Log in

Relevant bibliographies by topics / Напівпровідникові шари / Journal articles

To see the other types of publications on this topic, follow the link: Напівпровідникові шари.

Journal articles on the topic 'Напівпровідникові шари'

Author: Grafiati

Published: 28 May 2022

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 17 journal articles for your research on the topic 'Напівпровідникові шари.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

Кириченко, О. С. "Термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелементів". Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля, № 1 (277) (10 березня 2023): 31–37. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2023-277-1-31-37.

Full text

Abstract:

У статті проаналізовано термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелектричних елементів. Наведено деякі основні області застосування термоелектричних модулів, наприклад, в загальнопромислових блоках та вузлах, загальнопромисловій і судновій енергетиці, на транспорті, у вимірювальній техніці, в медичній техніці і харчовій промисловості. Широта та специфіка застосування термоелектричних модулів зумовлюють необхідність подальших пошукових досліджень по підвищенню термоелектричних ефектів та зменшенню термічних напружень в них. Створено тривимір

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Кириченко, О. С. "Термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелементів". Вісник Східноукраїнського національного університету імені Володимира Даля, № 1 (277) (10 березня 2023): 31–37. http://dx.doi.org/10.33216/1998-7927-2023-277-1-31-37.

Full text

Abstract:

У статті проаналізовано термоелектричні модулі з різними способами контактного з’єднання напівпровідникових термоелектричних елементів. Наведено деякі основні області застосування термоелектричних модулів, наприклад, в загальнопромислових блоках та вузлах, загальнопромисловій і судновій енергетиці, на транспорті, у вимірювальній техніці, в медичній техніці і харчовій промисловості. Широта та специфіка застосування термоелектричних модулів зумовлюють необхідність подальших пошукових досліджень по підвищенню термоелектричних ефектів та зменшенню термічних напружень в них. Створено тривимір

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Комаров, А. В., А. В. Лось, С. М. Рябченко та С. М. Романенко. "Ефекти розведеного магнітного напівпровідника в карбіді кремнію з імплантованими іонами Mn і Fe". Ukrainian Journal of Physics 56, № 10 (2022): 1056. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe56.10.1056.

Full text

Abstract:

Cпектри пропускання і фарадеївського обертання площини поляризації світла, виміряні при температурі 2 K, порівняно для монокристалів 4H–SiC, імплантованих іонами Mn і 6H–SiC, імплантованих іонами Fe і контрольних зразків тих же монокристалів, що не піддавалися імплантації. Імплантацію проводили при енергії пучка 190 кеВ і з повними дозами опромінення 3,8 · 1016 см–2 і 5,5 · 1016 см–2. Вона приводить до створення поверхневих шарів з товщиною близько 0,2 мкм, легованих цими іонами, із середньою концентрацією іонів Mn або Fe близько 1021 см–3. Пропускання світла через імплантовані кристали змінил

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Кузавков, Василь, Марія Романенко та Юлія Болотюк. "Умови застосування методу власного випромінювання при вирішенні задач технічної діагностики напівпровідникових структур". Сучасні інформаційні технології у сфері безпеки та оборони 42, № 3 (2021): 55–62. http://dx.doi.org/10.33099/2311-7249/2021-42-3-55-62.

Full text

Abstract:

В статті розглянуто особливості застосування методу власного випромінювання для складних напівпровідникових структур (мікропроцесорів, мікроконтролерів, програмовано-логіних інтегральних схемах та ін.)  Метод власного випромінювання пов’язаний з реєстрацією параметрів електромагнітного поля в інфрачервоному діапазоні хвиль. Параметри цього випромінювання безпосередньо залежать від температури об’єкту контролю – температури напівпровідникової структури. Використання температури в якості діагностичного параметру вимагає аналітичного опису процесів в напівпровідникових структурах, а саме фі

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Удовицька Ю.А., Луньов С.В., Кашицький В.П., та Назарчук П.Ф. "РОЗРАХУНОК ВТРАТ ЕНЕРГІЇ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ ПРИ ПРОХОДЖЕННІ ЧЕРЕЗ ЕПОКСИКОМПОЗИТ". Перспективні технології та прилади, № 16 (31 серпня 2020): 141–48. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2020-16-20.

Full text

Abstract:

Проведені розрахунки коефіцієнта пропускання, радіаційних, іонізаційних та сумарних втрат для електронів з енергіями 10 МеВ та 12 МеВ при проходженні шару епоксидної смоли товщиною 5 мм з твердником ПЕПА 12 мас. ч. та з наповнювачами порошків алюмінію та заліза вмістом 30 мас.ч. Було встановлено, що іонізаційні втрати енергії швидких електронів значно перевищують радіаційні і зростають при введені в полімерну матрицю наповнювачів порошків алюмінію та заліза. При цьому коефіцієнт пропускання електронного пучка стає меншим. Для шару епоксикомпозиту з наповнювачем порошу заліза такі втрати енергі

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Литвиненко, В. М., та В. О. Зубенко. "ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ НАДВИСОКОЧАСТОТНОГО ДІОДА". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 524–30. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.54.

Full text

Abstract:

Надвисокочастотний напівпровідниковий діод (НВЧ-діод) – це напівпровідниковий діод, призначений для перетворення і обробки надвисокочастотного сигналу. Напівпровідникові НВЧ-діоди застосовують в різній радіоелектронній апаратурі і вимірювальній техніці НВЧ-діапазону, тобто на частотах більше 300 МГц. Спочатку НВЧ-діоди використовували для детектування і змішування сигналів. Для цих цілей застосовували точкові діоди, випрямляючий електричний перехід в яких виникав між кристалом напівпровідника і притискним металевим електродом у вигляді загостреної пружинки. Створені останнім часом нові типи НВ

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Tsyzh, B. R., M. R. Dzeryn та Yu Yu Horbenko. "Газочутливість плівок поліортотолуїдину". Scientific Messenger of LNU of Veterinary Medicine and Biotechnologies 19, № 75 (2017): 59–64. http://dx.doi.org/10.15421/nvlvet7512.

Full text

Abstract:

Електропровідні полімери, в тому числі поліпірол, поліанілін, політіофен та їхні похідні, використовують як активні шари для газових сенсорів ще з 1980-х років. Порівняно з комерційно доступними сенсорами на основі неорганічних речовин, зокрема високовартісних напівпровідників і оксидів металів, чутливі елементи, отримані на основі спряжених полімерів, привертають увагу завдяки простішому та дешевшому способу виготовлення. У цій роботі запропоновано чутливі елементи сенсорних пристроїв на основі електропровідного полімеру – поліортотолуїдину (ПоТ) та вивчено зміну оптичних характеристик тонких

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Shekhovtsov, L. V. "TRANSITION LAYER AND LATERAL PHOTO-EMF IN SEMICONDUCTOR HETEROSYSTEMS." Optoelektronìka ta napìvprovìdnikova tehnìka 57 (December 30, 2022): 114–20. http://dx.doi.org/10.15407/iopt.2022.57.114.

Full text

Abstract:

A photo-emf in the NbN–GaAs Schottky contact samples studied. This photo-emf is generated along the metalsemiconductor interface. It is shown that a semiconductor transition layer formed near the Schottky contact interface has a pronounced effect on the form of spectral characteristics. The feature of the photoemf spectral characteristics is a variations its appearance when changing the thermal annealing temperature of the studied heterosystems. If the spectral characteristic has one maximum and amplitude, which several times exceeds the amplitude of a significant characteristic, which means t

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Pritchin, Sergey, Alexey Bobryshev, Aleksandr Sorokun, and Tymur Zhumatii. "SOFTWARE AND HARDWARE AUTOMATED CONTROL COMPLEX FOR THE FORMATION OF A CRACKED LAYER ON SEMICONDUCTOR PLATES." Transactions of Kremenchuk Mykhailo Ostrohradskyi National University, no. 6(131) (December 26, 2021): 128–32. http://dx.doi.org/10.30929/1995-0519.2021.6.128-132.

Full text

Abstract:

Purpose. Porous silicon is widely used in devices such as light emitters, sensors, and medical devices. The quality of operation of these devices depends on the diameter of the pore, the uniformity of its surface, and the thickness of the layer. To control the characteristics of the porous layer, the current density, etching time, and current shape are changed. As a rule, the growth is carried out using a constant current density. In this case, hydrogen bubbles are formed in the pores with a simultaneous decrease in the etching rate, which leads to the formation of small pores. This limits the

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

Литвиненко, В. М. "ПОКРАЩЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ДІОДА З БАР’ЄРОМ ШОТТКІ". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 1 (27 березня 2025): 516–23. https://doi.org/10.32782/tnv-tech.2025.1.53.

Full text

Abstract:

Діод Шотткі – це напівпровідниковий діод, випрямні властивості якого засновані на взаємодії металу та збідненого шару напівпровідника. Для створення діодів Шотткі використовується перехід метал-напівпровідник. Робота цих діодів заснована на пере- несенні основних носіїв заряду і характеризується високою швидкодією, так як в них від- сутнє характерне для р-n переходів накопичення неосновних носіїв заряду. Діоди Шотткі використовують як елементи інтегральних мікросхем, а також як дискретні прилади.Найчастіше для виготовлення діодів з бар’єром Шотткі використовують підкладки з кремнію з низьким о

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

11

Дорожинська, Г. В., А. В. Федоренко, Г. В. Дорожинський та В. П. Маслов. "ВЛАСТИВОСТІ СЕНСОРІВ ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ З ПІДШАРОМ ITO". Таврійський науковий вісник. Серія: Технічні науки, № 3 (29 липня 2022): 38–48. http://dx.doi.org/10.32851/tnv-tech.2022.3.4.

Full text

Abstract:

В результаті досліджень оптичних та електричних властивостей ППР-сенсорів з додатковим підшаром ІТО визначено вплив цього підшару на кутове положення плазмонного резонансу та на значення діелектричної проникності металевого шару. Досліджувались наступні оптичні та електричні характеристики: спектри пропускання у видимому та ближньому інфрачервоному діапазоні довжин хвиль, резонансний кут рефрактометричних характеристик, абсолютні діелектричні проникності відповідних шарів наноструктури, вольт-ватні характеристики плівки ІТО, а також температурні залежності кутового положення резонансного кута

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

12

ЛИТВИНЕНКО, В. М. "ОПТИМІЗАЦІЯ ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ ЕПІТАКСІАЛЬНО-ПЛАНАРНОГО ВАРИКАПА". Вісник Херсонського національного технічного університету, № 4(87) (29 січня 2024): 85–90. http://dx.doi.org/10.35546/kntu2078-4481.2023.4.10.

Full text

Abstract:

Варикап – це напівпровідниковий діод, що використовує при своїй роботі залежність бар’єрної ємності р-n переходу від зворотної напруги. Ця залежність називається вольт-фарадною характеристикою. Варикапи застосовуються в схемах електронної перебудови частоти коливального контуру, в підсилюючих параметричних схемах, в дільниках і помножувачах частоти, в керованих фазообертачах тощо. Однак незважаючи на широке застосування, вартість варикапів залишається порівняно високою із-за низького виходу придатних діодів, що пояснюється високим рівнем зворотного струму приладів. В статті розглянуті причини

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

13

Критська, Тетяна Володимирівна, та Євгеній Васильович Баженов. "«КРЕМНИЙ З ПІСКУ» – ЕТАП РОЗВИТКУ ТЕХНОЛОГІЇ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО КРЕМНІЮ: ДОСВІД І ПЕРСПЕКТИВИ". Scientific Journal "Metallurgy", № 2 (10 травня 2024): 95–111. http://dx.doi.org/10.26661/2071-3789-2023-2-12.

Full text

Abstract:

На основі аналізу сучасних методів отримання напівпровідникового кремнію виділено критичні фактори, що впливають на перспективи розвитку галузі – це проблеми сировинного забезпечення та висока енергоємність виробничих процесів. Як альтернативне рішення, запропоновано метод отримання кремнію напівпровідникової якості безпосередньо з кварцового піску, що виключає використання дорогих, дефіцитних кварцитів та деревного вугілля. Забезпечення енергетичної ефективності методу здійснюється завдяки виключенню з технології багатотоннажного, енергоємного процесу карботермічного відновлення кварцитів у р

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

14

Shapoval, S. L. "Прилад для дослідження структурно-механічних та теплофізичних властивостей м’яса птиці". Scientific Messenger of LNU of Veterinary Medicine and Biotechnologies 20, № 85 (2018): 100–106. http://dx.doi.org/10.15421/nvlvet8519.

Full text

Abstract:

У статті описано конструкцію та принцип роботи вимірювального модуля для визначення структурно-механічних властивостей та теплопровідності м’яса птиці до та після кулінарної обробки. Наведено схему розташування температурних датчиків та нагрівального елементу. Доведено актуальність дослідження не лише межи міцності поверхні продукту пенетрометром, а й релаксаційного зусилля та термопровідності продукту. Побудовано градуювальні графіки пенетрометрів та наведено приклад фіксування температури стінки вимірювального індентора напівпровідниковим термометром при підвищенні температури зразка нагріва

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

15

НОВОСАД, Олексій, та Андрій КЕВШИН. "ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІОДНИХ СТРУКТУР In/CuInS2-ZnIn2S4 ТА In–Ga/CuInS2-ZnIn2S4". Physics and educational technology, № 1 (30 квітня 2025): 69–75. https://doi.org/10.32782/pet-2025-1-9.

Full text

Abstract:

У роботі представлені результати досліджень фотовольтаїчних властивостей поверхнево-бар’єрних структур на основі монокристалічних плівок CuInS2–ZnIn2S4, отриманих методами термічного вакуумного напилення напівпрозорих плівок In на поверхню CuInS2–ZnIn2S4 та механічним втиранням In-Ga евтектики в поверхню монокристалічних сколів CuInS2–ZnIn2S4. Напівпрозорі індієві плівки наносили термічним вакуумним напиленням у ВУП-5 при тиску 1,3·10-5 Па і температурі 300 К. Площа поверхні, на яку наносили напівпрозорий шар In, становила ≈3×3 мм2.При освітленні In/CuInS2–ZnIn2S4 з 8 мол. % ZnIn2S4 зі сторони

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

16

Воронько, Андрій Олександрович, Денис Олександрович Новіков та Олександр Бенедиктович Шимановський. "Температурний дрейф спектральної чутливості кремнієвого фотодіода". Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 14 серпня 2023. http://dx.doi.org/10.20535/s002134702302005x.

Full text

Abstract:

Технічні характеристики напівпровідникових приладів здебільшого визначаються якістю гетероструктур, які використовують для їхнього виготовлення. Для отримання відтворюваних характеристик приладів необхідне забезпечення умов росту напівпровідникової структури з мінімальною кількістю дефектів. Для прецизійного контролю температури поверхні активних шарів твердих розчинів А3В5 під час проведення газофазної епітаксії з металоорганічних сполук (ГФЕ МОС) використовують метод оптичної пірометрії. Оскільки рельєф та параметри поверхні при осадженні значно змінюються, використовується метод пірометрії

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

17

Ie. V. Beliak, D. Yu. Manko та A. A. Kryuchyn. "Розробка наноструктурованого люміноформного покриття для багатоперехідних сонячних елементів". Реєстрація, зберігання і обробка даних 15, № 3 (2013). http://dx.doi.org/10.35681/1560-9189.2013.15.3.103426.

Full text

Abstract:

Розробка високоефективних сонячних елементів є актуальним напрямком як матеріалознавчої науки, так і фізики напівпровідників. При цьому однією з найважливіших проблем, що потребують нагального вирішення, є значна невідповідність між спектром сонячного випромінювання і спектром поглинання фотоелемента. Запропоновано метод, що полягає в синтезі та нанесенні на поверхню фотоелемента люмінофорного шару, який функціонує як перетворювач електромагнітного випромінювання. Показано, що наноструктуроване піразолінове покриття здатне перетворювати падаюче сонячне випромінювання у вторинне оптичне випромі

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!