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Dissertations / Theses on the topic 'Alinism'
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1
BERBEC, IONELA SIMONA. "ALINING PROJECTSCOPE ANDDELIVERABLES WITHBUSINESS STRATEGY." Thesis, KTH, Tillämpad maskinteknik (KTH Södertälje), 2014. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-152215.
Full text
2
Gunes, Asli. "Synthesis Of Alinite Cement Using Soda Solid Waste." Master's thesis, METU, 2010. http://etd.lib.metu.edu.tr/upload/12612545/index.pdf.
Full textAbstract:
This study is dedicated to give a production route for a kind of low energy cement called alinite cement using the waste material of soda industry as the main raw material.
Soda solid waste, clay and minor amount of iron ore were mixed with certain quantities and burned at six different burning temperatures of 1050, 1100, 1150, 1200, 1350, and 1450 º<br>C. The resultant clinkers were investigated by mineralogical and chemical analysis. Mineralogical analyses were performed by X-Ray Diffraction (XRD) technique. XRD analyses revealed the formation of alinite phase in the clinkers. Chemical analyses were performed by X-Ray Fluorescence spectroscopy technique and by wet chemical analysis. Especially, free lime content of the clinkers was searched and an optimum burning temperature was determined.
In order to find the compressive strength of the alinite cement, larger amounts of alinite clinker were manufactured in wet rod shape raw mix in a laboratory type of furnace at 1200, 1350 and 1450 º<br>C.
The results have shown that forming alinite phase requires ~6wt % chlorine. Alinite clinker is obtained using soda waste at the temperature range between 1050 and 1200 º<br>C. However, the free CaO becomes much lower as 0.12 at 1200 º<br>C. Moreover, a lime saturation factor of 76, which is lower than ordinary Portland clinker is obtained. Satisfactory compressive strength was achieved by gypsum addition.
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Pooley, Oliver James. "Electron transport in InSb/AlInSb semiconductor heterostructures." Thesis, University of Manchester, 2011. https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/theses/electron-transport-in-insbalinsb-semiconductor-heterostructures(42798359-2505-4a29-bfea-a32283c84fc6).html.
Full textAbstract:
InSb has the lowest bulk electron effective mass and the narrowest band gap of the III-V semiconductors, as well as a large dielectric constant and Lande g-factor, as a result of strong spin orbit coupling. These properties make it an exciting candidate for many different applications including high speed electronics and spintronics.This thesis presents a series of investigations on InSb/AlInSb quantum well (QW) heterostructures. The nature of transport through samples is characterised using magneto-transport measurements including Hall measurement, quantum Hall measurement, and Shubnikov de Haas oscillations. The QW 2 dimensional electron gas (2DEG) carrier densities and mobilities are extracted along with carrier densities and mobilities for transport parallel to the 2DEG. The mobilities are explained in terms of the various scattering mechanisms postulated to be present. The importance of thermally generated carriers in the lower AlInSb barrier material and the role of screening by carriers within the delta-doping plane are considered. A surface gate incorporating a gate dielectric is shown to significantly modify the transport properties and results in an increased mobility over ungated structures with the same carrier density.The measurement and analysis of transport into a 2DEG (Schottky barrier) is also presented and this transport modelled in the thermionic emission regime (by incorporation of an ideality factor) and the tunnelling regime. Gate electrodes are then used to confine the electrons in the 2DEG further to 1D. Conductance measurements are presented on split gates, demonstrating well formed conductance quantisation steps. The sensitivity of the steps presented suggest that split gates on InSb/AlInSb heterostructures could make suitable charge detectors in an electron spin qubit, an application which pushes InSb into being a practical candidate for quantum information devices.
4
Tumkaya, Umid. "Performance Assesment Of Indium Antimonide Photodetectors On Silicon Substrates." Thesis, METU, 2003. http://etd.lib.metu.edu.tr/upload/756403/index.pdf.
Full textAbstract:
In this study, detailed characteristics and performance assessment of 3&<br>#8722<br>5
µ<br>m p-i-n InSb photodetectors on Si substrates are reported. The detector epilayers were grown on GaAs coated Si substrates by molecular beam apitaxy (MBE). Both homojunction and single heterojunction (AlInSb/InSb) detector structures were investigated. Arrays of 33x33 µ<br>m2 detectors were fabricated and flip-chip bonded to a test substrate for detailed electrical and optical characterization. A peak detectivity as high as 1x1010 cmHz1/2/W was achieved with InSb homojunction
detectors on Si substrate in spite of the large lattice mismatch between InSb and Si (%19). In both homojunction and single heterojunction structures the differential resistance is significantly degraded by trap assisted tunneling (TAT) under moderately large reverse bias and by ohmic leakage near zero-bias. While the heterojunction structures provide a higher 80 K zero bias differential resistance, the
responsivity of this structure is significantly lower than that of homojunction InSb photodiodes. In both homojunction and heterojunction photodetectors, 80K 1/f noise is dominated by TAT processes, and the noise current at 1 Hz follows the
empirical relation in= &<br>#945<br>TAT(ITAT) &<br>#946<br>with &<br>#945<br>TAT&<br>#8764<br>1.1x10&<br>#8211<br>6 and &<br>#946<br>&<br>#8764<br>0.53.
5
MENDONÇA, Thaiane Alves. "ATLAS LINGUÍSTICO DE ICATU (ALinI)." Universidade Federal do Maranhão, 2017. http://tedebc.ufma.br:8080/jspui/handle/tede/1613.
Full textAbstract:
Submitted by Maria Aparecida (cidazen@gmail.com) on 2017-06-13T13:29:03Z
No. of bitstreams: 1
Thaiane Alves.pdf: 24241954 bytes, checksum: ebb2bd7eb5d73f76974759f72768d042 (MD5)<br>Made available in DSpace on 2017-06-13T13:29:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Thaiane Alves.pdf: 24241954 bytes, checksum: ebb2bd7eb5d73f76974759f72768d042 (MD5)
Previous issue date: 2017-04-20<br>CAPES<br>El Atlas Lingüístico de Icatu tiene el objetivo de identicar y mapear las variaciones
léxicas encontradas en esa localidad para ampliar el conocimiento del portugués
hablado en Brasil y, consecuentemente, en Maranhão, además de ofrecer subsidios para
las investigaciones en el área del lenguaje. Los presupuestos teórico metodológicos de
la Dialectología y de la Geolingüística orientan el análisis de este trabajo, por medio de
autores como Brandão, Coseriu, Ferreira y Cardoso, Isquerdo, Thun . El corpus de esta
investigación es constituido de las respuestas obtenidas por medio de la aplicación del
Cuestionario Semántico Lexical (QSL), elaborado por el Proyecto Atlas Lingüístico del
Brasil (ALiB) y adaptado por el Proyecto Atlas Lingüístico del Maranhão. El
cuestionario contiene 227 cuestiones que están distribuidas en 14 áreas semánticas:
accidentes geográficos; fenómenos atmosféricos; astros y tiempo; actividades
agropastoriles; fauna; cuerpo humano; ciclos de la vida; convivio y comportamiento
social; religión y creencias; juegos y diversiones infantiles; espacios y habitaciones;
alimentación y cocina; vestuario y accesorios; vida urbana. Se aplicó a 24 informantes
en cuatro puntos de investigación, Icatu (sede), Itatuaba, Itapera, Anajatuba, con seis
informantes en cada punto, distribuidos igualmente en tres fanjas etarias (franja etaria I -
18 a 30 años, franja etaria II - 50 a 65 años y franja etaria III - 70 años o más), en dos
sexos (masculino y femenino). Además de esos criterios, se seleccionó el informante
segundo el grado de escolaridad, naturalidad y ocupación o profesión. Basado en los
datos obtenidos se elaboraron 227 cartas semántico léxicas en las que se presenta la
variación lexical de los elementos investigados en el QSL, con el fin de registrar la
memoria lingüística de esa comunidad. Los datos demuestran la riqueza y la gran
diversidad del portugués hablado en la localidad. Como ejemplo tenemos las lexías
chupa-água, aurinus, barreiro y caiporal, que corresponden, respectivamente, a los
términos arco-íris, estrela d’alva, joão de barro y cigarro de palha, es necesario decir
que esos términos no aparecieron en las encuestas realizadas por el Proyecto ALiMA
en otras localidades de la Provincia de Maranhão.<br>O Atlas Linguístico de Icatu tem o objetivo de identificar e mapear as variações lexicais
encontradas nessa localidade para ampliar o conhecimento do português falado no
Brasil e, consequentemente, no Maranhão, além de oferecer subsídios para as pesquisas
na área da linguagem. Os pressupostos teóricos-metodológicos da Dialetologia e da
Geolinguística orientam a elaboração deste trabalho, através de autores como Brandão,
Coseriu, Ferreira e Cardoso, Isquerdo, Thun,. O corpus desta pesquisa é constituído das
respostas obtidas por meio da aplicação do Questionário Semântico-Lexical (QSL),
elaborado pelo Projeto Atlas Linguístico do Brasil (ALiB) e adaptado pelo Projeto Atlas
Linguístico do Maranhão (ALiMA). O questionário contém 227 questões que estão
distribuídas em 14 áreas semânticas: acidentes geográficos; fenômenos atmosféricos;
astros e tempo; atividades agropastoris; fauna; corpo humano; ciclos da vida; convívio e
comportamento social; religião e crenças; jogos e diversões infantis; espaços e
habitação; alimentação e cozinha; vestuário e acessórios; vida urbana. Foi aplicado a 24
informantes em quatro pontos de inquéritos, Icatu (sede), Itatuaba, Itapera e Anajatuba,
sendo seis informantes em cada ponto, distribuídos igualmente em três faixas etárias
(faixa etária I – 18 a 30 anos, faixa etária II – 50 a 65 anos e faixa etária III – 70 anos ou
mais), em dois sexos (masculino e feminino). Além desses critérios, o informante foi
selecionado segundo grau de escolaridade, naturalidade e ocupação ou profissão. Com
base nos dados obtidos foram elaboradas 227 cartas semântico-lexicais em que se
apresenta a variação lexical dos itens investigados no QSL, a fim de registrar a memória
linguística dessa comunidade. Os dados demonstram a riqueza e a grande diversidade
do português falado na localidade. Tomamos como exemplos as variantes lexicais
chupa-água, aurinus, barreiro e caiporal, que correspondem, respectivamente, aos
termos arco-íris, estrela d’alva, joão de barro e cigarro de palha, cabe ressaltar que
esses termos não apareceram nos inquéritos realizados pelo Projeto ALiMA em outras
localidades do Estado do Maranhão.
6
Barrou, Thomas. "Photodiodes a avalanche a multi-puits quantiques alinas/gainas." Paris 11, 1995. http://www.theses.fr/1995PA112391.
Full textAbstract:
Ce memoire concerne les photodiodes a avalanche a multi-puits quantiques dans le systeme de materiaux alinas/gainas accordes sur inp. Les structures etudiees presentent la particularite d'etre de type npnp avec une transition de composition graduelle entre la zone d'adsorption et celle de multiplication, contrairement aux approches developpees dans d'autres laboratoires qui etudient des dispositifs npp-p avec une zone de transition en inp. La structure etudiee, et plus particulierement la zone de transition, a ete optimisee a partir de simulations numeriques. Cela a permis d'obtenir des conditions de transport des porteurs satisfaisantes dans le composant. Une caracterisation des coefficients d'ionisation dans les structures multicouches a permis la determination des champs electriques necessaires a l'obtention du phenomene d'avalanche. Un facteur de multiplication de 10 ainsi qu'un facteur d'exces de bruit de 4 pour un fonctionnement a 10 gbit/s ont ete obtenus avec ces dispositifs. Cela a conduit a la realisation d'un photorecepteur dont la sensibilite calculee est de -30 dbm a 10 gbit/s
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Bearzi, Eric. "Caractérisations électro-optiques de couches AlInAs epitaxiées sur InP." Lyon, INSA, 1996. http://www.theses.fr/1996ISAL0100.
Full textAbstract:
Le matériau AllnAs, grâce à ses propriétés électriques et optiques; notamment la forte discontinuité de bande de conduction à l'hétérointerface AllnAs/GaInAs, est devenu un matériau clef dans la réalisation de dispositifs optoélectroniques et hyperfréquence à hétérojonction. L'optimisation des performances et des dispositifs passe par la maîtrise de la croissance du matériau et par une connaissance précise des défauts. Nous avons entrepris une étude des propriétés électriques et optiques en fonction des conditions de croissance de l'AlInAs. Le caractère semi-isolant des couches élaborées par épitaxie par jets moléculaires à basse température de croissance à été expliqué. Le piégeage des porteurs s'effectue sur un niveau nommé H2 généré par les défauts étendus présents dans le matériau. Les propriétés optiques ont également été étudiées en fonction des conditions de croissance. Nous avons montré que dans certaines conditions, un super réseau désordonné se forme dans le matériau et influence fortement les mesures<br>The AlInAs material thanks to his electrical and optical properties, especially the high discontinuity of the conduction band at the heterointerface AlInAs/GaInAs, has become a key material for the realisation of optoelectronics and hyperfrequencies devices at heterojunction. The optimum results of performances and devices needs the control of the material growth and a precise knowledge of its defects. We have begun a study on the AllnAs electrical and optical properties according to its growth conditions. We have explained the semi-insulating characteristics of the layers grown by Molecular Bearn Epitaxy at low temperature. The carriers trapping occurs at a level called H2 which is induced by the extended defects of the material. The optical properties have also been studied according to the growth conditions. We have demonstrated that, on special conditions, a disordered superlattice appears in the material and strongly affects the measurements
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Galloo, Jean-Sébastien. "Composants nanométriques balistiques de type GaInAs / AlInAs / InP pour applications terahertz." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2005/50376-2005-Galloo.pdf.
Full textAbstract:
Le développement de dispositifs pour le traitement de données à très haut débit et/ou à très haute fréquence nécessite la mise au point de circuits intégrés ultra-rapides. L'élément actif utilisé dans ces circuits est le transistor. Toutefois les transistors les plus performants sont limités à une fréquence de coupure du gain en courant fT d'environ 600 Ghz, pour une fréquence maximale d'oscillation (fMAX de 246 Ghz) pour le HBT, et une fréquence de coupure fT de 564 Ghz, pour une fréquence maximale d'oscillation (fMAX de 400 Ghz) pour le HEMT. Afin de dépasser ces limitations, nous proposons l'étude de nouveaux composants nanométriques basés sur l'exploitation du transport balistique à température ambiante. L'objectif de cette thèse est d'explorer les potentialités de ces dispositifs basés sur des hétérostructures de type GaInAs / AlInAs / InP. Des dispositifs passifs et actifs (avec et sans grille de commande Schottky) ont été étudiés. Un simulateur Monte Carlo 2D a été adapté à l'étude particulière des composants balistiques, puis des procédés de fabrication ont été mis au point pour les réaliser. Nous avons étudié, théoriquement et expérimentalement, les jonctions balistiques à trois branches, couramment utilisées dans la littérature. Cette étude a permis de réaliser un convertisseur balistique AC-DC, caractérisé jusqu'à 94 GHz, et de montrer le rôle prépondérant des éléments extrinsèques sur les limites fréquentielles. Nous avons également conçu et caractérisé un inverseur de courant. Ce dispositif est le premier dispositif balistique à grille Schottky fonctionnant à température ambiante. L'accord entre les simulations et les résultats électriques est excellent.
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Galloo, Jean-Sébastien Cappy Alain Roelens Yannick. "Composants nanométriques balistiques de type GaInAs / AlInAs / InP pour applications terahertz." Villeneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille, 2007. https://iris.univ-lille1.fr/dspace/handle/1908/535.
Full textAbstract:
Reproduction de : Thèse de doctorat : Électronique : Lille 1 : 2005.<br>N° d'ordre (Lille 1) : 3754. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre.
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Kalmteg, Emilia. "Verifiering av ny metod för P/S-Paracetamol på Abbott® Alinity serie ci." Thesis, Linnéuniversitetet, Institutionen för kemi och biomedicin (KOB), 2021. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:lnu:diva-104395.
Full textAbstract:
Paracetamol är den aktiva substansen i ett flertal smärtstillande läkemedel. Paracetamol äräven ett vanligt ämne vid självmordsförsök, då en överdos kan leda till livshotandeleverskador. Laboratoriet Klinisk Kemi i Karlskrona hade för avsikt att införa ett nyttreagens för kvantitativ in vitro analys av p-paracetamol på instrumentet Alinity serie cifrån Abbott®. Detta på grund av att reagenset från Abbott® inte behövde kalibreras likaofta som tidigare reagens. Syftet med studien var därför att genomföra en metodverifieringav reagenset Abbotts® Acetaminophen på två Alinity serie ci instrument. För attgenomföra en metodverifiering behövdes reagensets repeterbarhet och riktighetkontrolleras, samt en metodjämförelse genomföras. Detta gjordes genom att analysera enhög och en låg kontroll 25 gånger på masterinstrumentet och 20 gånger påslavinstrumentet. Därefter analyserades samma kontroller 5 gånger över fem dagar påmasterinstrumentet, samt 35 patientprover på både referensmetoden och den nya metoden.Det resultat som erhölls var att samtliga inomserie- och mellanserieprecisioner hade envariationskoefficient inom de riktlinje som företaget angivit. Metodjämförelsen visade ettlinjärt förhållande mellan de båda reagensen med en korrelationskoefficient på 0,9999.Den slutsats som drogs var att det fanns en god repeterbarhet för både master- ochslavinstrument gällande samtliga kontrollnivåer för inomserieprecisionen. Vidare, förmellanserieprecisionen på masterinstrumentet gav även detta en god repeterbarhet för bådakontrollnivåerna. Metodjämförelsen gav ett linjärt samband mellan de två metoderna ochhade en låg bias mellan varandra. Metodverifieringen kunde därför godkännas och den nyametoden Abbotts® Acetaminophen (Abbott Diagnostics) kunde tas i bruk på Klinisk Kemii Karlskrona.
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Kinzer, Michel [Verfasser], and Joachim [Akademischer Betreuer] Wagner. "Elektro-optische Charakterisierung der Dynamik von GaInAs / AlInAs Quantenkaskadenlasern im mehrmodigen Betrieb." Freiburg : Universität, 2012. http://d-nb.info/1123473641/34.
Full text
12
TEMMAR, ABDELKADER. "Photodiode metal-semiconducteur-metal (msm) alinas/gainas pour transmission sur fibre optique." Paris 6, 1992. http://www.theses.fr/1992PA066341.
Full textAbstract:
Les photodiodes metal-semiconducteur-metal font actuellement l'objet de nombreuses recherches, motivees par leur structure planaire qui se prete bien a leur integration monolithique avec des transistors ou des guides optiques semiconducteurs, ainsi que par leurs caracteristiques specifiques, en particulier leur tres faible capacite de jonction. Dans ce memoire, nous presentons l'etude d'une photodiode alinas/gainas adaptee a la detection des longueurs d'onde 1,3-1,6 m. Grace a l'utilisation de regions a gradualite de composition, les photodiodes realisees (gmsm) presentent des caracteristiques interessantes: courant d'obscurite de l'ordre du na, capacite de jonction inferieure a 40 ff, sensibilite de 0,6 a/w et largeur a mi-hauteur de leur reponse impulsionnelle inferieure a 50ps. L'absence de gain en basse frequence et de trainee dans la reponse impulsionnelle illustre l'absence de pieges en particulier en surface perturbant le fonctionnement du photodetecteur. Afin de verifier les possibilites offertes par ce type de composant en optoelectronique monolithique, l'integration d'une photodiode gmsm et d'un transistor a effet de champ a heterostructure alinas/gainas a ete etudiee. Une structure quasi-planaire a ete realisee, mettant en uvre une implantation d'isolation sous le canal du transistor
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Alshaeer, Fadwa. "A study of current transport in Schottky diodes based on AlInSb/InSb-QW heterostructures." Thesis, Cardiff University, 2018. http://orca.cf.ac.uk/115388/.
Full textAbstract:
The major objective of this thesis is the analysis of novel AlInSb/InSb QW Schottky diodes which may play an important role in future low-power high-speed electronic devices such as FETs, as well as showing promise for high frequency rectification. Although InSb has the highest electron mobility among the III-V semiconductors, due to lattice mismatch with common binary substrates, its 2DEG systems have far less mobility than anticipated values. The large lattice mismatch between AlInSb alloy and the substrate GaAs in AlInSb/InSb system results in a high density of structural defects which results in a high leakage current. Both large leakage current and low barrier height introduce difficulties in forming good Schottky diodes. Schottky diodes in this material system are largely unexplored. Two different planar structure designs (elementary, and surface channel) were used in this thesis to form AlInSb/InSb QW Schottky diodes. Various surface treatments were trialled to suppress diode leakage current. The fabricated AlInSb/InSb QW Schottky diodes were evaluated based on I-V measurements over a wide range of temperatures 3-290 K. Various models are evaluated and successfully used to describe the I-V characteristics of these AlInSb/InSb QW Schottky diodes. Depending on the applied surface treatment, two barrier heights (Φ).
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Meva'a, Charles Simon. "Caractérisation électrique du matériau AlInAs élaboré par épitaxie par jets moléculaires à basse température." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1996. http://www.theses.fr/1996ECDL0056.
Full textAbstract:
L'objectif de ce travail est l'etude des proprietes electriques du materiau alinas elabore par epitaxie par jets moleculaires a basse temperature de croissance (< 500c). Il s'agit en particulier d'identifier les niveaux de defauts presents dans le materiau, de determiner la nature et l'origine de ces defauts, ainsi que leur influence sur le comportement electrique d'un composant simple, la diode schottky/alinas. Pour caracteriser le materiau, nous avons utilise trois methodes de mesures: les mesures de courant en fonction de la temperature, les mesures de bruit basse frequence (bbf), et les mesures de spectroscopie d'admittance (sa), appliquees aux diodes schottky et aux structures tlm (transmission line model). Nous avons identifie 5 niveaux de defauts dans le materiau, dont deux de type accepteurs compensateurs, l2 (e#c - 0,4 ev) et h2 (e#v + 0,48 ev), responsables du caractere semi-isolant observe a basse temperature de croissance. Le niveau de defauts dominant est le niveau donneur l3 (e#c - 0,6 ev). Nous avons mis en evidence dans les diodes schottky, la presence d'un courant tunnel assiste par les defauts et son influence sur la hauteur de barriere schottky. Nous avons demontre que le bruit en 1/f provient des fluctuations de la hauteur de la barriere schottky, dues aux fluctuations du taux d'occupation des defauts
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Roucher, Vincent. "Etude de HEMT's AlInAs/GaInAs à désertion et à enrichissement pour applications haute fréquence." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-188.pdf.
Full textAbstract:
Les circuits fonctionnent à des fréquences toujours plus élevées. L'objectif de ce travail est de réaliser une technologie HEMT AlInAs/GaInAs; sur InP ou métamorphique sur GaAs, à désertion ou à enrichissement pour la conception de circuits d'architecture complexe fonctionnant à des débits au-delà de 100 Gb/s ou en gamme d'onde millimétriques. Après avoir modélisé la structure d'un HEMT à enrichissement, nous étudions la technologie la plus adaptée à la réalisation de transistors. Un HEMT N-OFF AlInAs/GaInAs métamorphique sur GaAs est obtenu (LG= 0,13 µm, fT = 155 GHz). Enfin, nous développons une technologie à double seuil. Les HEMTs ON AlInAs/GaInAs sur InP réalisés ont une tension de pincement de -0,48 V, (LG= 0,1 µm, fT = 210 GHz). Les HEMTs OFF réalisées ont une tension de pincement de 0 V (LG= 0. 14 µm, fT = 160 GHz). Ces transistors, à l'état de l'art, peuvent être réalisés sur le même substrat et ouvrent des perspectives pour la réalisation de circuits à haute fréquence.
16
Nottelmann, Bernd. "Einfluss von Vielteilchen-Effekten auf die Dynamik der kohärenten Intersubband-Polarisation in GaInAs/AlInAs-Quantentopfstrukturen." [S.l. : s.n.], 2002. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=967442826.
Full text
17
LE, BELLEGO YANN. "Photodiodes alinas/gainas pour transmissions optiques : composant passive a grande sensibilite et large bande passante." Caen, 1991. http://www.theses.fr/1991CAEN2015.
Full textAbstract:
Une photodiode de type pin a fenetre en algainas, a large bande passante et de grande sensibilite, presentant des caracteristiques stables, a ete etudiee. Un courant d'obscurite d'une dizaine de na, une capacite inferieure a 150ff, une largeur a mi-hauteur de la reponse impulsionnelle inferieure a 50ps et un rendement quantique tres proche de 100% ont pu etre ainsi obtenus. Ce composant repond aux exigences des telecommunications optiques a haut debit a 1,3 et 1,55 microns, et se presente comme le photodetecteur le plus approprie a l'integration pin-fet actuellement developpee au cnet. Afin d'etudier les potentialites de l'alinas et des puits quantiques alinas/gainas en tant que zone de multiplication des photodiodes a avalanche, les coefficients d'ionisation ont ete mesures dans ces materiaux. Des photodiodes a avalanche a absorption et multiplication separees, utilisables pour les telecommunications haut debit a 1,3 et 1,55 microns ont ete realisees, utilisant l'un et l'autre de ces materiaux comme zone de multiplication. Ces photodiodes montrent une grande sensibilite et un produit gain-bande superieur a 50ghz pour la structure utilisant les multi-puits quantiques alinas/gainas. Elles permettent en outre de confirmer les mesures des coefficients d'ionisation par la mesure du facteur d'exces de bruit. Enfin les resultats obtenus illustrent l'interet des multi-puits quantiques alinas/gainas par rapport a alinas pour la realisation d'une photodiode a avalanche a faible bruit et large bande passante
18
Biermann, Klaus. "Untersuchungen an auf InP basierenden Halbleitern mit sub-ps Responsezeiten." Doctoral thesis, [S.l.] : [s.n.], 2007. http://deposit.ddb.de/cgi-bin/dokserv?idn=985472715.
Full text
19
PALLA, RAMIRO. "Etude et realisation de transistors hemt alinas/gainas/inp pour circuits opto-electroniques a hauts debits." Paris 6, 1995. http://www.theses.fr/1995PA066684.
Full textAbstract:
Ce travail de cette these s'inserait dans la mise en place, au laboratoire de bagneux du cnet, d'une technologie permettant de realiser des circuits, a base de transistors hemt sur inp, pour communications optiques a hauts debits. La mise au point de la technologie de fabrication des composants, axee sur la reproductibilite et la faible dispersion des resultats a porte sur plusieurs points: reduction des fuites de grille parasites, controle du recess de grille, utilisation de la gravure par plasma. Nous avons mene une etude de fond sur la mise au point des contacts ohmiques, qui a permis d'en comprendre les mecanismes de formation et de degager une sequence de realisation adequate. Il est cependant rapidement apparu que l'amelioration des performances des transistors ainsi que le controle des caracteristiques obtenues rendaient indispensables un certain nombre d'optimisations. Avec l'aide de simulations numeriques, les differents parametres de la structure de couches semi-conductrices ont ete explores. Cette etude a permis de mieux comprendre le fonctionnement du transistor et d'en ameliorer la conception. Nous avons insere dans la structure une couche d'alinp qui reduit l'exces de courant de grille lie au phenomene d'ionisation par impact dans le canal. Elle permet une gravure selective de la couche de contact lors du recess de grille, ameliorant ainsi l'homogeneite de la tension de pincement des transistors. Nous avons enfin demontre l'interet des structures a dopage planaire pour la realisation de transistors a grilles courtes. L'ensemble des resultats obtenus se situe au meilleur niveau de l'etat de l'art. Cette etude est validee par la realisation d'un preamplificateur de photoreception fonctionnant a 10 gbit/s avec un gain transimpedance important
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Berthier, Philippe. "Transistors à effet de champ AlInAs/(Al)GaInAs(P) pour photodétection intégrée à 1,3-1,5 mum." Montpellier 2, 1993. http://www.theses.fr/1993MON20241.
Full textAbstract:
Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caracterisation de transistors a effet de champ a heterojonction (hfet) sur inp pour applications de photodetection a 1,3-1,55 microns. La modelisation en bruit du photorecepteur permet de montrer qu'a debit modere, il est necessaire de minimiser le courant de grille et le bruit bf du fet. Ceci justifie l'utilisation d'une structure a barriere grand gap alinas non dope et des materiaux quaternaires algainas et gainasp pour le canal. Le travail de conception des transistors concerne la composition et le dopage des couches canal et buffer et fait appel a la simulation numerique. La mise au point de la technologie porte particulierement sur les gravures de mesas, le recess de grille, les grilles submicroniques et la passivation. La caracterisation des fet en regimes statique, dynamique et en bruit est utilisee pour comparer differentes structures et pour qualifier la qualite des materiaux algainas, gainasp ainsi que celle de la technologie. La determination des sources de bruit du transistor permet egalement d'affiner la modelisation des photorecepteurs. L'ensemble du travail d'optimisation des transistors est valide par la realisation de modules de photoreception a base de hfet a canaux (al)gainas(p) et de preamplificateurs integres. Des sensibilites au niveau de l'etat de l'art mondial sont estimees pour des debits allant de 625 mbit/s a 10 gbit/s sur les photorecepteurs realises
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Alings, Kim-Kristin [Verfasser], Karl [Gutachter] Ubl, and Matthias [Gutachter] Becher. "Auctoritas. Semantische Studien zu einem Schlüsselbegriff des frühen Mittelalters / Kim-Kristin Alings ; Gutachter: Karl Ubl, Matthias Becher." Köln : Universitäts- und Stadtbibliothek Köln, 2020. http://d-nb.info/1240831919/34.
Full text
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SAHRI, NABIL. "Etude du regime transitoire dans les oscillateurs a super-reseau gainas/alinas par echantillonnage electro-optique picoseconde." Paris 7, 1996. http://www.theses.fr/1996PA077125.
Full textAbstract:
Nous avons mis en place une technique de mesure temporelle par echantillonnage electro-optique destinee a la caracterisation de composants rapides avec une resolution picoseconde. Une bande passante finale de 230 ghz, dans l'etat de l'art, a ete obtenue. Cette technique est appliquee a l'etude du regime transitoire dans des oscillateurs a super-reseau, avec comme objectif l'observation des effets de transport gouvernes par le temps de relaxation de l'energie. Les experiences consistent a polariser le super-reseau et a l'exciter par un transitoire electrique de quelques picosecondes, issu de gaps photoconducteurs, sa reponse en courant est alors mesuree dans le domaine temporel large bande. Une etude prealable par echantillonnage electronique (50 ghz de bande passante) a montre un comportement oscillatoire amorti dans les structures etudiees, caracteristique du temps de transit des porteurs dans les super-reseaux et dependant de leur largeur de minibande et des conditions de polarisation. Les resultats sont analyses par un modele simple de l'impedance du super-reseau et modelises par une resolution des equations classiques de derive-diffusion moyennant une vitesse differentielle negative. Les mesures aux temps plus courts montrent la presence d'harmoniques de la frequence d'oscillation fondamentale jusqu'a au moins 150 ghz. Ces derniers presentent une non-linearite dependant de l'amplitude de l'excitation. La modelisation utilisant l'equation de boltzmann en champ electrique homogene a permis l'interpretation d'une partie de ces resultats, notamment en examinant les limitations en frequence de la conductance differentielle negative liees aux interactions inelastiques, ainsi que la generation d'harmoniques. Notre travail permet d'extrapoler les possibilites en frequence du super-reseau au-dela de 100 gigahertz. Il a egalement de pointer la non-linearite intrinseque de ce composant. Experimentalement, nous avons pu valider une technique de caracterisation de composants en grand-signal, de grande bande passante, utile pour leur etude au voisinage de leur regime de fonctionnement normal
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FAYE, SALIOU. "Transistors a effet du champ alinas/gainas : etude de la commande de grille et des contacts ohmiques." Paris 7, 1990. http://www.theses.fr/1990PA077196.
Full textAbstract:
La faible hauteur de barriere metal/semiconducteur intrinseque au materiau gainas (phib=0,2 ev) ne se prete pas a la fabrication de transistors a grille schottky. Cela nous a conduit a etudier des barrieres schottky metal/alinas/gainas en vue d'ameliorer la commande de grille de transistors a heterostructures (hfet) en gainas. L'analyse des caracteristiques i-v, i-t et c-v de structures d'epaisseur d'alinas variable (300-900 a) montre une augmentation de phib ainsi qu'une reduction du courant de fuite de grille pour une epaisseur de barriere croissante. Les resultats obtenus sont comparables aux meilleurs resultats mondiaux publies (phib=0,77 ev et i#g=20 na a 1v pour une epaisseur d'alinas de 900 a). L'etude experimentale des mecanismes de conduction indique que la conduction a travers ces barrieres est essentiellement thermoionique. Les pieges dans l'alinas et a l'interface alinas/gainas sont evalues par dlts et par la methode de la conductance. Il ressort de cette etude que la presence de ces pieges ne semble pas affecter les parametres caracteristiques des barrieres schottky (phib et delta e#c0,55 ev). Enfin deux techniques originales ont ete explorees pour augmenter la hauteur de barriere effective des barrieres schottky (traitement n#2o sous irradiation uv de la surface d'alinas et croissance de couches alinas pseudomorphiques sur la couche barriere alinas). Ces etudes preliminaires ont conduit a une augmentation de la hauteur de barriere effective de 0,2 ev et a une reduction sensible des courants de fuite de grille. Par ailleurs nous avons mis au point un procede de fabrication de contacts ohmiques. L'optimisation de leur resistivite specifique en fonction de l'epaisseur de barriere alinas a conduit a des valeurs aussi faibles que 10##7 cm#2. Grace a une passivation efficace des flancs de mesa, des composants ont ete elabores avec des caracteristiques de fuite de grille tre
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Oustric, Mireille. "Défauts et séparations de phase dans alinas préparé par épitaxie par jets moléculaires influence sur les propriétés électriques." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1996. http://www.theses.fr/1996ECDL0045.
Full textAbstract:
L'alliage ternaire alinas, préparé par épitaxie par jets moléculaires (ejm), présente toujours des défauts structuraux et électriques en grande quantité avec des densités qui dépendent fortement des conditions d'élaboration. Le but de ce travail était de contribuer à cerner la nature et l'origine des défauts structuraux et électriques présents dans les couches d'alinas et de clarifier les manifestations du phénomène de séparation de phase souvent évoqué pour expliquer les défauts présents. Nous avons préparé par ejm des couches d'alinas en explorant une vaste gamme de conditions de croissance. Ces couches ont été caractérisées structuralement (tem, meb, ddx), électriquement (hall, tlm, dlts, admittance) et optiquement (pl, ple) dans le cadre d'une collaboration ecl-insa-ucb. A partir de diverses corrélations, nous avons établi des relations entre les défauts structuraux (étendus ou ponctuels) et les pièges électriques. L'incorporation d'arsenic en excès a été, d'une part, directement associée au grand nombre de pièges électriques profonds responsables du caractère semi-isolant de l'alinas préparé à des températures inferieures à 530c et, d'autre part, indirectement relié à l'origine des dislocations (relaxation des contraintes en compression). En utilisant une approche thermodynamique, nous avons montré que le phénomène de séparation de phase était toujours présent au-dessous d'une température critique de 630c. Expérimentalement, le phénomène est très présent pour des températures de croissance inferieures à 500c, avec un maximum d'intensité entre 400c et 450c caractérisée par l'apparition d'une modulation de composition périodique. Cela a permis de montrer que la séparation de phase se produisait en surface par décomposition spinodale sur le front de croissance et qu'elle était contrôlée par une combinaison de facteurs thermodynamiques et cinétiques.
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Gueissaz, François. "Etude et réalisation de transitors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs/GaInAs/InP pour les applications en hyperfréquences /." [S.l.] : [s.n.], 1992. http://library.epfl.ch/theses/?nr=1039.
Full text
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Layati, Bouchta. "Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT." Lille 1, 1996. http://www.theses.fr/1996LIL10167.
Full textAbstract:
Cette thèse a pour objet l'étude de la croissance par épitaxie par jets moléculaires des matériaux al0. 48in0. 52as / ga1-xinxas pour la réalisation d'hétérostructures sur substrat InP. La couche active de GaInAs est épitaxiée en adaptation de maille ou contrainte en compression sur le substrat. Un travail de caractérisation basée sur des méthodes physiques et électriques a défini les conditions de croissance de ces structures pour l'application au transistor HEMT. Dans ces épitaxies multicouches la détermination précise de la densité d'électrons libres ns et de la mobilité électronique qui sont associées à chaque couche est obtenue à partir d'une exploitation originale des mesures électriques. L'avantage du dopage planaire par rapport au dopage volumique est vérifié par l'obtention d'un produit plus élevé ns x dans le gaz bidimensionnel formé à l'interface AlInAs / GaInAs. L'utilisation du plan de dopage est étudiée dans le cas de l'interface avant (couche active placée entre le substrat et la couche donneuse) et dans le cas de l'interface arrière (couche active placée entre la couche donneuse et la surface). Grâce à l'optimisation des paramètres de croissance, les performances des hétérostructures épitaxiées sont d'un niveau élevé (ns de 3 10#1#2 cm-2 et une mobilité de 42000 cm2/vs dans le gaz pour une structure comprenant un dopage planaire avant de 5 10#1#2 cm-2 et une couche active contrainte à 75% d'indium). L'association des deux types d'interface au niveau de la même couche active de GaInAs permet d'augmenter de manière importante la densité d'électrons transférée dans le gaz en gardant une mobilité électronique élevée (ns de 6 10#1#2 cm-2 et de 31000 cm2/vs avec un dopage arrière de 3 10#1#2 cm-2, un dopage avant de 5 10#1#2 cm-2 et une couche active contrainte à 70%). Enfin des transistors HEMT à grille submicronique réalisés à partir des couches épitaxiées ont été caractérisés en statique et dans le domaine des hyperfréquences. Les très bonnes performances obtenues (courant drain de 1 a/mm, fmax de 300 GHz, facteur de bruit inférieur à 0. 8db) confirment le choix des conditions de croissance
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Fourre, Hervé. "Réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction de la filière AlInAs-GaInAs pour applications en ondes millimétriques." Lille 1, 1997. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1997/50376-1997-45.pdf.
Full textAbstract:
Ce travail presente l'etude, la realisation et la caracterisation de transistors a heterojonction alinas/gainas dans les differentes filieres existantes, a savoir: adaptee en maille sur inp (lm), pseudomorphique sur inp (pm) et metamorphique sur gaas (mm). La mobilite des electrons dans le gainas et la discontinuite de bande de conduction entre les deux materiaux en font en effet d'excellents candidats pour les applications en ondes millimetriques. Une attention particuliere a ete apportee aux structures metamorphiques avec une comparaison des differents types de couches tampon en terme de relaxation de la contrainte et de caracteristiques du gaz d'electrons bidimensionnel. De meme, une etude par simulation a l'aide du logiciel helena a permis de montrer le potentiel des structures metamorphiques 40% d'indium pour des applications de puissance dans le domaine hyperfrequences et faible bruit. Pour la definition d'un procede de fabrication en technologie nitrure dans chacune des filieres, une optimisation des differentes etapes entrant dans la realisation des transistors a ete effectuee. Cette optimisation a permis en particulier la definition de procedes d'isolation par implantation constituant l'etat de l'art dans les filieres lm et pm sur inp et de procedes de gravure de fosse de grille par attaque chimique selective par voie humide. Cette etude a par ailleurs montre la difficulte de realiser de bons contacts ohmiques sur les structures mm 30% d'indium et ce malgre l'amelioration apportee par les contacts de type debordant. Pour valider les procedes de fabrication mis en place dans chacune des filieres et montrer la faisabilite des composants isoles par implantation, des transistors a grille longue et a grille submicronique ont ete realises puis caracterises.
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Drouot, Virginie. "Elaboration par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation d'hétérostructures pseudomorphiques Ga1-xInxAs/AlInAs sur InP pour transistors à haute mobilité d'électron (HEMT)." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1993. http://www.theses.fr/1993ECDL0035.
Full textAbstract:
LES TRANSISTORS A HAUTE MOBILITE D'ELECTRON SONT TRES ATTRACTIFS POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS HYPERFREQUENCES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION FAIBLE BRUIT. LE SYSTEME Ga1-xInxAs/AlInAs SUR InP POSSEDE DE GRANDES POTENTIALITES POUR LA REALISATION DE CES COMPOSANTS ULTRA-RAPIDES: TRES FORTE MOBILITE DES ELECTRONS DANS GAINAS ET GRANDE DISCONTINUITE DES BANDES DE CONDUCTION ENTRE GaInAs ET AlInAs. L'UTILISATION DANS LE CANAL D'UN ALLIAGE DE Ga1-xInxAs PLUS RICHE EN INDIUM QUE CELUI CORRESPONDANT A L'ACCORD DE MAILLE (x=0,53) AMELIORE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'HETEROSTRUCTURE (TRANSFERT ET MOBILITE DES ELECTRONS). L'ESSENTIEL DE CE TRAVAIL A PORTE SUR LA DEFINITION DES CONDITIONS DE CROISSANCE D'HETEROSTRUCTURES A CANAL DE Ga1-xInxAs AVEC UNE COMPOSITION xIn LA PLUS ELEVEE POSSIBLE. NOUS AVONS ELABORE DES HETEROSTRUCTURES PSEUDOMORPHIQUES A MODULATION DE DOPAGE Ga1-xInxAs/AlInAs SUR InP, PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES EN BALAYANT UNE LARGE GAMME DE COMPOSITIONS ET DE TEMPERATURES DE CROISSANCE. LES MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DETERMINEES PAR EFFET HALL ONT ETE OBTENUES POUR UNE COMPOSITION X=0,75 ET UNE TEMPERATURE DE CROISSANCE Tc=500°C. UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LES CONDITIONS DE CROISSANCE ET LES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES CONTRAINTES A ETE EFFECTUEE. DES CONDITIONS DE CROISSANCE OPTIMISEES, CONDUISANT A DES CINETIQUES DE SURFACE ELEVEES, NOUS ONT PERMIS D'AMELIORER L'ORDRE STRUCTURAL DE LA COUCHE CONTRAINTE ET DE DIMINUER LA RUGOSITE DES INTERFACES. DES STRUCTURES SPECIFIQUES ONT ETE REALISEES POUR FABRIQUER DES TRANSISTORS HEMT POUR DIFFERENTES COMPOSITIONS EN INDIUM DU CANAL. LA TRANSCONDUCTANCE DE TRANSISTORS D'UNE LONGUEUR DE GRILLE DE 4 um AUGMENTE DE 100 A 210 mS/mm LORSQUE LA COMPOSITION EN INDIUM DANS LE CANAL AUGMENTE DE 53 A 75%
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Matrullo, Nathalie. "Caractérisation par spectrométrie Raman de matériaux III-V : applications à l’étude de structures contraintes GaInAs-GaAs et de HEMT AlInAs-GaInAs/InP." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10122.
Full textAbstract:
Ce travail présente une étude expérimentale de caractérisations par spectrométrie Raman d'hétérostructures contraintes gainas/gaas et de transistors à effet de champ alinas/gainas adaptés en maille sur inp. Dans un premier chapitre, nous rappelons les éléments théoriques adaptés à l'étude par spectrométrie Raman des semiconducteurs iii-v de structure zinc-blende non intentionnellement dopés et dopés de type n. Le deuxième chapitre est consacré à l'étude et à l'interprétation des spectres Raman des matériaux gainas et alinas. Le signal Raman de gainas est étudié sur une grande gamme de composition. La dernière partie est consacrée aux effets du dopage de type n sur la réponse Raman des deux matériaux ternaires. Les résultats obtenus dans ce chapitre servent de références lors de l'analyse des hétérostructures. Le troisième chapitre concerne l'analyse quantitative des contraintes dans des superréseaux gaas/gainas par spectrométrie Raman et double diffraction x. Enfin, le quatrième chapitre est consacré à l'analyse Raman de couches de hemt alinas/gainas/inp adaptés en maille ou pseudomorphiques. Ensuite, nous présentons les résultats Raman obtenus sur un transistor en fonctionnement
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Win, Pascal. "Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs-GaInAs-GaAs : un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide." Lille 1, 1993. http://www.theses.fr/1993LIL10109.
Full textAbstract:
Ce travail présente la croissance et la caractérisation de couches métamorphiques de matériaux iii-v sur substrat gaas et la réalisation de hemts. L'intérêt de travailler avec de tels matériaux est de produire une discontinuité de bande de conduction plus importante que dans les structures conventionnelles, et par suite, d'obtenir une plus grande densite surfacique d'électrons. La discontinuité maximale est obtenue pour une composition d'indium de 0,3 dans le gainas et l'alinas, qui sont désaccordés en maille sur gaas. Pour accommoder le désaccord de maille entre le substrat et les couches actives, la croissance d'un tampon sacrificiel destiné à relaxer la contrainte de désadaptation a été étudiée à l'aide de la photoluminescence (détermination des compositions en indium), de la double diffraction des rayons x (évaluation du coefficient de relaxation de la contrainte) et de la microscopie électronique en transmission (visualisation de la répartition des dislocations de désadaptation). La relaxation a été étudiée en fonction de la température de croissance et de la structure du tampon métamorphique. La réalisation de hemts à grille longue est ensuite présentée ainsi que l'analyse des profils de commande de charges et de mobilité, qui sont comparés aux simulations effectuées par le logiciel Helena. Les caractéristiques électriques continues et hyperfréquences d'un hemt à grille submicronique ont été étudiées. La fréquence maximale d'oscillations mesurée pour une longueur de grille de 0,4 m atteint 115 ghz, ce qui constitue une valeur comparable et même supérieure aux autres filières de hemts
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Duszynski, Isabelle. "Réalisation et caractérisation électrique de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon." Lille 1, 2005. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2005/50376-2005-346.pdf.
Full textAbstract:
"Les travaux de cette thèse ont porté sur l'étude, la réalisation et la caractérisation de transistors HEMTs de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat d'InP, pouvant répondre aux différentes applications dans le domaine millimétrique, voire sub-millimétrique. Nous avons pour cela, envisagé deux axes principaux. La première voie qui a été suivie, est passée par une réduction des dimensions des transistors, en particulier la longueur de grille en "T" à quelques dizaines de nanomètres. Cette réduction, nécessaire afin d'augmenter les performances, passe par une amélioration de certaines étapes technologiques indispensables telles que la lithographie de la grille, l'étape de gravure du cap layer ou "recess", mais aussi la prise en compte des règles d'échelle pour la structure de couche. Une première étude technologique sur des grilles sub-100nm a montré qu'une approche différente de l'étape lithographique utilisée habituellement (dite "bicouche de résine") doit être utilisée afin de diminuer les longueurs de grilles. Nous avons alors mis au point deux procédés de lithographie de grille permettant d'obtenir des dimensions inférieures à 50nm. La première technologie qui utilise un " bicouche mixte", a permis l'obtention de grilles de 35nm. La seconde technologie, appelée le "procédé nitrure", permet de réaliser des grilles en T robustes, de 20nm de longueur de grille. Ce deuxième procédé a donc été appliqué à la réalisation de transistors sur différentes structures de couches: une structure à barrière fine, une structure à barrière fine et mixte (utilisant une fine couche d'InP dans la barrière) et enfin une structure à barrière épaisse. L'influence des effets de canal court a donc pu être étudiée et on voit bien que la réalisation de transistors de 25nm sur une barrière épaisse, pour laquelle le rapport d'aspect (distance grille-milieu du canal) est inférieur à l, diminue considérablement les performances fréquentielles. "<br>Ainsi, en augmentant ce rapport à 1,5 (cas des transistors sur barrière fine), on obtient une fréquence ft de 253GHz et une fréquence fmax de 380GHz. La dernière structure, à barrière fine et mixte, nous a permis d'obtenir des fréquences ft de l'ordre de 270GHz rien qu'en augmentant légèrement l'épaisseur de la barrière (puisque la grille a été déposée sur la Couche d'InP). Ces premiers résultats indiquent les potentialités offertes par l'utilisation d'une barrière Schottky mixte. Ces résultats pourraient être améliorés par l'utilisation d'un "double recess", ce qui permettrait de diminuer les zones trop importantes d'extensions de recess, à l'origine de la dégradation des performances fréquentielles de ces composants ultimes. L'amélioration de certains paramètres électriques liée à l'utilisation d'un recess mieux adapté permettrait d'aboutir à une fréquence ft de 520GHz, proche de l'état de l'art. Néanmoins, la réduction des dimensions atteint des limites, c'est pourquoi nous avons envisagé d'étudier des composants en rupture technologique avec les précédents transistors appelés "transistors sans couche tampon". L'idée est de venir supprimer la couche tampon qui est à l'origine d'une augmentation de la conductance de sortie par l'injection de porteurs dans cette couche. La réalisation technologique de ces composants est basée sur la technique de report de substrat, qui a été mise au point et adaptée à la réalisation d'un HEMT sans couche tampon. Les premiers résultats électriques indiquent que la technique de report de substrat affecte peu les caractéristiques de la couche active. Bien que nous ayons réalisé les premiers transistors sans couche tampon de longueur de grille 100nm, les caractéristiques électriques observées ne sont pas celles escomptées. Toutefois l'origine de ces faibles performances a été identifïée, et des solutions d'amélioration sont proposées
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Bourel, Philippe. "Simulation Monte-Carlo bidimensionnelle et étude expérimentale de transistors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs/GaInAs/InP adaptés en maille sur InP." Lille 1, 1991. http://www.theses.fr/1991LIL10158.
Full textAbstract:
Ce travail présente une étude théorique et expérimentale des transistors à effet de champ à hétérojonctions AlInAs/GaInAs adaptés en maille sur InP. L'analyse théorique est basée sur une simulation de type Monte-Carlo, qui permet de contribuer à une meilleure compréhension des mécanismes de fonctionnement de ces composants, et de prédire leurs performances. Ces résultats sont comparés aux résultats expérimentaux obtenus sur des transistors réalisés au LEP (Laboratoire d'Electronique Philips). Ce travail se décompose en cinq parties essentielles. Dans le premier chapitre, après avoir rappelé le principe de fonctionnement du TEGFET, nous présentons les éléments nécessaires à la mise en œuvre de la méthode de simulation, en explicitant des approximations qu'elle comporte. Le second chapitre est consacré à la détermination des propriétés de transport et des coefficients de diffusion des matériaux AliNaS et GaInAs, ainsi qu'à l'étude des potentialités de l'hétérojonction associée. Une étude théorique exhaustive des TEGFET AlInAs/GaInAs/InP est effectuée dans le troisième chapitre. Les mécanismes physiques régissant le fonctionnement des composants y sont analysés et les performances électriques des divers transistors simulés sont exposées, afin de dégager des directives d'optimisation. Dans le quatrième chapitre, nous effectuons une étude expérimentale des transistors AlInAs/GaInAs/InP où les résultats des caractérisations statiques, basses fréquences et hyperfréquences sont présentés et comparés qualitativement à ceux issus de la simulation. Enfin, le cinquième chapitre consiste en une étude prospective des transistors à effet de champ à grille isolée, utilisant les matériaux AlIAs et GaInAs
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Papanikolaou, Antigoni. "'Hak verilmez, alinir' (rights are not granted, they are taken) : the politicization of rights in the case of the Muslim-Turkish minority in Greece." Thesis, University of Sussex, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.487089.
Full textAbstract:
This thesis focuses on the case of the Muslim-Turkish Minority in Greece, which was excluded from the mandatory population exchange that took place between Greece and Turkey in 1923. This project explores the discourse of minority rights and the use of rights claims by a considerable number of agents operating at different levels. This thesis is mainly preoccupied with the process that is defined as the 'politicization of rights'. Based on this process, the aim is to study and analyze the politics surrounding rights claims, the context in which rights claims are framed, as well as the ways that different rights agendas are drawn.
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Lapeyrade, Mickael. "Utilisation des plasmas micro-ondes RCE pour préparer des films minces de nitrure de silicium : Application à la passivation des matériaux GaInAs et AlInAs." Ecully, Ecole centrale de Lyon, 1999. http://bibli.ec-lyon.fr/exl-doc/TH_T1801_mlapeyrade.pdf.
Full textAbstract:
Cette étude démontre la possibilité de déposer, à basse température (200-300°C) et avec une puissance micro-onde limitée (220 W), des films de nitrure de silicium de qualité électronique (résistivité de 1015 Q. Cm) avec des propriétés physico-chimiques proches du nitrure de silicium stœchiométrique élaboré à haute température, et qui soit compatible avec une technologie de passivation de matériaux III-V. Des mesures par sonde de Langmuir ont permis de caractériser le plasma d'azote dans les conditions expérimentales utilisées. Une étude approfondie des propriétés électriques, structurales et physico-chimiques des films montre que les propriétés des films sont très dépendantes des paramètres de la source RCE et de la nature du substrat initial. Un procédé de passivation a été défini. Les traitements de surface combinent désoxydation chimique en voie humide et nitruration en voie sèche. Le dépôt de nitrure de silicium peut être réalisé depuis la température ambiante jusqu'à 300°C. Une étude des propriétés physico-chimiques et électriques des interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs a été réalisée. La préparation de surfaces idéales à partir de surfaces "technologiquement contaminées" et d'interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs de qualité à partir de surfaces vierges ou de surfaces technologiques, est délicate à optimiser, notamment en raison de la présence d'arsenic élémentaire, source d'états d'interfaces. Ce procédé de passivation a été appliqué avec succès sur des transistors HEMT et des photodiodes de la filière InGaAlAs/InP. Il est actuellement utilisé de façon courante au laboratoire pour passiver les composants optoélectroniques de type photodiodes<br>In this work, we present the possibilities of a low power (< 250W) compact ECR (Electron Cyclotron Resonance) source to produce, at low deposition temperature (< 300°C), high quality SiNx films compatible with III-V semiconductor devices. Nitrogen plasma and pure silane have been used as gas precursors. We have studied the effect of varying the main process parameters on the composition and properties of the films. The deposited films have been characterized in-situ by X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Spectroellipsometry and ex-situ by FTIR, Nuclear Reaction Analysis (NRA) and Energy Recoil Detection Analysis (ERDA), and finally I-V and C-V measurements. Each parameter has an optimal range of values or a threshold value necessary to obtain films with high dielectric quality. For a deposition temperature of 300°C, the best films exhibit a resistivity of 1015 Q. Cm and a breakdown voltage of 3 MV. Cm-1. The physicochemical properties of the films are close to those of stoichiometric silicon nitride. Strong correlations have been observed between the physicochemical and the electrical properties of the films, over the entire range of process parameters. A passivation process, based on surface treatments, oxide removal in solution, plasma nitridation and SiNx ECR plasma deposition, has been developed. The chemical and electrical properties of SiNx/AlInAs, SiNx/GaInAs and SiNx/InP interfaces have been investigated. Clean optimized surfaces appeared critical to achieve, mainly due to the existence of residual oxides and elemental arsenic at the interface, which is known to generate interface states. We have investigated the nitridation of non contaminated surfaces (i. E. Freshly grown by MBE without any contact with the atmosphere) and evaluated the materials and plasma process limitations. HEMT devices and InGaAlAs/InP based photodiodes have been successfully passivated using the previously defined passivation process
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Parenty, Thierry. "Étude et perspective des transistors à hétérostructure AlInAs/GaInAs de longueur de grille inférieure à 100 nm et conception de circuits intégrés en bande G." Lille 1, 2003. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/2003/50376-2003-189-190.pdf.
Full textAbstract:
L'amélioration continue des performances fréquentielles des composants électroniques, n'a cessé d'ouvrir de nouvelles perspectives pour de multiples applications. S'appuyant sur l'expérience de l'IEMN, l'objectif de cette thèse a été de développer des circuits intégrés pour les applications au delà de 100GHz (Radiométrie, Radioastronomie, Radar, Télécommunications haut débit, Métrologie de polluants,. . . ). Ce sujet aborde deux thèmes principaux: La réalisation de transistor à effet de champ à hétérojonction HEMT (High Electron Mobility Transistor) de la filière AlInAs/GalnAs sur substrat d'lnP pouvant répondre à nos objectifs, puis la conception et la réalisation de différents circuits intégrés en bande G (140 - 220 GHz). Dans le premier chapitre, nous introduisons le HEMT et dressons un état de l'art de sa technologie et de ses performances fréquentielles. Puis, nous discutons des paramètres à optimiser pour accroître les performances électriques des HEMTs. Enfin nous présentons le procédé de fabrication pour obtenir des HEMTs de longueur de grille de 70 nm et rapportons les résultats de leur caractérisation électrique. Les meilleurs résultats obtenus sont un fT de 270 GHz et un fmax de 470 GHz, ceux-ci se situent au niveau des meilleurs résultats mondiaux en terme de compromis fT-fmax. Dans la seconde partie de ce travail, nous avons conçu des amplificateurs à 140 et 180 GHz, un oscillateur à 140 GHz et des VCOs à 140 GHz. Concernant les amplificateurs, les résultats de simulation laissent espérer un gain par étage de 7 et 3,5 dB à respectivement 140 et 180 GHz. Pour les VCOs, nous avons envisagé difte͏̈rentes topologies, cependant la bande d'accord la plus élevée pourrait atteindre 7,5 GHz. A l'heure actuelle, la fabrication des circuits n'a pu être achevée. Cependant nous avons réalisé l'ensemble des dispositifs passifs constituant les circuits, sur ceux-ci des mesures de paramètres S ont été réalisés jusque 220 GHz. Ces mesures ont montré une bonne concordance avec les résultats de simulation, pour les éléments test ainsi que les réseaux d'adaptation. Ces résultats valident les modèles des éléments passifs, et nous permet d'envisager positivement la réalisation d'un circuit complet.
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Parenty, Thierry Cappy Alain Bollaert Sylvain. "Étude et perspective des transistors à hétérostructure AlInAs/GaInAs de longueur de grille inférieure à 100 nm et conception de circuits intégrés en bande G." [S.l.] : [s.n.], 2003. http://www.univ-lille1.fr/bustl-grisemine/pdf/extheses/50376-2003-189-190.pdf.
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Chevalier, Pascal. "Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP : application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques." Lille 1, 1998. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1998/50376-1998-291.pdf.
Full textAbstract:
L'essor des applications hyperfrequences fonctionnant en ondes millimetriques necessite le developpement de nouvelles filieres de circuits integres. Un composant clef de ces circuits est le transistor a effet de champ a heterojonction : le hemt (high electron mobility transistor). Nous developpons dans ce memoire les resultats de l'etude de hemt alinas/gainas realises sur phosphure d'indium (inp). Apres avoir introduit les bases relatives au fonctionnement et aux domaines d'applications de ce transistor, nous presentons les outils theoriques et experimentaux utilises pour nos travaux. Ces derniers contribuent d'une part a la mise au point technologique et d'autre part a l'optimisation de la structure epitaxiale. Les recherches menees en technologie concernent principalement la technologie de grille et plus particulierement la lithographie electronique des grilles en te en tricouche de resines. La realisation de grilles de 100 nm de longueur, de faible resistivite, a permis la fabrication de transistors performants, presentant notamment une frequence de coupure extrinseque f#t proche de 250 ghz et une transconductance intrinseque de 1,5 s/mm. L'optimisation de l'epitaxie, visant a depasser les limitations des transistors a canal gainas adapte en maille sur le substrat, a conduit a l'etude des canaux composites gainas/inp. Nous avons mis en evidence leur efficacite pour reduire le phenomene d'ionisation par impact et ainsi ameliorer les performances du composant. Les performances en puissance de transistors a canal gainas/inp/inp n#+ (355 mw/mm a 60 ghz) ont montre toutes les potentialites de structures a canal composite pour la generation de puissance en ondes millimetriques.
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Zaknoune, Mohammed. "Étude de la technologie et des potentialités pour l'amplificaton de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAset métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs." Lille 1, 1999. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1999/50376-1999-95.pdf.
Full textAbstract:
Mes travaux de thèse ont porté sur l'étude des potentialités de deux nouvelles filières de composant pour l'élaboration de HEMT de puissance sur substrat GaAs. La première filière a fait appel à de nouveaux matériaux phosphorés tels que GaInP, AlGaInP et AlInP. La seconde est la filière métamorphique AlInAs/GaInAs. De nombreuses investigations technologiques ont du être menées sur la filière phosphorée. En premier lieu, une solution de gravure originale non sélective entre matériaux arséniés et phosphorés basée sur l'utilisation de l'acide iodique (HIO3) a été développé pour réaliser le mésa d'isolation. En second lieu l'étude du contact ohmique a été entreprise par le biais de différentes métallisations. La meilleure d'entre elles s'est avérée être la métallisation AuGe/Ni/Au qui a permis d'obtenir une résistance de contact inférieure à 0. 1 W. Mm. Le dernier aspect technologique étudié est la lithographie électronique de grille. Cette étude a mené à la réalisation de grille en T de 0. 1 µm ainsi qu'une grille de dimension ultime de 0. 05 µm. Des transistors de longueur de grille 0. 1 µm et à simple plan de dopage GaInP/GaInAs, AlGaInP/GaInAs et AlInP/GaInAs ont été réalisés. L'état de l'art en régime statique et hyperfréquence petit signal a été obtenu sur ces trois composants. De plus, pour la première fois sur cette filière des mesures en puissance à 60 GHz ont été réalisées. Elles ont permis pour la structure GaInP/GaInAs d'obtenir une densité de puissance remarquable de 560 mW/mm. Sur la filière métamorphique nous nous sommes attachés à étudier la structure AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs dont la composition en indium est proche de 30%. L'étude de la structure épitaxiale en terme de composition a mis en évidence l'aspect très critique du taux d'indium contenu dans la structure. D'un point de vue technologique, la gravure de recess de grille a nécessité une importante optimisation. Néanmoins, des composants à simple et double plan de dopage ont été réalisés avec un taux d'indium de 33%. Nous avons obtenu des performances excellentes. La caractérisation du premier a donné une fréquence de coupure de 160 GHz représentant l'état de l'art du transistor métamorphique à cette composition. Une caractérisation en puissance à 60 GHz a été effectuée pour la première fois sur cette filière. Nous avons obtenu une densité de puissance de 240 mW/mm. Ces résultats montrent les potentialités très attrayantes de ces deux filières pour l’amplification de puissance hyperfréquence.
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Trudel, Stéphane. "Etude par double et triple diffraction des rayons X et modélisation, de la relaxation des contraintes dans des hétérostructures semiconductrices GaInAs-GaAs et AlInAs-GaAs à rampe de composition graduelle linéaire." Lille 1, 1997. https://pepite-depot.univ-lille.fr/LIBRE/Th_Num/1997/50376-1997-49.pdf.
Full textAbstract:
Le systeme alinas/gainas/gaas presente des potentialites tres elevees dans le domaine du transport electronique et de l'optique. Ces potentialites sont d'autant plus grandes que le taux d'indium est eleve (30% et plus) et que le materiau est libre de contraintes. Ces deux proprietes sont mutuellement exclusives et necessitent le recours a des structures tampons capables d'absorber les enormes differentiels de contraintes qui seraient generes dans la couche si les materiaux etaient mis directement au contact pendant la croissance. Dans ce travail, nous nous sommes interesses au comportement mecanique de la structure tampon elle-meme et a la facon dont elle relaxe les contraintes. Peut-on y obtenir une relaxation totale des contraintes par l'introduction controlee de dislocations ? pour repondre a cette question, nous avons choisi d'etudier la rampe de composition graduelle lineaire epaisse. Differentes configurations de sortie de rampe ont ete etudiees. L'etude experimentale du taux de relaxation moyen dans ces structures a utilise les techniques de double et de triple diffraction des rayons x, couplees a la microscopie electronique. Nous montrons ici que la technique de la triple diffraction des rayons x, basee sur une cartographie d'intensite autour de nuds du reseau reciproque, est essentielle pour l'analyse de ces structures fortement contraintes. Nos resultats montrent qu'un taux de relaxation tres superieur a 90% peut etre obtenu pour certaines configurations. L'analyse theorique et l'interpretation de ces resultats est faite et discutee dans le cadre de modeles de relaxation proposes, en particulier celui de tersoff dont nous montrons ici tres clairement les limitations. Nous donnons les conditions d'apparition d'une dislocation dans une rampe simple par nucleation en surface, et expansion, d'une demi-boucle de dislocation. Ce calcul a permis de recouper les valeurs experimentales mesurees des epaisseurs libres de dislocations des rampes simples
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Rascol, Jérôme. "Magnétotransport dans les dispositifs à effets quantiques à base de GaAs et GaInAs." Toulouse, INSA, 1990. http://www.theses.fr/1990ISAT0011.
Full textAbstract:
Nous presentons des etudes de magnetotransport dans des dispositifs a multiples puits quantiques a base des systemes gaas/algaas et ingaas/inalas. Dans ce type d'heterostructure tres complexe, les effets quantiques affectent la structure de bande et la densite d'etats, et l'effet tunnel resonnant controle le transport. Une etude magneto-spectrale nous permet d'identifier les principaux phenomenes de collisions responsables de la deterioration des caracteristiques statiques de tels dispositifs. Nous caracterisons les differentes regions ou des accumulations de charges conduisent a une importante non-uniformite du champ electrique. Grace a des simples modeles semi-classiques, et en utilisant le champ magnetique comme un troisieme contact, nous verifions la rigidite des regles de selection de l'effet tunnel, et caracterisons le transport loin des conditions d'equilibre d'une distribution electronique balistique. Nous etudions l'effet de la region separant deux diodes a effet tunnel resonnant integrees verticalement, sur les composantes balistiques et thermalisees de la distribution electronique. Le controle de la composante balistique a permis la caracterisation de differents mecanismes d'effet tunnel en fonction du couplage entre ces deux structures. Nous discutons la validite de calculs auto-consistants pour prevoir le profil de potentiel dans ce type de structure
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Mordenti, Stéphane. "Etude magnéto-optique dans le proche infrarouge de systèmes bidimensionnels élaborés à partir d'alliages II-VI ou III-V." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10127.
Full textAbstract:
Ce memoire presente des etudes magneto-optiques realisees dans le proche infrarouge de systemes bidimensionnels construits a partir des alliages cdhgte ou gainas. Les structures symetriques cd#yhg#1#-#yte/cd#xhg#1#-#yte ont ete etudiees sous champ magnetique (0,20 t) en luminescence et en abosorption. Les variations de formes quadratiques de la position des raies de luminescence sous champ montrent que la transition observee dans ce type de systemes fait intervenir une forte energie de liaison entre les porteurs des bandes de conduction et de valence. Nous l'avons d'ailleurs interpretee comme une transition entre donneurs et accepteurs distribues aleatoirement dans les structures. Les structures symetriques al#yin#1#-#yas/ga#xin#1#-#xyas/al#yin#1#-#yas dopees donneurs si dans les barrieres et accepteurs be au centre des puits ont permis de nombreuses analyses sous champ magnetique. Le comportement d'un gaz bidimensionnel d'electrons cree par les techniques de dopage a ete ainsi etudie a travers la recombinaison radiative entre les electrons libres et les trous lies aux accepteurs be. Les oscillations du rayon de bohr des accepteurs, causees par les variations du pouvoir d'ecrantage du gaz d'electrons 2d ont ete tres bien mises en evidence : l'etude des spectres en fonction de la temperature et du facteur de remplissage, l'evolution en fonction du champ de l'intensite totale du niveau de landau n = o montrent que pour les facteurs de remplissage pairs, l'efficacite d'ecrantage du gaz 2d presente des minimums relatifs qui generent des minimums dans les variations du rayon de bohr. Les variations du premier moment et du second moment du spectre soulignent l'interet des etudes magnetooptiques dans le cas de la transition electrons-accepteurs pour mesurer les gaps entre chaque niveau de landau apparaissant dans les etats de l'effet hall quantique.
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Bouche, Nicolas. "Étude de la dynamique, de l'émission laser, de l'amplification et de la commutation dans des structures laser à cavité verticale à 1,55µm." Grenoble INPG, 1998. http://www.theses.fr/1998INPG0046.
Full textAbstract:
Cette these presente les resultats theoriques et experimentaux relatifs a la dynamique (en regime picoseconde et femtoseconde) de l'emission laser et de l'amplification optique dans des structures a cavite verticale. L'etude theorique est realisee a partir d'un modele original utilisant des equations bilans modifiees de maniere a decrire fidelement les effets d'interferences a l'interieur de la cavite dont la longueur est de l'ordre de quelques longueurs d'ondes. Dans le cadre de la realisation d'un laser a cavite vertical (vcsel) a 1. 55 m pompe electriquement, nous avons demontre l'effet laser (pompage optique) dans une structure fabriquee par collage hetero-epitaxial et dans une structure monolithique (gainalas/alinas). La reponse temporelle atypique obtenue avec une resolution de l'ordre de 250fs (par somme de frequence) a ete modelisee dans une analyse modale (modes transverses). L'etude de l'amplification et de l'emission laser a ete effectuee en regime femtoseconde sur une structure optimisee a 1. 55 m. Nous avons explore la reponse ultime de ce dispositif ; le temps mort de la porte optique (20ps) a ete mesure ainsi que la duree minimale (3. 5ps) de l'impulsion qui peut etre amplifiee sans etre elargie. L'origine physique du temps mort a aussi ete clairement explique en impliquant l'effet laser. Un gain de 20db pour une energie de pompe de 60nj avec une bande passante optique de 6 nm a ete mesure. Ces resultats bien qu'encore perfectibles, nous permettent de definir le vcaps comme un dispositif ultra rapide, qui realise a la fois les roles de filtre et d'amplificateur optique, et qui doit pouvoir s'inscrire dans les futurs systemes de traitement optique pour les telecommunications.
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Sigmund, Jochen. "Wachstum und Charakterisierung von AlSb/InAs- und AlInSb/InSb-Quantentopfstrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie." Phd thesis, 2004. http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/405/1/Sigmund_PhD.pdf.
Full textAbstract:
In der vorliegenden Arbeit wird das Wachstum mittels Molekularstrahlepitaxie von Quantentopfstrukturen aus den Halbleitersystemen AlSb/InAs und AlInSb/InSb untersucht. Strukturell charakterisiert wird das Wachstum mit in situ Reflection-High-Elektron-Energy-Diffraction (RHEED), sowie den ex situ Methoden der Transmissionselektronenmokroskopie, der Röntgendiffraktometrie und der Rasterelektronenmikroskopie. Die Ergebnisse der strukturellen Untersuchungen werden mit den elektrischen Transporteigenschaften verglichen. Mit Hall-Messungen wird die Ladungsträgermobilität und Konzentration zwischen 1,3 K und 298 K bestimmt. Die Quantisierung der Ladungsträger wird mit Shubnikov-de Haas Oszillationen und dem Quanten Hall-Effekt untersucht. Ein besonderer Schwerpunkt der Arbeit liegt in der Grenzflächenoptimierung von AlSb/InAs. Das Grenzflächenwachstum hat einen erheblichen Einfluss auf die Transporteigenschaften, was zu Tieftemperaturmobilitätsunterschieden von einer Größenordnung führen kann. Der gleichzeitige Wechsel von Kationen und Anionen stellt hier eine besondere Herausforderung dar, um eine abrupte, defektfreie Grenzfläche zu erhalten. Durch eine neue, erweiterte Migration-Enhanced-Epitaxy-Methode, bei der InSb-Bindungen erzeugt werden und anschließend eine zusätzliche Wachstumsunterbrechung unter einem Arsenfluss eingeführt wird, kann die Grenzflächenqualität verbessert werden. Es wird gezeigt, dass mit RHEED-Intensitätsmessungen während der neu eingeführten Wachstumsunterbrechung die Qualität der Grenzfläche in situ kontrolliert werden kann. Des weiteren wird bei den AlSb/InAs-Strukturen der Einfluss der Quantentopfbreite auf die Transporteigenschaften untersucht. Eine Breite von 15 nm ist optimal für hohe Elektronenbeweglichkeiten. Die besten Ergebnisse zur Überwindung der 7,8 % Gitterfehlanpassung zum GaAs-Substrat werden mit einer Pufferschicht von 60 nm AlAs, 70 nm AlSb und 1800 nm GaSb erzielt. Ferner wird als Alternative zur Pufferschicht bei der gitterfehlangepasssten Heteroepitaxie das epitaktische Überwachsen eines vorstrukturierten Substrates demonstriert. Dies ist ein erster Schritt in Richtung einer neuen Klasse von Substraten. Für InSb-Quantentopfstrukturen wird die Präsenz von quantisierten Ladungsträgern demonstriert. Das Fehlen eines gitterangepassten III-V-Halbleiters als Barriere zu InSb und die große Gitterfehlanpassung von 14,6 % zum Substrat sind die limitierenden Faktoren für die Qualität des Quantentopfes. Trotz einer geringeren effektiven Elektronenmasse von InSb, ist die Ladungsträgermobilität bei tiefen Temperaturen niedriger, als bei InAs-Quantentopfstrukturen. Im letzten Kapitel der Arbeit wird ein Beitrag zur Forschung an ohmschen Kontakten auf n-GaSb präsentiert. Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung der Bauelemente wurden hier kleine Kontakte mit einem Durchmesser bis in den Nanometerbereich charakterisiert. Erstmals wurde dabei von einer strukturbedingten Mindestgröße für die Kontaktfläche berichtet, um reproduzierbare Kontakteigenschaften zu gewährleisten.
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Chen, Tai-Lin, and 陳泰霖. "Selective Area Epitaxy of InGaAs and AlInAs on Nano-Patterned Ge Templates." Thesis, 2019. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/3q5y26.
Full textAbstract:
碩士<br>國立中央大學<br>電機工程學系<br>107<br>Complementary Metal-Oxide-Semiconductor integrated circuit follow Moore's Law by decreasing transistor size consistently. With progress in the past few decades,it reach 7nm technology node. How to improve the performace and reduce its power consumption under certain cost has always be a topic in the industry. At present, two major approaches have been proposed to seek breakthroughs internationally. One is to use innovative component structures, and the other is to introduce novel channel materials. Among the proposed materials, high hole mobility Ge and high electron mobility InGaAs has been considered to be the most promising channel materials for p-channel and n-channel MOSFETs, respectively. Therefore,one of the options is the integration of two heterogeneous materials on the 12-inch silicon wafer,and the technique can be the most critical method that industry highly keen to do more research and wider development.
The heterogeneous integration strategy in the study is to selective area epitaxy of InGaAs and AlInAs on nano-patterned Ge templates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Ge film is epitaxially on a (100) silicon substrate by chemical vapor deposition. This dissertation aims to investigate the effect of different Ge templates profile and epitaxy growth parameter like growth temperature, V/III ratio and growth rate to epitaxy layer quality and morphology, and choose appropriate epitaxy parameter to integrate the InGaAs and Ge fin nanowire on the Si substrate successfully.
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Su, Ning-Xing, and 蘇寧興. "Investigation of AlInAs/GaInAs High Electron Mobility and Doped-Channel Field-Effect Transistors." Thesis, 2009. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/389v57.
Full textAbstract:
碩士<br>國立高雄師範大學<br>物理學系<br>97<br>In this thesis, the ternary compound semiconductor devices, i.e., AlInAs/GaInAs high electron mobility transistor (HEMT) and doped-channel field-effect transistor (DCFET) are analyzed and compared. The electron distribution DC and the high-frequency characteristics are depicted and demonstrated.
First, the AlInAs/GaInAs HEMT employs a delta-doped sheet inserted between AlInAs barrier layer and spacer layer, to from more carriers in the triangle quantum well and enables the two-dimensional electron gas (2DEG) to increase. Comparably, HEMT has better transconductance and high-frequency characteristics. However, it shows the poor device linearity. But, due to HEMT have parallel-conduction existence, which will introduce considerably large gate current, and lower gate turn-on voltage. In addition, due to the high channel resistance value, therefore the drain output current is small.
The channel of device AlInAs/GaInAs DCFET is uniformly doped. Although the high electron mobility is not so high the channel effective carrier concentration is big effectively. Its channel resistance is low, so it exhibits high drain output current. Furthermore, the gate is directly sitting on the undoped layer, and it shows larger gate turn-on voltage and broad gate swing. Significantly, not obvious gate leakage current is observed. Also, it shows good device linearity. But has the lower transconductance and high-frequency characteristics. Under simulated results, for the DCFET not parallel-conduction exists, and the gate is directly sitting on the undoped barrier layer. Thus, it has the better DC characteristics than the HEMT. However, for the HEMT due to the high 2DEG it shows large transconductance and the good high-frequency characteristics.
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Yu, Chien-Pang, and 余建邦. "Process and analysis of nano wire in InGaAs/AlInAs by focused ion beam." Thesis, 2006. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/10061351061484358976.
Full textAbstract:
碩士<br>國立中山大學<br>物理學系研究所<br>94<br>On InGaAs/AlInAs heterostructures we made nanowires which were made by focus ion beam (FIB) and the width of nanowires making by FIB were 40nm、70nm、100nm and 200nm respectively. we studied electronic characterization of nanowires using Shubnikov-de Haas(SdH).In our research,by using SdH method there are no signal in our sample which processed by FIB,then we changed to process technology in our sample.For example: Increase thickness of the protection layer,size of change channel,etc.
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Sigmund, Jochen [Verfasser]. "Wachstum und Charakterisierung von AlSb-InAs- und AlInSb-InSb-Quantentopfstrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie / von Jochen Sigmund." 2003. http://d-nb.info/970170785/34.
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Chiu, Wan-ting, and 邱婉婷. "Transport studies of two-dimensional electron gas in InGaAs/AlInAs nano wire at low-temperature and high magnetic field." Thesis, 2008. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/q4kgm9.
Full textAbstract:
碩士<br>國立中山大學<br>物理學系研究所<br>96<br>We have studied the electronic properties of InGaAs/AlInAs nano wire by using Shubnikov-de Hass (SdH)measurement at 0.3K.In order to study the effect of the channel width on the 2DEG,we made the nanometer-scaled 2DEG channels varied with different widths from 700 nm to 1400 nm by focus ion beam. On the AlGaAs/AlInAs nanowires we have studied I-V characteristics with gate-voltage and observed the work range from -3 V to 3 V. After illuminating at 0.3 K, the carrier density of the sample InGaAs-1400 nm increased and observed the persistent photoconductivity effect. After SdH measurement at 0.3 K, we found saturation current of these samples at 77 K but did not observe change with different gate voltage.
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Nottelmann, Bernd [Verfasser]. "Einfluß von Vielteilchen-Effekten auf die Dynamik der kohärenten Intersubband-Polarisation in GaInAs/AlInAs-Quantentopfstrukturen / vorgelegt von Bernd Nottelmann." 2002. http://d-nb.info/967442826/34.
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