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Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Amorphous Silicon (a-Si:H)'

Author: Grafiati

Published: 7 September 2023

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Dissertations / Theses on the topic "Amorphous Silicon (a-Si:H)"

1

Tam, Wai Keung. "Effect of thermal annealing on Si-H bonds and dangling bonds in amorphous silicon." HKBU Institutional Repository, 2006. http://repository.hkbu.edu.hk/etd_ra/717.

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2

Réaux, David. "Cellules photovoltaïques à hétérojonctions de silicium (a-Si˸H/c-Si) : modélisation des défauts et de la recombinaison à l'interface." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS174/document.

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Abstract:

Les cellules à hétérojonctions de silicium (HET-Si) sont basées sur un substrat de silicium cristallin (c-Si) dopé n (p), une couche très fine de passivation (en général du silicium amorphe (a-Si:H) non dopé), et une couche d’une dizaine de nanomètres de silicium amorphe dopé p (n). Ces cellules atteignent aujourd’hui des rendements de l’ordre de 26% (record de 26,6% par l’entreprise Kaneka en 2017). Un des axes importants de recherche sur les cellules HET-Si porte sur l’étude de l’interface c-Si/a-Si:H qui est un élément clé dans le rendement des cellules. Ce rendement dépend en particulier d

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3

Martin, de Nicolas Silvia. "a-Si : H/c-Si heterojunction solar cells : back side assessment and improvement." Thesis, Paris 11, 2012. http://www.theses.fr/2012PA112253/document.

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Abstract:

Parmi les technologies photovoltaïques à base de silicium, les cellules solaires à hétérojonction a-Si:H/c-Si (HJ) ont montré une attention croissante en ce qui concerne leur fort potentiel d’amélioration du rendement et de la réduction de coûts. Dans cette thèse, des investigations sur les cellules solaires à hétérojonction a-Si:H/c-Si de type (n) développées à l'Institut National de l'Énergie Solaire sont présentées. Les aspects technologiques et physiques du dispositif à HJ ont été revus, en mettant l'accent sur la compréhension du rôle joué par la face arrière. À travers le développement e

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4

Favre, Wilfried. "Silicium de type n pour cellules à hétérojonctions : caractérisations et modélisations." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00635222.

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Abstract:

Les cellules à hétérojonctions de silicium fabriquées par croissance de couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si :H) à basse température sur des substrats de silicium cristallin (c-Si) peuvent atteindre des rendements de conversion photovoltaïque élevés (η=23 % démontré). Les efforts de recherche ayant principalement été orientés vers le cristallin de type p jusqu'à présent en France, ce travail s'attache à l'étude du type n pour d'une part déterminer les performances auxquelles s'attendre avec cette nouvelle filière et d'autre part les améliorer. Pour cela, nous avons mis en œuvre d

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5

Larbi, Fadila. "Traitement de couches minces et de dispositifs à base de a-Si : H par un plasma d'hydrogène : Etude in situ par ellipsométrie spectroscopique." Thesis, Reims, 2014. http://www.theses.fr/2014REIMS010/document.

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Abstract:

Ce travail est une contribution à l'étude de l'interaction entre des couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et un plasma d'hydrogène, dans un réacteur de dépôt par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le suivi in situ de la cinétique de gravure par l'hydrogène atomique est réalisé par ellipsométrie UV-visble. Les différents paramètres de plasma (température, puissance radiofréquence, pression du gaz H2, type de dopage du matériau) pouvant impacter cette cinétique ont été sondés. L'analyse des spectres d'ellipsométrie spectroscopique, à l'aide d'un modèle optique ap

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6

Pepenene, Refuoe Donald. "Macroscopic and Microscopic surface features of Hydrogenated silicon thin films." University of the Western Cape, 2018. http://hdl.handle.net/11394/6414.

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Abstract:

Magister Scientiae - MSc (Physics)<br>An increasing energy demand and growing environmental concerns regarding the use of fossil fuels in South Africa has led to the challenge to explore cheap, alternative sources of energy. The generation of electricity from Photovoltaic (PV) devices such as solar cells is currently seen as a viable alternative source of clean energy. As such, crystalline, amorphous and nanocrystalline silicon thin films are expected to play increasingly important roles as economically viable materials for PV development. Despite the growing interest shown in these materials,

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7

Bosco, Giácomo Bizinoto Ferreira 1987. "Photoluminescence of Tb3+ in a-Si3N4:H prepared by reactive RF-Sputtering and ECR PECVD = Fotoluminescência de Tb3+ em a-Si3N4:H preparado por RF-Sputtering reativo e ECR PECVD." [s.n.], 2017. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/322722.

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Abstract:

Orientador: Leandro Russovski Tessler<br>Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin<br>Made available in DSpace on 2018-09-01T20:54:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bosco_GiacomoBizinotoFerreira_D.pdf: 9507140 bytes, checksum: 4980b29f48f98f8ff97e8a0a37b7577e (MD5) Previous issue date: 2017<br>Resumo: Este trabalho fornece caracterização ótica e estrutural de filmes finos compostos por nitreto de silício amorfo hidrogenado dopado com térbio (a-SiNx:H) ¿ crescidos por deposição química a vapor assistida por plasma gerado através de ressonância ciclo

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8

Vergnat, Michel. "Hydrogénation d'alliages semi-conducteurs amorphes : Structure et propriétés électroniques des alliages amorphes hydrogènes SI::(1-X)SN::(X):H." Nancy 1, 1988. http://www.theses.fr/1988NAN10322.

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Abstract:

Les atomes d'hydrogène sont introduits dans les couches durant leur élaboration par évaporation. L'influence des paramètres de préparation est mise en évidence sur les propriétés physiques de couches de SI pur. Les alliages SI::(1-X)SN::(X) et SI::(1-X)SN::(X) : H peuvent être préparés à l'état amorphe dans une large gamme de compositions. Des études de diffraction électronique, de spectrométrie moessbauer et des mesures de densité massique montrent que ces alliages possèdent une structure tétraédrique. Cette méthode a également permis d'élaborer des multicouches SI/SI : H, de l'étain semicond

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9

AKA, BOKO. "Photodecomposition sensibilisee au mercure du monosilane (hg-photo-cvd) : application au depot en couches minces de silicium amorphe hydrogene (a-si : h)." Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1989. http://www.theses.fr/1989STR13026.

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Abstract:

L'etude fondamentale des parametres mis en jeu montre que la limitation de la quantite de cilane decompose et la formation importante d'hydrogene doivent etre associees a un mecanisme chimique en phase gazeuse et a la surface plutot qu'a la diminution de la transparence de la fenetre d'entree consecutive au depot du film si. Il est ainsi mis en evidence que la quantite relative de si depose est tres importante aux basses pressions et que la vitesse de depot peut etre accrue en operant a forte intensite lumineuse. La qualite des couches depend fortement des conditions de preparation, en particu

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10

Pehlivan, Ozlem. "Growth And Morphological Characterization Of Intrinsic Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film For A-si:h/c-si Heterojunction Solar Cells." Phd thesis, METU, 2013. http://etd.lib.metu.edu.tr/upload/12615488/index.pdf.

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Abstract:

Passivation of the crystalline silicon (c-Si) wafer surface and decreasing the number of interface defects are basic requirements for development of high efficiency a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells. Surface passivation is generally achieved by development of detailed silicon wafer cleaning processes and the optimization of PECVD parameters for the deposition of intrinsic hydrogenated amorphous silicon layer. a-Si:H layers are grown in UHV-PECVD system. Solar cells were deposited on the p type Cz-silicon substrates in the structure of Al front contact/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/Al back

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