Log in

Relevant bibliographies by topics / Напівпровідникові кристали / Journal articles

To see the other types of publications on this topic, follow the link: Напівпровідникові кристали.

Journal articles on the topic 'Напівпровідникові кристали'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 23 journal articles for your research on the topic 'Напівпровідникові кристали.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Федотов, В. Г., та О. І. Міхеєв. "ВПЛИВ ЕЛЕКТРИЧНО АКТИВНИХ ДЕФЕКТІВ НА ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНІ СТРУМИ В КРИСТАЛАХ ДИФОСФІДУ ЦИНКУ". Vodnij transport, № 1(32) (27 січня 2021): 128–33. http://dx.doi.org/10.33298/2226-8553.2021.1.32.13.

Full text

Abstract:

У статті проведено дослідження щодо впливу електрично активних дефектів на термостимульовані струми в кристалах дифосфіду цинку. Відомо, що зростання електропровідності у напівпровідникових матеріалах відбувається двома шляхами: за рахунок підвищення їх температури, а також через зріст кількісті домішок та дефектів у кристалах цих матеріалів. З цієї точки зору до перспективних напівпровідникових матеріалів можна віднести кристали дифосфіду цинку та кадмію. У нашому випадку у якості об’єкту дослідження були обрані кристали α - ZnP2. У тетрагональних кристалах дифосфіду цинку, які були вирощені

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Черніков, М. Г., І. Д. Чернікова, О. М. Чернікова та К. Д. Рибалко. "Фотоемісія з різних гранів монокристалів арсеніда галія". Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля, № 2 (272) (15 вересня 2022): 99–105. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2022-272-2-99-105.

Full text

Abstract:

Відомо, що іноді розділи науки переживають періоди швидкого розвитку, зумовлені появою якісно нових ідей, аналітичних приладів для отримання експериментальних результатів, а також удосконалення методів вимірів. Яскравий тому приклад – оптична спектроскопія, яка з появою лазерних джерел світла значно змінилася. Поряд з інтенсивним розвитком класичних напрямів у науці виникли нові методи та додатки. Серед нових напрямів особливе місце займає статистичний та спектральний аналіз світлових полів за допомогою фотодетекторів – спектроскопія оптичного усунення. Експериментальні методи спектроскопії оп

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Барабаш, О. І., І. Г. Вертегел, Є. Д. Чесноков, О. І. Овчаренко та Ю. П. Гнатенко. "Концентраційна залежність параметрів спектра ЯКР 127І змішаних напівпровідникових шаруватих кристалів (BiI3)1-x(PbI2)x". Ukrainian Journal of Physics 56, № 2 (2022): 158. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.2.158.

Full text

Abstract:

У роботi представлено результати дослiджень спектрiв ЯКР 127I при 77 K напiвпровiдникових змiшаних шаруватих кристалiв (BiI3)1–x(PbI2)x в широкому iнтервалi 0 ≤ x ≤ 0,50 вмiсту PbI2. Показано, що в дiапазонi 0 ≤ x ≤ 0,20 вмiсту PbI2 поведiнка параметрiв спектрiв ЯКР 127I при 77 K свiдчить про знаходження груп PbI2 в межах структурних шарiв кристала BiI3. При цьому вмiстi PbI2 у змiшаному кристалi (BiI3)1–x(PbI2)x вiдбувається утворення кластерiв з груп атомiв PbI2 острiвного типу. За подальшого збiльшення вмiсту PbI2 у спектрi ЯКР 127I кристала (BiI3)1–x(PbI2)x з’являється нова лiнiя так, що у

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

НОВОСАД, Олексій, Олег ШИГОРІН, Хадж Каддур БЕЛЛАҐРА, Людмила ПІСКАЧ та Віктор ГОМІЛКО. "ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ ПО ПЕРЕРІЗУ Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12". Physics and educational technology, № 1 (30 квітня 2025): 108–13. https://doi.org/10.32782/pet-2025-1-14.

Full text

Abstract:

У роботі представлені результати досліджень термоелектричних та оптичних властивостей кристалів по перерізу Pb4Ga4GeSe12-Pb4Ga4GeS12 із вмістом 10, 20, 30 мол.% Pb4Ga4GeS12.Мета роботи полягала в експериментальному визначенні питомої електропровідності, типу провідності, коефіцієнта Зеєбека, оцінці ширини забороненої зони та розрахунку термоелектричної потужності кристалів твердих розчинів Pb4Ga4GeSe12–Pb4Ga4GeS12. Усі дослідження проводились при кімнатній температурі (Т≈300 К).Найвищими значення питомої електропровідності (σ≈170 Ом-1·м-1) володіли зразки твердих розчинів Pb4Ga4GeSе12– Pb4Ga4G

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

ЗАМУРУЄВА, Оксана. "ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ ГРУПИ AIBIIIC2 VI". Physics and educational technology, № 2 (26 січня 2023): 9–15. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-2-2.

Full text

Abstract:

Показано, якщо на один аніон алмазоподібних і похідних від них структур припадає одна октаедрична та дві тетраедричні пустоти, коли катіони мають заповнювати половину тетраедричних пустот, це означає, що на формульну одиницю Ag2In2SiSe6 для утворення бездефектної моделі потрібно шість катіонів. Для іонів Ag+ у халькопіритній структурі відводиться 25 % усіх пустот (1/4 частину). У структурі Ag2In2SiSe6 арґентум заповнює 16,7 % (1/6 частину) загальної кількості тетраедричних пустот. При переході AgInSe2 до Ag2In2SiSe6 індій заміщується германієм, тому загальна кількість заповнених тетраедрів (In

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Кузавков, Василь, Марія Романенко та Юлія Болотюк. "Умови застосування методу власного випромінювання при вирішенні задач технічної діагностики напівпровідникових структур". Сучасні інформаційні технології у сфері безпеки та оборони 42, № 3 (2021): 55–62. http://dx.doi.org/10.33099/2311-7249/2021-42-3-55-62.

Full text

Abstract:

В статті розглянуто особливості застосування методу власного випромінювання для складних напівпровідникових структур (мікропроцесорів, мікроконтролерів, програмовано-логіних інтегральних схемах та ін.)  Метод власного випромінювання пов’язаний з реєстрацією параметрів електромагнітного поля в інфрачервоному діапазоні хвиль. Параметри цього випромінювання безпосередньо залежать від температури об’єкту контролю – температури напівпровідникової структури. Використання температури в якості діагностичного параметру вимагає аналітичного опису процесів в напівпровідникових структурах, а саме фі

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

ЯЦИНЮК, Тетяна, Андрій КЕВШИН, Володимир ГАЛЯН та ін. "ВПЛИВ ДЕФЕКТІВ І ДОМІШОК НА СТРУКТУРУ ТА ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ". Physics and educational technology, № 2 (26 січня 2023): 54–60. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-2-8.

Full text

Abstract:

Багатокомпонентні халькогенідні напівпровідники характеризуються високою концентрацією різних типів дефектів. Ефекти, що індуковані світлом (фотокристалізація, фотоіндукована анізотропія, фотоаморфізація, збільшення щільності речовини при освітленні, фотопотемніння та просвітління) є найбільше поширеними, в халькогенідних стеклах і обумовлюють трансформації структури та виникнення дефектних станів. Фотоіндуковані явища та відповідні структурні зміни в халькогенідних стеклах теоретично обґрунтовані на основі існування заряджених дефектів зв’язку, які бувають трьох типів: D+, D− і D0. Точковий д

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Гайдар, Г. П., С. В. Бердниченко, В. Г. Воробйов, В. І. Кочкін, В. Ф. Ластовецький та П. Г. Литовченко. "Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур". Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, № 3 (2 липня 2024): 35–43. http://dx.doi.org/10.15407/dopovidi2024.03.035.

Full text

Abstract:

Напівпровідникові детектори займають чільне місце серед приладів ядерної спектрометрії і використовуються для дослідження спектрального складу, інтенсивності, просторового й кутового розподілів іонізуючих частинок. Найбільш привабливим матеріалом для виготовлення детекторів є кремній завдяки розвиненій кремнієвій технології і можливості створювати не тільки дозиметричні й радіометричні, але й спектрометричні детектори. Напівпровідникові детектори на основі Si застосовуються для реєстрації заряджених частинок, а також γ-квантів, у тому числі з енергією менше 100 кеВ, та рентгенівського випромін

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Вернидуб, Р. М., О. І. Кириленко, Ю. Б. Мирошніченко, М. М. Філоненко та В. П. Тартачник. "ВИВЧЕННЯ ЯВИЩА ЕЛЕКТРОЛЮМІНІСЦЕНЦІЇ". Наукові записки, № 150 (26 квітня 2021): 49–57. http://dx.doi.org/10.31392/nz-npu-150.2021.04.

Full text

Abstract:

Відсутність у студентів початкового етапу навчання (1-2 курс) необхідних знань із фізики напівпровідників та основ зонної теорії твердого тіла створює методичні труднощі при поясненні ефектів, дотичних до явища електролюмінесценції. У статті запропоновано спосіб пояснення ефекту електролюмінесценції студентам початкових курсів чи пізніших етапів навчання в університетах, де фізика – не профільна дисципліна. Розуміння студентами молодших курсів механізмів випромінювальної рекомбінації, що забезпечують ефективну електролюмінесценцію в складних напівпровідникових структурах, може бути сформ

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

Коваль, Ю. В., Л. В. Ящинський, С. А. Федосов, Д. А. Захарчук та Л. І. Панасюк. "ОСОБЛИВОСТІ КІНЕТИЧНИХ ЕФЕКТІВ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МОНОКРИСТАЛАХ З НЕОДНОРІДНИМ РОЗПОДІЛОМ ДОМІШОК". <h1 style="font-size: 40px;margin-top: 0;">Наукові нотатки</h1>, № 74 (27 лютого 2023): 62–66. http://dx.doi.org/10.36910/775.24153966.2022.74.10.

Full text

Abstract:

Досліджено вплив неоднорідностей в розподілі легуючої домішки телуру на кінетичні ефекти в монокристалах антимоніду кадмію. Відмічено, що наявність шаруватих періодичних неоднорідностей вздовж осі росту кристалу зумовлює утворення внутрішніх електричних полів між шарами росту. Виявлено, що при освітленні в зразках, вирізаних паралельно осі росту кристалу, значно зростають значення рухливості та середньої транспортної довжини вільного пробігу носіїв заряду

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

11

Литвиненко, В. М., та В. О. Зубенко. "ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ НАДВИСОКОЧАСТОТНОГО ДІОДА". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 524–30. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.54.

Full text

Abstract:

Надвисокочастотний напівпровідниковий діод (НВЧ-діод) – це напівпровідниковий діод, призначений для перетворення і обробки надвисокочастотного сигналу. Напівпровідникові НВЧ-діоди застосовують в різній радіоелектронній апаратурі і вимірювальній техніці НВЧ-діапазону, тобто на частотах більше 300 МГц. Спочатку НВЧ-діоди використовували для детектування і змішування сигналів. Для цих цілей застосовували точкові діоди, випрямляючий електричний перехід в яких виникав між кристалом напівпровідника і притискним металевим електродом у вигляді загостреної пружинки. Створені останнім часом нові типи НВ

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

12

Ковалюк, З. Д., М. М. Пирля, В. Б. Боледзюк та В. В. Шевчик. "Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe". Ukrainian Journal of Physics 56, № 4 (2022): 366. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.4.366.

Full text

Abstract:

Одержано експериментальні результати по дослідженню баричної чутливості шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe та їх металевих інтеркалятів. Результати вимірювань дозволили визначити коефіцієнт баричної (динамічної) чутливості для даних сполук. Високі значення коефіцієнта баричної чутливості монокристалів InSe, GaSe та їх інтеркалятів (kP ≈ 10–8–10–7 Па–1) для швидкозмінних тисків відкрили можливість для їх використання у ролі чутливих елементів індикаторів перевантажень (акселерометрів). З проведених вимірювань та розрахунків для структур шаруватий напівпровідник–кремній встановлен

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

13

Коваленко, Т. В., А. С. Ніколенко, С. О. Івахненко та ін. "Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості". Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, № 6 (23 грудня 2021): 68–77. http://dx.doi.org/10.15407/dopovidi2021.06.068.

Full text

Abstract:

Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом си

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

14

Литовченко, В. Г., та Д. В. Корбутяк. "Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надґраток". Ukrainian Journal of Physics 56, № 10 (2022): 1072. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.10.1072.

Full text

Abstract:

Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надґраток (НҐ) GaAs/AlAs I-го та ІІ-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НҐ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) та бар'єрів (AlAs). При високих рівнях збудження у квазіпрямозонних НҐ формується електронно-діркова плазма, концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

15

ІВАНЮК, Дмитро, та Андрій КЕВШИН. "ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ (TlGaSe2)1-x(SnSe2)x (X=0,05; 0,1)". Physics and educational technology, № 1 (30 квітня 2025): 20–30. https://doi.org/10.32782/pet-2025-1-3.

Full text

Abstract:

Розвиток сучасних технологій потребує пошуку нових перспективних матеріалів, як основного джерела розширення та покращення функціональних можливостей приладів напівпровідникової електроніки. Науковою основою такого пошуку є вивчення фізичних властивостей багатокомпонентних систем, дослідження структури та властивостей виявлених фаз.Потенціал, який відкривають шаруваті напівпровідники для вивчення ряду нових явищ у фізиці твердого тіла, далеко ще не вичерпаний, та інтерес дослідників до них постійно зростає. Властивості твердих розчинів на основі халькогенідів Талію дозволяють керувати їх фізич

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

16

Кукурудзяк, Микола. "ПРОБЛЕМАТИКА РІЗАННЯ ПІДКЛАДОК АЛМАЗОВАНИМ ДИСКОМ В ТЕХНОЛОГІЇ КРЕМНІЄВИХ p-i-n ФОТОДІОДІВ". Science-based technologies 54, № 2 (2022): 127–37. http://dx.doi.org/10.18372/2310-5461.54.16750.

Full text

Abstract:

Стаття присвячена вирішенню проблем деградації параметрів кремнієвих p-i-n-фотодіодів під час різання пластин на кристали диском із зовнішньою алмазною кромкою. Наведено порівняльний аналіз методів різання кремнієвих пластин на елементи, зокрема охарактеризовано наступні методи: алмазне скрайбування з подальшим розламуванням; різання алмазним диском із зовнішньою ріжучою кромкою; лазерне скрайбування з подальшим розламуванням; різання лазером. При аналізі джерел побачено, що широкого розповсюдження набуває метод лазерного управляючого термосколювання, який забезпечує мінімальну кількість дефек

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

17

РУДИШ, Мирон, та Андрій КАШУБА. "ВПЛИВ ГІДРОСТАТИЧНОГО ТИСКУ НА ЕЛЕКТРОННУ СТРУКТУРУ КРИСТАЛА CuAlTe2". Physics and educational technology, № 2 (30 грудня 2024): 56–64. https://doi.org/10.32782/pet-2024-2-8.

Full text

Abstract:

У цій роботі вперше проведено теоретичне дослідження структурних та фізичних властивостей кристала CuAlTe2 під дією зовнішніх гідростатичних тисків. Для цього здійснено комплекс комп’ютерних обрахунків, що включає розрахунок кристалічної структури та властивостей досліджуваного матеріалу. Структура кристала визначалась використовуючи метод Бройдена-Флетчера-Голдфарба-Шенно, за допомогою якого отримувались оптимізовані параметри гратки та координат атомів. Дослідження електронних властивостей кристала і їх трансформації за дії гідростатичних тисків здійснювались шляхом моделювання з перших прин

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

18

Надточий, Віктор, Анатолій Берестовий та Євгеній Єкимов. "МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ І ОСНОВНІ ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СТРУКТУР". Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, № 11 (30 червня 2021): 48–58. http://dx.doi.org/10.31865/2413-26672415-3079112021234828.

Full text

Abstract:

В роботі систематизовані найбільш часто використовувані методи дослідження напівпровідникових структур низької розмірності (від одиниць мікрометрів до десятків нанометрів), що дозволяють кількісно і якісно визначати традиційні і нові їх властивості. Розглянуто явища, що відбуваються в приповерхневих шарах алмазоподібних кристалів під дією низькотемпературної (нижче 0, 35 Tпл) деформації, ультразвукового і лазерного опромінення. Встановлено фізичний механізм низькотемпературної мікропластичності в монокристалах Ge і Si. Визначено фізичні закономірності модифікації приповерхневих шарів GaAs при

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

19

Petrovskiy, О. М., E. V. Gavrilko, D. O. Petrovska та S. E. Sidorov. "МАТЕМАТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ТА ПРОГРАМНА РЕАЛІЗАЦІЯ РОЗРАХУНКУ ТЕПЛОВИХ РЕЖИМІВ СУЧАСНИХ ПРОЦЕСОРІВ". Системи управління, навігації та зв’язку. Збірник наукових праць 1, № 47 (2018): 84–88. http://dx.doi.org/10.26906/sunz.2018.1.084.

Full text

Abstract:

Проведено аналіз сучасних процесорів, а саме їх конструкцій та принципів роботи. Розглянуті системи охолодження сучасної обчислювальної техніки. На основі будови процесорів та принципів їх роботивизначені режими нагрівання та теплопередачі в оточуюче середовище. Зроблене порівняння систем охолодження інтегральної мікросхеми. Запропонована фізико-математична модель процесу перерозподілу теплав внутрішній структурі процесора на основі рівняння теплового балансу і рівняння теплопровідності Фур’є.Розроблена математична модель дозволила аналізувати температурні режими роботи процесорів з метою зниж

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

20

Seredyuk, Bohdan. "Influence of the metallic impurities in a3b6 type layered semiconductors on their electrical, magnetic and structural properties." Measuring Equipment and Metrology 78 (2017): 10–15. http://dx.doi.org/10.23939/istcmtm2017.78.010.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

21

Комаров, А. В., А. В. Лось, С. М. Рябченко та С. М. Романенко. "Ефекти розведеного магнітного напівпровідника в карбіді кремнію з імплантованими іонами Mn і Fe". Ukrainian Journal of Physics 56, № 10 (2022): 1056. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.10.1056.

Full text

Abstract:

Cпектри пропускання і фарадеївського обертання площини поляризації світла, виміряні при температурі 2 K, порівняно для монокристалів 4H–SiC, імплантованих іонами Mn і 6H–SiC, імплантованих іонами Fe і контрольних зразків тих же монокристалів, що не піддавалися імплантації. Імплантацію проводили при енергії пучка 190 кеВ і з повними дозами опромінення 3,8 · 1016 см–2 і 5,5 · 1016 см–2. Вона приводить до створення поверхневих шарів з товщиною близько 0,2 мкм, легованих цими іонами, із середньою концентрацією іонів Mn або Fe близько 1021 см–3. Пропускання світла через імплантовані кристали змінил

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

22

КОХАН, Олександр, Мирон РУДИШ, Олександр СМІТЮХ та Олег МАРЧУК. "СИНТЕЗ ТА СТРУКТУРНА ГОМОГЕННІСТЬ ПІРАРГІРИТУ". Проблеми хімії та сталого розвитку, № 3 (26 грудня 2023): 26–31. http://dx.doi.org/10.32782/pcsd-2023-3-4.

Full text

Abstract:

Робота присвячена вивченню особливостей отримання монокристалів сполуки Ag3SbS3 (аналог природнього мінералу піраргіриту), що є перспективним матеріалом для нелінійної оптики, сенсорних технологій та оптоелектроніки. Монокристал сполуки Ag3SbS3 вирощували методом Бріджмена-Стокбаргера у вертикальній двозонній печі опору з програмованим управлінням регулювання температури. Температура зони розплаву складала 783 К, зони відпалу – 663 К. Ріст кристалу відбувався з швидкістю 0,10–0,24 мм/год; градієнт температури у зоні росту складав 4-6 К/мм. Для синтезу використовували попередньо очищену кварцев

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

23

НОВОСАД, Олексій, Павло ШИГОРІН, Богдан ВЕНГРИН, Володимир БОЖКО та Олег ШИГОРІН. "ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CuIn5S8-CdIn2S4". Physics and educational technology, № 1 (31 жовтня 2022): 56–61. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-7.

Full text

Abstract:

У роботі досліджувались тверді розчини СuIn5S8-CdIn2S4 з вмістом 0, 20, 40, 60, 80 і 100 мол.% CdIn2S4. Мета роботи полягала у дослідженні електричних та термоелектричних властивостей твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Визначено тип провідності, питому електропровідність, коефіцієнт Зеєбека твердих розчинів CuIn5S8-CdIn2S4. Розраховано термоелектричну потужність кристалів CuIn5S8-CdIn2S4. Проаналізовано залежності цих параметрів від компонентного складу CuIn5S8-CdIn2S4. Для визначення коефіцієнта Зеєбека використовувалось неодноразово апробоване обладнання та загальновідомі методики досліджень

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!