Relevant bibliographies by topics / Кремния

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Books
  4. Book chapters
  5. Conference papers
  6. Reports

Academic literature on the topic 'Кремния'

Author: Grafiati
Published: 5 June 2025
Last updated: 2 August 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Кремния.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Кремния"

1

Никитин, С. Е., А. В. Нащекин, Е. Е. Терукова, И. Н. Трапезникова, А. В. Бобыль та В. Н. Вербицкий. "Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-5-=/SUB=-". Физика и техника полупроводников 51, № 1 (2017): 105. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.44004.8292.

Full text
Abstract:
Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V2O5. Интенсивное окисление кремния на границе Si-V2O5 начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V2O5-Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30-50 нм с включениями SiO2 в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния (D≥2·10-15 см2·с-1). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанна
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Болотов, В. В., Е. В. Князев, И. П. Пономарева та ін. "Формирование и свойства захороненного изолирующего слоя двуокиси кремния в двухслойных структурах "пористый кремний-на-изоляторе"". Физика и техника полупроводников 51, № 1 (2017): 51. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.01.43995.8246.

Full text
Abstract:
Изучен процесс окисления мезопористого кремния в двухслойной структуре "макропористый кремний-мезопористый кремний". Методами электронной микроскопии, эллипсометрии, электрофизическими измерениями исследована морфология и диэлектрические свойства получаемого слоя захороненного диэлектрика. Определено наличие специфического вида дефектов "шипов", возникающих при окислении стенок макропор в макропористом кремнии, границ пересечения фронтов окисления мезопористого кремния. Установлено, что при исходной пористости мезопористого кремния 60% и трехстадийном термическом окислении формируются
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Bytkin, Sergey, та Tatyana Kritskaya. "Моделирование s-образного процесса накопления А- и Е-центров в изовалентно легированном германием кремнии в среде Statistica И Mathcad". Modern Problems of Metalurgy 1, № 21 (2019): 29–35. http://dx.doi.org/10.34185/1991-7848.2018.01.06.

Full text
Abstract:
Кремний, легированный изовалентной примесью германия (Si<Ge> или SiGe в англоязычной научно-технической литературе), обладает рядом физико-технологических преимуществ с точки зрения обеспечения радиационной стойкости npn- и npnp-структур. Применение именно такого кремния весьма перспективно для силовой электроники, поскольку он способен вытеснить используемый в настоящее время кремний традиционного качества, легированный фосфоом (Si<Р>) за счёт своей большей термостабильности и радиационной стойкости, что положительно влияет на качество изготавливаемых на его основе приборов. Целью
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Гращенко, А. С., Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина та С. А. Кукушкин. "Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния". Физика и техника полупроводников 51, № 5 (2017): 651. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.05.44423.8458.

Full text
Abstract:
Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремний-карбид кремния (карбид кремния-кремний) составила 5.4%. С использованием теории образования дилатационных диполей при синтезе методом замещения атомов объяснен механизм формирования электрического барьера на границе раздела кремний-карбид кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44423.8458
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Бахадырханов, М. К., Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, Ш. Н. Ибодуллаев та С. А. Тачилин. "Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков". Письма в журнал технической физики 47, № 19 (2021): 7. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.19.51504.18799.

Full text
Abstract:
Установлено, что особенностью отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, является его высокая чувствительность к различным внешним воздействиям. Определены закономерности изменения отрицательного магнитосопротивления в кремнии, содержащем нанокластеры атомов марганца, в зависимости от температуры, освещенности, величины электрического и магнитного полей. Показана возможность создания нового класса многофункциональных датчиков физических величин на основе единого кристалла кремния, содержащего нанокластеры атомов марганца. Ключевые слова: многофункци
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Строгова, А. С., та А. А. Ковалевский. "Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1 – xGex". Российские нанотехнологии 14, № 11-12 (2020): 35–43. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-11-12-35-43.

Full text
Abstract:
Представлены экспериментальные результаты влияния исходного буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на возможность и особенности формирования нанокластеров Si1 – xGex (Si, Ge и SiGe). Предложен механизм формирования кремниевых, германиевых и кремний-германиевых нанокластеров (НК) на буферных слоях аморфного кремния, нитрида кремния и оксидов кремния, диспрозия и иттрия. Показано влияние исходного буферного слоя на поверхности подложек в условиях технологического процесса осаждения пленок наноструктурированного кремния, легированного германием (НСК(Ge)), на конфигурацию, размеры
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Егорова, Н. А., Р. И. Михайлова, И. Н. Рыжова, Г. Д. Морозова, and М. Г. Кочеткова. "SILICON CONTENT IN BIOLOGICAL SUBSTRATES ON ANIMALS (LITERATURE REVIEW)." Trace Elements in Medicine (Moscow) 23, no. 2 (2022): 24–30. http://dx.doi.org/10.19112/2413-6174-2022-23-2-24-30.

Full text
Abstract:
Представлен один из аспектов проблемы биологической роли кремния – его содержание в организме человека и животных. До 1970-х гг. кремний рассматривали как инертный универсальный транзитный загрязнитель без каких-либо определенных биологических свойств, «случайное напоминание о нашем геохимическом происхождении или показатель воздействия на окружающую среду». Позднее стали обращать внимание на тот факт, что кремний − третий (после физиологически значимых железа и цинка) по распространенности в организме человека микроэлемент, что способствовало проведению дальнейших исследований его содержания
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Кукушкин, С. А., А. В. Осипов та А. В. Редьков. "Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов". Физика и техника полупроводников 51, № 3 (2017): 414. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44218.8368.

Full text
Abstract:
Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расшир
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Скорняков, С. П. "БАРЬЕРНЫЕ СВОЙСТВА ОСТАТОЧНОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ НИЗКОВОЛЬТНЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ ДИФФУЗИЕЙ МЫШЬЯКА В СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"". Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, № 1 (2021): 41–43. http://dx.doi.org/10.7868/s2410993221010073.

Full text
Abstract:
Исследовано негативное влияние толщины остаточного/естественного оксида кремния (SiO) в «окнах» защитного оксида кремния на результаты формирования низковольтных планарных p-n-структур высококонцентрационной диффузией As в в сильнолегированный кремний в условиях эвакуированной кварцевой ампулы: на величину и воспроизводимость величины напряжения пробоя (U) НВ p-n-переходов от процесса к процессу. Показано, что SiO толщиной свыше ~50 – практически непреодолимый барьер для достижения атомами мышьяка поверхности кремния, диффузии As в кремний. Для получения удовлетворительных результатов по велич
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Зикриллаев, Н. Ф., С. В. Ковешников, Х. С. Турекеев, Н. Норкулов та С. А. Тачилин. "Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний". Физика твердого тела 64, № 11 (2022): 1648. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2022.11.53316.367.

Full text
Abstract:
Исследовалась диффузия из слоя фосфида галлия GaP, напыленного на поверхность кремния. После диффузии образцы кремния исследовались методом Ван-дер-Пау и с помощью сканирующего электронного микроскопа, с целью определения концентрационного распределения примесных атомов фосфора и галлия. Ключевые слова: диффузия, фосфид галлия, кремний, растворимость, концентрация, бинарные комплексы.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Кремния"

1

Кульментьєва, Ольга Петрівна, Ольга Петровна Кульментьева, Olha Petrivna Kulmentieva та П. М. Клименко. "Электронно-микроскопические исследования кремния, имплантированного мышьяком". Thesis, Издательство СумГУ, 2008. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/4400.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Загайко, Інна Володимирівна, Инна Владимировна Загайко, Inna Volodymyrivna Zahaiko та ін. "Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній". Thesis, Сумський державний університет, 2015. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40792.

Full text
Abstract:
Карбід кремнію давно відомий напівпровідниковий матеріал з унікальним сполученням в ньому фізичних та хімічних властивостей, що робить його перспективним для використання в екстремальних умовах. Відомо, що SiC має більш ніж 230 кристалографічних модифікацій, та найбільш стійкими являються 3С-SiC, 4H-SiC і 6H-SiC. Але при отриманні конденсатів карбіду кремнію виникає ряд проблем, пов’язаних зі слабкою летючістю та високою енергією десорбції складових компонентів.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Бабыченко, О. Ю. "Влияние аморфных вкраплений на свойства кристаллического кремния". Thesis, ХНУРЕ, 2016. http://openarchive.nure.ua/handle/document/9050.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Фролов, А. Н., Н. А. Самойлов та А. И. Марончук. "Изготовление полупроводниковых диодов с применением слоев пористого анодного окисла кремния". Thesis, Сумский государственный университет, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64519.

Full text
Abstract:
Слои окисла кремния применятся в качестве защитных слоев над выходом p-n переходов на планарную поверхность полупроводниковых устройств, а также имеют хорошие маскирующие свойства при диффузии примесей. Существующие методы создания слоев окисла кремния обладают своими различными достоинствами и недостатками при применении в технологии производства полупроводниковых приборов.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Дучал, Владимир Яковлевич. "Анизотропия тензоэффектов в сильнодеформированных кристаллах германия и кремния". Дис. канд. фіз.-мат. наук, КГУ им. Т.Г.Шевченко, 1988.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Семченко, Галина Дмитриевна, М. В. Панасенко, Дина Анатольевна Бражник, Елена Евгеньевна Старолат, А. А. Дяченко та А. А. Вовк. "Подготовка Al₂O₃-содержащих добавок для интенсификации спекания SiC неформованного огнеупора". Thesis, НТУ "ХПИ", 2015. http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/31611.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Вакуленко, Ю. А. "Спектроскопия одно- и многоэлектронных состояний в кристаллах кубического карбида кремния". Дис. д-ра фіз.-мат. наук, МВ и ССО УССР, КГУ, 1986.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Иванов, П. П. "Механизм взаимодействия точечных дефектов с дислокациями в объеме монокристалов кремния". Дис. канд. фіз.-мат. наук, Ин-т металлургии им. А.А. Байкова, 1988.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Борисов, Ф. И. "Исследование спин-зависимых эффектов в полупроводниковых структурах на основе кремния". Дис. канд. фіз.-мат. наук, КГУ им.Т.Шевченко., 1989.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Опанасюк, Надія Миколаївна, Надежда Николаевна Опанасюк, Nadiia Mykolaivna Opanasiuk та А. В. Ярмак. "Молибденит - новая альтернатива кремния и графена в микро-и наноэлектронике". Thesis, Издательство СумГУ, 2011. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/14048.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Books on the topic "Кремния"

1

Румак, Н. В. Система кремний - двуокись кремния в МОП-структурах. Наука и Техника, 1986.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Бабич, Вилик Максимович. Кислород в монокристаллах кремния. Iнтерпрес ЛТД, 1997.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Чуйко, Алексей Алексеевич. Медицинская химия и клиническое применение диоксида кремния. Наукова думка, 2003.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Лифшиц, В. Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. Наука, 1985.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Харченко, В. В. Получение эпитаксиальных структур кремния с контролируемым примесным профилем. "Фан" Узбекской ССР, 1989.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Авторханов, Абдурахман. Империя Кремля. Полифакт-Дружба народов, 1991.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Бабий, Л. Г. Кремний в водах зоны активного водообмена Белоруссии. Наука и Техника, 1985.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Саидов, А. Искра в кремне. Современник, 1986.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Смольянинова, С. П. Техника расщепления кремня позднепалеолитических и мезолитических памятников Побужья. Астропринт, 2002.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Мазюк, Игорь Аркадьевич. Ядерная рулетка Кремля: Драма атомных субмарин СССР. 3-тє вид. Флот України, 2001.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Book chapters on the topic "Кремния"

1

Панасенко, А. Е., та И. А. Ткаченко. "МАГНИТОАКТИВНЫЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ СОРБЕНТЫ ИЗ РАСТИТЕЛЬНОГО И МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ". У ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ КЕРАМИЧЕСКИЕ И КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ПРАКТИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ: СИНТЕЗ, СВОЙСТВА, ПРИМЕНЕНИЕ. Владивостокский государственный университет, 2022. http://dx.doi.org/10.24866/9736-0677-0/2022/108-143.

Full text
Abstract:
Описаны композиционные материалы состава Fe2O3–SiO2 и CoFe2O4–SiO2, полученные из различных видов сырья, в том числе с использованием биогенного диоксида кремния из шелухи риса в качестве носителя. Показано, как варьирование условий синтеза позволяет получать материалы различного состава и морфологии, раз-мер частиц оксидов железа и феррита кобальта варьирует от 5 до 800 нм. Приведены данные рентгенофазового анализа, мёссбауэровской и ИК-спектроскопии, ДТА, магнитные характеристики и сорбционные свойства по отношению к модельному красителю метиленовому синему.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Крысенко, Г. Ф., Д. Г. Эпов, Е. Э. Дмитриева та М. А. Медков. "Глава 19. СОЗДАНИЕ ЗАМКНУТЫХ ТЕХНОЛОГИЙ КОМПЛЕКСНОЙ ПЕРЕРАБОТКИ БОРОСИЛИКАТНОГО МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ КАК СПОСОБ УЛУЧШЕНИЯ КАЧЕСТВА ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ В РЕГИОНЕ". У ЭКОЛОГИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НА ДАЛЬНЕМ ВОСТОКЕ РОССИИ ИСТОРИЯ И СОВРЕМЕННОСТЬ. ФГБОУ ВО «Владивостокский государственный университет», 2023. http://dx.doi.org/10.24866/0685-5-203-215.

Full text
Abstract:
Приведены результаты исследования взаимодействия боросиликатного минерального сырья с гидродифторидом аммония и сульфатом аммония. Установлено, что фторирование гидродифторидом аммония протекает в температурном интервале 100– 150ºС с образованием комплексных фтораммониевых солей бора, кремния и металловпримесей, взаимодействие основных компонентов сырья с сульфатом аммония начинается при достижении температуры термического разложения (NH4)2SO4 ~300ºС и с наибольшей скоростью протекает в температурном интервале 340–365 ºС с образованием борной кислоты и двойного сульфата кальция и аммония. Найд
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Федюк, Р. С. "ЦЕМЕНТНЫЕ КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ СПЕЦИАЛЬНЫХ СООРУЖЕНИЙ". У ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ КЕРАМИЧЕСКИЕ И КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ПРАКТИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ: СИНТЕЗ, СВОЙСТВА, ПРИМЕНЕНИЕ. Владивостокский государственный университет, 2022. http://dx.doi.org/10.24866/9736-0677-0/2022/193-214.

Full text
Abstract:
Развитие цивилизации неизбежно приводит к значительному воздействию аномальных природных и техногенных воздействий на человека, что доказывает актуальность разработки систем комплексной защиты, в т.ч. с использованием специальных сооружений. Выявлена необходимость расширения номенклатуры техногенного сырья для получения цементных композитов с различными заданными характеристиками, что важно для обеспечения эффективной эксплуатации специальных сооружений в экстремальных условиях. Разработаны теоретические основы проектирования мате-риалов для создания защитных композитов с использованием новых
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Добычина, Анастасия Сергеевна. "Грамоты Ивана IV Хиландарскому и Рильскому монастырям". У Материалы для виртуального Музея Славянских Культур. Выпуск 1. Институт славяноведения РАН, 2020. http://dx.doi.org/10.31168/0436-7.17.

Full text
Abstract:
В статье рассмотрены жалованные и указные грамоты, выданные русским царем Иваном IV сербскому Хиландарскому монастырю на Афоне и Рильскому в болгарских землях. Бóльшая часть источников была утеряна со временем и дошла лишь в копиях из т.н. Посольской книги за 1517–1571 гг. или списках XVII в. Уникальность представляют жалованные грамоты (оригинал и «дословная копия») Ивана IV Хиландарскому монастырю 1571 г., где подтверждается право обители иметь собственное подворье в Китай-городе близ Кремля. Интерес представляют и указные грамоты монахам, дававшие им право свободного и беспошлинного проезд
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Мурашкин, А. И., Е. М. Колпаков та В. Я. Шумкин. "КОМПЛЕКС ЛИВА 1 В МУРМАНСКОЙ ОБЛАСТИ И МЕЖРЕГИОНАЛЬНЫЕ СВЯЗИ НА СЕВЕРЕ ЕВРОПЫ В СРЕДНЕВЕКОВЬЕ, "II Международная конференция «Археология Арктики»"". У II Международная конференция «Археология Арктики». ФГУП «Издательство «Наука», 2022. http://dx.doi.org/10.7868/9785604610893044.

Full text
Abstract:
Комплекс Лива 1 в Ковдорском районе Мурманской области исследован КолАЭ ИИМК РАН в 2017-2020 гг. Раскопками изучено пять очагов и яма, содержавшая перезахороненные в ХХ в. антропологические остатки из средневекового погребения. Четыре очага - прямоугольной формы, размером до 2,5 1,7 м, выложены по периметру крупными камнями в один слой, центральная часть заполнена мелкими камнями в 2-3 слоя. В еще одном очаге без каменной обкладки прослежена конструкция, в которой на два поперечных бревна по торцам очага укладываются два бревна по длинным сторонам так, чтобы под ними оставался зазор, через кот
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Карманов, В. Н. "ТРАДИЦИИ ЧУЖЪЯЁЛЬСКОЙ КУЛЬТУРЫ: ПОИСК ИСТОКОВ, "II Международная конференция «Археология Арктики»"". У II Международная конференция «Археология Арктики». ФГУП «Издательство «Наука», 2022. http://dx.doi.org/10.7868/9785604610893038.

Full text
Abstract:
Данные о чужъяёльской культуре на крайнем северо-востоке Европы (нынешние территории Республики Коми и Ненецкого автономного округа, далее КСВЕ) впервые в 1986 г. опубликовал В.С. Стоколос. Но история изучения ее памятников начинается еще в начале 1960-х гг. Тогда Г.М. Буров и Л.П. Хлобыстин одновременно выделяют своеобразные типы керамической посуды из разновременных отложений поселений вблизи оз. Синдор (Буров, 1961; 1967; 1986) и сборов подъемного материала на стоянке Ортинская (Пядышев, Хлобыстин, 1962; Хлобыстин, 1973; Лашук, Хлобыстин, 1986). На такой зыбкой основе они определили синдорс
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Conference papers on the topic "Кремния"

1

Аношин, О. С., А. В. Зайцев, Н. Д. Гришнова та ін. "Получение высокочистого поликристаллического кремния из моносилана". У КРЕМНИЙ 2022. М.: Издательство «Перо», 2022. http://dx.doi.org/10.34077/silicon2022-21.

Full text
Abstract:
Высокочистый поликристаллический кремний (ПКК) в виде стержней является исходным материалом для получения высокоомного (ρ > 1000 Ом·см) монокристаллического кремния (МКК) методом бестигельной зонной плавки (БЗП). Высокоомный МКК необходим для изготовления высоковольтных и сильноточных приборов, а также для изготовления кремниевых подложек для эпитаксии нитрида галлия и КМОП-технологии. Производство высокочистого ПКК в России в настоящее время отсутствует. В докладе представлены результаты получения стержней ПКК длиной до 750мм и диаметром до 110 мм в одностерженевом реакторе с выходом целев
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Nasriddinov, Sayfillo, Shuxrat Ismailov, Daryo Esbergenov та Muzaffar Mannonov. "КРИТЕРИИ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПЕНСИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ КРЕМНИЯ". У Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы. Research Support Center LLC, 2020. http://dx.doi.org/10.47100/conference_physics/s2_18.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Norkulov, Sh, X. Daliyev, Z. Xusanov та X. Utemuratova. "ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ГАДОЛИНИЕМ". У Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы. Research Support Center LLC, 2020. http://dx.doi.org/10.47100/conference_physics/s2_3.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

АВЕРИНА, Е. А., та Г. И. ЗМИЕВСКАЯ. "ДИСПЕРГИГОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ РАСПЛАВА КАРБИДА КРЕМНИЯ". У NONEQUILIBRIUM PROCESSES. TORUS PRESS, 2018. http://dx.doi.org/10.30826/nepcap2018-1-25.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Карпова, А. А., В. М. Фрейман, Е. В. Шашков та ін. "Диспергирование пористого кремния, насыщенного окислителем". У ВСЕРОССИЙСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ "ФИЗИКА ВЗРЫВА: ТЕОРИЯ, ЭКСПЕРИМЕНТ, ПРИЛОЖЕНИЯ" , 18-21 сентября 2023 г., Новосибирск, Россия ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ. Crossref, 2023. http://dx.doi.org/10.53954/9785604990025_126.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

СТЕГНО, Е. В., Ю. А. КОРОТКОВА, А. В. ГРАЧЕВ, В. М. ЛАЛАЯН, И. И. ХАЗАНОВ та А. Ю. ШАУЛОВ. "МОДИФИЦИРОВАННЫЙ ПОЛИОКСИД КРЕМНИЯ. СИНТЕЗ И СВОЙСТВА". У Cборник трудов XXII Научной конференции Отдела полимеров и композиционных материалов. TORUS PRESS, 2021. http://dx.doi.org/10.30826/polymers-2021-15.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Xojiyev, Sh, D. Murodkobilov, I. Kosimov та B. Rotshteyn. "Исследование поверхности кремния имплантированного ионами меди". У Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы. Research Support Center LLC, 2020. http://dx.doi.org/10.47100/conference_physics/s2_40.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Аюпов, К., Г. Мавлонов, С. Валиев та Ш. Шергозиев. "ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ". У Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы. Research Support Center LLC, 2020. http://dx.doi.org/10.47100/conference_physics/s3_26.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

"Исследование возможности очистки кремния металлургическими методами". У КРЕМНИЙ 2022. М.: Издательство «Перо», 2022. http://dx.doi.org/10.34077/silicon2022-24.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

"Использование слоя кубического карбида кремния (3C-SiC) в процессе роста соединений (Ga, Al)N на подложке кремния методом МОГФЭ". У КРЕМНИЙ 2022. М.: Издательство «Перо», 2022. http://dx.doi.org/10.34077/silicon2022-26.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Reports on the topic "Кремния"

1

Соловйов, Володимир Миколайович, Татьяна Ивановна Максимова та Сергій Олексійович Семеріков. Компьютерное моделирование фулереноподобных структур на поверхности (001) кремния. Видавничий відділ КДПУ, 1999. http://dx.doi.org/10.31812/0564/758.

Full text
Abstract:
В последние годы уделяется большое внимание поиску новых материалов с уникальными физическими свойствами. Примером таких структур являются малые кластеры Si расширенного объема, а так же кремниевые структуры, близкие по физическому смыслу к фулереноподобным. Целью данной работы было исследования стабильности указанных структур на поверхности кристаллического кремния.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Карпов, В. Г., та Володимир Миколайович Соловйов. Флуктуоны в аморфных веществах. Модель гидрогенизированного аморфного кремния. ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1989. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1009.

Full text
Abstract:
Рассмотрено взаимодействие подвижных нейтральных примесей с локализован­ными электронами в аморфном веществе. Энергетически выгодны флуктуоноподобные состояния с отличной от среднего значения концентрацией примеси в области локали­зации электрона. Эти состояния, названные флуктуонами, существенно отличаются по структуре от рассматривавшихся М. А. Кривоглазом флуктуонов в кристаллах. Най­дены энергетические характеристики и плотность состояний флуктуонов в аморфном веществе. Предложена модель электронной структуры a-Si : Н, основанная на учете взаимодействия подвижных атомов водорода с локализо
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Ків, Арнольд Юхимович, Володимир Миколайович Соловйов та Татьяна Ивановна Максимова. Влияние режима формирования поверхности Si (001) на ее атомную реконструкцию. Брама ІСУЕП, 2003. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1038.

Full text
Abstract:
В рамках данного исследования нас интересовала реконструкция поверхности Si (001) и приповерхностных слоев, на глубине порядка нескольких постоянных решетки кремния. Моделирование поверхности кремния проведено методом молекулярной динамики с использованием полуэмпирических потенциалов. В работе исследовано влияние температурных условий в диапазоне от 100 К до 1500 К на динамику реконструкции.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Соловйов, Володимир Миколайович, та Виктор Александрович Хрисанов. Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии. ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1988. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1002.

Full text
Abstract:
Впервые произведено исследование флуктуации локальных атомных потенциалов в некристаллическом веществе. Основу исследования составляет моделирование случайной структуры аморфного кремния на ЭВМ. Моделирование осуществлялось методом молекулярной динамики. В ансамбле 5x10^3 построенных локальных конфигураций рассчитаны параметры атомных потенциалов. Показано, что значительные флуктуации этих параметров обеспечиваются типичными флуктуациями микроскопической структуры. В частности, имеет место широкое распределение констант упругости и кубического ангармонизма для отдельных атомов. Продемонстриров
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Боско, Д. В., Елена Петровна Никонова, Володимир Миколайович Соловйов та И. И. Дончев. Метастабильные дефекты и процессы деградации полупроводниковых приборов. Астропринт, 1998. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1019.

Full text
Abstract:
Теория флуктуонов Кривоглаза применена к описанию аморфного кремния (a-Si). Исследованы новые метастабильные дефекты в a-Si. Они возникают в результате взаимодействия атомов Н с флуктуонами. Предсказаны различные зависимости, характеризующие новые метастабильные дефекты. Например, мож­но отметить специфическую временную зависимость проводимости. Отмечается, что модель новых дефектов в a-Si объясняет фотоструктурные процессы и, в частности, эффект Стеблера-Вронского. Можно также объяснить другие метастабильные состояния в материалах и приборах на базе a-Si.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Ків, Арнольд Юхимович, Володимир Миколайович Соловйов та Татьяна Ивановна Максимова. Моделирование стабилизации поверхности (001) Si низкоэнергетическими ионами. Видавничий відділ КДПУ, 1999. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1022.

Full text
Abstract:
Анализ особенностей формирования и влияния радиационных допороговых и послепороговых дефектов на основные физические процессы в полупроводниках привел нас к следующему предположению. Облучение поверхности кремния нейтральными ионами с энергиями, меньшими энергии дефектообразования Ed может способствовать переходу ее структуры в энергетически более стабильное состояние. Этот метод стабилизации поверхности может быть более предпочтительным, чем использование распространенной в настоящее время ионной бомбардировки с энергиями ионов порядка нескольких килоэлектронвольт, которая может приводить к з
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Алдабергенова, С. Б., В. Г. Карпов, К. В. Коугия, А. Б. Певцов, Володимир Миколайович Соловйов та Н. А. Феоктистов. Электронные состояния в аморфном полупроводнике с подвижными примесями. Термостимулированные процессы в α-Si:H. ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1990. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1014.

Full text
Abstract:
Экспериментально исследованы электрические и оптические свойства гидрогенизированного аморфного кремния в условиях высокой подвижности атомов водорода (при температурах порядка и выше комнатной). Измеренные величины обнаруживают нетривиальные температурные зависимости, обусловленные изменениями структуры при термостимулированной диффузии водорода. Развита феноменологическая модель изменения электронных свойств аморфного полупроводника при структурных перестройках. Она основана на рассмотрении ансамбля случайных двухъямных потенциалов, переходы в которых меняют электронные состояния. Предложена
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Соловйов, Володимир Миколайович, та Виктор Александрович Хрисанов. Туннельные состояния в аморфном кремнии. ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1989. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1006.

Full text
Abstract:
Исследованы флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии. Пока­зано, что значительные флуктуации параметров потенциалов обеспечиваются типичными флуктуациями микроскопической структуры. Даны эмпирические формулы, описывающие вероятностные распределения случайных параметров мягких потенциалов. Продемонстри­ровано существование двухъямных потенциалов. На основе полученных результатов оце­нены плотность состояний и параметр Грюнайзена ансамбля двухуровневых систем, возни­кающих в двухъямных потенциалах. Приводится сравнение с опытными данными.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Соловьев, В. Н. Высокоэнергетические локальные колебания и многофононные переходы в аморфных полупроводниках. [б. в.], 1995. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1276.

Full text
Abstract:
Установлено. что в некристаллических полупроводниках сущест­вуют высокоэнергетические локальные колебания (ВЛК). Они реализуются при флуктуациях параметров структуры, приводя­щих к ужесточению атомных потенциалов. Изучена их природа и статистика в аморфном кремнии. Показано, что, несмотря на малую относительную концентрацию, ВЛК могут конкуриро­вать с процессами многофононного захвата при безызлучатель­ной рекомбинации носителей.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Соловйов, Володимир Миколайович. О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках. ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1995. http://dx.doi.org/10.31812/0564/1018.

Full text
Abstract:
Проведено компьютерное моделирование флуктуаций локальных атомных потенциалов в аморфных кремнии и германии. Показано, что типичные флуктуации структурных параметров этих материалов приводят к значительному смягчению квазиупругих констант. В возникающих при этом двухъямных потенциалах формируются двухуровневые системы, отвечающие туннельным состояниям. Обсуждаются некоторые следствия, вытекающие из полученных результатов. Проанализированы экспериментальные данные, указывающие на существование туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Кремния' for particular source types:
Journal articles Dissertations / Theses Books
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography