Log in

Relevant bibliographies by topics / AgGaGeS4 / Journal articles

To see the other types of publications on this topic, follow the link: AgGaGeS4.

Journal articles on the topic 'AgGaGeS4'

Author: Grafiati

Published: 25 May 2024

Last updated: 31 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the top 40 journal articles for your research on the topic 'AgGaGeS4.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Browse journal articles on a wide variety of disciplines and organise your bibliography correctly.

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА та Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er". Physics and educational technology, № 1 (31 жовтня 2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Full text

Abstract:

У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок неце

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук та С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4". Ukrainian Journal of Physics 57, № 10 (2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Full text

Abstract:

Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. та Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ". Перспективні технології та прилади, № 14 (4 грудня 2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Full text

Abstract:

У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, et al. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4." Crystals 13, no. 1 (2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Full text

Abstract:

AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comp

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, et al. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS₄: theory and experiment." RSC Advances 13, no. 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Full text

Abstract:

The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Vasil’eva, I. G., and R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals." Inorganic Materials 42, no. 12 (2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Vasilyeva, Inga G., and Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems." CrystEngComm 24, no. 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Full text

Abstract:

Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, et al. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors." Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, no. 3 (2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk, and V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4." Journal of Crystal Growth 275, no. 1-2 (2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska, and R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals." Ukrainian Journal of Physical Optics 17, no. 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

11

Martynyuk-Lototska, I., O. Parasyuk, and R. Vlokh. "Acoustic and elastic anisotropies of acoustooptic AgGaGeS4 crystals." Ukrainian Journal of Physical Optics 17, no. 4 (2016): 141. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/4/141/2016.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

12

Schunemann, Peter G., Kevin T. Zawilski, and Thomas M. Pollak. "Horizontal gradient freeze growth of AgGaGeS4 and AgGaGe5Se12." Journal of Crystal Growth 287, no. 2 (2006): 248–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.11.017.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

13

Wu, Haixin, Youbao Ni, Chen Lin, Mingsheng Mao, Ganchao Cheng, and Zhenyou Wang. "Growth of large size AgGaGeS4 crystal for infrared conversion." Frontiers of Optoelectronics in China 4, no. 2 (2011): 137–40. http://dx.doi.org/10.1007/s12200-011-0155-8.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

14

Nikolaev, R. E., and I. G. Vasilyeva. "A new way of phase identification, of AgGaGeS4∙nGeS2 crystals." Journal of Solid State Chemistry 203 (July 2013): 340–44. http://dx.doi.org/10.1016/j.jssc.2013.05.002.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

15

Lin, Changgui, Haizheng Tao, Ruikun Pan, et al. "Permanent second-harmonic generation in AgGaGeS4 bulk-crystallized chalcogenide glasses." Chemical Physics Letters 460, no. 1-3 (2008): 125–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2008.05.094.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

16

Shevchuk, M. V., V. V. Atuchin, A. V. Kityk, et al. "Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution." Journal of Crystal Growth 318, no. 1 (2011): 708–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.10.038.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

17

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu, Baojun Chen, and Ying Wu. "Effect of Thermal Annealing Treatment and Defect Analysis on AgGaGeS4 Single Crystals." Inorganic Chemistry 58, no. 16 (2019): 10846–55. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b01162.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

18

Petrov, V., V. Badikov, G. Shevyrdyaeva, V. Panyutin, and V. Chizhikov. "Phase-matching properties and optical parametric amplification in single crystals of AgGaGeS4." Optical Materials 26, no. 3 (2004): 217–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.04.007.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

19

Rame, Jérémy, Johan Petit, Denis Boivin, et al. "Homogeneity characterization in AgGaGeS4, a single crystal for nonlinear mid-IR laser applications." Journal of Crystal Growth 548 (October 2020): 125814. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125814.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

20

Huang, Wei, Zhiyu He, Beijun Zhao, Shifu Zhu, and Baojun Chen. "Crystal growth, structure, and optical properties of new quaternary chalcogenide nonlinear optical crystal AgGaGeS4." Journal of Alloys and Compounds 796 (August 2019): 138–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.05.066.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

21

Wu, Jun, Wei Huang, Hong-gang Liu, et al. "Investigation of the Thermal Properties and Crystal Growth of the Nonlinear Optical Crystals AgGaS2 and AgGaGeS4." Crystal Growth & Design 20, no. 5 (2020): 3140–53. http://dx.doi.org/10.1021/acs.cgd.0c00018.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

22

Huang, Changbao, Mingsheng Mao, Haixin Wu, and Jiaren Ma. "Pressure-Assisted Method for the Preparations of High-Quality AaGaS2 and AgGaGeS4 Crystals for Mid-Infrared Laser Applications." Inorganic Chemistry 57, no. 23 (2018): 14866–71. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.8b02626.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

23

Dang, Junhui, Naizheng Wang, Jiyong Yao, Yuandong Wu, Zheshuai Lin, and Dajiang Mei. "AgGaGeSe4: An Infrared Nonlinear Quaternary Selenide with Good Performance." Symmetry 14, no. 7 (2022): 1426. http://dx.doi.org/10.3390/sym14071426.

Full text

Abstract:

The symmetry of crystals is an extremely important property of crystals. Crystals can be divided into centrosymmetric and non-centrosymmetric crystals. In this paper, an infrared (IR) nonlinear optical (NLO) material AgGaGeSe4 was synthesized. The related performance analysis, nonlinear optical properties, and first-principle calculation of AgGaGeSe4 were also introduced in detail. In the AgGaGeSe4 structure, Ge4+ was replaced with Ga3+ and produced the same number of vacancies at the Ag+ position. The low content of Ge doping kept the original chalcopyrite structure and improved its optical p

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

24

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov, and Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4." Applied Optics 46, no. 23 (2007): 5728. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.005728.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

25

Miyata, Kentaro, Valentin Petrov, and Kiyoshi Kato. "Phase-matching properties for AgGaGeS_4: erratum." Applied Optics 46, no. 27 (2007): 6848. http://dx.doi.org/10.1364/ao.46.006848.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

26

De-Ming, Ren, Huang Jin-Zhe, Qu Yan-Chen, et al. "Optical properties and frequency conversion with AgGaGeS 4 crystal." Chinese Physics 13, no. 9 (2004): 1468–73. http://dx.doi.org/10.1088/1009-1963/13/9/019.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

27

Huang, Wei, Beijun Zhao, Shifu Zhu, et al. "Synthesis of AgGaGeS 4 polycrystalline materials by vapor transporting and mechanical oscillation method." Journal of Crystal Growth 468 (June 2017): 469–72. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.12.027.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

28

Kuznik, Wojciech, Piotr Rakus, Katarzyna Ozga, et al. "Laser-induced piezoelectricity in AgGaGe3–xSixSe8chalcogenide single crystals." European Physical Journal Applied Physics 70, no. 3 (2015): 30501. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2015150103.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

29

Tsubouchi, Masaaki, and Takamasa Momose. "Cross-correlation frequency-resolved optical gating for mid-infrared femtosecond laser pulses by an AgGaGeS_4 crystal." Optics Letters 34, no. 16 (2009): 2447. http://dx.doi.org/10.1364/ol.34.002447.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

30

Kuznik, W., P. Rakus, O. V. Parasyuk, V. Kozer, A. O. Fedorchuk, and V. A. Franiv. "Growth of AgGaGe3−xSnxSe8 single crystals with light-operated piezoelectricity." Materials Letters 161 (December 2015): 705–7. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2015.09.071.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

31

Мельничук, Т., Г. Мирончук, П. Ракуш та ін. "Структурні особливості кристалів AgGaGe3Se8 легованих Er, Dy та Nd". Physics and Chemistry of Solid State 26, № 2 (2025): 329–34. https://doi.org/10.15330/pcss.26.2.329-334.

Full text

Abstract:

У даній роботі досліджено вплив легування рідкоземельними елементами (Nd, Dy, Er) на структурні характеристики кристалів AgGaGe₃Se₈. За допомогою рентгеноструктурного аналізу встановлено, що додавання зазначених іонів викликає локальні спотворення та напруження, що проявляється в модифікації дифракційних відбиттів. Мікроструктурний аналіз методами SEM та EPMA підтвердив однофазну морфологію та хімічну однорідність кристалів у межах зони аналізу. Раманівська спектроскопія виявила наявність базової структурної одиниці у вигляді тетраедрів (Ga,Ge)Se₄. Незважаючи на те, що легування рідкоземельним

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

32

Wang, Tie-Jun, Zhi-Hui Kang, Hong-Zhi Zhang, et al. "Model and experimental investigation of frequency conversion in AgGaGexS2(1 +x)(x= 0, 1) crystals." Journal of Physics D: Applied Physics 40, no. 5 (2007): 1357–62. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/40/5/008.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

33

El-Naggar, A. M., A. A. Albassam, O. Parasyuk, et al. "Optical and non-linear optical properties of the solid solutions AgGaGe3(1–x)Si3xSe8." Optik 168 (September 2018): 397–402. http://dx.doi.org/10.1016/j.ijleo.2018.04.095.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

34

Krymus, A. S., G. L. Myronchuk, and O. V. Parasyuk. "Influence of Cu-, Sn-, and In-Doping on Optical Properties of AgGaGe3 Se8 Single Crystals." Ukrainian Journal of Physics 61, no. 7 (2016): 606–12. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe61.07.0606.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

35

Kityk, I. V., G. L. Myronchuk, O. V. Parasyuk, et al. "Specific features of photoconductivity and photoinduced piezoelectricity in AgGaGe 3 Se 8 doped crystals." Optical Materials 63 (January 2017): 197–206. http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2016.05.029.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

36

ANDREEV, YU, P. P. GEIKO, V. V. BADIKOV, G. C. BHAR, DAS S., and A. K. CHAUDHURY. "NONLINEAR OPTICAL PROPERTIES OF DEFECT TETRAHEDRAL CRYSTALS HgGa 2 S 4 AND AgGaGeS 4 AND MIXED CHALCOPYRITE CRYSTAL Cd (0.4) Hg (0.6) Ga 2 S 4." Nonlinear Optics 29, no. 1 (2002): 19–27. http://dx.doi.org/10.1080/10587260213932.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

37

Huang, Wei, Zhiyu He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Baojun Chen, and Sijia Zhu. "Polycrystal Synthesis, Crystal Growth, Structure, and Optical Properties of AgGaGenS2(n+1) (n = 2, 3, 4, and 5) Single Crystals for Mid-IR Laser Applications." Inorganic Chemistry 58, no. 9 (2019): 5865–74. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.9b00191.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

38

El Radaf, I. M., and H. Y. S. Al-Zahrani. "Study of morphological, structural, optical, and optoelectrical properties of novel AgGaGeS4 thin films synthesized by thermal evaporation procedure." Journal of Materials Science: Materials in Electronics 34, no. 8 (2023). http://dx.doi.org/10.1007/s10854-023-10086-6.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

39

Thorup, Peter Skjøtt, Rasmus Baden Stubkjær, Kim-Khuong Huynh, et al. "Structural origins of ultralow glass-like thermal conductivity in AgGaGe ₃ Se ₈." Science Advances 11, no. 24 (2025). https://doi.org/10.1126/sciadv.adv5865.

Full text

Abstract:

Materials with low thermal conductivity are important for a variety of applications such as thermal barrier coatings and thermoelectrics, and understanding the underlying mechanisms of low heat transport, as well as relating them to structural features, remains a central goal within material science. Here, we report on the ultralow thermal conductivity of the quarternary crystalline silver chalcogenide AgGaGe 3 Se 8 , with a remarkable value of only 0.2 watts per meter per kelvin at room temperature and an unusual glass-like thermal behavior from 2 to 700 kelvin. The ultralow thermal conductiv

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

40

Liu, Xinyao, Jing Peng, Xiao Xiao, et al. "Crystal Growth, Characterization, and Thermal Annealing of Nonlinear Optical Crystals AgGaGe_nSe_2(n+1) (n = 1.5, 1.75, 2, 3, 4, 5, and 9) for Mid-infrared Applications." Inorganic Chemistry, April 15, 2022. http://dx.doi.org/10.1021/acs.inorgchem.2c00417.

Full text

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!