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Dissertations / Theses on the topic 'Alas'
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1
Walker, James Cody. "O ho alas alas : poetry and difficult laughter /." Thesis, Connect to this title online; UW restricted, 2004. http://hdl.handle.net/1773/9354.
Full text
2
Gilbert, Timothy George. "Electronic states of ultrathin GaAs/AlAs superlattices." Thesis, University of Leicester, 1988. http://hdl.handle.net/2381/35893.
Full textAbstract:
The continuing refinement of crystal growth techniques has made possible the fabrication of semiconductor superlattices where the period can be as small as one lattice constant. Prediction of many of the properties of such systems requires a detailed description of their electronic structure. In this thesis, a self-consistent pseudopotential method which includes a parametrization scheme has been used to calculate the electronic properties of (GaAs)n(AlAs)n superlattices with n ranging from 1 to 4. The parametrization scheme is used to reproduce energy gaps at the principal symmetry points for the bulk constituents and the resulting parameter set is employed in all subsequent calculations. The n=l superlattice is found to be indirect with the conduction band minimum at R (equivalent to the zincblende L point) and all the thicker systems are pseudodirect in good agreement with experimental results. The lowest conduction band state at the zone centre for all systems is found to be mainly X-derived reflecting the importance of zone translating effects here. By analysing the states near to the band edges, the observed pattern of confinement in states of the n=l superlattice shows the band offsets to have at most a small role, in contrast to the thicker systems where a definite relationship was established. Moreover, the results suggest that Dingle's "15% rule" is consistently violated and that a valence band offset of about 30-40% is obtained which changes little with layer thickness. Attempts to study the effects of hydrostatic pressure on the n=3 superlattice were in part successful and predicted quite complex behaviour for the electronic states. Much of the discrepancy between the results obtained and the experimental data was attributed to the inadequacies of the empty-core pseudopotential to model the ions.
3
Foerster, Walter Bernhard von. "Optisch detektierte magnetische Resonanzen an GaAs/AlAs-Heterostrukturen." [S.l. : s.n.], 2000. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=959473521.
Full text
4
Senozan, Selma. "First-principles Study Of Gaas/alas Nanowire Heterostructures." Phd thesis, METU, 2012. http://etd.lib.metu.edu.tr/upload/12614634/index.pdf.
Full textAbstract:
Nanowire heterostructures play a crucial role in nanoscale electronics, i.e., one-dimensional electronics derives benefits from the growth of heterostructures along the nanowire axis. We use first-principles plane-wave calculations within density functional theory with the localized density approximation (LDA) to get information about the structural and electronic properties of bare and hydrogen passivated GaAs/AlAs nanowire heterostructures. We also take into account the reconstruction of the nanowire surfaces. Modeled nanowire heterostructures are constructed using bulk atomic positions along [001] and [111] direction of zinc-blende structures and cutting out wires from this GaAs/AlAs heterostructure crystal with a diameter of 1 nm. We study for the effects of the surface passivation on the band gap and the band offsets for the planar GaAs/AlAs bulk heterostructure system and GaAs/AlAs nanowire heterostructure system. It is possible to control the potential that carriers feel in semiconductor heterostructures. For the planar lattice-matched heterostructures, the macroscopic average of potential of the two materials is constant far from the interface and there is a discontinuity at the interface depending on the composition of the heterostructure. In order to obtain the valence band offset in the heterostructure system, the shift in the macroscopic potential at the interface and the difference between the valence band maximum values of the two constituents must be added. In nanoscale heterostructures, the potential profile presents a more complex picture. The results indicate that while the discontinuity remains close to the planar limit right at the interface, there are fluctuations on the average potential profile beyond the interface developed by the inhomogeneous surface termination, that is, there are variations of the band edges beyond the interface.
We report a first-principles study of the electronic properties of surface dangling-bond (SDB) states in hydrogen passivated GaAs/AlAs nanowire heterostructures with a diameter of 1 nm, where the SDB is defined as the defect due to an incomplete passivation of a surface atom. The charge transition levels of SDB states serve as a common energy reference level, such that charge transition level value for group III and V atoms is a constant value and a periodic table atomic property.
We have carried out first-principles electronic structure and total energy calculations of aluminum nanowires for a series of different diameters ranging from 3 Angtrom-10 Angstrom, which is cut out from a slab of ideal bulk structure along the [001] direction. First-principles calculations of aluminum nanowires have been carried out within the density-functional theory. We use the norm-conserving pseudopotentials that are shown to yield successful results for ultrathin nanowire regime. Our results show that the number of bands crossing the Fermi level decreases with decreasing wire diameter and all wires studied are metallic.
5
Mamun, Ahmed Zakir. "Far infrared study of asymmetric GaAs/AlAs superlattices." Thesis, University of Essex, 1994. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.387411.
Full text
6
Regis, Mcglennon da Rocha. "Estudo da oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras." Universidade Federal de Minas Gerais, 2002. http://hdl.handle.net/1843/ESCZ-5KUPHR.
Full textAbstract:
In this work, we investigate the oxidation processing of AlAs in semiconductor AlAs/GaAs multilayer structures. Our results show a direct dependence of the depth of oxidation with the time of exposure to the oxidating atmosphere. This leads to a change in the reflectivity of the multilayer structures, shifting the reflectivity maximum range towardslower wavelengths. We could demonstrate the loss of As in the oxidized regions. In our samples we could also observe a deepning of the oxidated regions relative to the non-oxidated ones. We conclude that the oxidation process takes place more significantly in the AlAs layer, in comparison with the GaAs ones.<br>No presente trabalho, estudamos o processamento por oxidação de AlAs em heteroestruturas semicondutoras. Nossos resultados mostram uma dependência direta do comprimento de oxidação com o tempo de exposição à atmosfera oxidante. Isso acarreta uma mudança na refletividade das heteroestruturas com um deslocamento da faixa de refletividade máxima para comprimentos de onda menores. Determinamos o perfil químico das estruturas e mostramos a perda de As nas regiões oxidadas. Nossos resultados mostram um desnível na fronteira entre as regiões oxidadas e nãooxidadas. Concluímos que o processo de oxidação ocorre significativamente nas camadas de AlAs, não sendo percebido o mesmo para as camadas de GaAs.
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Lamberti, Fabrice-Roland. "Opto-phononic confinement in GaAs/AlAs-based resonators." Thesis, Sorbonne Paris Cité, 2018. http://www.theses.fr/2018USPCC103/document.
Full textAbstract:
Ces travaux de thèse portent sur la conception et sur la caractérisation expérimentale de résonateurs opto-phononiques. Ces structures permettent le confinement simultané de modes optiques et de vibrations mécaniques de très haute fréquence (plusieurs dizaines jusqu’à plusieurs centaines de GHz). Cette étude a été effectuée sur des systèmes multicouches à l’échelle nanométrique, fabriqués à partir de matériaux semiconducteurs de type III-V. Ces derniers ont été caractérisés par des mesures de spectroscopie Raman de haute résolution. Grâce aux méthodes expérimentales et aux outils numériques développés, nous avons pu explorer de nouvelles stratégies de confinement pour des phonons acoustiques au sein de super-réseaux nanophononiques, à des fréquences de résonance de l’ordre de 350 GHz. En particulier, nous avons étudié les propriétés acoustiques de deux types de résonateurs planaires. Le premier est basé sur la modification adiabatique du diagramme de bande d’un cristal phononique unidimensionnel. Dans le deuxième système, nous utilisons les invariants topologiques caractérisant ces structures périodiques, afin de créer un état d’interface entre deux miroirs de Bragg phononiques. Nous nous sommes ensuite intéressés à l’étude de cavités opto-phononiques permettant le confinement tridimensionnel de la lumière et de vibrations mécaniques de haute fréquence. Nous avons mesuré par spectroscopie Raman les propriétés acoustiques de résonateurs phononiques planaires placés à l’intérieur de cavités optiques tridimensionnelles, de type micropiliers. Enfin, la dernière partie de cette thèse porte sur l’étude théorique des propriétés optomécaniques de micropiliers GaAs/AlAs. Nous avons effectué des simulations numériques par éléments finis, nous permettant d’expliquer les mécanismes de confinement tridimensionnel de modes acoustiques et optiques dans ces systèmes, et de calculer les principaux paramètres optomécaniques. Les résultats de cette étude démontrent que les micropilier GaAs/AlAs possèdent des caractéristiques prometteuses pour de futures expériences en optomécanique, telles que des fréquences de résonance acoustiques très élevées, de hauts facteurs de qualités mécaniques et optiques à température ambiante, ou encore de fortes valeurs pour les facteurs de couplage optomécaniques et pour le produit Q • f<br>The work carried out in this thesis addresses the conception and the experimental characterization of opto-phononic resonators. These structures enable the confinement of optical modes and mechanical vibrations at very high frequencies (from few tens up to few hundreds of GHz). This study has been carried out on multilayered nanometric systems, fabricated from III-V semiconductor materials. These nanophononic platforms have been characterized through high resolution Raman scattering measurements. The experimental methods and the numerical tools that we have developed in this thesis have allowed us to explore novel confinement strategies for acoustic phonons in acoustic superlattices, with resonance frequencies around 350 GHz. In particular, we have studied the acoustic properties of two nanophononic resonators. The first acoustic cavity proposed in this manuscript enables the confinement of mechanical vibrations by adiabatically changing the acoustic band-diagram of a one-dimensional phononic crystal. In the second system, we take advantage of the topological invariants characterizing one dimensional periodic structures, in order to create an interface state between two phononic distributed Bragg reflectors. We have then focused on the study of opto-phononic cavities allowing the simultaneous confinement of light and of high frequency mechanical vibrations. We have measured, by Raman scattering spectroscopy, the acoustic properties of planar nanophononic structures embedded in three-dimensional micropillar optical resonators. Finally, in the last sections of this manuscript, we investigate the optomechanical properties of GaAs/AlAs micropillar cavities. We have performed numerical simulations through the finite element method that allowed us to explain the three-dimensional confinement mechanisms of optical and mechanical modes in these systems, and to calculate the main optomechanical parameters. This work shows that GaAs/AlAs micropillars present very interesting properties for future optomechanical experiments, such as very high mechanical resonance frequencies, large optical and mechanical quality factors at room temperature, and high values for the vacuum optomechanical coupling factors and for the Q • f products
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Godon-Martinez, Nuria. "Espacios masoquistas en "La Regenta" de Leopoldo Alas, Clarin." Diss., Connect to online resource, 2006. http://gateway.proquest.com/openurl?url_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:dissertation&res_dat=xri:pqdiss&rft_dat=xri:pqdiss:3239443.
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9
Iwabuchi, Akifumi. "The social organization of the Alas of Northern Sumatra." Thesis, University of Oxford, 1990. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.305759.
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10
MACHKOV, IGOR. "Structure fine des excitons dans les superreseaux gaas/alas." Paris 7, 1996. http://www.theses.fr/1996PA077094.
Full textAbstract:
La structure fine des excitons dans les superreseaux gaas/alas est etudiee par battements quantiques, resonance magnetique detectee optiquement (odmr) et anticroisement de niveaux. 1) dans les superreseaux gaas/alas de type-2 l'exciton est localise aux interfaces par les defauts d'epaisseur des couches et la degenerescence des etats radiatifs d'exciton est levee. En excitant en impulsions une superposition coherente de ces etats, on observe des oscillations d'intensite de luminescence au cours du temps (battements quantiques). On obtient la difference d'energie des etats, le temps de vie et le temps de relaxation de spin des excitons. En champ magnetique longitudinal ou transverse on determine les facteurs de lande des porteurs. Les battements quantiques sont observes sous excitation resonante et bande-a-bande. Le calcul du taux de polarisation de la luminescence resolue en temps permet d'interpreter les differentes periodes observees. 2) dans les echantillons ou le temps de vie est superieur a 100 ns, il est possible de faire des experiences d'odmr. On deduit l'interaction d'echange electron-trou dans l'exciton et les facteurs de lande de l'exciton et des porteurs libres. 3) pour deux valeurs du champ magnetique longitudinal, un niveau optiquement interdit de l'exciton anticroise successivement les niveaux permis de l'exciton. Pour ces valeurs du champ la polarisation de la luminescence augmente. Ce phenomene est mis a profit pour l'etude de la structure fine des excitons dans les superreseaux gaas/alas de type-2, pour l'etude des structures proches de la transition type-2/type-1 et les structures de type-1. L'observation des anticroisements de niveaux excitoniques nous permet de relier l'ordre des sous-niveaux radiatifs avec la nature de l'interface (gaas-sur-alas ou alas-sur-gaas) sur laquelle les excitons sont localises
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Valderrama, Maguiña Igor. "Miguel Giusti. Alas y raíces: Ensayos sobre ética y modernidad." Pontificia Universidad Católica del Perú, 2012. http://repositorio.pucp.edu.pe/index/handle/123456789/119234.
Full text
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Lerner, Febres Salomón. "Miguel Giusti: Alas y raíces. Ensayos sobre ética y modernidad." Pontificia Universidad Católica del Perú - Departamento de Humanidades, 2013. http://repositorio.pucp.edu.pe/index/handle/123456789/113017.
Full text
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He, Hongtao. "Vertical transport properties of weakly-coupled Ac-driven GaAs/AlAs superlattices /." View abstract or full-text, 2006. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?PHYS%202006%20HE.
Full text
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Saci, Abdelhak. "Transport thermique dans les milieux nano-structurés (GaAs)n / (AlAs)n." Phd thesis, Université Pierre et Marie Curie - Paris VI, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00825305.
Full textAbstract:
GaAs et AlAs sont deux bons conducteurs de la chaleur. Or, le matériau artificiel obtenu par empilement de couches nanométriques de ces deux matériaux est un mauvais conducteur. 1 Cet effet remarquable de la nanostructuration est encore mal compris mais deux ingrédients semblent devoir être considérés : 1) la modification profonde des courbes de dispersion des phonons (effet "intrinsèque"), 2) la diffusion des phonons par les défauts localisés aux interfaces (effet "non-intrinsèque"). Il est très difficile de quantifier l'importance relative de ces deux effets. Toutefois, les théories basées uniquement sur les effets intrinsèques ne rendent pas compte de la totalité de la réduction de conductivité observée expérimentalement. Ainsi, le point de vue généralement adopté à ce jour associe le mécanisme dominant à la présence de défauts aux interfaces. Le but de cette thèse est de mieux comprendre les mécanismes de conduction thermique dans les super-réseaux. Pour celà, nous avons étudié expérimentalement l'importance relative des deux effets, intrinsèque et non-intrinsèque, en comparant les propriétés de deux familles d'échantillons, la première présentant des interfaces quasi-parfaites, la seconde présentant des interfaces dégradées. Nous nous sommes intéressés aux super-réseaux (GaAs)n/(AlAs)n. La croissance de ces matériaux est en effet bien maîtrisée et l'accord de maille quasi-parfait entre GaAs et AlAs permet l'élaboration de super-réseaux présentant des interfaces très abruptes. On contrôle alors la qualité des interfaces en ajustant les conditions de croissance. Au delà de l'intérêt fondamental, les études sur les super-réseaux peuvent être utiles à des applications telles que les dispositifs thermoélectriques ou les lasers à semi-conducteurs. Un certain nombre d'études ont montré qu'un super-réseau pouvait avoir une efficacité thermoélec- trique supérieure à celle d'un matériau massif. Or, l'efficacité d'un matériau thermoélectrique augmente lorsque sa conductivité thermique diminue. Il serait alors avantageux de diminuer la conductivité thermique des super-réseaux thermoélectriques. Par contre, les problèmes d'évacuation de chaleur rencontrés dans les lasers utilisant des super-réseaux (puits quantiques) montrent qu'il serait avantageux d'augmenter la conductivité thermique.
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Gradl, Christian [Verfasser], and Christian [Akademischer Betreuer] Schüller. "Anisotrope Lochspindynamik in GaAs/AlAs-Quantentrogstrukturen / Christian Gradl ; Betreuer: Christian Schüller." Regensburg : Universitätsbibliothek Regensburg, 2018. http://d-nb.info/1151700096/34.
Full text
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Pasquali, Valerio. "Fabrication and measurement of strain-free GaAs/AlAs quantum dot devices." Thesis, Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066631.
Full textAbstract:
Dans cette thèse, nous nous intéressons à la croissance de boîtes quantiques par formation de nano-trous in-situ par « droplet-etching » ainsi qu’à la fabrication et caractérisation de dispositifs basés sur ces nanostructures. La thèse comporte sept chapitres. Le premier chapitre est une introduction au sujet et les méthodes expérimentales sont présentées dans le second chapitre. Les méthodes de fabrication ainsi que les résultats expérimentaux obtenus sont discutés dans le troisième chapitre.Nous montrons que l’utilisation in-situ de la méthode de droplet-etching permet de modifier localement l’épaisseur d’un puits quantique à modulation de dopage et créer des boîtes quantiques dans le puits où existe un gaz bidimensionnel d’électrons. Ces nanostructures constituent des diodes n-i Schottky que nous avons étudié. Les effets de ces boîtes quantiques non-contraintes et les fluctuations d’épaisseur à l’échelle nanométrique du puits quantique sur la mobilité du gaz bidimensionnel d’électrons sont discutés dans le quatrième chapitre et cinquième. Le sixième chapitre présente la fabrication d’une jonction p-n latérale basée sur l’échantillon de puits quantique avec des boîtes. Nous discutons les différentes étapes de fabrication et analysons leur influence sur le dispositif, ainsi que leurs propriétés optiques. En particulier, nous démontrons l’électroluminescence d’une boîte unique localisée dans une jonction p-n latérale. Finalement, le dernier chapitre conclue ce travail et en présente les perspectives<br>In this thesis the formation of quantum dots (QD) via in-situ droplet nanohole etching, the fabrication and characterization of devices based on these nanostructures is described. The thesis consists of seven chapters. In the first chapter an introduction is given to present the topic to the reader. In the second chapter the experimental methods are presented. In the third chapter, the fabrication method is described and the experimental results obtained in this project are discussed. It will be shown the use of in-situ droplet etching to locally modify the thickness of a modulation doped quantum well, to create QDs embedded in a quantum well(QW) where a two dimensional electorn gas (2DEG) is confined by modulation doping and the embedding of these nanostructures in a n-i-Schottky diode. The effect of these strain-free dots, and the related nanoscale thickness fluctuations of the quantum well, on the 2DEG mobility are discussed in the fourth and in particular in the fifth chapter. In the sixth chapter, the fabrication of a lateral p-n junction based on the QW sample with embedded QD is presented. Following describing the fabrication stages and analysing the influence of each stage on the device, the optical properties of the junction will be discussed. In particular, it will be shown the electroluminescence of a single dot located at lateral the p-n junction. Finally, in the last chapter the conclusion of this work and the future projects are presented
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Abdullah, Mohd. "GaAs/AlAs ASPAT diodes for millimetre and sub-millimetre wave applications." Thesis, University of Manchester, 2018. https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/theses/gaasalas-aspat-diodes-for-millimetre-and-submillimetre-wave-applications(89581b9e-edc9-4eb6-9392-e466a0f8de81).html.
Full textAbstract:
The Asymmetric Spacer layer Tunnel (ASPAT) diode is a new diode invented in the early 90s as an alternative to the Schottky barrier diode (SBD) technology for microwave detector applications due to its highly stable temperature characteristics. The ASPAT features a strong non-linear I-V characteristic as a result of tunnelling through a thin barrier, which enables RF detection at zero bias from microwaves up to submillimetre wave frequencies. In this work, two heavily doped GaAs contact layer on top and bottom layers adjacent to lightly doped GaAs intermediate layers, enclose undoped GaAs spacers with different lengths sandwiching an undoped AlAs layer that acts as a tunnel barrier. The ultimate ambition of this work was to develop a MMIC detector as well as a frequency source based on optimized ASPAT diodes for millimetre wave (100GHz) applications. The effect of material parameter and dimensions on the ASPAT source performances was described using an empirical model for the first time. Since this is a new device, keys challenges in this work were to improve DC and RF characteristic as well as to develop a repeatable, reproducible, and ultimately manufacturable fabrication process flow. This was investigated using two approaches namely air-bridge and dielectric-bridge fabrication process flows. Through this work, it was found that the GaAs/AlAs heterostructures ASPAT diode are more amenable to the dielectric-bridge technique as large-scale fabrication of mesa area up to 4Ã4Âμm2 with device yields exceeding 80% routinely produced. The fabrication of the ASPAT using i-line optical lithography which has the capability to reduce emitter area to 4Ã4Âμm2 to lower down the device capacitance for millimetre wave application has been made feasible in this work. The former challenge was extensively studied through materials and structural characterisations by a SILVACO physical modelling and confirmed by comparison with experimental data. The I-V characteristic of the fabricated ASPAT demonstrated outstanding scalability, demonstrating robust processing. A fair comparison has been made between ASPAT and SBD fabricated in-house; indicating ASPAT is extremely stable to the temperature. The RF characterisations were carried out with the aid of Keysight ADS software. The DC characteristic from fabricated GaAs/AlAs ASPAT diodes were absorbed into an ADS simulation tool and utilized to demonstrate the performance of MMIC 100GHz detector as well as 20GHz/40GHz signal generators. Zero bias ASPAT with mesa area of 4Ã4Âμm2 with video resistance of 90KΩ, junction capacitance of 23fF and curvature coefficient of 23V-1 has demonstrated detector voltage sensitivity above 2000V/W, while the signal source conversion loss and conversion efficiency are 28dB and 0.3% respectively. An estimate noise equivalent power (NEP) for this particular device is 18.8pW/Hz1/2.
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Sellitto, Philippe. "Etude du centre DX dans les superréseaux GaAs/AlAs dopés silicium." Montpellier 2, 1994. http://www.theses.fr/1994MON20044.
Full textAbstract:
La conduction electrique dans les superreseaux gaas/alas a courte periode (p=37a) dopes silicium, est controlee principalement par les centres dx dont les differentes configurations resultent de l'environnement immediat de l'atome de silicium. Les superreseaux etudies presentent la meme periode mais different par le taux d'aluminium (x=35%, x=23%) et le dopage. Afin d'isoler les differentes configurations du centre dx, le dopant a ete introduit de maniere selective et planaire dans gaas, alas ou a l'interface. Grace a une methode d'investigation originale couplant les techniques de transport (effet hall, photohall, photoconductivite), aux techniques de hautes pressions hydrostatiques entre 0 et 15 kbar, nous avons pu mettre en evidence l'interdiffusion du dopant et effectuer une spectroscopie energetique des differentes configurations du centre dx. Par ailleurs, une modelisation de l'effet hall a ete realisee en se placant dans le modele du double donneur a u-negatif, ce qui nous a permis d'une part de quantifier l'interdiffusion, et d'autre part d'atteindre la position energetique des niveaux dx. Un autre aspect de ce travail consiste en une etude specifique des superreseaux gaas/alas en vue d'une application capteur de pression
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Chastaingt, Bruno. "Spectroscopie d'hétérostructures ultra-minces appliquée à l'étude de l'interface GaAa/AlAs." Nice, 1993. http://www.theses.fr/1993NICE4694.
Full textAbstract:
L'objectif des travaux décrits dans ce mémoire est de rechercher le lien entre les propriétés de recombinaisons dans les hétérostructures de type GaAs/AlAs et la structure de l'interface. L'observation de variations des énergies de confinement dans les puits quantiques directs GaAs/(al,ga)as lies aux choix des températures de croissance amène une interrogation sur la nature des processus qui entrainent l'introduction d'un désordre aux interfaces (ségrégation verticale ou démixtion d'alliage) et conduise à approfondir l'étude de puits quantiques à double barrière GaAs/AlAs/(al,ga)as ou les épaisseurs de couches d'AlAs et de GaAs sont réduites à quelques monocouches. Les études expérimentales (excitation de photoluminescence, photoluminescence résolue en temps, photoluminescence sous pression hydrostatique) associées à une modélisation en fonction enveloppe démontre la diversité des alignements des niveaux confines et apporte des informations sur la localisation des électrons dans une ou deux monocouches d'AlAs. Ces expériences expliquent les processus de transferts entre les niveaux associes aux minima xxy et xz ou de capture sur les donneurs ainsi que le phénomène de couplage entre les états de GaAs et x d'AlAs. L'existence d'un confinement latéral est démontrée lorsque ces mêmes structures sont élaborées sur surfaces vicinales. Dans ces conditions l'analyse des recombinaisons de structures ou la couche d'AlAs est réduite à une monocouche révèle l'action des fluctuations des largeurs de terrasse sur les propriétés de recombinaisons
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TEISSIER, ROLAND. "Effets electro-optiques dans les heterostructures gaas/alas de type ii." Paris 6, 1992. http://www.theses.fr/1992PA066340.
Full textAbstract:
Les superreseaux gaas/alas presentent un alignement de bandes de type ii, lorsque l'etat fondamental de conduction est issu des vallees x situees en bord de zone de brillouin. Les electrons photocrees sont alors confines dans les couches d'alas et les trous dans les couches de gaas. L'objet de ce travail est l'etude des proprietes electro-optiques liees a une telle separation spatiale des electrons et des trous. Un champ electrique perpendiculaire a pour consequence de scinder la transition optique fondamentale d'un superreseau de type ii en deux composantes, l'une se decalant vers les hautes energies (blue-shift) et l'autre vers les basses energies (red-shift). Il est alors remarquable que la transition a plus haute energie devienne la plus forte, grace a un meilleur recouvrement des fonctions d'onde. La plus grande partie des travaux presentes ici a toutefois ete consacree a une structure originale: un puits quantique de type ii constitue d'une seule alternance gaas/alas. De tels puits peuvent accumuler de fortes densites de charges sous des excitations optiques continues relativement modestes. Dans un premier temps ce peuplement a ete etudie en details, notamment grace a ses consequences sur les proprietes optiques: fort blue-shift, elargissement des raies, passage d'une recombinaison indirecte a pseudo-directe ou indirecte a directe. Ces fortes densites de charges sont utilisees par la suite pour creer des champs electriques internes, et en particulier obtenir un effet photovoltaique a bascule, dont le signe est controle par la longueur d'onde d'excitation. La consequence la plus spectaculaire des champs photocrees est un effet de bistabilite electro-optique dans les structures a puits de type ii, dont une caracteristiques remarquable est qu'elle s'obtient sans aucune polarisation electrique exterieure
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Lee, Hae-Yeong. "Microcapteur piézorésistif à base d'alliage AlGaAs et de superréseaux GaAs/AlAs." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 2001. http://www.theses.fr/2001ECDL0010.
Full textAbstract:
Nous avons étudié et mis en œuvre les propriétés piézorésistives des matériaux de la filière Ga1-xAlxAs pour la réalisation de micro-capteurs mécaniques. Le comportement piézorésistif de ces matériaux, mettant en œuvre les propriétés particulières des centres DX, a été caractérisé sur des macrostructures. Ces mesures ont permis la détermination des coefficients piézorésistifs du GaO. 67Al0. 33As qui sont de 2 à 6 fois supérieurs à ceux du silicium. Nous avons démontré que ces fortes valeurs ne pouvaient s'expliquer que par le piégeage des porteurs libres sur les centres DX. En utilisant le micro-usinage sélectif et non-sélectif de GaAs/AlGaAs, nous avons réalisé des micro-poutres mono et bi-encastrées avec de très forts rapports d'aspect (longueur: 1 mm, épaisseur: 0. 51micron. M). Des micro-accéléromètres démonstrateurs ont été fabriqués à partir d'hétérostructures comprenant l'alliage ternaire Ga1-xAlxAs ou un superrésau GaAs/AlAs à l'aide d'une technologie mettant en œuvre 7 niveaux de masquage et 29 étapes technologiques. Les performances des dispositifs réalisés ont ensuite été mesurées à l'aide d'un banc de mesure spécifique. Des sensibilités à l'accélération de l'ordre de 10-6 à 10-5 [g-1] ont été obtenues pour les dispositifs de type poutre mono-encastrée (longueur: lOO micron. M, largeur: 25 micron. M, épaisseur: 2 micron. M). L'influence de la géométrie de la micro-structure ainsi que celle de la composition de la couche active ont été étudiées. En comparant nos résultats à l'état de l'art (silicium), nous démontrons que nos micro-capteurs présentent, dans la gamme des fortes accélérations, des sensibilités de 2 ordres de grandeur plus élevées. Ceci est dû aux bonnes propriétés piézorésistives de l'alliage AlGaAs et à la géométrie de l'accéléromètre. Enfin, des pistes sont décrites pour développer des micro-accéléromètres fonctionnant à plus faible accélération ainsi que pour l'hybridation de couches actives d'AlGaAs sur des microstructures silicium.
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Sulmont, Denis. "La sociología de Alain Touraine y las dos alas de la modernidad." Pontificia Universidad Católica del Perú, 2013. http://repositorio.pucp.edu.pe/index/handle/123456789/115009.
Full text
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Boujdaria, Kaïs. "Effets des fortes excitations dans les superreseaux gaas/alas de type ii." Paris 7, 1993. http://www.theses.fr/1993PA077023.
Full textAbstract:
Nous etudions les effets des fortes excitations dans les superreseaux gaas/alas de type ii. On enregistre des spectres de luminescence a differents retards et on s'interesse au deplacement et a l'elargissement des formes de raie en fonction des epaisseurs des couches des materiaux constitutifs. L'un des effets de forte excitation, a savoir la renormalisation de l'energie de la bande interdite est etudie en detail. On montre que le sens de la renormalisation du gap met en jeu la competition entre les effets a n-corps, essentiellement d'echange dans notre approximation (approximation de hartree-fock) et le terme electrostatique (ou de hartree) qui est une consequence de la separation spatiale des electrons et des trous dans des couches differentes. L'importance de ce terme nous a pousse a la modeliser en le calculant de facon self-consistante. Dans certains types d'echantillons a grande periode, une transition a seuil tres brusque a ete observee. La nouvelle phase qui apparait presente toutes les caracteristiques associees a la formation d'une phase liquide de goutte electron-trou. Cependant l'analyse theorique prevoit une densite pour la goutte d'un ordre de grandeur inferieur a celle deduite experimentalement. On se heurte donc a de grosses difficultes d'interpretation et le probleme reste ouvert
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Bremme, Laura Emmanuelle. "Dispersion and mixing of bands with X-symmetry in GaAs/AlAs systems." Thesis, University of Oxford, 2001. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.394015.
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Woodward, Ted K. McGill T. C. McGill T. C. "Experimental studies of heterostructure devices : resonant tunneling transistors and GaAs/AlAs capacitators /." Diss., Pasadena, Calif. : California Institute of Technology, 1988. http://resolver.caltech.edu/CaltechETD:etd-02022007-093432.
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Krieger, Matthias. "Near infrared Brillouin scattering in epitaxial AlxGa₁-xAs layers and AlAs-GaAs-superlattices /." Lausanne, 1994. http://library.epfl.ch/theses/?nr=1238.
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Denk, Petra. "Growth and Electronic Properties of AlAs/GaAs Lateral Superlattices: from 2D to 1D." Diss., lmu, 2000. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bvb:19-2788.
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Awan, Iram Taj. "Optical and transport properties of p-i-n GaAs/AlAs resonant tunneling diode." Universidade Federal de São Carlos, 2014. https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/4981.
Full textAbstract:
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Previous issue date: 2014-05-26<br>Universidade Federal de Minas Gerais<br>In this thesis, we have investigated the optical and transport properties of a p-i-n GaAs-AlAs resonant tunneling diode (RTD). The possibility of controlling and significantly varying the density of carriers accumulated at different layers of this structure simply by applying an external bias makes it very useful to investigate various fundamental issues. Furthermore, the process of tunneling that critically depends on the alignment from confined energy levels and the injection of carriers that attain quasi - equilibrium distribution at distinct accumulation layers makes this structure very special for analyzing optical properties in general, and in special, spin-polarization effects when an external magnetic field is applied to the RTD. Particularly, two emission bands were observed for the quantum well (QW) of our structure and were associated to the recombination of electrons and holes that tunnel into the QW and may recombine either as an exciton involving the fundamental states of the QW or a transition involving an acceptor state in the QW. It was also observed that the relative intensity of these emission bands strongly depend on the applied bias voltage. The optical recombination involving acceptors states becomes relatively more efficient as compared to the excitonic recombination for higher densities of electrons in the QW. This effect was discussed considering how the electron carrier density depends on the applied voltage and other effects such the capture rate of holes by the acceptors and electron and hole differences concerning mobility, effective mass and tunneling processes. We have also investigated spin properties of the tunneling carriers in our device by measuring the polarization-resolved electroluminescence from the quantum well (QW) and the contact layers under low temperatures and high magnetic fields, up to 15 T. Under these conditions, we have observed that the QW emission presents a large negative polarization degree which depends on the external applied bias voltage. The VII QW spin polarization shows oscillations and abrupt changes at the electron resonant peak. The results are mainly attributed to the abrupt changes of intensity of the two QW emission lines. Furthermore, the contact-layer emission have also shown voltage dependent emission lines that were attributed to the two-dimensional electron gas formed at the accumulation layer under an applied bias. The contact-layer emission presents a large negative polarization degree which is also voltage dependent. The QW spin polarization degree was discussed considering different effects such as the presence of neutral acceptors in the QW, the voltage control of carrier densities in the device, hole and electron tunneling processes and the spin injection of spin polarized two-dimensional gases formed at the accumulation layers.<br>Neste trabalho, estudamos as propriedades óticas e de transporte de diodos de tunelamento ressonante de GaAs-AlAs do tipo p-i-n. Observamos duas emissões no poço quântico (QW) que foram associadas a recombinação e eletrons e buracos que tunelam no QW e que podem recombinar com os níveis confinados no QW ou com o nível de impureza aceitadora no QW. Foi observado que a intensidade relativa dessas bandas é bastante sensível a voltage aplicada. Em particular, a emissão ótica relativa a impureza mostrou ser mais eficiente na condição de voltagem que resulta em alta densidade de portadores no QW. Estudamos também efeitos de spin nesses dispositivos na presença de altos campos magnéticos de até 15T. Observamos que polarização de spin de portadores é controlada por voltagem aplicada. Em particular, observamos que a polarização de spin apresenta fortes oscilações e variações abruptas dependendo da voltagem aplicada no dispositivo . Esse efeito foi associado a mudanças importantes de densidade de carga acumulada no QW em função da voltage aplicada. Foi também observado uma emissão fortemente dependente da voltagem na região dos contatos que foi associada a formação de uma gas bidimensional de eletrons (2DEG) com alto grau de polarização circular. A polarização de spin no QW foi associada a presença de impurezas , efeitos de injeção de portadores spin polarizados no QW, variação de densidade de portadores no QW, processos de tunelamento de eletrons e buracos e etc.
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Ghofar, Abdul. "Population biology and fishery of squid and cuttlefish in the Alas Strait, Indonesia." Thesis, Bangor University, 1989. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.330106.
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Tanaka, Martín. "Breves impresiones sobre el XX Congreso de la Asociación Latinoamericana de Sociología (ALAS)." Pontificia Universidad Católica del Perú, 2013. http://repositorio.pucp.edu.pe/index/handle/123456789/115113.
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Turc, Sylvie. "La famille et les relations familiales dans l'oeuvre narrative de Leopoldo Alas, "Clarín"." Paris 4, 1993. http://www.theses.fr/1993PA040049.
Full textAbstract:
Les recherches sur la famille et les relations familiales dans l'oeuvre narrative de Leopoldo Alas, 'Clarin', s'orientent vers une présentation des différents types de famille et de leurs facteurs d'élaboration : une analyse du couple à travers le prisme de la sexualité ; une étude de la place de l'enfant et du sacerdoce des parents ; enfin,un élargissement sur les concepts de "mort" et de "religiosité" qui incitent à redéfinir les notions de famille et de relations familiales. En effet, ces dernières éclatent et s'étendent à la famille-humanité guidée par l'altruisme<br>The research on the family and the familial relationship in the narrative work of Leopoldo Alas,'Clarin',is turned towards a presentation of the different types of families and their factors of development. .
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Benhlal, Jamal-Tahir. "Transport perpendiculaire et propagation guidee dans les superreseaux gaas-alas de courte peride." Paris 7, 1989. http://www.theses.fr/1989PA077010.
Full textAbstract:
La premiere partie concerne l'etude a basse temperature du transport perpendiculaire des excitons dans les superreseaux gaas-alas de courte periode. En mesurant le comportement temporel de la luminescence d'un puits quantique elargi - insere dans la structure - en fonction de l'epaisseur du superreseau la separant de la surface on determine le coefficient de diffusion des excitons. Le libre parcours moyen trouve est comparable avec ce que l'on trouve pour les materiaux massifs. Le transport est donc un transport de bande (de bloch). Un modele de diffusion a une dimension est utilise pour expliquer les resultats experimentaux. Dans la seconde partie, j'etudie la phototransmission de la lumiere guidee le long d'un puits quantique immerge dans un superreseau gaas-alas de courte periode qui sert de guide. Les regles de selection des transitions exciton lourd et exciton leger en fonction de la polarisation - parallele ou perpendiculaire aux couches - sont verifies. L'evaluation quantitative du coefficient d'absorption excitonique est en accord avec la valeur theorique. Enfin, avec une polarisation intermediaire, je mesure la dispersion de la birefringence
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KUHN, OLIVIER. "Electroluminescence et transport bipolaire dans des heterostructures gaas/alas a effet tunnel resonnant." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1996. http://www.theses.fr/1996GRE10179.
Full textAbstract:
Nous etudions les emetteurs optiques a base d'heterostructures bipolaires a effet tunnel resonnant. Les processus d'injection et d'echappement par effet tunnel resonnant, ainsi que les phenomenes d'accumulation et de redistribution de charges d'espace sont abordes. Un schema simple est etabli pour interpreter l'analyse des intensites d'electroluminescence comme une mesure selective du transport d'electrons et de trous. Les vallees satellites de la structure de bandes jouent un role important dans les proprietes electriques et optiques des heterostructures gaas/alas. Par des experiences sous pression hydrostatique, il est demontre que le transport de porteurs de charges est principalement soutenu par les chemins de transport les plus bas energetiquement qui, dans le regime d'alignement de bandes de type-ii, impliquent les vallees x dans l'alas (transport a multiples vallees). Dans nos structures, l'electroluminescence dans le regime de type-ii est du a une recombinaison d'electrons dans l'alas avec de trous dans le gaas. La separation en espace des porteurs de charge a pour consequence des effets electro-optiques tels qu'un decalage vers le bleu et un comportement anormal sous pression de l'energie de raie d'electroluminescence. En presence de champs magnetiques intenses, le decalage vers le bleu est module avec une periodicite en 1/b. Ces magneto-oscillations, qui apparaissent aussi dans l'intensite et la largeur de raie, ainsi que dans le courant, s'expliquent par une modulation du champ electrique local a travers une modulation de la densite d'electrons dans l'alas en presence d'un champ magnetique. Dans une conception asymetrique de l'heterostructure bipolaire a effet tunnel, qui augmente l'accumulation de trous, la retroaction electrostatique entre les charges d'electrons et de trous entraine une bistabilite de courant comparable a la caracteristique courant-tension d'un thyristor
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Helmholz, Dirk. "Enhanced and stimulated photoluminescence of type-II GaAs/AlAs superlattices : theory and experiment /." View Abstract or Full-Text, 2002. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?PHYS%202002%20HELMHO.
Full textAbstract:
Thesis (M. Phil.)--Hong Kong University of Science and Technology, 2002.<br>Includes bibliographical references (leaves 91-97). Also available in electronic version. Access restricted to campus users.
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Kleckner, Todd Christopher. "Quasi-phase-matched nonlinear frequency conversion in periodically disordered GaAs/AlAs superlattice-core waveguides." Thesis, University of Glasgow, 2002. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.249977.
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Bosc, Fabien. "Centre DX et mobilité électronique dans les superréseaux GaAs/AlAs-application capteur de pression." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20169.
Full textAbstract:
L'objet de ce travail est de montrer l'interet que peuvent presenter les superreseaux gaas/alas pour la realisation d'un capteur de pression hydrostatique fonctionnant entre la temperature ambiante et 200c, dans la gamme de pression comprise entre 0 et 2kbar. Ce travail fait suite a une etude realisee sur l'alliage gaalas dans laquelle avait ete demontree la grande sensibilite de ce materiau a la pression pour une concentration en aluminium comprise entre 25% et 40%. Pour reduire la sensibilite a la temperature du dispositif initialement propose, l'idee avancee au laboratoire, a ete d'utiliser un pseudo-alliage gaas/alas dont les proprietes electroniques pouvaient etre mieux controlees, tant du point de vue de la structure de bande que du mode de dopage. Pour cela, nous avons dans un premier temps, etabli les modeles permettant d'optimiser les structures adaptees aux objectifs recherches, sans oublier de tenir compte des limites technologiques imposees par les fabricants. Une fois les structures realisees, nous nous sommes interesses a la comprehension des effets du dopage sur les proprietes electroniques du superreseau (resistivite, mobilite, concentration de porteurs). Nous avons alors utilise une methode experimentale couplant les techniques du transport a celles des hautes pressions. L'equipement utilise nous permet d'etudier, sur une large gamme de temperature (77k-450k), les proprietes electriques d'un meme echantillon dont on modifie la structure de bande par application de la pression. Les resultats ont ensuite ete confrontes au modele que nous avons etabli, dans lequel etati pris en compte le caractere particulier du centre dx qui controle la conduction. Une bonne comprehension des proprietes electriques du centre dx necessite une bonne connaissance des mecanismes de diffusion et de correlations des charges (2 etats de charges d#+ et dx#- du centre dx) qui controlent la valeur de la mobilite de hall. La aussi, il existe une difference notable entre l'alliage (gaal)as et le superreseau gaas-alas. Sur la base des resultats obtenus, nous avons pu montrer la validite de l'idee avancee selon laquelle les superreseaux etaient plus adaptes que l'alliage pour realiser des capteurs performants.
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Danan, Gilles. "Proprietes optiques et structure de bande des super-reseaux de courte periode gaas-alas." Paris 6, 1988. http://www.theses.fr/1988PA066179.
Full text
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Md, Zawawi Mohamad Adzhar bin. "Advanced In0.8Ga0.2As/AlAs resonant tunneling diodes for applications in integrated mm-waves MMIC oscillators." Thesis, University of Manchester, 2015. https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/theses/advanced-in08ga02asalas-resonant-tunneling-diodes-forapplications-in-integrated-mmwaves-mmic-oscillators(4fe1e777-f2ba-43c1-b37c-6a446abf2701).html.
Full textAbstract:
The resonant tunneling diode (RTD) is the fastest electron device to-date in terms of its ability to generate continuous-wave terahertz frequency at room temperature, owing to its unique characteristic of negative differential resistance (NDR). In this work, a lattice-matched In0.53Ga0.47As (on InP) is used as the cladding layer, while a highly-compressive strained In0.8Ga0.2As is sandwiched between two tensile-strained pseudomorphic AlAs barriers to form the active double barrier quantum well RTD structure grown by Molecular Beam Epitaxy. The ultimate aim of this work was to integrate an optimised RTD into an oscillator circuit to enable a 100 GHz (W-band) MMIC RTD oscillator. One of the key challenges in this work was to improve the DC performance of the RTD, through extensive material and structural characterisations. Growing nano-scale epitaxial layers require a high degree of controllability with mono-layer precision. The dependencies of the NDR components, such as the peak current density, peak voltage and peak-to-valley current ratio (PVCR) towards variations in structural thickness were studied systematically. Through this work, it is found that the peak current density is strongly affected by monolayer variation in barrier thickness. The effect of quantum well thickness variation towards peak current density is relatively weaker. Interestingly, variation in spacer layer thickness has very little influence towards the magnitude of the peak current density. The fabrication of the RTD using a conventional i-line optical lithography created its own challenge. The process capability to reduce mesa active area down to sub-micrometer level to reduce device’s geometrical capacitance for high frequency, THz applications has been made feasible in this work. The conventional i-line optical lithography was combined with a newly developed tri-layer soft reflow technique using solvent vapour resulted in sub-micrometer RTDs. The DC characterisation of the fabricated RTDs showed excellent device scalability, indicating a robust processing. This novel sub-micron processing technique with high throughput and repeatability is a very promising low cost technique. A collaborative effort between the University of Manchester and Glasgow paved the way towards the realisation of an integrated W-band RTD MMIC oscillator. The circuit-combining topology was designed by the High Frequency Electronics Group in Glasgow while the mask-layout and oscillator fabrication took place in Manchester. An active RTD from sample XMBE#301 with peak current density of 1.4 x 105 A/cm2 and PVCR of 4.5 was integrated into a 100 GHz MMIC oscillator to successfully produce a measured frequency of 109 GHz with an un-optimised 5.5 μW output power at room temperature (mesa area = 4x4 μm2).
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Danan, Gilles. "Propriétés optiques et structure de bande des super-réseaux GaAs-AlAs de courte période." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37612877v.
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Löfling, Emil. "”But alas – where are any Lovecraft pieces?” : En narratologisk undersökning av H.P. Lovecrafts noveller." Thesis, Uppsala universitet, Litteraturvetenskapliga institutionen, 2013. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-219145.
Full textAbstract:
Uppsatsen undersöker H.P. Lovecrafts noveller "The Shadow out of Time" och "The Outsider" ur ett narratologiskt perspektiv med syftet att hitta återkommande narratologiska mönster i de två novellerna.
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Semtsiv, Mykhaylo. "InGaAs-AlAs and InGaAs-InGaP strain-compensated heterostructures for short wavelength intersubband transitions and lasers." Doctoral thesis, [S.l. : s.n.], 2004. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=972710450.
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Pietka, Barbara. "Complexes Excitoniques dans des Boîtes Quantiques Naturelles dans des Structures GaAs/AlAs de type II." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2007. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00179386.
Full textAbstract:
Des boîtes quantiques à fort confinement tridimensionnel et de très basse densité (106cm-2) ont été démontrées dans des structures qui ont été originellement développées comme des double puits quantique de GaAs/AlAs avec des barrières de GaAlAs. Le fait que ces structures soient de type II permet de détecter les boîtes quantiques très facilement grâce à la très longue durée de vie des excitons indirects (de l'ordre de quelques millisecondes) et à leur capacité à diffuser efficacement (jusqu'à 100mm) dans les pièges zéro dimensionnels. Cet effet est généralement difficile à obtenir dans les structures directes. Les boîtes quantiques peuvent donc être facilement remplies par des excitons, provoquant la formation, non seulement d'excitons, mais aussi d'excitons chargés et de biexcitons, et également de molécules excitoniques plus complexes montrant un caractère zéro dimensionnel.<br />Ce travail est consacré à l'étude des complexes excitoniques fortement confinés, à leur nature et aux processus permettant leur formation.<br />Nous présentons des études spectroscopiques de l'émission d'une boîte quantique unique sous différentes conditions d'excitation et détectée de différentes manières.<br /> La possibilité de contrôler optiquement le nombre d'électrons et de trous qui occupent les niveaux discrets des boîtes quantiques nous a permis d'étudier la formation de complexes multi-excitoniques en fonction de la densités d'excitons. Les effets observés sont décrits par le modèle de la normalisation des bandes d'énergie comprenant les effets multi-corps, les interactions d'échange et les effets de corrélation.<br />L'influence d'un champ magnétique sur les complexes multi-excitoniques est d'abord discutée. De manière générale, il est montré comment l'application d'un champ magnétique modifie la structure énergétique des transitions observées. Des propriétés typiques de boîtes quantiques telles que l'effet Zeeman, décalage diamagnétique et l'énergie de liaison excitonique sont discutées. Ces études ont permis une analyse de la symétrie et de la taille du potentiel de confinement des boîtes.<br />Ensuite, les mécanismes de capture d'excitons dans les boîtes sont considérés. Le rôle important des processus de diffusion contribuant au temps de relaxation de l'émission des boîtes quantiques uniques est discuté sur la base d'expériences de spectroscopie résolue en temps.<br />Le rôle des processus radiatifs et non radiatifs dans l'émission de complexes multi-excitoniques est montré dans l'émission thermiquement activée de boîtes quantiques uniques.<br />Les mesures de corrélation de photon ont permis la classification des différentes lignes d'émission des complexes multi-excitoniques, d'étude du caractère de mécanisme de capture des porteurs photo-créés et la dynamique des fluctuations de charge caractéristiques d'une boîte quantique unique.<br />L'approche expérimentale à un problème de boîte quantique unique est largement discutée et des modèles théoriques sont appliqués pour décrire les effets observés.
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Shaik, Khaleelulla Saheb [Verfasser], and Gerd [Akademischer Betreuer] Jürgens. "Role of Wol and Alas in Drosophila skin differentiation / Khaleelulla Saheb Shaik ; Betreuer: Gerd Jürgens." Tübingen : Universitätsbibliothek Tübingen, 2012. http://d-nb.info/1162842881/34.
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Dixon, Simon W. C. "Molecular cloning and characterisation of the delta-aminolaevulinate synthase gene (delta-ALAS) in Aspergillus nidulans." Thesis, University of Leicester, 1994. http://hdl.handle.net/2381/34404.
Full textAbstract:
delta-Aminolaevulinate synthase (delta-ALAS) is the first enzyme in the haem biosynthetic pathway, catalysing the condensation of succinyl CoA and glycine to form delta-aminolaevulinic acid (delta-ALA). The enzyme delta-ALAS has been studied in a number of species including yeast, a facultative anaerobe, and multicellular eukaryotes. The primary structure of the protein from a number of species exhibit regions of highly conserved amino acids, and a nucleotide probe based on one region was designed and used to clone the structural gene for delta-ALAS from the filamentous fungus Aspergillus nidulans. The cloned gene, hemA, was sequenced and found to possess a single intron, of 64bp, located between 355 and 419nt in the gene; between amino acids 119 and 120 of the protein. The deduced protein sequence, of 648 amino acids, shows 64% identity over the carboxyl domain of the protein derived from the yeast HEM1 gene. The amino-terminal sequence consists of basic amino acids, believed to be involved in mitochondrial targeting, and is consistent with observations on other delta-ALAS proteins. One copy of the hemA gene was disrupted in a diploid strain of A. nidulans following the transformation with a suitable disruption vector. The recessive hemA-mutant strain was isolated by mitotic haploidisation and shown to have an absolute requirement for delta-ALA, not replaceable by haem supplied in the medium. Genetic analysis by mitotic haploidisation of a heterozygous diploid constructed between a hemA-mutant and a suitable mapping strain, located the hemA gene to chromosome VII of A. nidulans.
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Gougam, Adel Badreddine. "Etude de la magnétorésistance négative et de la localisation faible dans les superréseaux GaAs-AlAs." Montpellier 2, 1997. http://www.theses.fr/1997MON20176.
Full textAbstract:
Dans ce travail, nous presentons des mesures de conductivite et de magnetoresistance negative effectuees sur des superreseaux gaas-alas quasi-3d et quasi-2d. Ces mesures ont ete faites dans la gamme de temperature 0. 3 k<t<30k avec un champ magnetique allant jusqu'a 1 tesla. Nous avons par ailleurs utilise la propriete interessante qu'est la phoconductivite persistante particuliere aux systemes a centres dx pour augmenter la conductivite des echantillons. Nous avons utilise aussi bien une approche perturbative que self-consistante (recemment etablie) de la theorie de localisation faible pour modeliser les resultats experimentaux. L'accent a ete mis sur ce dernier modele etant donne que nos echantillons se presentent dans une region proche de la transition metal-isolant. Nous avons aussi discute l'aspect anisotrope des echantillons etudies en termes d'anisotropie de la constante de diffusion elastique et/ou du temps de diffusion elastique suivant la nature de la surface de fermi (propagative ou diffusive). Enfin, nous avons inclus la deuxieme correction quantique a la conductivite de boltzmann qui est l'interaction electron-electron ; l'ajustement theorique a ete de fait nettement ameliore. L'information physique importante qui a ete deduite de la modelisation est que le temps de coherence de phase # varie en t#-#1 ; ceci implique que les collisions electron-electron dans le regime sale (dirty limit) sont responsables de la perte de coherence de phase independamment de la modulation de dopage dans les superreseaux quasi 3-d.
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Iwabuchi, Akifumi. "The people of the Alas valley : a study of an ethnic group of Northern Sumatra /." Oxford : Clarendon press, 1994. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb35735758b.
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Ben, Gsim Abdessafar. "Contribution à l'étude hydrogéologique du bassin versant de l'Oued Ras El Ma (Alas tunisien central)." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37602819g.
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Fillière, Carole. "Le lien et la rupture. Écriture de l’ironie et de l’intime dans l’œuvre de Leopoldo Alas Clarín (1852-1901)." Thesis, Paris 3, 2009. http://www.theses.fr/2009PA030054.
Full textAbstract:
Cette thèse aspire à renouveler la lecture de l’œuvre de Leopoldo Alas Clarín à partir d’une analyse stylistique de l’intégralité de ses écrits en prose, sans perspective hiérarchique. Elle fait appel aux références culturelles de l’auteur et aux échos internes à son œuvre pour décrire son vitalisme intellectuel. Le style clarinien naît de la combinaison dynamique d’une esthétique ironique et d’une création intime, qui matérialise le contraste entre le lien et la rupture, figures fondatrices de l’œuvre. Les études menées croisent les champs de l’ironie et de l’empathie artistique, communément associées à deux postures disjointes – distance et proximité – et les réunissent dans un regard porté sur le phénomène d’intimité textuelle. Leur objet est de saisir les particularités d’un réalisme complexe qui porte l’empreinte d’une subjectivité créatrice forte et qui cherche à exprimer une vérité humaine mouvante et contrastée. La première partie opère un déplacement conceptuel : l’ironie est conçue comme un mode de représentation et non comme un instrument au service de la satire. Elle construit un système vocal de relations textuelles dans un mouvement intégrateur des emprunts qui manifeste la puissance du démiurge et qui défie le lecteur à partir des failles du langage. La deuxième partie s’intéresse à une écriture qui s’efforce de représenter le sujet intime dans ses défaillances, comme être délié et voix brisée. Le secret intime, en dépit des limites du langage, comporte néanmoins un fond d’espoir et de transcendance déposés dans le lien esthétique, éthique et religieux. L’œuvre clarinien est caractérisé par ses ambivalences : la complexité textuelle naît du contraste entre pouvoir et impuissance, entre spectacularité et secret<br>This dissertation aspires to renew the critical interpretation of Leopoldo Alas Clarín’s work through a stylistic analysis of all his prose writings, disregarding hierarchic matters. This new reading is based on the author’s cultural references and the internal echoes in his works in order to describe his intellectual vitality. Clarín’s style arises from the dynamic combination of aesthetics of irony and a creative work on intimacy, that materializes the contrast between connection and rupture, both key elements of his works. This study combines the fields of irony and artistic empathy, usually considered linked to two different positions –distance and proximity–, bringing them together in a single approach using the idea of textual intimacy. It aims at understanding the particularities of a complex realism that has the imprint of a strong creative subjectivity and is eager to express a contrasted human truth. The first part make! s a conceptual displacement in the figure of irony, from a rhetorical device subordinate to satire, to a mode of representation. Irony creates a system of voices and textual relations that integrates quotations, demonstrating the demiurgic power of the author who challenges the reader from within the language. The second part is focused on the way Clarín’s writing represents the inner self and his failures, as a broken being and a broken voice. The intimate secret, despite the limitations of language, reveals the existence of hope and discloses a view of the transcendence of the aesthetic, ethic and religious connection. The Clarín’s works are characterized by their ambiguity: the textual complexity arises from the contrast between power and helplessness, between the spectacular and the secret
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Laura, Rivadeneira José Luis. "Evaluacion genotoxica del tomate (lycopersicum esculentum) expuesto a plaguicidas mediante el test en alas de drosophila." Universidad Mayor de San Andrés. Programa Cybertesis BOLIVIA, 2008.
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Una de las hortalizas más consumidas en la ciudad de La Paz es el tomate (Lycopersicum esculentum), que durante su cultivo y antes de ser consumido es sometido a una serie de plaguicidas, generando residuos de éstos, los que pueden producir un daño al organismo. En el presente estudio se realizó la evaluación toxicológica y genotoxicológica del tomate de la localidad de Luribay. Larvas de Drosophila melanogaster procedentes de los cruces estándar (ST) y alta bioactivación (HB) fueron alimentadas con el extracto de tomate a concentraciones del 50 y 100 %, no existiendo una toxicidad para ambos cruces. La evaluación genotóxica se realizó por el test de mutación y recombinación somática en alas de Drosophila, con marcadores genéticos mwh y flr3. El tomate de Luribay es inconclusivo a las concentraciones del 50 y 100 % para el cruce ST, en cambio es positivo para el cruce HB a la concentración del 100 % e inconclusivo al 50 %, la genotoxicidad probablemente es debida al metabolito secundario del organofosforado clorpirifos (tricloropiridinol) y a otros plaguicidas usados en el cultivo de esta hortaliza. También se evaluó el plaguicida comercial Lorsban 48E, que presenta concentraciones tóxicas y subtóxicas. Para el cruce ST, Lorsban 48E tiene una respuesta inconclusiva, en cambio es genotóxico para el cruce de HB a las concentraciones de 0.1, 0.05, y 0.015 p.p.m debido a los componentes de la formulación del plaguicida: el clorpirifos, xilol y emulsionantes.
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Laura, Rivadeneira José Luis. "Eevaluación genotóxica del tomate (lycopersicum esculentum) expuesto a plaguicidas mediante el test en alas de drosophila." Universidad Mayor de San Andrés. Programa Cybertesis BOLIVIA, 2008.
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Una de las hortalizas más consumidas en la ciudad de La Paz es el tomate (Lycopersicum esculentum), que durante su cultivo y antes de ser consumido es sometido a una serie de plaguicidas, generando residuos de éstos, los que pueden producir un daño al organismo. En el presente estudio se realizó la evaluación toxicológica y genotoxicológica del tomate de la localidad de Luribay. Larvas de Drosophila melanogaster procedentes de los cruces estándar (ST) y alta bioactivación (HB) fueron alimentadas con el extracto de tomate a concentraciones del 50 y 100 %, no existiendo una toxicidad para ambos cruces. La evaluación genotóxica se realizó por el test de mutación y recombinación somática en alas de Drosophila, con marcadores genéticos mwh y flr3. El tomate de Luribay es inconclusivo a las concentraciones del 50 y 100 % para el cruce ST, en cambio es positivo para el cruce HB a la concentración del 100 % e inconclusivo al 50 %, la genotoxicidad probablemente es debida al metabolito secundario del organofosforado clorpirifos (tricloropiridinol) y a otros plaguicidas usados en el cultivo de esta hortaliza. También se evaluó el plaguicida comercial Lorsban 48E, que presenta concentraciones tóxicas y subtóxicas. Para el cruce ST, Lorsban 48E tiene una respuesta inconclusiva, en cambio es genotóxico para el cruce de HB a las concentraciones de 0.1, 0.05, y 0.015 p.p.m debido a los componentes de la formulación del plaguicida: el clorpirifos, xilol y emulsionantes