^10 cm^–2 is achieved. Stimulated emission is observed in laser structures with seven layers of quantum dots at a wavelength of 1.06 μm at liquid-nitrogen temperature. The threshold power density of optical pumping is about 5 kW/cm^2.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
42

Чеботарев, Александр Михайлович, and Alexander Mikhailovich Chebotarev. "Что такое квантовое стохастическое уравнение с точки зрения функционального анализа?" Matematicheskie Zametki 71, no. 3 (2002): 448–69. http://dx.doi.org/10.4213/mzm359.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
43

Матушко, Мария Георгиевна, and Mariya Georgievna Matushko. "Система Калоджеро-Сазерленда в точке свободных фермионов." Teoreticheskaya i Matematicheskaya Fizika 205, no. 3 (November 27, 2020): 400–419. http://dx.doi.org/10.4213/tmf9794.

Full text
Abstract:
Приводятся два способа получения точных выражений коммутирующих гамильтонианов интегрируемой системы, рассматриваемой как фермионный предел квантовой системы Калоджеро-Сазерленда при числе частиц, стремящемся к бесконечности, при специальных значениях константы связи $\beta$. Конструкция реализована в пространстве Фока.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
44

Lebid, Yevhen. "Час у Володимира Набокова." Актуальні проблеми духовності, no. 15 (June 30, 2016): 249–60. http://dx.doi.org/10.31812/apd.v0i15.1914.

Full text
Abstract:
Стаття присвячена аналiзу хронософiї В. Набокова, в якiй взаємопов’язанi час, простiр, слух i свiдомiсть. Автором здiйснено спробу iнтерпретацiї фiлософiї часу Набокова з точки зору деяких базових положень квантової механiки.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
45

Пелещак, Р. М., О. О. Даньків, and О. В. Кузик. "Модуляція напрямку випромінювання гетеролазера з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі." Ukrainian Journal of Physics 57, no. 1 (January 30, 2012): 68. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.1.68.

Full text
Abstract:
Побудовано теоретичну модель процесу модуляції напрямку випромінювання гетеролазера InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі. Встановлено характер залежності амплітуди кута відхилення гетеролазера від частоти акустичної хвилі та геометричних розмірів квантової точки.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
46

Минтаиров, С. А., Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, В. Н. Неведомский, Л. А. Сокура, С. С. Рувимов, М. З. Шварц, and А. Е. Жуков. "Многослойные InGaAs-гетероструктуры "квантовая яма-точки" в фотопреобразователях на основе GaAs." Физика и техника полупроводников 52, no. 10 (2018): 1131. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.10.46452.8879.

Full text
Abstract:
AbstractGaAs photovoltaic converters containing quantum well-dot (QWD) heterostructures are studied. The QWD properties are intermediate between those of quantum wells (QWs) and quantum dots. The QWDs are obtained by the epitaxial deposition of In_0 . 4Ga_0 . 6As with a nominal thickness of 8 single layers by metal-organic vapor phase epitaxy. QWDs are a dense array of elastically strained islands that localize carriers in three directions and are formed by a local increase in the indium concentration and/ or InGaAs-layer thickness. There are two quantum-well levels of varied nature in structures with QWDs. These levels are manifested in the spectral characteristics of GaAs photovoltaic converters. A short-wavelength peak with a maximum at around 935 nm is associated with absorption in the residual QW, and the long-wavelength peak (1015–1030 nm) is due to absorption in the QWDs. Investigation by transmission electron microscopy demonstrates that an increase in the number of InGaAs layers leads to stronger elastic stresses, which, in turn, increases the carrier confinement energy in the QWDs and lead to a corresponding long-wavelength shift of the internal quantum efficiency spectrum.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
47

Линьков, П. А., К. В. Вохминцев, П. С. Самохвалов, and И. Р. Набиев. "КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ СВЕРХМАЛОГО РАЗМЕРА ДЛЯ ФЛУОРЕСЦЕНТНОГО БИОИМИДЖИНГА И , "Оптика и спектроскопия"." Оптика и спектроскопия, no. 1 (2017): 12–16. http://dx.doi.org/10.7868/s0030403417010160.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
48

Ильин, А. С., М. Н. Мартышов, Н. П. Фантина, and П. А. Форш. "Детектирование диоксида азота нанокристаллическим оксидом индия, содержащим квантовые точки селенида кадмия." Ядерная физика и инжиниринг 6, no. 9-10 (2015): 536–40. http://dx.doi.org/10.1134/s2079562915050085.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
49

Тихов, С. В., О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, and А. И. Морозов. "Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs." Физика и техника полупроводников 50, no. 12 (2016): 1615. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2016.12.43886.32.

Full text
Abstract:
Изучены свойства МДП-структур на основе n-GaAs, в которых в качестве диэлектрика использованы оксид кремния и стабилизированные оксидом иттрия диоксид циркония и диоксид гафния, и которые содержали квантовые точки InAs, встроенные на границе раздела диэлектрик/n-GaAs. Структуры проявляли резистивное переключение и синаптическое поведение
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
50

Абрамов, В. С. "КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ ВО ФРАКТАЛЬНОЙ МНОГОСЛОЙНОЙ НАНОСИСТЕМЕ, "Известия Российской академии наук. Серия физическая"." Известия Российской академии наук. Серия физическая, no. 5 (2017): 625–32. http://dx.doi.org/10.7868/s0367676517050039.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography