Relevant bibliographies by topics / Cd1-xZnxTe

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Books
  4. Book chapters
  5. Conference papers

Academic literature on the topic 'Cd1-xZnxTe'

Author: Grafiati
Published: 28 May 2022
Last updated: 30 July 2025

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Cd1-xZnxTe.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Cd1-xZnxTe"

1

Nway, Han Myat Thin, and Kaung Pho. "Characterization of CdS/Cd1-xZnxTe Films." Dagon University Research Journal Vol.3, no. 2011 (2019): Pg.115–125. https://doi.org/10.5281/zenodo.3542347.

Full text
Abstract:
A method of forming a compound film can be fabricated by using the cadmium sulphide (CdS) compound and cadmium zinc telluride (Cd1-xZnxTe) compounds with the ways of coating the pastes on the glass substrates and sintering the films in a suitable atmosphere. The structural properties of (CdS and Cd1-xZnxTe) compound powders were analyzed by X-ray diffraction (XRD) analysis. The electrical properties of the films were investigated by photoconductivity measurement. The n-CdS/p-Cd1-xZnxTe heterojunction solar cells were fabricated on glass substrates by screen printing method and by sintering met
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Orletskyi, I. G., M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, M. M. Solovan, P. D. Maryanchuk, and S. V. Nichyi. "Electrical Properties of Sis Heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe." Ukrainian Journal of Physics 64, no. 2 (2019): 164. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe64.2.164.

Full text
Abstract:
Conditions for the production of rectifying semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe with the use of the spray-pyrolysis of SnS2 thin films on p-Cd1−xZnxTe crystalline substrates with the formation of an intermediate tunnel-thin CdTeO3 oxide layer have been studied. By analyzing the temperature dependences of the current-voltage characteristics, the dynamics of the heterostructure energy parameters is determined, and the role of energy states at the CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe interface in the formation of forward and reverse currents is elucidated. By an
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Zheng, Wei, Yu Li Wu, Yen Ting Chen, et al. "Determination of Bond Lengths and Electronic Structure of Cd1-xZnxTe Ternary Alloys by Synchrotron Radiation." Advanced Materials Research 706-708 (June 2013): 56–59. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.706-708.56.

Full text
Abstract:
High-resolution synchrotron radiation x-ray absorption spectroscopy on Zn K-, Cd L3- and Te L3-edges for Cd1-xZnxTe ternary alloys with x = 0.10, 0.30, 0.50 and 0.90 are presented. A detailed analysis of the extended x-ray absorption fine structure using the IFEFFIT program, and the chemical bonds of Zn-Te are obtained, suggesting distortion of the Te sub-lattice. The x-ray absorption near-edge structure of the Zn K-, Cd L3- and Te L3-edge are investigated, and the electronic structures of Cd1-xZnxTe with various compositions are studied.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Jiang, Jun. "Preparation and Performance of CdZnTe Ray Detector." Modern Electronic Technology 6, no. 1 (2022): 1. http://dx.doi.org/10.26549/met.v6i1.9507.

Full text
Abstract:
γ-ray and x-ray detectors made by Cd1-xZnxTe alloy can gain high energy resolution and detect efficiency at room temperature due to its high atomic number, large energy gap and high density, which were well-developed recently. By well controlled of Cadmium partial pressure and compensatory doping technique, Ф90 mm Cd1-xZnxTe alloy obtained successfully (ρ≥1011 Ω·cm) by an improved-Bridgman method. 3 mm × 3 mm × 3 mm CZT detector was made at Kunming Institute of Physics, which has energy resolution of 3.52% (FWHM) at room temperature when detect 59.54 KeV Am241 γ-ray source.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Hofmann, D. M., W. Stadler, P. Christmann, and B. K. Meyer. "Defects in CdTe and Cd1−xZnxTe." Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 380, no. 1-2 (1996): 117–20. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-9002(96)00287-2.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Ferekides, C. S., R. Mamazza, U. Balasubramanian, and D. L. Morel. "Cd1−XZnXTe thin films and junctions." Thin Solid Films 480-481 (June 2005): 471–76. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.11.069.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Yao, G. D., J. Wu, T. Fanning, and M. Dudley. "Investigation of Semiconductor Heterostructures by White Beam Synchrotron X-Ray Topography in Grazing Bragg-Laue and Conventional Bragg Geometries." Advances in X-ray Analysis 35, A (1991): 247–53. http://dx.doi.org/10.1154/s0376030800008892.

Full text
Abstract:
AbstractWhite beam synchrotron X-ray topography has been applied both to the characterization of two semiconductor heterostructures, GaAs/Si and InxGa1-xAs/GaAs strained layers, and a substrate to be used for growing semiconductor epilayers, Cd1-xZnxTe. In the case of the heterostructures, misfit dislocations were observed using depth sensitive X-ray topographic imaging in grazing incidence Bragg-Laue geometries. The X-ray penetration depth, which can be varied from several hundreds of angstroms to hundreds of micrometers by rotating about the main reflection vector, which in this specific cas
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Fochuk, P., E. Nykonyuk, Z. Zakharuk, et al. "Comparison of Electrophysical Characteristics of Undoped Cd1 – xZnxTe, Cd1 – yMnyTe and Cd1 – x – yZnxMnyTe (x, y < 0,1) Crystals." Journal of Nano- and Electronic Physics 8, no. 4(1) (2016): 04011–1. http://dx.doi.org/10.21272/jnep.8(4(1)).04011.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Brytan, V. B., Yu V. Pavlovskyy, Yu O. Uhryn, and R. M. Peleshchak. "Vanadium and Chlorine doping Influence on Magnetic Susceptibility of Cd0.9Zn0.1Te Monocrystals." Фізика і хімія твердого тіла 17, no. 2 (2016): 198–201. http://dx.doi.org/10.15330/pcss.17.2.198-201.

Full text
Abstract:
The magnetic field experimental dependences of vanadium and chlorine doped Cd1-xZnxTe monocrystals magnetic susceptibility have been research. The magnetic susceptibility non-linearity has been observed. It is shown that this non-linearity due to super paramagnetic nature magnetic clusters forming.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Terauchi, Hikaru, Yasuhiro Yoneda, Hirofumi Kasatani, et al. "Ferroelectric Behaviors in Semiconductive Cd1-xZnxTe Crystals." Japanese Journal of Applied Physics 32, S2 (1993): 728. http://dx.doi.org/10.7567/jjaps.32s2.728.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Cd1-xZnxTe"

1

Знаменщиков, Ярослав Володимирович, Ярослав Владимирович Знаменщиков, Yaroslav Volodymyrovych Znamenshchykov та ін. "Електрофізичні та детекторні властивості плівок Cd1-xZnxTe". Thesis, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46178.

Full text
Abstract:
Метою роботи є дослідження електрофізичних та детекторних властивостей плівок Cd1-xZnxTe (CZT) з різною концентрацією цинку. Плівки твердих розчинів CdxZn1-xTe були отримані методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі, температура випарника складала 700°С, температура підкладки - 400°С. В якості підкладки використовувалося скло вкрите шаром ІТО. Для отримання плівок CZT зі змінною концентрацією цинку здійснювалося випаровування суміші порошків CdTe та ZnTe, змішаних у різних пропорціях для кожного зразка.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Опанасюк, Анатолій Сергійович, Анатолий Сергеевич Опанасюк, Anatolii Serhiiovych Opanasiuk та ін. "Точкові дефекти у твердому розчині Cd1-xZnxTe". Thesis, Вид-во СумДУ, 2011. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/10494.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Опанасюк, Анатолій Сергійович, Анатолий Сергеевич Опанасюк, Anatolii Serhiiovych Opanasiuk та ін. "Фоточутливі плівки Cd1-xZnxTe для детекторів жорсткого випромінювання". Thesis, Сумський державний університет, 2018. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67933.

Full text
Abstract:
Товсті полікристалі плівки Cd1-xZnxTe (CZT) з різною концентрацією цинку були отримані методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі на скляних підкладках вкритих підшаром ITO. Проводилося вивчення електрофізичних властивостей та фотовідклику багатошарових структур Au/CZT/ITO з метою оцінки можливості їх використання в якості детекторів радіаційного випромінювання.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Знаменщиков, Ярослав Володимирович, Ярослав Владимирович Знаменщиков, Yaroslav Volodymyrovych Znamenshchykov та ін. "Дослідження фазового складу полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe методом мікро-раман". Thesis, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної Академії Наук України, 2017. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65446.

Full text
Abstract:
Товсті полікристалічні плівки CZT були отримані методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об’ємі, температура випарника складала 700°С, температура підкладки - 400°С. Для отримання плівок з різною концентрацією цинку проводилося випаровування суміші порошків CdTe та ZnTe, масове відношення яких змінювалося для кожної плівки.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Li, Tiesheng. "Optical properties of CdTe/Cd1-xZnxTe strained-layer single quantum wells." Ohio : Ohio University, 1993. http://www.ohiolink.edu/etd/view.cgi?ohiou1173760803.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Arnoux, Thierry. "Matériaux photoréfractifs pour la bande 1,06-1,55 mum : cristallogenèse, caractérisations spectroscopiques et optiques de Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 0,1) dope ou codope." Bordeaux 1, 1999. http://www.theses.fr/1999BOR10522.

Full text
Abstract:
Cdte et cdznte dopes vanadium presentent des proprietes photorefractives tres prometteuses pour des applications optiques dans le domaine de longueurs d'onde 1,06-1,55 m. Le procede de croissance par la methode de bridgman verticale a ete optimise pour obtenir des monocristaux homogenes chimiquement et possedant une tres faible absorption residuelle. Par des actions interactives entre des caracterisations spectroscopiques (sims, rpe, dcm, absorption, photoabsorption et photoconductivite) et des experiences optiques de couplage d'ondes, des correlations ont ete etablies entre les proprietes mic
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Fougeres, Paul. "Croissance et caractérisation de cristaux de Cd1-xZnxTe tirés par la méthode Bridgman sous Haute Pression : application à la détection de rayonnements X et γ". Université Louis Pasteur (Strasbourg) (1971-2008), 1998. http://www.theses.fr/1998STR13263.

Full text
Abstract:
L’apparition des cristaux de Cd1-xZn xTe (CZT) tirés par la méthode Bridgman sous Haute Pression, adaptés à la détection nucléaire a soulevé de nombreuses questions d’ordre scientifique et technologique. Les cristaux sont électriquement très résistifs sans compensation chimique volontaire et sont adaptés à la détection des rayonnements nucléaires. Cette thèse a pour but d’apporter des éléments permettant de comprendre certaines propriétés des cristaux de CZT tirés par la technique HPB et d’en évaluer leurs qualités pour la détection nucléaire. Le chapitre I commence par rappeler les propriétés
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Знаменщиков, Ярослав Володимирович, Ярослав Владимирович Знаменщиков та Yaroslav Volodymyrovych Znamenshchykov. "Структурні, електрофізичні та оптичні властивості плівок CdZnTe та приладові структури на їх основі". Thesis, Сумський державний університет, 2019. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72876.

Full text
Abstract:
Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню структурних, електрофізичних та оптичних властивостей полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe (CZT) для використання в детекторах радіаційного випромінювання, встановленню впливу елементного складу на фізичні властивості плівок, визначенню параметрів основних пасткових центрів, що впливають на проходження струму в матеріалі. Установлені взаємозв’язки між елементним складом плівок CZT та їх структурними, субструктурними, оптичними, електричними властивостями можуть бути використані для подальшого створення детекторів радіаційного випромінювання
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Yang, Jin Jang, and 楊佳璋. "Growth and Characterization of Cd1-xZnxTe." Thesis, 1994. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/69401773929781229280.

Full text
Abstract:
碩士<br>中原大學<br>應用物理學系<br>82<br>Cd1-xZnxTe(0＜x≦0.2) crystals were synthesized by tempera- ture gradient solution growth method(TGSG). Because the large vapor pressure of Cd induce native defect with Cd vacancy(Vcd)， the quality of Cd1-xZnxTe depends on the amount of Vcd.For the purpose of crystal compensation with low defect density,we tried doping Cl into the Te-rich solution method to form the defect associaties (VcdClTe),(Vcd2ClTe). The crystal grown by Cl-doped TGSG is analyzed by X-ray d
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Lin, Horn-Jaan, and 林宏展. "Studies of Cd1-xZnxTe Bulk Crystals Prepared by Temperature." Thesis, 1996. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/63210355579895554413.

Full text
Abstract:
碩士<br>國立交通大學<br>物理研究所<br>84<br>In this work, we use the temperature gradient solution growth method to growCd1-xZnxTe bulk crystals and study the vibrational modes in the Cd1-xZnxTe bulkcrystals with Raman scattering measurement. The frequencies of Zone-centeroptical phonons of the Cd1-xZnxTe (bulk crystals and epilayers) exhibit two-mode behavior and are well described by the modified random- element isodisplace-ment model. Several important physical parameters are deduced from the fits to
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Books on the topic "Cd1-xZnxTe"

1

Berlin, Technische Universität, ed. Reflexionsspektroskopische Untersuchungen zur Bandstruktur der Mischkristalle Cd1-xMnxTe und Cd1-xZnxTe im Energiebereich von 4 bis 20 eV. 1986.

Find full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Book chapters on the topic "Cd1-xZnxTe"

1

Gutowski, J., K. Sebald, and T. Voss. "Cd1–xZnxTe: enthalpy." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds. Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_244.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Gutowski, J., K. Sebald, and T. Voss. "Cd1–xZnxTe: energy gaps." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds. Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_245.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Gutowski, J., K. Sebald, and T. Voss. "Cd1–xZnxTe: ionization energies." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds. Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_247.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Gutowski, J., K. Sebald, and T. Voss. "Cd1–xZnxTe: donor acceptor pairs." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds. Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_246.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Gutowski, J., K. Sebald, and T. Voss. "Cd1–xZnxTe: resistivity, mobilities, Hall coefficient." In New Data and Updates for III-V, II-VI and I-VII Compounds. Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-92140-0_248.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Ladeira, L. O., J. Shen, L. L. Regel, and W. R. Wilcox. "Directional Solidification of Cd1-xZnxTe at High Gravity." In Centrifugal Materials Processing. Springer US, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-5941-2_12.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Choi, B. W., and H. N. G. Wadley. "Nondestructive Characterization of the Nucleation and Early Vertical Bridgman Crystal Growth of Cd1-xZnxTe." In Nondestructive Characterization of Materials VIII. Springer US, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-4847-8_59.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Korotcenkov, Ghenadii, and Sergiu Vatavu. "Features of Single-Crystal Growth of CdTe and Cd1-xZnxTe Compounds Designed for Radiation Detectors." In Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors. Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-19531-0_9.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Wang, Lufang, Yehua Tang, and Tingjin Chen. "Optical Properties Analyzing and Measuring of Cd1-XznxTe/Glass Thin Films Grown by Hot Wall Epitaxy." In Proceedings of ISES World Congress 2007 (Vol. I – Vol. V). Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-75997-3_214.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

James, R. B., T. E. Schlesinger, Jim Lund, and Michael Schieber. "Chapter 9 Cd1-xZnxTe Spectrometers for Gamma and X-Ray Applications." In Semiconductors for Room Temperature Nuclear Detector Applications. Elsevier, 1995. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(08)62748-9.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

Conference papers on the topic "Cd1-xZnxTe"

1

Butler, Jack F., Stan J. Friesenhahn, Clinton L. Lingren, et al. "Cd1-xZnxTe detector imaging array." In Medical Imaging 1993, edited by Rodney Shaw. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.154607.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Heffelfinger, Jason R., Douglas L. Medlin, H. Yoon, Haim Hermon, and Ralph B. James. "Analysis of Cd1-xZnxTe microstructure." In Optical Science, Engineering and Instrumentation '97, edited by Richard B. Hoover and F. P. Doty. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.277702.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Butler, Jack F., Boris A. Apotovsky, A. Niemela, and Heikki Sipila. "Sub-keV resolution detection with Cd1-xZnxTe detectors." In SPIE's 1993 International Symposium on Optics, Imaging, and Instrumentation, edited by Victor J. Orphan. SPIE, 1993. http://dx.doi.org/10.1117/12.164731.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Wang, Reng, Xingcao Lin, Liping Zhang, et al. "Terahertz time-domain spectroscopy of Cd1-xZnxTe single crystal." In 6th International Symposium on Advanced Optical Manufacturing and Testing Technologies (AOMATT 2012), edited by Yadong Jiang, Junsheng Yu, and Zhifeng Wang. SPIE, 2012. http://dx.doi.org/10.1117/12.952479.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Samoilenko, Yegor, and Colin A. Wolden. "Stability of Cd1-xZnxTe alloys under CdTe processing conditions." In 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2017.8366031.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Poluboiarov, O. O., S. V. Sulima, O. N. Chugai, and O. O. Voloshin. "Photoelectric properties of Cd1−xZnxTe crystals for gamma radiation detectors." In 2016 II International Young Scientists Forum on Applied Physics and Engineering (YSF). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/ysf.2016.7753817.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Znamenshchykov, Yaroslav, Vladislav Volobuev, Denys Kurbatov, Maksym Kolesnyk, Sergiy Nekrasov, and Anatoliy Opanasyuk. "Photoresponse and X-ray response of Cd1-xZnxTe thick polycrystalline films." In 2020 IEEE KhPI Week on Advanced Technology (KhPIWeek). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/khpiweek51551.2020.9250105.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Wang, Xuemei, Lili Wu, Zhe Zhu, et al. "Properties of Cu doped Cd1-xZnxTe Films Deposited by Magnetron Sputtering." In Advanced Optoelectronics for Energy and Environment. OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/aoee.2013.asa3a.40.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Azarov, Ivan A. "Measuring of composition of Cd1−XZnxTe layer by spectral ellipsometry method." In 2009 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/edm.2009.5173912.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Egarievwe, Stephen U., Leroy Salary, Jr., Kuo-Tong Chen, Arnold Burger, and Ralph B. James. "Performances of CdTe and Cd1-xZnxTe gamma-ray detectors at elevated temperatures." In SPIE's 1994 International Symposium on Optics, Imaging, and Instrumentation, edited by Elena Aprile. SPIE, 1994. http://dx.doi.org/10.1117/12.187268.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Cd1-xZnxTe' for particular source types:
Journal articles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography